JPH101772A - ウェハートレーと真空装置、及び熱電性ウェハーの真空処理方法 - Google Patents
ウェハートレーと真空装置、及び熱電性ウェハーの真空処理方法Info
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- JPH101772A JPH101772A JP17301596A JP17301596A JPH101772A JP H101772 A JPH101772 A JP H101772A JP 17301596 A JP17301596 A JP 17301596A JP 17301596 A JP17301596 A JP 17301596A JP H101772 A JPH101772 A JP H101772A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱電性のウェハーが真空処理によって高温に
なっても帯電しないウェハートレーを提供する。 【解決手段】 電気絶縁性の耐熱板４表面に導電性薄膜
６1を形成してウェハートレー２を構成する。そのウェ
ハートレー２に熱電性ウェハーを配して真空槽内のトレ
ー保持治具上に乗せてウェハー２を真空処理したとき
に、ウェハーに生じた静電気を導電性薄膜６1を介して
逃がす。このとき、耐熱板の側面と裏面にも導電膜
６2、６3を形成しておき、ウェハー２に生じた静電気を
裏面の導電膜６3と接触しているウェハー保持治具から
逃がすとよい。
なっても帯電しないウェハートレーを提供する。 【解決手段】 電気絶縁性の耐熱板４表面に導電性薄膜
６1を形成してウェハートレー２を構成する。そのウェ
ハートレー２に熱電性ウェハーを配して真空槽内のトレ
ー保持治具上に乗せてウェハー２を真空処理したとき
に、ウェハーに生じた静電気を導電性薄膜６1を介して
逃がす。このとき、耐熱板の側面と裏面にも導電膜
６2、６3を形成しておき、ウェハー２に生じた静電気を
裏面の導電膜６3と接触しているウェハー保持治具から
逃がすとよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェハーを真空雰囲
気内で処理する真空技術分野にかかり、特に、ウェハー
に生じた静電気を除去するウェハートレーに関する。
気内で処理する真空技術分野にかかり、特に、ウェハー
に生じた静電気を除去するウェハートレーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ウェハーをスパッタリング装
置や蒸着装置等の真空槽内への搬出入したり、真空槽内
で保持するために、図３(ａ)の符号１１２や同図(ｂ)の
符号１２２で示すウェハートレーが用いられている。
置や蒸着装置等の真空槽内への搬出入したり、真空槽内
で保持するために、図３(ａ)の符号１１２や同図(ｂ)の
符号１２２で示すウェハートレーが用いられている。
【０００３】ウェハートレー１１２、１２２は、それぞ
れ保持板１１４、１２４を有しており、ウェハートレー
１１２の保持板１１４上には、３本のピン１１１が正角
形の頂点位置に設けられ、各ピン１１１の内側にウェハ
ーを収納できるように構成されている。
れ保持板１１４、１２４を有しており、ウェハートレー
１１２の保持板１１４上には、３本のピン１１１が正角
形の頂点位置に設けられ、各ピン１１１の内側にウェハ
ーを収納できるように構成されている。
【０００４】このウェハートレー１１２によれば、各ピ
ン１１１の内側にウェハーを置き、ウェハーごとウェハ
ートレー１１２を移動させると、ウェハーを落とすこと
なく真空槽への搬出入を行うことができる。
ン１１１の内側にウェハーを置き、ウェハーごとウェハ
ートレー１１２を移動させると、ウェハーを落とすこと
なく真空槽への搬出入を行うことができる。
【０００５】他方、ウェハートレー１２２では、その保
持板１２４の中央位置に凹部１２５が設けられており、
凹部１２５内にウェハーを収納すると、同様に、ウェハ
ーを落とすことなく真空槽への搬出入を行える。
持板１２４の中央位置に凹部１２５が設けられており、
凹部１２５内にウェハーを収納すると、同様に、ウェハ
ーを落とすことなく真空槽への搬出入を行える。
【０００６】これら従来技術のウェハートレー１１２、
１２２は高温に曝されるため、その保持板は耐熱性物質
で構成されており、種々の真空槽置に対応するため、そ
の耐熱性物質が装置側の要求する寸法、形状に切削加工
