JPH0711421A - 半導体製造装置用ステンレス鋼部材 - Google Patents
半導体製造装置用ステンレス鋼部材Info
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- JPH0711421A JPH0711421A JP15867493A JP15867493A JPH0711421A JP H0711421 A JPH0711421 A JP H0711421A JP 15867493 A JP15867493 A JP 15867493A JP 15867493 A JP15867493 A JP 15867493A JP H0711421 A JPH0711421 A JP H0711421A
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- Japan
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- stainless steel
- film
- steel member
- cr2o3
- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐水分放出性に優れ、しかも重金属イオン等
のステンレス鋼構成元素の溶出量が少ない耐食性に優れ
た半導体製造装置用ステンレス部材を提供する。 【構成】 ステンレス鋼からなる母材表面に不働態皮膜
が形成された半導体製造装置用ステンレス鋼部材におい
て、前記不動態皮膜におけるＣｒ2Ｏ3がＣｒ2Ｏ3／（Ｆ
ｅ2Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）≧０.６５を満たすことを特徴とす
る。
のステンレス鋼構成元素の溶出量が少ない耐食性に優れ
た半導体製造装置用ステンレス部材を提供する。 【構成】 ステンレス鋼からなる母材表面に不働態皮膜
が形成された半導体製造装置用ステンレス鋼部材におい
て、前記不動態皮膜におけるＣｒ2Ｏ3がＣｒ2Ｏ3／（Ｆ
ｅ2Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）≧０.６５を満たすことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置用ガス供
給系配管部品として用いられるステンレス鋼部材に関
し、耐食性、耐水分放出性に優れた高品質な製品を得る
上で必要なステンレス鋼部材に関するものである。
給系配管部品として用いられるステンレス鋼部材に関
し、耐食性、耐水分放出性に優れた高品質な製品を得る
上で必要なステンレス鋼部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体産業界の技術の発展は目ざ
ましいものがある。半導体製造プロセスにおいては希釈
用ガス、特殊材料ガスなど多くのガスが使用されてい
る。これらのガスに対する純度の要求は半導体の集積度
が増すにしたがって厳しくなってきている。特殊材料ガ
スにおいては室温での水分との反応によりガス供給系
内、プロセスチャンバー内の反応生成物の汚染、腐食な
どが起こりパーティクルが発生する。半導体記憶素子の
配線間隔はサブミクロンの精度まで要求されるようにな
っており、パーティクルが配線上に付着しただけでも回
路がショ−トするおそれがある。
ましいものがある。半導体製造プロセスにおいては希釈
用ガス、特殊材料ガスなど多くのガスが使用されてい
る。これらのガスに対する純度の要求は半導体の集積度
が増すにしたがって厳しくなってきている。特殊材料ガ
スにおいては室温での水分との反応によりガス供給系
内、プロセスチャンバー内の反応生成物の汚染、腐食な
どが起こりパーティクルが発生する。半導体記憶素子の
配線間隔はサブミクロンの精度まで要求されるようにな
っており、パーティクルが配線上に付着しただけでも回
路がショ−トするおそれがある。
【０００３】そのため半導体の製造段階で使用される高
純度ガスをユースポイントまで供給するガス配管に使用
する配管部材に対する要求品質はますます厳格な規制が
設けられている。従来この配管部材として内面を光輝焼
鈍仕上げしたステンレス鋼を使用していたが、近時電解
研磨仕上げした清浄度および平滑度を有するステンレス
鋼管が開発されその使用量も増大する傾向にある。しか
