JPH0711065B2 - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPH0711065B2 JPH0711065B2 JP60163484A JP16348485A JPH0711065B2 JP H0711065 B2 JPH0711065 B2 JP H0711065B2 JP 60163484 A JP60163484 A JP 60163484A JP 16348485 A JP16348485 A JP 16348485A JP H0711065 B2 JPH0711065 B2 JP H0711065B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- back plate
- target
- substrate
- vacuum container
- sputtering apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ターゲットを貼り付けたバックプレートは冷却水により
大気に接した面に結露して絶縁不良を生ずることがあ
る。それを防止するためその面の雰囲気を減圧して露点
を下げるようにしたスパッタ装置を提案する。
大気に接した面に結露して絶縁不良を生ずることがあ
る。それを防止するためその面の雰囲気を減圧して露点
を下げるようにしたスパッタ装置を提案する。
本発明はターゲットの冷却方法を改善した、大型化、大
電力化に適した構造のスパッタ装置に関する。
電力化に適した構造のスパッタ装置に関する。
近年、大規模集積回路（LSI）製造用の半導体ウエハ、
フォトマスクの大型化にともない、スパッタ装置のター
ゲットは大型化し、電源電力も大きくなり、ターゲット
の冷却は重要な意味をもってきた。
フォトマスクの大型化にともない、スパッタ装置のター
ゲットは大型化し、電源電力も大きくなり、ターゲット
の冷却は重要な意味をもってきた。
冷却水に、装置を設置した部屋の露点以下の温度の水を
使うと、バックプレートの大気に接した面に結露して絶
縁不良を生ずる。
使うと、バックプレートの大気に接した面に結露して絶
縁不良を生ずる。
そのため、冷却水温度はあまり下げることはできないた
め、ターゲットの冷却効果は十分でなく、対策が望まれ
ている。
め、ターゲットの冷却効果は十分でなく、対策が望まれ
ている。
第２図は従来例によるスパッタ装置を模式的に示した断
面図である。
面図である。
図において、１はターゲット、２は基板（半導体ウエ
ハ、マスク等）、３は真空容器である。
ハ、マスク等）、３は真空容器である。
真空容器３はスパッタガス導入口31、排気口32が設けら
れている。
れている。
ターゲット１はインジウム（In）、錫（Sn）等の低融点
合金よりなるソルダでバックプレート４に貼り付けられ
る。
合金よりなるソルダでバックプレート４に貼り付けられ
る。
バックプレート４は冷却水が循環できる水套構造になっ
て冷却室20が設けられており、テフロン等よりなる絶縁
板６を介して真空容器３に固定される。この際真空パッ
キン８、９により真空容器３の気密をたもつ。
て冷却室20が設けられており、テフロン等よりなる絶縁
板６を介して真空容器３に固定される。この際真空パッ
キン８、９により真空容器３の気密をたもつ。
９はスパッタ電源で、バックプレート４と接地電位間に
接続され、基板２と真空容器３は接地されている。
接続され、基板２と真空容器３は接地されている。
10、11はターゲット１の裏面に放射状に多数配置した磁
石で、これによって生ずる磁界により、ターゲット１の
表面の電子密度を高くし、スパッタ効率をよくする役目
をしている。
石で、これによって生ずる磁界により、ターゲット１の
表面の電子密度を高くし、スパッタ効率をよくする役目
をしている。
以上の構造においては、水冷されたバックプレート４の
表面は大気に露出しているため、結露して絶縁不良を起
こすため、冷却水温度をあまり下げることはできない。
表面は大気に露出しているため、結露して絶縁不良を起
こすため、冷却水温度をあまり下げることはできない。
従来構造のスパッタ装置においては、ターゲットを貼り
付けたバックプレートの大気に接した面に結露して絶縁
不良を生じ、スパッタ不能となることがある。
付けたバックプレートの大気に接した面に結露して絶縁
不良を生じ、スパッタ不能となることがある。
上記問題点の解決は、成膜用の基板（２）を保持する手
段を有し，且つ該基板に対向する位置に開口部が設けら
れた真空容器（３）と，前記真空容器の開口部を絶縁板
（６）を介して気密封止し，且つ前記基板に対向するよ
うにターゲット（１）を保持するバックプレート（４）
と，前記バックプレートのターゲットを保持する面と反
対側の面に冷却水が接するように設けられた冷却室（2
0）とを有するスパッタ装置において，前記冷却室の外
壁，及び前記真空容器とバックプレートとの気密封止部
分（６），（７），（８）を内包するように，減圧容器
（５）を設けたスパッタ装置により達成される。
段を有し，且つ該基板に対向する位置に開口部が設けら
れた真空容器（３）と，前記真空容器の開口部を絶縁板
（６）を介して気密封止し，且つ前記基板に対向するよ
うにターゲット（１）を保持するバックプレート（４）
と，前記バックプレートのターゲットを保持する面と反
対側の面に冷却水が接するように設けられた冷却室（2
0）とを有するスパッタ装置において，前記冷却室の外
壁，及び前記真空容器とバックプレートとの気密封止部
分（６），（７），（８）を内包するように，減圧容器
（５）を設けたスパッタ装置により達成される。
バックプレートの大気に接する面の雰囲気を減圧して露
点を下げ、結露を防止する。
点を下げ、結露を防止する。
いま、飽和水蒸気圧と温度の関係を示すとつぎのように
なる。
なる。
温度（℃） 飽和水蒸気圧（Torr） −20 0.95 0 4.6 20 17.5 50 92.5 100 760.0 150 3570.7 200 11661 300 64450 この表からわかるように、5Torr程度に減圧すると、冷
却水は０℃近くまで温度を下げても、結露しない。
却水は０℃近くまで温度を下げても、結露しない。
第１図は本発明によるスパッタ装置を模式的に示した断
面図である。
面図である。