されて用いられている。
１２２は高温に曝されるため、その保持板は耐熱性物質
で構成されており、種々の真空槽置に対応するため、そ
の耐熱性物質が装置側の要求する寸法、形状に切削加工
されて用いられている。
【０００７】しかしながらＳＡＷデバイスに使用される
ウェハーは、ＬｉＴａＯ3やＬｉＮｂＯ3等の熱電性素材
(加熱、冷却による温度差により帯電する材料)で構成さ
れており、そのような熱電性のウェハーを従来技術のウ
ェハートレー１１２、１２２上に置いてスパッタリング
や蒸着を行うと、薄膜形成に伴うウェハーの温度上昇や
ヒーター加熱による温度上昇によってそのウェハーが帯
電し、そのため、ウェハーがウェハートレーに貼り付い
てしまったり、自己放電を起こし、そのショックによっ
て破損してしまうことがあった。
ウェハーは、ＬｉＴａＯ3やＬｉＮｂＯ3等の熱電性素材
(加熱、冷却による温度差により帯電する材料)で構成さ
れており、そのような熱電性のウェハーを従来技術のウ
ェハートレー１１２、１２２上に置いてスパッタリング
や蒸着を行うと、薄膜形成に伴うウェハーの温度上昇や
ヒーター加熱による温度上昇によってそのウェハーが帯
電し、そのため、ウェハーがウェハートレーに貼り付い
てしまったり、自己放電を起こし、そのショックによっ
て破損してしまうことがあった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたもので、その目的
は、熱電性のウェハーを帯電させないで真空処理できる
ウェハートレーを提供することにある。
の不都合を解決するために創作されたもので、その目的
は、熱電性のウェハーを帯電させないで真空処理できる
ウェハートレーを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明装置は、電気絶縁性の耐熱板を
有し、真空槽内に配置できるように構成されたウェハー
トレーであって、前記耐熱板表面のうちの少なくともウ
ェハーが配される面には導電性膜が形成され、前記ウェ
ハーに生じた静電気を、前記導電膜を介して逃がせるよ
うに構成されたことを特徴とする。
に、請求項１記載の発明装置は、電気絶縁性の耐熱板を
有し、真空槽内に配置できるように構成されたウェハー
トレーであって、前記耐熱板表面のうちの少なくともウ
ェハーが配される面には導電性膜が形成され、前記ウェ
ハーに生じた静電気を、前記導電膜を介して逃がせるよ
うに構成されたことを特徴とする。
【００１０】この場合、請求項２記載の発明装置のよう
に、前記ウェハーが配される表面の裏面と側面にも導電
性膜を形成し、各面に形成された導電膜を電気的に接続
しておくとよい。
に、前記ウェハーが配される表面の裏面と側面にも導電
性膜を形成し、各面に形成された導電膜を電気的に接続
しておくとよい。
【００１１】更に、請求項２又は請求項３のいずれか１
項記載のウェハートレーについては、請求項３記載の発
明装置のように、ウェハーが配された状態で前記真空槽
内に搬出入できるように構成しておくと都合がよい。
項記載のウェハートレーについては、請求項３記載の発
明装置のように、ウェハーが配された状態で前記真空槽
内に搬出入できるように構成しておくと都合がよい。
【００１２】前記真空槽を有し、請求項１乃至請求項３
のいずれか１項記載のウェハートレーを用いる真空装置
では、請求項４記載の発明装置のように、前記真空槽内
に、電気伝導性を有し、前記真空槽と電気的に接続され
たトレー保持治具を設け、該トレー保持治具に前記ウェ
ハートレーを配せるように構成するとよい。
のいずれか１項記載のウェハートレーを用いる真空装置
では、請求項４記載の発明装置のように、前記真空槽内
に、電気伝導性を有し、前記真空槽と電気的に接続され
たトレー保持治具を設け、該トレー保持治具に前記ウェ
ハートレーを配せるように構成するとよい。
【００１３】他方、請求項５記載の発明方法は、温度差
によって帯電する熱電性ウェハーをウェハートレーに配
し、該熱電性ウェハーを真空槽内に搬入して処理する熱
電性ウェハーの真空処理方法であって、熱電性ウェハー
に生じた静電気を前記ウェハートレーを介して逃がすこ
とを特徴とする。
によって帯電する熱電性ウェハーをウェハートレーに配
し、該熱電性ウェハーを真空槽内に搬入して処理する熱
電性ウェハーの真空処理方法であって、熱電性ウェハー
に生じた静電気を前記ウェハートレーを介して逃がすこ
とを特徴とする。
【００１４】上述した本発明の構成によれば、真空槽内