し電解研磨により形成される不働態皮膜は水分をふくん
でおり耐水分放出性が劣るという問題がでてきている。
純度ガスをユースポイントまで供給するガス配管に使用
する配管部材に対する要求品質はますます厳格な規制が
設けられている。従来この配管部材として内面を光輝焼
鈍仕上げしたステンレス鋼を使用していたが、近時電解
研磨仕上げした清浄度および平滑度を有するステンレス
鋼管が開発されその使用量も増大する傾向にある。しか
し電解研磨により形成される不働態皮膜は水分をふくん
でおり耐水分放出性が劣るという問題がでてきている。
【０００４】この問題に対して特開平１−３１９５６号
では、電解研磨された表面に、酸素含有量が２５％以上
の雰囲気中で２８０〜５８０℃で加熱処理をすることで
水分を含まない酸化処理皮膜を形成することが提案され
ている。
では、電解研磨された表面に、酸素含有量が２５％以上
の雰囲気中で２８０〜５８０℃で加熱処理をすることで
水分を含まない酸化処理皮膜を形成することが提案され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが前記特開平１
−３１９５６号で提案された表面処理においては、ステ
ンレス鋼表面に形成された酸化皮膜がＦｅを主成分とす
るものであるため、特殊材料ガスを使用した場合には酸
化皮膜が腐食しその構成元素であるＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ等
のイオンが溶出することがあり耐食性に問題があること
が判明した。すなわち、現状では耐食性と耐水分放出性
を兼ね備えた半導体製造装置用部材は得られていない。
−３１９５６号で提案された表面処理においては、ステ
ンレス鋼表面に形成された酸化皮膜がＦｅを主成分とす
るものであるため、特殊材料ガスを使用した場合には酸
化皮膜が腐食しその構成元素であるＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ等
のイオンが溶出することがあり耐食性に問題があること
が判明した。すなわち、現状では耐食性と耐水分放出性
を兼ね備えた半導体製造装置用部材は得られていない。
【０００６】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであってその目的は、耐水分放出性に優れ、しかも
管内面から重金属イオン等のステンレス鋼構成元素の溶
出が少ない耐食性に優れた半導体製造装置用ステンレス
部材を提供する点にある。
ものであってその目的は、耐水分放出性に優れ、しかも
管内面から重金属イオン等のステンレス鋼構成元素の溶
出が少ない耐食性に優れた半導体製造装置用ステンレス
部材を提供する点にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、硝酸浸漬後
に行われる加熱処理を極めて酸素の低い雰囲気で行え
ば、その後形成される不動態皮膜をＣｒに富むものとす
ることができることを知見した。本発明はこの知見に基
づきなされたものであり、ステンレス鋼からなる母材表
面に不働態皮膜が形成された半導体製造装置用ステンレ
ス鋼部材において、前記不動態皮膜におけるＣｒ2Ｏ3が
Ｃｒ2Ｏ3／（Ｆｅ2Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）≧０.６５を満たす
ことを特徴とする。
に行われる加熱処理を極めて酸素の低い雰囲気で行え
ば、その後形成される不動態皮膜をＣｒに富むものとす
ることができることを知見した。本発明はこの知見に基
づきなされたものであり、ステンレス鋼からなる母材表
面に不働態皮膜が形成された半導体製造装置用ステンレ
ス鋼部材において、前記不動態皮膜におけるＣｒ2Ｏ3が
Ｃｒ2Ｏ3／（Ｆｅ2Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）≧０.６５を満たす
ことを特徴とする。
【０００８】
【作用】前述のように本発明は、ステンレス鋼部材表面
に形成される皮膜にＣｒをより多く存在させることによ
り耐食性を向上した点に特徴がある。すなわち、ステン
レス鋼を硝酸水溶液中に浸漬してＣｒを主体とする皮膜
を形成し、その後行う加熱処理を酸素量が極めて低い雰
囲気で行うことで皮膜中のＦｅ存在量の増大を抑制して
最終的に形成される不動態皮膜をＣｒに富むものとする
