JPS58136776A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS58136776A JPS58136776A JP1691182A JP1691182A JPS58136776A JP S58136776 A JPS58136776 A JP S58136776A JP 1691182 A JP1691182 A JP 1691182A JP 1691182 A JP1691182 A JP 1691182A JP S58136776 A JPS58136776 A JP S58136776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- electrode
- target
- gap
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
スパッタリング電極と大気の接触に依る水分の結露の防
止及びギャップ内への金槁片などの＝１ばかはいりにく
くする方法に関する。
止及びギャップ内への金槁片などの＝１ばかはいりにく
くする方法に関する。
スパッタリングｔａＵ、アルゴン及び電子との衝突に依
る温度ヒ昇を抑えるため強−ｊ水冷される。
る温度ヒ昇を抑えるため強−ｊ水冷される。
そのためスパッタリングに依る成膜が終ｒしたｉＭ後に
一真空を破り大気にさらすと水冷された！極部に大気中
の水分が結露してターゲットの表面を酸化させることに
加え次回の真空引きの時間全長くすると同時にスパッタ
リング成膜中の酸化物および水分の放出に依る膜特性の
劣下の原因にもなる。
一真空を破り大気にさらすと水冷された！極部に大気中
の水分が結露してターゲットの表面を酸化させることに
加え次回の真空引きの時間全長くすると同時にスパッタ
リング成膜中の酸化物および水分の放出に依る膜特性の
劣下の原因にもなる。
一方真空槽内壁に付着した膜は大気との接触をくり返す
ことによりハクリ脱落することがあり、これがギャップ
内に入って絶縁不良を引き起す場合がある。
ことによりハクリ脱落することがあり、これがギャップ
内に入って絶縁不良を引き起す場合がある。
本発明の目的は、スパッタリング電極に人気中の水分が
結露すること全防ぎ、その結果ターゲット表面の酸化及
び真空排気時間の短縮と成膜中に電極から放出される酸
化物および水分の源を断っこ七であり、同時に真空槽の
壁からハクリ脱落する金属片などかギャップ内に入り込
むことを防止する。
結露すること全防ぎ、その結果ターゲット表面の酸化及
び真空排気時間の短縮と成膜中に電極から放出される酸
化物および水分の源を断っこ七であり、同時に真空槽の
壁からハクリ脱落する金属片などかギャップ内に入り込
むことを防止する。
ギャップ内一部へ乾燥熱風を導入するためのガス導入機
構を設けるもので、真空槽内の冷却部と該冷却部又はそ
の近傍周囲部にガス全噴出するガス噴出管と該ガス噴出
管への乾燥ガス導入機構と金有することを特徴とする真
空処理装置を提供するものである。
構を設けるもので、真空槽内の冷却部と該冷却部又はそ
の近傍周囲部にガス全噴出するガス噴出管と該ガス噴出
管への乾燥ガス導入機構と金有することを特徴とする真
空処理装置を提供するものである。
以下本発明金スパツタリング装置について図面を該層に
説明する。
説明する。
図はスパッタリング装置の要部断面図である。
真空槽ｌ内を図示しない排気系で排気ス（、図示しない
ガス供給ラインからＡｒガスを導入し２東空槽１内′ｔ
−１０−” 〜１０−’ Ｔｏｖｒ程度の減圧に保つ。
ガス供給ラインからＡｒガスを導入し２東空槽１内′ｔ
−１０−” 〜１０−’ Ｔｏｖｒ程度の減圧に保つ。
次いで水冷電極３に冷却水を導入し冷却する。基板８は
水冷電極３に対向する基板支持台１１に設置されている
。
水冷電極３に対向する基板支持台１１に設置されている
。
高周波電源９によりＲＦ金印加し基板支持台１１と水冷
電極３との間にＡｒプラズマを生じさせ、ターゲット２
に衝突するＡｒイオンの衝激により、ターゲット２から
粒子を飛び出させ、基板８．ににスパッタリング妊せ膜
を形成する。
電極３との間にＡｒプラズマを生じさせ、ターゲット２
に衝突するＡｒイオンの衝激により、ターゲット２から
粒子を飛び出させ、基板８．ににスパッタリング妊せ膜
を形成する。
図において、真空槽１内のターゲット２と熱的及び電気
的に接触した水冷電極３は数ミリのギャップ４をはさん
でアースカバー５によりターゲット２０表面以外の部分
？カバーされている。ガス導入バイブロはアースカバー
５を通してギャップ４の爽に接続され、真空用ストップ
パルプ７全通１〜て真空槽外部より不活性ガス等の乾燥
熱風が送り込まれる。スパッタリング成膜時にはターゲ
ット２と電極３は冷却水に依り冷却されている。成膜終
了後、水冷電極３への冷却水の供給を停止し、ストップ
パルプ７全開き、電極３及びその周辺の真空シール用０
リング１０等が損陽全受けない〜１００〜１６０℃の
乾燥熱風、例えば窒素ガス、アルゴン等の不活性なガス
全ガス導入バイブロより送り込んで、ターゲット２、電
極３、アースカバー５の温度を上昇させる。そうすると
スパッタリング成膜終了後真空槽ｌの真空を破り、装置
内部全大気にさらした場合にも大気中の水分が水冷電極
３、ターゲット２、アースカバー５等に結廁せずターゲ
ット表面の酸化を極力少なくし次回の真空排気時間が短
縮でき、同時にスパッタリング中の酸化物および水分放
出の源を断つことにもなるため膜質の向上も期待できる
。又真空槽内全大気にさらす時、常に十分なカスを流し
ておけば、真空槽１の壁よりハクリ脱落する薄膜金属片
のギャップ４への浸入が防げるので電極３とアースカバ
ー５との絶縁不良もなくせる効果がある。
的に接触した水冷電極３は数ミリのギャップ４をはさん
でアースカバー５によりターゲット２０表面以外の部分
？カバーされている。ガス導入バイブロはアースカバー
５を通してギャップ４の爽に接続され、真空用ストップ
パルプ７全通１〜て真空槽外部より不活性ガス等の乾燥
熱風が送り込まれる。スパッタリング成膜時にはターゲ
ット２と電極３は冷却水に依り冷却されている。成膜終
了後、水冷電極３への冷却水の供給を停止し、ストップ
パルプ７全開き、電極３及びその周辺の真空シール用０
リング１０等が損陽全受けない〜１００〜１６０℃の