に配置できるように構成されたウェハートレーの電気絶
縁性の耐熱板について、その表面のうちの少なくともウ
ェハーが配される面に導電性膜を形成したので、ウェハ
ーに生じた静電気をその導電性膜から逃がすことができ
る。
に配置できるように構成されたウェハートレーの電気絶
縁性の耐熱板について、その表面のうちの少なくともウ
ェハーが配される面に導電性膜を形成したので、ウェハ
ーに生じた静電気をその導電性膜から逃がすことができ
る。
【００１５】この場合、耐熱板の側面と裏面にも導電性
膜を形成し、耐熱板の各面に形成された導電膜が電気的
に接続されるようにしておくと、ウェハーに生じた静電
気を裏面の導電膜から逃がすことができるので都合がよ
い。
膜を形成し、耐熱板の各面に形成された導電膜が電気的
に接続されるようにしておくと、ウェハーに生じた静電
気を裏面の導電膜から逃がすことができるので都合がよ
い。
【００１６】熱電性のウェハーは薄く、直接保持して搬
送すると割れるおそれがあるので、ウェハートレーを、
ウェハーを配した状態で真空槽内に搬出入できるように
構成しておくとウェハーには力が加わらず、割れや欠け
が生じることがなくなる。
送すると割れるおそれがあるので、ウェハートレーを、
ウェハーを配した状態で真空槽内に搬出入できるように
構成しておくとウェハーには力が加わらず、割れや欠け
が生じることがなくなる。
【００１７】このようなウェハートレーは真空槽内では
トレー保持治具に配されており、ウェハートレーの裏面
はそのトレー保持治具と接触しているのが普通なので、
そのウェハー保持治具に電気導電性を持たせ、真空槽と
電気的に接続しておけば、真空槽は接地電位に置かれて
いるので、ウェハートレーに形成された導電膜の電位を
ウェハーの処理中も接地電位に維持し、ウェハーに生じ
た静電気をトレー保持治具から逃がすことが可能とな
る。
トレー保持治具に配されており、ウェハートレーの裏面
はそのトレー保持治具と接触しているのが普通なので、
そのウェハー保持治具に電気導電性を持たせ、真空槽と
電気的に接続しておけば、真空槽は接地電位に置かれて
いるので、ウェハートレーに形成された導電膜の電位を
ウェハーの処理中も接地電位に維持し、ウェハーに生じ
た静電気をトレー保持治具から逃がすことが可能とな
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明装置を本発明方法と共に図
面を用いて説明する。図１の符号２に示すものは、本発
明装置のウェハートレーの一例であり、耐熱性を有し、
切削加工可能なマセライトで構成された耐熱板４を有し
ている。その耐熱板４は円盤状に成形され、表面中央部
に３インチウェハーの直径よりも僅かに大きい円形の凹
部５が設けられている。
面を用いて説明する。図１の符号２に示すものは、本発
明装置のウェハートレーの一例であり、耐熱性を有し、
切削加工可能なマセライトで構成された耐熱板４を有し
ている。その耐熱板４は円盤状に成形され、表面中央部
に３インチウェハーの直径よりも僅かに大きい円形の凹
部５が設けられている。
【００１９】この耐熱板４には、アルミニウムのスパッ
タリングが２回に分けて行われており、耐熱板４の表面
と裏面とに膜厚１〜２μｍのアルミニウム膜で構成され
た導電性膜６1、６2が形成されている。そのスパッタリ
ングの際には、アルミニウム粒子の回り込みにより、耐
熱板４の側面にも導電性膜６3が形成されており、各導
電性膜６1〜６3によって耐熱板４の周囲を覆うように導
電性膜６が構成されている。
タリングが２回に分けて行われており、耐熱板４の表面
と裏面とに膜厚１〜２μｍのアルミニウム膜で構成され
た導電性膜６1、６2が形成されている。そのスパッタリ
ングの際には、アルミニウム粒子の回り込みにより、耐
熱板４の側面にも導電性膜６3が形成されており、各導
電性膜６1〜６3によって耐熱板４の周囲を覆うように導
電性膜６が構成されている。
【００２０】このウェハートレー２を、図２に示すよう
な真空装置３に用いる場合を説明する。この真空装置３
はスパッタリング装置であり、接地電位に置かれた真空
槽３１を有している。該真空槽３１は、真空ポンプ３５
によって高真空状態にできるように構成されており、そ
の天井には、カソード電極３２が真空槽３１とは絶縁し
た状態で取り付けられ、カソード電極３２の真空槽３１
内に位置する面にはアルミニウム材料から成るターゲッ
ト３３が設けられている。
