JP3244001B2 - ワークの実装方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプを介して基
板にワークを実装するワークの実装方法に関するもので
ある。
板にワークを実装するワークの実装方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図11は、従来の基板にチップを実装中
の側面図である。基板1の上面には電極2が形成されて
いる。またワークとしてのチップ3の下面にはバンプ4
が形成されている。チップ3を加圧ヘッド5のフローテ
ィング機構部6に真空吸着して保持し、バンプ4を電極
2に押し付けてチップ3を基板1に実装するようになっ
ている。
の側面図である。基板1の上面には電極2が形成されて
いる。またワークとしてのチップ3の下面にはバンプ4
が形成されている。チップ3を加圧ヘッド5のフローテ
ィング機構部6に真空吸着して保持し、バンプ4を電極
2に押し付けてチップ3を基板1に実装するようになっ
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】基板1はガラエポ樹脂
やセラミックなどによりプレート状に形成されている
が、基板1の上面にはうねりによる高低差hが生じやす
い。したがって従来方法においては、高低差hが小さい
場合は、フローティング機構部6が首ふりしてチップ3
を基板1の上面にならわせることにより吸収し、すべて
のバンプ4を電極2に着地させることができる。しかし
ながら高低差hが大きくなるとフローティング機構部6
では高低差hを完全に吸収できず、その結果、すべての
バンプ4は電極2に着地できずに(図11において、左
側から2番目と3番目のバンプ4を参照)導通不良の不
良品となってしまう問題点があった。
やセラミックなどによりプレート状に形成されている
が、基板1の上面にはうねりによる高低差hが生じやす
い。したがって従来方法においては、高低差hが小さい
場合は、フローティング機構部6が首ふりしてチップ3
を基板1の上面にならわせることにより吸収し、すべて
のバンプ4を電極2に着地させることができる。しかし
ながら高低差hが大きくなるとフローティング機構部6
では高低差hを完全に吸収できず、その結果、すべての
バンプ4は電極2に着地できずに(図11において、左
側から2番目と3番目のバンプ4を参照)導通不良の不
良品となってしまう問題点があった。
【0004】したがって本発明は、基板の上面の大きな
うねりによる高低差に対応してワークの実装を行えるワ
ークの実装方法を提供することを目的とする。
うねりによる高低差に対応してワークの実装を行えるワ
ークの実装方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のワークの実装方
法は、上面にうねりによる高低差を有する基板にワーク
を実装するワーク実装方法であって、基板の複数個の電
極上に前記高低差よりも大きい高さを有するバンプを形
成する工程と、これらのバンプに平坦化ツールを押し付
けてこれらのバンプの上面の高さを同一レベルにする工
程と、ワークの下面に形成された電極を前記バンプに着
地させてワークを前記基板に搭載する工程と、を含むも
のである。
法は、上面にうねりによる高低差を有する基板にワーク
を実装するワーク実装方法であって、基板の複数個の電
極上に前記高低差よりも大きい高さを有するバンプを形
成する工程と、これらのバンプに平坦化ツールを押し付
けてこれらのバンプの上面の高さを同一レベルにする工
程と、ワークの下面に形成された電極を前記バンプに着
地させてワークを前記基板に搭載する工程と、を含むも
のである。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明によれば、基板の上面の大
きなうねりによる高低差に対応してワークの実装を行う
ことができる。
きなうねりによる高低差に対応してワークの実装を行う
ことができる。
【0007】以下、本発明の一実施の形態を図面を参照
しながら説明する。図1は本発明の実施の形態1のワー
クの実装装置の正面図である。また、図2、図3、図
4、図5、図6、図7は同ワークの実装工程図であっ
て、ワークの実装方法を工程順に示すものである。また
図8は、同基板が不良品の場合の説明図である。
しながら説明する。図1は本発明の実施の形態1のワー
クの実装装置の正面図である。また、図2、図3、図
4、図5、図6、図7は同ワークの実装工程図であっ
て、ワークの実装方法を工程順に示すものである。また
図8は、同基板が不良品の場合の説明図である。
【0008】まず図1を参照して、ワークの実装装置の
全体構成を説明する。基板11は搬送路12に沿って右
方へピッチ送りされる。搬送路12の上方には、PSD
などの高さの計測手段13を備えた可動テーブル14、