のである。
に形成される皮膜にＣｒをより多く存在させることによ
り耐食性を向上した点に特徴がある。すなわち、ステン
レス鋼を硝酸水溶液中に浸漬してＣｒを主体とする皮膜
を形成し、その後行う加熱処理を酸素量が極めて低い雰
囲気で行うことで皮膜中のＦｅ存在量の増大を抑制して
最終的に形成される不動態皮膜をＣｒに富むものとする
のである。
【０００９】以下本発明をさらに詳細に説明する。ステ
ンレス鋼硝酸水溶液中に浸漬すると、鋼表面のＦｅはイ
オンとなり溶液中に溶出し残ったＣｒが酸素と結合し鋼
内部よりもＣｒに富む皮膜が形成される。もともとステ
ンレス鋼の耐食性はＣｒに起因するところが大である
が、本発明部材は硝酸水溶液中に浸漬することによりＣ
ｒを表面皮膜内に濃化させ耐食性を向上する物である。
ンレス鋼硝酸水溶液中に浸漬すると、鋼表面のＦｅはイ
オンとなり溶液中に溶出し残ったＣｒが酸素と結合し鋼
内部よりもＣｒに富む皮膜が形成される。もともとステ
ンレス鋼の耐食性はＣｒに起因するところが大である
が、本発明部材は硝酸水溶液中に浸漬することによりＣ
ｒを表面皮膜内に濃化させ耐食性を向上する物である。
【００１０】浸漬する硝酸水溶液の温度が低すぎるとＣ
ｒに富む皮膜形成効果が不十分であり、一方高すぎると
水分の蒸発が始まり濃度変化が生じる。以上を考慮する
と水溶液の保持温度を４０〜７０℃とするのが望まし
い。また硝酸の濃度は、低すぎるとＣｒに富む皮膜形成
効果が不十分であり、一方一定濃度以上になると効果が
飽和するとともに濃度が高すぎると作業安全上好ましく
ない。したがって、硝酸濃度は２０〜５０ｖｏｌ.％と
するのが望ましい。
ｒに富む皮膜形成効果が不十分であり、一方高すぎると
水分の蒸発が始まり濃度変化が生じる。以上を考慮する
と水溶液の保持温度を４０〜７０℃とするのが望まし
い。また硝酸の濃度は、低すぎるとＣｒに富む皮膜形成
効果が不十分であり、一方一定濃度以上になると効果が
飽和するとともに濃度が高すぎると作業安全上好ましく
ない。したがって、硝酸濃度は２０〜５０ｖｏｌ.％と
するのが望ましい。
【００１１】浸漬時間は、短すぎるとＣｒに富む皮膜形
成の効果が不十分であり、一方一定時間で前記皮膜形成
効果は飽和する。したがって、浸漬時間は３０〜６０分
とするのが望ましい。以上の浸漬処理を施したステンレ
ス鋼部材を酸素量が０．１ｐｐｍ以下の雰囲気中２００
〜９００℃で加熱処理する。
成の効果が不十分であり、一方一定時間で前記皮膜形成
効果は飽和する。したがって、浸漬時間は３０〜６０分
とするのが望ましい。以上の浸漬処理を施したステンレ
ス鋼部材を酸素量が０．１ｐｐｍ以下の雰囲気中２００
〜９００℃で加熱処理する。
【００１２】熱処理を酸素量が０．１ｐｐｍ以下の雰囲
気中で行うのは、酸素の多い雰囲気ではＦｅと酸素が結
合し前記皮膜中の酸素量が増大するためである。また、
熱処理温度を２００℃以上とするのは、２００℃未満の
温度域ではＣｒに比べＦｅの元素拡散が優先されるため
に前記皮膜のＦｅが富化するためである。一方加熱温度
を９００℃以下とするのは、９００℃を越えるといわゆ
るサーマルエッチングが生じ不動態皮膜の密着性を劣化
させるからである。前記加熱処理を施すことによって皮
膜中の結合水に脱水分現象が生じ水分が減少するととも
に、このＣｒに富む皮膜は、その後大気中に曝されて水
分を吸着しても容易に水分が脱離する、つまり水分の脱
離性がよいこと、によって耐水分放出性に優れたものと
なる。したがって本発明によるＣｒに富む皮膜は、耐水
分放出性、耐食性を兼ね備えた部材となる。
気中で行うのは、酸素の多い雰囲気ではＦｅと酸素が結
合し前記皮膜中の酸素量が増大するためである。また、
熱処理温度を２００℃以上とするのは、２００℃未満の
温度域ではＣｒに比べＦｅの元素拡散が優先されるため
に前記皮膜のＦｅが富化するためである。一方加熱温度
を９００℃以下とするのは、９００℃を越えるといわゆ
るサーマルエッチングが生じ不動態皮膜の密着性を劣化
させるからである。前記加熱処理を施すことによって皮
膜中の結合水に脱水分現象が生じ水分が減少するととも
に、このＣｒに富む皮膜は、その後大気中に曝されて水
分を吸着しても容易に水分が脱離する、つまり水分の脱
離性がよいこと、によって耐水分放出性に優れたものと
なる。したがって本発明によるＣｒに富む皮膜は、耐水
分放出性、耐食性を兼ね備えた部材となる。