な真空装置３に用いる場合を説明する。この真空装置３
はスパッタリング装置であり、接地電位に置かれた真空
槽３１を有している。該真空槽３１は、真空ポンプ３５
によって高真空状態にできるように構成されており、そ
の天井には、カソード電極３２が真空槽３１とは絶縁し
た状態で取り付けられ、カソード電極３２の真空槽３１
内に位置する面にはアルミニウム材料から成るターゲッ
ト３３が設けられている。
【００２１】ターゲット３３の真下には、金属材料が中
空円筒形状に成形されて成るトレー保持治具８が、真空
槽３１に鉛直に固定されており、該トレー保持治具８の
上端のフランジ状に成形された部分には、真空槽３１内
に搬入されたウェハートレー２を載置できるように構成
されている。
空円筒形状に成形されて成るトレー保持治具８が、真空
槽３１に鉛直に固定されており、該トレー保持治具８の
上端のフランジ状に成形された部分には、真空槽３１内
に搬入されたウェハートレー２を載置できるように構成
されている。
【００２２】このトレー保持治具８の内部には赤外線ヒ
ーター３７が設けられており、該赤外線ヒーター３７へ
の通電によってトレー保持治具８上に載置されたウェハ
ートレー２を加熱できるように構成されている。
ーター３７が設けられており、該赤外線ヒーター３７へ
の通電によってトレー保持治具８上に載置されたウェハ
ートレー２を加熱できるように構成されている。
【００２３】この真空槽置３によって熱電性のあるＬｉ
ＴａＯ2基板から成るウェハー９の表面にアルミニウム
薄膜を成膜した。先ず、ウェハートレー２の凹部５内に
そのウェハー９を納め、その状態で真空槽３１内に搬入
し、トレー保持治具８上に載置し、真空槽３１内を真空
状態にした。次いで、赤外線ヒーター３７によってウェ
ハートレー２を介してウェハー９を加熱し、同時にガス
導入口３６からアルゴンガスを導入した。
ＴａＯ2基板から成るウェハー９の表面にアルミニウム
薄膜を成膜した。先ず、ウェハートレー２の凹部５内に
そのウェハー９を納め、その状態で真空槽３１内に搬入
し、トレー保持治具８上に載置し、真空槽３１内を真空
状態にした。次いで、赤外線ヒーター３７によってウェ
ハートレー２を介してウェハー９を加熱し、同時にガス
導入口３６からアルゴンガスを導入した。
【００２４】このときのアルゴンガス流量は４０ｓｃｃ
ｍであり、真空槽３１内の圧力が０．４Ｐａで安定し、
ウェハー温度が２００℃に達したところで電源３８を起
動してカソード電極３２に電圧を印加し、１．０ｋＷの
投入電力でターゲット３３をスパッタリングし、ウェハ
ー９の表面へアルミニウム薄膜を形成した。
ｍであり、真空槽３１内の圧力が０．４Ｐａで安定し、
ウェハー温度が２００℃に達したところで電源３８を起
動してカソード電極３２に電圧を印加し、１．０ｋＷの
投入電力でターゲット３３をスパッタリングし、ウェハ
ー９の表面へアルミニウム薄膜を形成した。
【００２５】このウェハー９は直径３インチ、厚さ３５
０μｍであり、熱電性を有しているので、薄膜形成に伴
う温度上昇があったり、赤外線ヒーター３７の加熱によ
る温度上昇があると、浮遊電位に置かれている状態では
発生した静電気が蓄積され、帯電してしまう。上記ウェ
ハートレー２はトレー保持治具８上に載置されており、
そのトレー保持治具８は接地電位に置かれた真空槽３１
に設けられているので、ウェハー９に生じた静電気はウ
ェハートレー２に形成された導電性膜６を介してトレー
保持治具８へ逃がされる。
０μｍであり、熱電性を有しているので、薄膜形成に伴
う温度上昇があったり、赤外線ヒーター３７の加熱によ
る温度上昇があると、浮遊電位に置かれている状態では
発生した静電気が蓄積され、帯電してしまう。上記ウェ
ハートレー２はトレー保持治具８上に載置されており、
そのトレー保持治具８は接地電位に置かれた真空槽３１
に設けられているので、ウェハー９に生じた静電気はウ
ェハートレー２に形成された導電性膜６を介してトレー
保持治具８へ逃がされる。
【００２６】このように、ウェハー９は帯電しないよう
にされており、その状態でウェハー９へのスパッタリン
グを５０秒間行った後、ウェハートレー２ごと真空槽３
１から搬出した。
にされており、その状態でウェハー９へのスパッタリン
グを５０秒間行った後、ウェハートレー２ごと真空槽３
１から搬出した。
【００２７】真空槽３１から取り出したウェハートレー
２では、その上からウェハー９を容易に離すことがで
き、静電気は帯びていなかった。また、そのウェハー９
