JPH09115840A - Ｃｖｄ処理用ウエハ収容トレー - Google Patents
Ｃｖｄ処理用ウエハ収容トレーInfo
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- JPH09115840A JPH09115840A JP29355395A JP29355395A JPH09115840A JP H09115840 A JPH09115840 A JP H09115840A JP 29355395 A JP29355395 A JP 29355395A JP 29355395 A JP29355395 A JP 29355395A JP H09115840 A JPH09115840 A JP H09115840A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハのＣＶＤ処理において、良好な薄膜を
形成するためのウエハ収容トレーを提供する。 【解決手段】 導電体、半導体、絶縁物、または表面を
絶縁処理した導電体のいずれかを材料としてベース円板
３a を成型し、その上面に、段階状または皿状をなし、
被処理のウエハ２が嵌入して収容し、底面を粗面または
鏡面とする凹部３b を形成して構成される。
形成するためのウエハ収容トレーを提供する。 【解決手段】 導電体、半導体、絶縁物、または表面を
絶縁処理した導電体のいずれかを材料としてベース円板
３a を成型し、その上面に、段階状または皿状をなし、
被処理のウエハ２が嵌入して収容し、底面を粗面または
鏡面とする凹部３b を形成して構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＶＤ処理を行
うためにウエハを収容して搬送するトレーに関する。
うためにウエハを収容して搬送するトレーに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においては、シリコン
ウエハの表面に酸化シリコンなどの薄膜を形成する工程
があり、薄膜の形成には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が
用いられる。ＣＶＤ法には各種があるが、最近の高品質
の薄膜が要求される超ＬＳＩに対してはプラズマＣＶＤ
法が有利であるとされ、プラズマＣＶＤ装置が漸次に使
用されている。
ウエハの表面に酸化シリコンなどの薄膜を形成する工程
があり、薄膜の形成には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が
用いられる。ＣＶＤ法には各種があるが、最近の高品質
の薄膜が要求される超ＬＳＩに対してはプラズマＣＶＤ
法が有利であるとされ、プラズマＣＶＤ装置が漸次に使
用されている。
【０００３】図５は、平行平板式のプラズマＣＶＤ装置
の構成を示す。プラズマＣＶＤ装置１は、ベース板Ｂに
固定された反応炉11と、その内部に水平に設けたサセプ
タ部12、その上部に平行に設けたシャワー電極13、これ
に対する吸入ノズル14、および炉外に設けた高周波発振
器16よりなる。サセプタ部12は、加熱ヒータ121 と均熱
板122 よりなり、均熱板122 は加熱ヒータ121 により予
め加熱されて所定の温度に維持される。被処理のウエハ
２は、反応炉11の側面に設けた窓111 より内部に挿入さ
れ、均熱板122 に載置されて温度が上昇する。ついで扉
112 を閉じて内部を減圧した後、吸入ノズル14に対し
て、形成する薄膜の種類に対応する反応ガスＧが供給さ
れて、シャワー電極13の噴射孔131 よりウエハ２の表面
に噴射される。シャワー電極13には高周波発振器16より
高周波電圧が加圧され、噴射された反応ガスＧはプラズ
マ化してシリコン酸化膜やシリコンナイトライド膜など
が生成され、これがウエハ２の表面に蒸着して薄膜が形
成される。この表面の薄膜は作用膜とされ、さらにウエ
ハ２は反転されて、裏面に保護用の薄膜（保護膜）が同