【００１３】なお、本発明では硝酸水溶液中による浸漬
処理に先だって電解研磨によりステンレス鋼部材の表面
粗度をＲｍａｘ：１μｍ以下としておくことが望まし
い。これは前記特開平１−３１９５６号にも開示されて
いるが、表面を平滑化することで不動態皮膜の密着性を
向上することができるからである。また本明細書におい
てはステンレス鋼部材として特に配管部材を取り上げて
その表面処理方法を説明していくが、本発明は半導体製
造装置の構成部材となる他のステンレス鋼部材の表面処
理にも適用できるものである。
処理に先だって電解研磨によりステンレス鋼部材の表面
粗度をＲｍａｘ：１μｍ以下としておくことが望まし
い。これは前記特開平１−３１９５６号にも開示されて
いるが、表面を平滑化することで不動態皮膜の密着性を
向上することができるからである。また本明細書におい
てはステンレス鋼部材として特に配管部材を取り上げて
その表面処理方法を説明していくが、本発明は半導体製
造装置の構成部材となる他のステンレス鋼部材の表面処
理にも適用できるものである。
【００１４】
【実施例】１０ｍｍφで厚さ５ｍｍのＪＩＳ ＳＵＳ３
１６Ｌステンレス鋼テストピースに電解研磨を施して表
面粗度をＲｍａｘ：０.０５μｍとした後、５０℃に保
持した硝酸水溶液中（硝酸濃度４０Ｖｏｌ.％）に４０
分間浸漬し、洗浄、乾燥後、極低酸素分圧（０.０６pp
m）雰囲気中の条件下で加熱処理を行った。極低酸素分
圧雰囲気を得るために、ロータリーポンプによる真空雰
囲気と水分の露点温度が＜−７０℃の高純度Ａｒガスを
雰囲気ガスとした。
１６Ｌステンレス鋼テストピースに電解研磨を施して表
面粗度をＲｍａｘ：０.０５μｍとした後、５０℃に保
持した硝酸水溶液中（硝酸濃度４０Ｖｏｌ.％）に４０
分間浸漬し、洗浄、乾燥後、極低酸素分圧（０.０６pp
m）雰囲気中の条件下で加熱処理を行った。極低酸素分
圧雰囲気を得るために、ロータリーポンプによる真空雰
囲気と水分の露点温度が＜−７０℃の高純度Ａｒガスを
雰囲気ガスとした。
【００１５】これらの試料について次の試験を行った。 (ａ)オージェ（以下ＡＥＳ）分析による表面処理した不
働態膜表面のＣｒ元素の割合調査結果を図１および図２
に示す。図中ＡおよびＢは、 Ａ：電解研磨を施し、硝酸浸漬処理をした後、高純度な
Ａｒ雰囲気中で４００℃、１ｈの加熱処理を施した試料
（本発明例） Ｂ：電解研磨を施した後、高純度の酸素雰囲気中で４０
０℃、１ｈの加熱処理を施した試料（比較例） 図１および図２から明かなように、本発明例Ａは比較例
Ｂに比べて表面処理した不働態膜表面のＣｒの割合が高
く、なおかつ不働態皮膜内にもＣｒは存在しその量も多
い。Ｃｒは耐食性が優れていることから腐食性ガスに対
する耐食性も向上することがわかった。
働態膜表面のＣｒ元素の割合調査結果を図１および図２
に示す。図中ＡおよびＢは、 Ａ：電解研磨を施し、硝酸浸漬処理をした後、高純度な
Ａｒ雰囲気中で４００℃、１ｈの加熱処理を施した試料
（本発明例） Ｂ：電解研磨を施した後、高純度の酸素雰囲気中で４０
０℃、１ｈの加熱処理を施した試料（比較例） 図１および図２から明かなように、本発明例Ａは比較例
Ｂに比べて表面処理した不働態膜表面のＣｒの割合が高
く、なおかつ不働態皮膜内にもＣｒは存在しその量も多
い。Ｃｒは耐食性が優れていることから腐食性ガスに対
する耐食性も向上することがわかった。
【００１６】(ｂ)金属溶出量測定試験 試料としたテストピースを比抵抗＞１８ＭΩ・ｃｍの超
純水で希釈した４％ＮａＣｌ水溶液中にテフロンルツボ
を用い浸漬し、さらに金属製容器で封入し、金属製容器
全体を９０℃で２４ｈ保持した後、テストピースが４％
ＮａＣｌ水溶液中に溶出した金属量を誘導結合プラズマ
発光分光分析装置によって求めた。試験結果を表１に示
す。なお、表１中の比較例Ｎｏ.４〜６は酸素含有量が
３０％（容量％）の雰囲気中でそれぞれ３００℃、３５
０℃および４００℃で６０ｍｉｎ加熱保持したもの、本
発明例Ｎｏ.７、８はそれぞれの雰囲気で３５０℃で６
０ｍｉｎ加熱保持したものである。
純水で希釈した４％ＮａＣｌ水溶液中にテフロンルツボ
を用い浸漬し、さらに金属製容器で封入し、金属製容器
全体を９０℃で２４ｈ保持した後、テストピースが４％
ＮａＣｌ水溶液中に溶出した金属量を誘導結合プラズマ
発光分光分析装置によって求めた。試験結果を表１に示
す。なお、表１中の比較例Ｎｏ.４〜６は酸素含有量が