には、割れやクラックは発生していなかった。上記スパ
ッタリングによりウェハー９表面に形成されたアルミニ
ウム薄膜の膜厚を測定したところ１００ｎｍであった。
２では、その上からウェハー９を容易に離すことがで
き、静電気は帯びていなかった。また、そのウェハー９
には、割れやクラックは発生していなかった。上記スパ
ッタリングによりウェハー９表面に形成されたアルミニ
ウム薄膜の膜厚を測定したところ１００ｎｍであった。
【００２８】ＬｉＴａＯ3のウェハー９に替え、同様に
熱電性を有するＬｉＮｂＯ3のウェハーを上記ウェハー
トレー２上に乗せ、真空槽３１内に搬入してスパッタリ
ングによるアルミニウム薄膜の形成を行ったが、このＬ
ｉＮｂＯ3のウェハーでも帯電は生じなかった。
熱電性を有するＬｉＮｂＯ3のウェハーを上記ウェハー
トレー２上に乗せ、真空槽３１内に搬入してスパッタリ
ングによるアルミニウム薄膜の形成を行ったが、このＬ
ｉＮｂＯ3のウェハーでも帯電は生じなかった。
【００２９】以上説明したように、本発明のウェハート
レー２によればウェハー９に生じた静電気を逃がすこと
ができるので、ウェハーを帯電させることなく真空処理
を行うことができる。また、耐熱板４に導電性膜６を形
成しているので、ウェハートレー２を繰り返し使用した
場合でも、反りや歪みが生じることはない。使用回数が
増え、ウェハートレー２に薄膜が付着した場合には、そ
れが剥離してダストになる前に洗浄することができる。
その洗浄によって導電性膜が除去されてしまった場合に
は、スパッタリングや蒸着によって導電性膜を形成し直
して再生することができるので経済的である。
レー２によればウェハー９に生じた静電気を逃がすこと
ができるので、ウェハーを帯電させることなく真空処理
を行うことができる。また、耐熱板４に導電性膜６を形
成しているので、ウェハートレー２を繰り返し使用した
場合でも、反りや歪みが生じることはない。使用回数が
増え、ウェハートレー２に薄膜が付着した場合には、そ
れが剥離してダストになる前に洗浄することができる。
その洗浄によって導電性膜が除去されてしまった場合に
は、スパッタリングや蒸着によって導電性膜を形成し直
して再生することができるので経済的である。
【００３０】なお、上記ウェハートレー２の耐熱板４を
構成する材料はマセライトであったが、導電性膜を形成
する対象はそれに限定されるものではなく、耐熱性を有
し、繰り返し高温に曝されても変形や歪みが生じない材
質であればよい。但し、熱膨張係数がウェハーと同程度
であり、また、切削加工できるものが望ましい。そのよ
うな材料にはマセライトの他、例えばＳｉＯ2等がある
が、金属材料は温度上昇による変形が無視できないので
不適当である。他方、カーボン材料は耐熱性があり、変
形や歪みが生じないが、擦れた場合、表面から微粒子が
脱落し、ダストになるので望ましくない。
構成する材料はマセライトであったが、導電性膜を形成
する対象はそれに限定されるものではなく、耐熱性を有
し、繰り返し高温に曝されても変形や歪みが生じない材
質であればよい。但し、熱膨張係数がウェハーと同程度
であり、また、切削加工できるものが望ましい。そのよ
うな材料にはマセライトの他、例えばＳｉＯ2等がある
が、金属材料は温度上昇による変形が無視できないので
不適当である。他方、カーボン材料は耐熱性があり、変
形や歪みが生じないが、擦れた場合、表面から微粒子が
脱落し、ダストになるので望ましくない。
【００３１】耐熱板上に形成する導電性膜はアルミニウ
ム膜(Ａｌ膜)に限定されるものではなく、ＡｌＳｉ膜、
ＡｌＳｉＣｕ膜等、成膜対象であるウェハー表面に形成
する薄膜と同じ組成の膜か、その薄膜に近い材料の導電
性膜を用いることができる。耐熱板への導電性膜の形成
方法もスパッタリング法に限定されるものではなく、蒸
着法等の種々の成膜技術を用いることができる。
ム膜(Ａｌ膜)に限定されるものではなく、ＡｌＳｉ膜、
ＡｌＳｉＣｕ膜等、成膜対象であるウェハー表面に形成
する薄膜と同じ組成の膜か、その薄膜に近い材料の導電
性膜を用いることができる。耐熱板への導電性膜の形成
方法もスパッタリング法に限定されるものではなく、蒸
着法等の種々の成膜技術を用いることができる。
【００３２】なお、上記ウェハートレー２は、凹部５内
にウェハー９を乗せた状態で、水平にして真空槽３１内
に搬出入するものであったが、ピンを設けたものであっ
てもよいし、ウェハーを鉛直に保持して真空槽内に搬出
入するものであってもよい。また、必ずしもウェハーと