様の処理により形成される。反応済みガスＧ’は、反応
炉11の側面に設けた排出口113 を通して炉外の所定の箇
所に排出される。
の構成を示す。プラズマＣＶＤ装置１は、ベース板Ｂに
固定された反応炉11と、その内部に水平に設けたサセプ
タ部12、その上部に平行に設けたシャワー電極13、これ
に対する吸入ノズル14、および炉外に設けた高周波発振
器16よりなる。サセプタ部12は、加熱ヒータ121 と均熱
板122 よりなり、均熱板122 は加熱ヒータ121 により予
め加熱されて所定の温度に維持される。被処理のウエハ
２は、反応炉11の側面に設けた窓111 より内部に挿入さ
れ、均熱板122 に載置されて温度が上昇する。ついで扉
112 を閉じて内部を減圧した後、吸入ノズル14に対し
て、形成する薄膜の種類に対応する反応ガスＧが供給さ
れて、シャワー電極13の噴射孔131 よりウエハ２の表面
に噴射される。シャワー電極13には高周波発振器16より
高周波電圧が加圧され、噴射された反応ガスＧはプラズ
マ化してシリコン酸化膜やシリコンナイトライド膜など
が生成され、これがウエハ２の表面に蒸着して薄膜が形
成される。この表面の薄膜は作用膜とされ、さらにウエ
ハ２は反転されて、裏面に保護用の薄膜（保護膜）が同
様の処理により形成される。反応済みガスＧ’は、反応
炉11の側面に設けた排出口113 を通して炉外の所定の箇
所に排出される。
【０００４】さて、前記のプラズマＣＶＤ装置１による
ウエハ２のＣＶＤ処理に対しては、良質な薄膜を形成す
るために種々の処理条件が要求されている。すなわち基
本条件として、(a) ウエハ２の表裏両面および両面に形
成された薄膜に異物が付着しないこと、(b) ウエハ２の
表裏両面および両面に形成された薄膜にキズが付かない
こと、があり、また特に高精度の薄膜を必要とする場合
は、付加条件として、(c) 通常より緻密な薄膜を形成す
ること、(d) プラズマ化による高エネルギー電子の照射
により、薄膜に生じる損傷（以下プラズマ損傷）がなる
べく少ないこと、などがある。
ウエハ２のＣＶＤ処理に対しては、良質な薄膜を形成す
るために種々の処理条件が要求されている。すなわち基
本条件として、(a) ウエハ２の表裏両面および両面に形
成された薄膜に異物が付着しないこと、(b) ウエハ２の
表裏両面および両面に形成された薄膜にキズが付かない
こと、があり、また特に高精度の薄膜を必要とする場合
は、付加条件として、(c) 通常より緻密な薄膜を形成す
ること、(d) プラズマ化による高エネルギー電子の照射
により、薄膜に生じる損傷（以下プラズマ損傷）がなる
べく少ないこと、などがある。
【０００５】まず基本条件(a) についてみると、反応炉
11の内壁などには、ウエハ２の処理の都度、反応ガスＧ
の反応生成物が付着するので、適時にクリーニングされ
て反応生成物は除去されているが、その間に浮遊して落
下し、均熱板122 に付着するものがあり、これがウエハ
２に転移して異物となる。次に基本条件(b) について
は、均熱板122 はセラミック製のもので、その表面はい
わば粗面であり、これに載置されたウエハ２の両面と、
両面に形成された薄膜は、粗面に接触するためキズが発
生し易い。これを図６により説明する。図６において、
(イ) は均熱板122 にウエハ２を載置し、その表面２a に
反応ガスＧの生成物を蒸着する状態を示し、このとき裏
面２a は全面が均熱板122 の粗面に接触するのでキズ付
き易い。ここで薄膜が形成されると、薄膜の内部応力に
よりウエハ２は湾曲する。湾曲の程度は、ウエハ２のサ
イズが大きいほど大きく、また湾曲の方向は薄膜の材質
などにより下方または上方となる。例えば(ロ) のように
下方に凸に湾曲した場合は、その全重量が裏面２b の中
心の一点ｐにかかるためキズがより付き易い。ついで、
(ハ) のようにウエハ２を反転して、裏面２b に保護膜を
形成すると、(ニ) のように湾曲が矯正されて平坦となる