３０％（容量％）の雰囲気中でそれぞれ３００℃、３５
０℃および４００℃で６０ｍｉｎ加熱保持したもの、本
発明例Ｎｏ.７、８はそれぞれの雰囲気で３５０℃で６
０ｍｉｎ加熱保持したものである。
【００１７】表１から明らかなように、本発明は電解研
磨の後、硝酸浸漬処理により予め部材表面にＣｒを主体
とした皮膜が形成されており、且つ高純度なＡｒ雰囲気
中での条件による加熱処理によって緻密で保護性に富む
不働態化膜が形成されているため、その金属溶出量は酸
素中加熱したＮｏ．４〜Ｎｏ．６に比べ約１／３、電解
研磨のままのＮｏ．１〜Ｎｏ．３と同等となり優れた耐
食性を示すことがわかった。
磨の後、硝酸浸漬処理により予め部材表面にＣｒを主体
とした皮膜が形成されており、且つ高純度なＡｒ雰囲気
中での条件による加熱処理によって緻密で保護性に富む
不働態化膜が形成されているため、その金属溶出量は酸
素中加熱したＮｏ．４〜Ｎｏ．６に比べ約１／３、電解
研磨のままのＮｏ．１〜Ｎｏ．３と同等となり優れた耐
食性を示すことがわかった。
【００１８】
【表１】
【００１９】前記特開平１−３１９５６号と同様に酸素
中で加熱処理を行ったＮｏ．４〜Ｎｏ．６は酸素中加熱
処理であるためＦｅ系の酸化膜が形成されたため４％Ｎ
ａＣｌ水溶液中での耐食性が不十分であった。なお、表
１中のＣｒ／Ｆｅとは、不動態皮膜におけるＣｒ2Ｏ3／
（Ｆｅ2Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）を示している。この値は、表面
分析装置であるＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光分析装置、英
国ＶＧ社製３１０Ｄ）を用い、Ｘ線源としてＭｇ−Ｋα
線を試料に照射して得られた不動態皮膜のＣｒ2Ｏ3およ
びＦｅ2Ｏ3のピーク面積を測定し、その強度の和に対す
るＣｒ2Ｏ3のピーク面積比である。なお、本発明におけ
るＣｒ2Ｏ3／（Ｆｅ2Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）とは、この条件に
基づき定義される。本発明でＣｒ2Ｏ3が多くなるのは、
硝酸浸漬によりＦｅが選択的に溶け出し、表面の不動態
皮膜中に占めるＣｒ2Ｏ3が多くなり、さらに前述の加熱
処理によりその不動態皮膜が破壊されることなく水分除
去が可能なためである。
中で加熱処理を行ったＮｏ．４〜Ｎｏ．６は酸素中加熱
処理であるためＦｅ系の酸化膜が形成されたため４％Ｎ
ａＣｌ水溶液中での耐食性が不十分であった。なお、表
１中のＣｒ／Ｆｅとは、不動態皮膜におけるＣｒ2Ｏ3／
（Ｆｅ2Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）を示している。この値は、表面
分析装置であるＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光分析装置、英
国ＶＧ社製３１０Ｄ）を用い、Ｘ線源としてＭｇ−Ｋα
線を試料に照射して得られた不動態皮膜のＣｒ2Ｏ3およ
びＦｅ2Ｏ3のピーク面積を測定し、その強度の和に対す
るＣｒ2Ｏ3のピーク面積比である。なお、本発明におけ
るＣｒ2Ｏ3／（Ｆｅ2Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）とは、この条件に
基づき定義される。本発明でＣｒ2Ｏ3が多くなるのは、
硝酸浸漬によりＦｅが選択的に溶け出し、表面の不動態
皮膜中に占めるＣｒ2Ｏ3が多くなり、さらに前述の加熱
処理によりその不動態皮膜が破壊されることなく水分除
去が可能なためである。
【００２０】(ｃ)アノード分極挙動試験 アノード分極はＪＩＳ規格のＧ０５７９に準じ３０℃、
５％Ｈ2ＳＯ4水溶液中において動電位法（電位掃引速度
２０ｍＶ／ｍｉｎ）で測定し求めた。測定結果を図３に
示す。図中ＡおよびＢは、 Ａ：電解研磨を施し、硝酸浸漬処理をした後、高純度な
Ａｒ雰囲気中で４００℃、１ｈの加熱処理を施した試料
（本発明例） Ｂ：電解研磨を施した後、高純度の酸素雰囲気中で４０
０℃、１ｈの加熱処理を施した試料（比較例） 図３からも明かな様に本発明例Ａは比較例Ｂと比べて活
性態域は小さく不働態化電流密度は卑な値となり低電流
で不働態化されることから５％Ｈ2ＳＯ4水溶液中におい
ても耐食性は優れていることがわかった。