一緒に真空槽内に搬出入されるものでなくてもよい。例
えば真空槽内に固定されるものであっても、静電気が生
じるウェハーが配されるものであれば本発明に含まれ
る。その静電気も、熱電性により生じるものに限定され
るものではない。
にウェハー９を乗せた状態で、水平にして真空槽３１内
に搬出入するものであったが、ピンを設けたものであっ
てもよいし、ウェハーを鉛直に保持して真空槽内に搬出
入するものであってもよい。また、必ずしもウェハーと
一緒に真空槽内に搬出入されるものでなくてもよい。例
えば真空槽内に固定されるものであっても、静電気が生
じるウェハーが配されるものであれば本発明に含まれ
る。その静電気も、熱電性により生じるものに限定され
るものではない。
【００３３】上記真空装置はスパッタリング装置であっ
たが、本発明のウェハートレーは蒸着装置やＣＶＤ装置
等、プロセス処理中にウェハーが帯電するおそれがある
真空装置に広く使用することができる。
たが、本発明のウェハートレーは蒸着装置やＣＶＤ装置
等、プロセス処理中にウェハーが帯電するおそれがある
真空装置に広く使用することができる。
【００３４】
【発明の効果】熱電性のウェハーを真空雰囲気に置いて
処理しても帯電することがない。熱電性のウェハーが帯
電しないので、ウェハーがウェハートレーに貼り付いて
しまったり、自己放電によって割れたりすることがな
い。
処理しても帯電することがない。熱電性のウェハーが帯
電しないので、ウェハーがウェハートレーに貼り付いて
しまったり、自己放電によって割れたりすることがな
い。
【図１】本発明のウェハートレーの一例を示す断面図
【図２】本発明の真空装置の一例を示す断面図
【図３】(ａ)、(ｂ)：従来技術のウェハートレー
２……ウェハートレー ３……真空槽置 ４……耐熱板 ６……導電膜 ８……トレー保持治
具 ９……熱電性ウェハー ３１……真空槽
具 ９……熱電性ウェハー ３１……真空槽
Claims (5)
- 【請求項１】 電気絶縁性の耐熱板を有し、真空槽内に
配置できるように構成されたウェハートレーであって、 前記耐熱板表面のうちの少なくともウェハーが配される
面には導電性膜が形成され、 前記ウェハーに生じた静
電気を、前記導電膜を介して逃がせるように構成された
ことを特徴とするウェハートレー。 - 【請求項２】 前記ウェハーが配される表面の裏面と側
面にも導電性膜が形成され、各面に形成された導電膜が
電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載
のウェハートレー。 - 【請求項３】 前記ウェハートレーは、ウェハーが配さ
れた状態で前記真空槽内に搬出入できるように構成され
たことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１
項記載のウェハートレー。 - 【請求項４】 前記真空槽を有し、請求項１乃至請求項
３のいずれか１項記載のウェハートレーが用いられる真
空装置であって、 前記真空槽内には、電気伝導性を有し、前記真空槽と電
気的に接続されたトレー保持治具が設けられ、該トレー
保持治具に前記ウェハートレーを配せるように構成され
たことを特徴とする真空装置。 - 【請求項５】 温度差によって帯電する熱電性ウェハー
をウェハートレーに配し、該熱電性ウェハーを真空槽内
に搬入して処理する熱電性ウェハーの真空処理方法であ
って、 熱電性ウェハーに生じた静電気を前記ウェハートレーを
介して逃がすことを特徴とする真空処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17301596A JP3775858B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 成膜装置、成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17301596A JP3775858B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 成膜装置、成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH101772A true JPH101772A (ja) | 1998-01-06 |
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