ホーン15やキャピラリツール16などを備えたワイヤ
ボンダ17、平坦化ツール18を備えた平坦化手段1
9、ボンド塗布手段としてのディスペンサ20、チップ
21を真空吸着するダイコレット22を備えたダイボン
ダ23などが順に並設されている。25はコンピュータ
であり、上記各手段に接続されている。図2に示すよう
に、基板11の上面には電極24が多数形成されてい
る。基板11の上面にはうねりにより高低差hが生じて
いる。
全体構成を説明する。基板11は搬送路12に沿って右
方へピッチ送りされる。搬送路12の上方には、PSD
などの高さの計測手段13を備えた可動テーブル14、
ホーン15やキャピラリツール16などを備えたワイヤ
ボンダ17、平坦化ツール18を備えた平坦化手段1
9、ボンド塗布手段としてのディスペンサ20、チップ
21を真空吸着するダイコレット22を備えたダイボン
ダ23などが順に並設されている。25はコンピュータ
であり、上記各手段に接続されている。図2に示すよう
に、基板11の上面には電極24が多数形成されてい
る。基板11の上面にはうねりにより高低差hが生じて
いる。
【0009】次に、図2〜図8を参照して、チップの実
装方法を説明する。まず図2に示すように、搬送路12
を搬送されてきた基板11を計測手段13の直下で停止
させる。そこで計測手段13を水平移動させながら、基
板11の上面にレーザ光Rを照射し、その反射光を受光
することにより、基板11の上面の高さを計測する。計
測値はコンピュータ25に入力される。そしてコンピュ
ータ25は基板11の上面の最大の高低差hを計算し、
かつ次の工程で形成されるバンプの高さHとこの高低差
hを比較する。そして、高低差hがバンプの高さHより
も小さいときは、以下の作業が続行されるが、バンプの
高さHよりも大きいときは以下の作業は中止され、この
基板11は不良品としてラインから除外される。
装方法を説明する。まず図2に示すように、搬送路12
を搬送されてきた基板11を計測手段13の直下で停止
させる。そこで計測手段13を水平移動させながら、基
板11の上面にレーザ光Rを照射し、その反射光を受光
することにより、基板11の上面の高さを計測する。計
測値はコンピュータ25に入力される。そしてコンピュ
ータ25は基板11の上面の最大の高低差hを計算し、
かつ次の工程で形成されるバンプの高さHとこの高低差
hを比較する。そして、高低差hがバンプの高さHより
も小さいときは、以下の作業が続行されるが、バンプの
高さHよりも大きいときは以下の作業は中止され、この
基板11は不良品としてラインから除外される。
【0010】さて、図2の工程において高低差hはバン
プの高さH(図3)よりも小さく、基板11は良品と判
定されると、基板11は次のワイヤボンダ17の下方へ
送られ、ワイヤボンディング手段により基板11の電極
24上にバンプ28が次々に形成される。
プの高さH(図3)よりも小さく、基板11は良品と判
定されると、基板11は次のワイヤボンダ17の下方へ
送られ、ワイヤボンディング手段により基板11の電極
24上にバンプ28が次々に形成される。
【0011】図3はその様子を示すものであって、キャ
ピラリツール16の下端部から導出されたワイヤ27の
下端部にトーチ26を接近させ、トーチ26に高電圧を
印加してワイヤ27の下端部との間に電気的スパークを
発生させて、ワイヤ27の下端部にボール28’を形成
する。そしてキャピラリツール16に下降・上昇動作を
行わせてボール28’を電極24にボンディングし、バ
ンプ28を形成する。なおバンプ28の高さHはほぼ一
定であり、既知値としてコンピュータ25のメモリに予
め入力されているので、上述した高低差hとの比較をコ
ンピュータ25で行えるものである。次に基板11は平
坦化手段19の直下へ送られる。そしてそこで平坦化ツ
ール18が下降してそのフラットな下面がすべてのバン
プ28に押し付けられ(図4において、鎖線で示す平坦
化ツール18を参照)、すべてのバンプ28の高さは同
一レベルLにされる(図5)。
ピラリツール16の下端部から導出されたワイヤ27の
下端部にトーチ26を接近させ、トーチ26に高電圧を
印加してワイヤ27の下端部との間に電気的スパークを
発生させて、ワイヤ27の下端部にボール28’を形成
する。そしてキャピラリツール16に下降・上昇動作を
行わせてボール28’を電極24にボンディングし、バ
ンプ28を形成する。なおバンプ28の高さHはほぼ一
定であり、既知値としてコンピュータ25のメモリに予
め入力されているので、上述した高低差hとの比較をコ
ンピュータ25で行えるものである。次に基板11は平
坦化手段19の直下へ送られる。そしてそこで平坦化ツ
ール18が下降してそのフラットな下面がすべてのバン
プ28に押し付けられ(図4において、鎖線で示す平坦
化ツール18を参照)、すべてのバンプ28の高さは同
一レベルLにされる(図5)。
【0012】図8は、上記高低差hがバンプ28の高さ