５％Ｈ2ＳＯ4水溶液中において動電位法（電位掃引速度
２０ｍＶ／ｍｉｎ）で測定し求めた。測定結果を図３に
示す。図中ＡおよびＢは、 Ａ：電解研磨を施し、硝酸浸漬処理をした後、高純度な
Ａｒ雰囲気中で４００℃、１ｈの加熱処理を施した試料
（本発明例） Ｂ：電解研磨を施した後、高純度の酸素雰囲気中で４０
０℃、１ｈの加熱処理を施した試料（比較例） 図３からも明かな様に本発明例Ａは比較例Ｂと比べて活
性態域は小さく不働態化電流密度は卑な値となり低電流
で不働態化されることから５％Ｈ2ＳＯ4水溶液中におい
ても耐食性は優れていることがわかった。
【００２１】(ｄ)耐水分放出性 本発明の表面処理をさらにダイアフラムバルブに施し、
大気中に放置した後に、Ａｒガスを流し出口のＡｒガス
中に含まれる水分量をＡＰＩＭＳで測定し求めた。測定
結果を図４に示す。図中Ａ、ＢおよびＣは、 Ａ：電解研磨を施し、硝酸浸漬処理をした後、高純度な
Ａｒ雰囲気中で４００℃、１ｈの加熱処理を施した試料
（本発明例） Ｂ：電解研磨を施した後、高純度の酸素雰囲気中で４０
０℃、１ｈの加熱処理を施した試料（比較例） Ｃ：電解研磨のままの試料（比較例） 図４から明かなように、比較例Ｃは水分量が安定するの
に時間を要するのに対し本発明例Ａは比較例Ｃに比べて
水分量は約２０分で一定となり低い水分量となり比較例
Ｂと同等の水分量であった。これらのことから、腐食性
ガスに対する耐食性と耐水分放出性が向上することがわ
かった。
大気中に放置した後に、Ａｒガスを流し出口のＡｒガス
中に含まれる水分量をＡＰＩＭＳで測定し求めた。測定
結果を図４に示す。図中Ａ、ＢおよびＣは、 Ａ：電解研磨を施し、硝酸浸漬処理をした後、高純度な
Ａｒ雰囲気中で４００℃、１ｈの加熱処理を施した試料
（本発明例） Ｂ：電解研磨を施した後、高純度の酸素雰囲気中で４０
０℃、１ｈの加熱処理を施した試料（比較例） Ｃ：電解研磨のままの試料（比較例） 図４から明かなように、比較例Ｃは水分量が安定するの
に時間を要するのに対し本発明例Ａは比較例Ｃに比べて
水分量は約２０分で一定となり低い水分量となり比較例
Ｂと同等の水分量であった。これらのことから、腐食性
ガスに対する耐食性と耐水分放出性が向上することがわ
かった。
【００２２】
【発明の効果】以上に述べた如く本発明によれば既述の
構成を採用することによって、耐食性および耐水分放出
性ともに優れたステンレス鋼部材が実現でき、この部材
は半導体製造装置における超純水配管．ガス配管．ガス
ボンベ．反応室などの構成部材として極めて有用なもの
である。
構成を採用することによって、耐食性および耐水分放出
性ともに優れたステンレス鋼部材が実現でき、この部材
は半導体製造装置における超純水配管．ガス配管．ガス
ボンベ．反応室などの構成部材として極めて有用なもの
である。
【図１】ＡＥＳ分析における表面処理した不働態皮膜表
面のＣｒの割合を示す図である。
面のＣｒの割合を示す図である。
【図２】ＡＥＳ分析における表面処理した不働態皮膜の
深さ方向元素挙動を示す図である。
深さ方向元素挙動を示す図である。
【図３】本発明の実施例におけるアノード分極挙動の結
果を示す図である。
果を示す図である。
【図４】本発明の実施例における水分放出特性の結果を
示す図である。
示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深谷 剛干 三重県桑名市大福２番地日立金属株式会社 桑名工場内 (72)発明者 辻村 寿彦 三重県桑名市大福２番地日立金属株式会社 桑名工場内
Claims (1)
- 【請求項１】 ステンレス鋼からなる母材表面に不働態
皮膜が形成された半導体製造装置用ステンレス鋼部材に
おいて、 前記不動態皮膜におけるＣｒ2Ｏ3がＣｒ2Ｏ3／（Ｆｅ2
Ｏ3＋Ｃｒ2Ｏ3）≧０.６５を満たすことを特徴とする半
導体製造装置用ステンレス鋼部材。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15867493A JPH0711421A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体製造装置用ステンレス鋼部材 |