図において、１はターゲット、２は基板、３は真空容
器、４はバックプレート、６は絶縁板、７、８は真空パ
ッキン、９は電源、10、11は磁石、20は冷却室で、以上
は第２図の従来例と同様である。
器、４はバックプレート、６は絶縁板、７、８は真空パ
ッキン、９は電源、10、11は磁石、20は冷却室で、以上
は第２図の従来例と同様である。
本発明の特徴である減圧容器５は、バックプレート４の
大気に触れる面を覆って設けられ、排気口51より約1Tor
r程度に排気される。
大気に触れる面を覆って設けられ、排気口51より約1Tor
r程度に排気される。
また、バックプレート４の冷却水通路に絶縁ブッシュ5
2、53を挿入し、バックプレート４の絶縁をたもつよう
にしている。
2、53を挿入し、バックプレート４の絶縁をたもつよう
にしている。
以上の構造においては、冷却水温度を０℃近傍まで下げ
ることができ、ターゲットの冷却効果が向上する 〔発明の効果〕 以上詳細に説明したように本発明によれば、ターゲット
を貼りつけたバックプレート裏面の結露を防止できる。
従って冷却水温度を下げることができ、大型基板の大電
力、長時間のスパッタが可能となり、膜質の安定化、タ
ーゲットとバックプレート間の剥がれ防止に役立つ。
ることができ、ターゲットの冷却効果が向上する 〔発明の効果〕 以上詳細に説明したように本発明によれば、ターゲット
を貼りつけたバックプレート裏面の結露を防止できる。
従って冷却水温度を下げることができ、大型基板の大電
力、長時間のスパッタが可能となり、膜質の安定化、タ
ーゲットとバックプレート間の剥がれ防止に役立つ。
第１図は本発明によるスパッタ装置を模式的に示した断
面図、 第２図は従来例によるスパッタ装置を模式的に示した断
面図である。 図において、 １はターゲット、２は基板（半導体ウエハ、マスク基板
等）、３は真空容器、４はバックプレート、５は減圧容
器、６は絶縁板、７、８は真空パッキン、９は電源、1
0、11は磁石、20は冷却室 である。
面図、 第２図は従来例によるスパッタ装置を模式的に示した断
面図である。 図において、 １はターゲット、２は基板（半導体ウエハ、マスク基板
等）、３は真空容器、４はバックプレート、５は減圧容
器、６は絶縁板、７、８は真空パッキン、９は電源、1
0、11は磁石、20は冷却室 である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31
Claims (1)
- 【請求項１】成膜用の基板（２）を保持する手段を有
し，且つ該基板に対向する位置に開口部が設けられた真
空容器（３）と， 前記真空容器の開口部を絶縁板（６）を介して気密封止
し，且つ前記基板に対向するようにターゲット（１）を
保持するバックプレート（４）と， 前記バックプレートのターゲットを保持する面と反対側
の面に冷却水が接するように設けられた冷却室（20）と
を有するスパッタ装置において， 前記冷却室の外壁，及び前記真空容器とバックプレート
との気密封止部分（６），（７），（８）を内包するよ
うに，減圧容器（５）を設けたことを特徴とするスパッ
タ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163484A JPH0711065B2 (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163484A JPH0711065B2 (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6223978A JPS6223978A (ja) | 1987-01-31 |
| JPH0711065B2 true JPH0711065B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=15774746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60163484A Expired - Lifetime JPH0711065B2 (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0711065B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2612057B2 (ja) * | 1988-12-20 | 1997-05-21 | 三菱電機株式会社 | 真空成膜装置の運転方法 |
| US5487822A (en) * | 1993-11-24 | 1996-01-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
| JP5053471B2 (ja) * | 1999-05-11 | 2012-10-17 | 株式会社東芝 | 配線膜の製造方法と電子部品の製造方法 |
| WO2013073278A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | シャープ株式会社 | スパッタリング装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207176A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-18 | Hitachi Ltd | Sputtering target |
| JPS5897163U (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | 富士通株式会社 | スパツタ装置 |
| JPS58136776A (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-13 | Fujitsu Ltd | 真空処理装置 |
-
1985
- 1985-07-24 JP JP60163484A patent/JPH0711065B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6223978A (ja) | 1987-01-31 |
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