Hよりも大きい場合を示している。この場合、平坦化ツ
ール18はすべてのバンプ28に着地できないので、す
べてのバンプ28の高さを同一レベルLにすることはで
きず、後述するチップの搭載作業において、チップの電
極をすべてのバンプ28に着地させることはできないこ
ととなる。よってこのような基板11は、不良品として
上述したようにラインから除去する。なお図8では、平
坦化ツール18は左側から2番目のバンプ28に着地で
きず、このバンプ28を平坦化できない。
Hよりも大きい場合を示している。この場合、平坦化ツ
ール18はすべてのバンプ28に着地できないので、す
べてのバンプ28の高さを同一レベルLにすることはで
きず、後述するチップの搭載作業において、チップの電
極をすべてのバンプ28に着地させることはできないこ
ととなる。よってこのような基板11は、不良品として
上述したようにラインから除去する。なお図8では、平
坦化ツール18は左側から2番目のバンプ28に着地で
きず、このバンプ28を平坦化できない。
【0013】さて、バンプ28の上面を平坦化された基
板11は、ディスペンサ20の直下へ送られる。そこで
ディスペンサ20からボンド29が吐出される(図
6)。ボンド29はすべてのバンプ28を覆うように基
板11の上面に塗布される。次に基板11はダイボンダ
23の直下へ送られ、ダイコレット22に真空吸着して
保持されたチップ21が搭載される(図7)。チップ2
1の下面にはバンプ30が突設されており、バンプ30
を基板11側のバンプ28に着地させて搭載される。次
いでこの基板11は加熱炉(図外)へ送られ、ボンド2
9を加熱して硬化させることにより全工程は終了する。
なおボンド29を硬化させる方法としては、ダイコレッ
ト22もしくは基板下受けブロック(図示せず)に加熱
用のヒータを取り付け、ダイボンダ23で搭載と硬化を
一度に行ってもよい。
板11は、ディスペンサ20の直下へ送られる。そこで
ディスペンサ20からボンド29が吐出される(図
6)。ボンド29はすべてのバンプ28を覆うように基
板11の上面に塗布される。次に基板11はダイボンダ
23の直下へ送られ、ダイコレット22に真空吸着して
保持されたチップ21が搭載される(図7)。チップ2
1の下面にはバンプ30が突設されており、バンプ30
を基板11側のバンプ28に着地させて搭載される。次
いでこの基板11は加熱炉(図外)へ送られ、ボンド2
9を加熱して硬化させることにより全工程は終了する。
なおボンド29を硬化させる方法としては、ダイコレッ
ト22もしくは基板下受けブロック(図示せず)に加熱
用のヒータを取り付け、ダイボンダ23で搭載と硬化を
一度に行ってもよい。
【0014】図9および図10は、本発明の実施の形態
2のワークの実装工程図である。図9および図10は、
実施の形態1の図7の工程に対応している。この実施の
形態2では、実施の形態1の図6の工程において、ディ
スペンサ20によりボンド29を塗布したのに代えて、
異方性導電テープ(以下、ACFという)32を平坦化
されたバンプ28上に貼着している。そして図9に示す
ように、チップ21の電極33を基板11のバンプ28
に位置合わせして、図示しない加熱手段により熱を加え
つつ、ダイコレット22でACF32を押し潰しながら
チップ21を基板11に搭載し、チップ21の電極33
を基板11のバンプ28に押し付ける(図10)。する
と熱によってACF32は流動化した後、硬化し、チッ
プ21は基板11にボンディングされる。なおこのチッ
プ21の電極33にはバンプは形成されていない。
2のワークの実装工程図である。図9および図10は、
実施の形態1の図7の工程に対応している。この実施の
形態2では、実施の形態1の図6の工程において、ディ
スペンサ20によりボンド29を塗布したのに代えて、
異方性導電テープ(以下、ACFという)32を平坦化
されたバンプ28上に貼着している。そして図9に示す
ように、チップ21の電極33を基板11のバンプ28
に位置合わせして、図示しない加熱手段により熱を加え
つつ、ダイコレット22でACF32を押し潰しながら
チップ21を基板11に搭載し、チップ21の電極33
を基板11のバンプ28に押し付ける(図10)。する
と熱によってACF32は流動化した後、硬化し、チッ
プ21は基板11にボンディングされる。なおこのチッ
プ21の電極33にはバンプは形成されていない。
【0015】本発明は上記実施の形態に限定されないの
であって、例えば計測手段をワイヤボンダに組み込み、
バンプを形成す直前に基板の上面の高低差を計測しても
よく、あるいはバンプはクリーム半田を用いるスクリー
ン印刷法や導電性ボールを用いる工法、さらにメッキ法
等により形成してもよいものである。
であって、例えば計測手段をワイヤボンダに組み込み、
バンプを形成す直前に基板の上面の高低差を計測しても
よく、あるいはバンプはクリーム半田を用いるスクリー