| US08/162,479 US5569334A (en) | 1992-12-08 | 1993-12-07 | Stainless steel member for semiconductor fabrication equipment and surface treatment method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15867493A JPH0711421A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 半導体製造装置用ステンレス鋼部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0711421A true JPH0711421A (ja) | 1995-01-13 |
Family
ID=15676892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15867493A Pending JPH0711421A (ja) | 1992-12-08 | 1993-06-29 | 半導体製造装置用ステンレス鋼部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0711421A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1043421A2 (en) * | 1999-04-06 | 2000-10-11 | Crucible Materials Corporation | Austenitic stainless steel article having a passivated surface layer |
| JP2012149309A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Jfe Steel Corp | 耐薬品性に優れたステンレスクラッド鋼 |
| JP2013129896A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Kurimoto Ltd | ステンレス部材、その製造方法、固体高分子型燃料電池に用いるセパレータおよびその製造方法 |
| JPWO2017169832A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-01-31 | 富士フイルム株式会社 | 半導体製造用処理液、半導体製造用処理液が収容された収容容器、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
| KR20200100201A (ko) | 2018-03-02 | 2020-08-25 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | 스테인리스강 부재 및 그 제조 방법 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP15867493A patent/JPH0711421A/ja active Pending
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| TWI743102B (zh) * | 2016-03-31 | 2021-10-21 | 日商富士軟片股份有限公司 | 半導體製造用處理液、收容有半導體製造用處理液的收容容器、圖案形成方法及電子元件的製造方法 |
| TWI765824B (zh) * | 2016-03-31 | 2022-05-21 | 日商富士軟片股份有限公司 | 收容有半導體製造用處理液的收容容器 |
| US11693321B2 (en) | 2016-03-31 | 2023-07-04 | Fujifilm Corporation | Treatment liquid for manufacturing semiconductor, storage container storing treatment liquid for manufacturing semiconductor, pattern forming method, and method of manufacturing electronic device |
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