乾燥熱風、例えば窒素ガス、アルゴン等の不活性なガス
全ガス導入バイブロより送り込んで、ターゲット２、電
極３、アースカバー５の温度を上昇させる。そうすると
スパッタリング成膜終了後真空槽ｌの真空を破り、装置
内部全大気にさらした場合にも大気中の水分が水冷電極
３、ターゲット２、アースカバー５等に結廁せずターゲ
ット表面の酸化を極力少なくし次回の真空排気時間が短
縮でき、同時にスパッタリング中の酸化物および水分放
出の源を断つことにもなるため膜質の向上も期待できる
。又真空槽内全大気にさらす時、常に十分なカスを流し
ておけば、真空槽１の壁よりハクリ脱落する薄膜金属片
のギャップ４への浸入が防げるので電極３とアースカバ
ー５との絶縁不良もなくせる効果がある。
カノードと゛ｆアースカバーの間に設けられた空隙（−
ギャップ）内部に真空槽の外部よりガス導入機構を有す
ること全特徴とした本発明のスパッタリング装置でター
ゲットの絶縁性全保持し、ターゲートを含む真空槽を清
浄に保つことが出来る。
ギャップ）内部に真空槽の外部よりガス導入機構を有す
ること全特徴とした本発明のスパッタリング装置でター
ゲットの絶縁性全保持し、ターゲートを含む真空槽を清
浄に保つことが出来る。
本発明によれば
、 Ｌ 真空排気時間短縮
２、膜質の向上
＆ 電極どアースカバーとの絶縁不良を減するの効果が
ある。本実施例ではスパッタリング装置について説明し
たが、基板の冷却金行う必要があるプラズマエツチング
装置等真空装置内に冷却部？有する真空装置においても
、真空槽内の真空を・やぶり大気にさらす際に冷却部近
傍に乾燥ガスヶ送り、大気中の湿気が結處するの會防１
１〕するのに用いることができる。
ある。本実施例ではスパッタリング装置について説明し
たが、基板の冷却金行う必要があるプラズマエツチング
装置等真空装置内に冷却部？有する真空装置においても
、真空槽内の真空を・やぶり大気にさらす際に冷却部近
傍に乾燥ガスヶ送り、大気中の湿気が結處するの會防１
１〕するのに用いることができる。
図は本発明のスパッタリング装置の要部断面図である。
ｌ：真空槽
２：ターゲット
３：を極
４：ギャップ
５：アースカバー
６：ガス導入パイプ
７：ストップバルブ
８：基板
９：高周波電源
ｌＯ：電極３、アースカバー５間の絶縁及び真空シール
１１：基板支持台
Claims (2)
- （１）真空槽内の冷却部と該冷却部又はその近傍周囲部
にガス全噴出するガス噴出機構と該ガス噴出機構への乾
燥ガス導入機構と金有することを特徴とする真空処理装
置。 - （２） ガス導入機構がガスの加熱部會有することを
特徴とする特許請求の範囲第」項ｄ１シ載の真空処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1691182A JPS58136776A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1691182A JPS58136776A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58136776A true JPS58136776A (ja) | 1983-08-13 |
Family
ID=11929320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1691182A Pending JPS58136776A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58136776A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6223978A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-01-31 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| WO2015016039A1 (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置、及びイオンミリング装置を用いた加工方法 |
-
1982
- 1982-02-04 JP JP1691182A patent/JPS58136776A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6223978A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-01-31 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| WO2015016039A1 (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置、及びイオンミリング装置を用いた加工方法 |
| CN105340050A (zh) * | 2013-07-29 | 2016-02-17 | 株式会社日立高新技术 | 离子铣削装置以及使用离子铣削装置的加工方法 |
| JP6078646B2 (ja) * | 2013-07-29 | 2017-02-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置、及びイオンミリング装置を用いた加工方法 |
| DE112014002868B4 (de) | 2013-07-29 | 2019-02-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | lonenätzvorrichtung und Bearbeitungsverfahren unter Verwendung der lonenätzvorrichtung |
| US10515777B2 (en) | 2013-07-29 | 2019-12-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ion milling device and processing method using the ion milling device |
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