ン印刷法や導電性ボールを用いる工法、さらにメッキ法
等により形成してもよいものである。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、基板の上面の大きなう
ねりによる高低差に対応してワークの実装を行うことが
できる。
ねりによる高低差に対応してワークの実装を行うことが
できる。
【図1】本発明の実施の形態1のワークの実装装置の正
面図
面図
【図2】本発明の実施の形態1のワークの実装工程図
【図3】本発明の実施の形態1のワークの実装工程図
【図4】本発明の実施の形態1のワークの実装工程図
【図5】本発明の実施の形態1のワークの実装工程図
【図6】本発明の実施の形態1のワークの実装工程図
【図7】本発明の実施の形態1のワークの実装工程図
【図8】本発明の実施の形態1の基板が不良品の場合の
説明図
説明図
【図9】本発明の実施の形態2のワークの実装工程図
【図10】本発明の実施の形態2のワークの実装工程図
【図11】従来の基板にチップを実装中の側面図
11 基板 13 計測手段 17 ワイヤボンダ 18 平坦化ツール 19 平坦化手段 20 ディスペンサ 21 ワーク 23 ダイボンダ 24 電極 28 バンプ 29 ボンド 30 バンプ 32 ACF 33 電極
Claims (1)
- 【請求項1】上面にうねりによる高低差を有する基板に
ワークを実装するワーク実装方法であって、基板の複数
個の電極上に前記高低差よりも大きい高さを有するバン
プを形成する工程と、これらのバンプに平坦化ツールを
押し付けてこれらのバンプの上面の高さを同一レベルに
する工程と、ワークの下面に形成された電極を前記バン
プに着地させてワークを前記基板に搭載する工程と、を
含むことを特徴とするワークの実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17761896A JP3244001B2 (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | ワークの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17761896A JP3244001B2 (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | ワークの実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1022345A JPH1022345A (ja) | 1998-01-23 |
JP3244001B2 true JP3244001B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=16034161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17761896A Expired - Fee Related JP3244001B2 (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | ワークの実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3244001B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105308732A (zh) * | 2013-06-24 | 2016-02-03 | 皇家飞利浦有限公司 | 包括通过平面化减少焊接垫拓扑差异的制造电子结构的方法和对应的电子结构 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1047956C (zh) * | 1994-01-26 | 2000-01-05 | 北京大学 | 小麦醇溶蛋白的蛋白分子微胶囊制备方法 |
-
1996
- 1996-07-08 JP JP17761896A patent/JP3244001B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105308732A (zh) * | 2013-06-24 | 2016-02-03 | 皇家飞利浦有限公司 | 包括通过平面化减少焊接垫拓扑差异的制造电子结构的方法和对应的电子结构 |
CN105308732B (zh) * | 2013-06-24 | 2018-11-27 | 亮锐控股有限公司 | 包括通过平面化减少焊接垫拓扑差异的制造电子结构的方法和对应的电子结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1022345A (ja) | 1998-01-23 |
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