が、表面２a の作用膜の全面が均熱板122 の粗面に接触
するので、やはりキズが付き易い。これと反対に、ウエ
ハ２が(ホ) のように上方に凸に湾曲し、さらに(ヘ) のよ
うに反転して裏面２b に保薄膜を形成する場合も、ウエ
ハ２はやはり(ニ) のように平坦となって、作用膜にキズ
が付き易い。なお、表面２a と、その作用膜のキズはＩ
Ｃの性能を劣化するので当然好ましくないが、裏面２b
の保護膜のキズは、後に高温熱処理（８００℃）を行う
際に、品質を阻害する恐れがあるとされ、同様に好まし
くないとされる。
11の内壁などには、ウエハ２の処理の都度、反応ガスＧ
の反応生成物が付着するので、適時にクリーニングされ
て反応生成物は除去されているが、その間に浮遊して落
下し、均熱板122 に付着するものがあり、これがウエハ
２に転移して異物となる。次に基本条件(b) について
は、均熱板122 はセラミック製のもので、その表面はい
わば粗面であり、これに載置されたウエハ２の両面と、
両面に形成された薄膜は、粗面に接触するためキズが発
生し易い。これを図６により説明する。図６において、
(イ) は均熱板122 にウエハ２を載置し、その表面２a に
反応ガスＧの生成物を蒸着する状態を示し、このとき裏
面２a は全面が均熱板122 の粗面に接触するのでキズ付
き易い。ここで薄膜が形成されると、薄膜の内部応力に
よりウエハ２は湾曲する。湾曲の程度は、ウエハ２のサ
イズが大きいほど大きく、また湾曲の方向は薄膜の材質
などにより下方または上方となる。例えば(ロ) のように
下方に凸に湾曲した場合は、その全重量が裏面２b の中
心の一点ｐにかかるためキズがより付き易い。ついで、
(ハ) のようにウエハ２を反転して、裏面２b に保護膜を
形成すると、(ニ) のように湾曲が矯正されて平坦となる
が、表面２a の作用膜の全面が均熱板122 の粗面に接触
するので、やはりキズが付き易い。これと反対に、ウエ
ハ２が(ホ) のように上方に凸に湾曲し、さらに(ヘ) のよ
うに反転して裏面２b に保薄膜を形成する場合も、ウエ
ハ２はやはり(ニ) のように平坦となって、作用膜にキズ
が付き易い。なお、表面２a と、その作用膜のキズはＩ
Ｃの性能を劣化するので当然好ましくないが、裏面２b
の保護膜のキズは、後に高温熱処理（８００℃）を行う
際に、品質を阻害する恐れがあるとされ、同様に好まし
くないとされる。
【０００６】次に(c),(d) の付加条件についてみる。
(c) の緻密性の程度と(d) のプラズマ損傷は、均熱板12
2 の導電性や絶縁性などにも依存するとされており、従
来のセラミックに代えて、付加条件(c),(d) にそれぞれ
に適合する材料を使用して均熱板122 を製作すると、付
加条件ごとに均熱板122 を取り替える必要があり、その
実行はかならずしも容易でない。
(c) の緻密性の程度と(d) のプラズマ損傷は、均熱板12
2 の導電性や絶縁性などにも依存するとされており、従
来のセラミックに代えて、付加条件(c),(d) にそれぞれ
に適合する材料を使用して均熱板122 を製作すると、付
加条件ごとに均熱板122 を取り替える必要があり、その
実行はかならずしも容易でない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】良質な薄膜を形成する
ための上記の各処理条件を満たす手段として、ウエハ２
を収容するトレーを使用して均熱板122 に載置する方法
をとれば、有効と考えられる。ただし１個または１種類
のトレーでは、付加条件(c),(d) を同時に満足できない
ので、付加条件に対応する複数の種類のトレーとするこ
とが必要である。この発明は上記に鑑みてなされたもの
で、上記の各処理条件を満たす複数種類のウエハ収容ト
レーを提供することを目的とする。
ための上記の各処理条件を満たす手段として、ウエハ２
を収容するトレーを使用して均熱板122 に載置する方法
をとれば、有効と考えられる。ただし１個または１種類
のトレーでは、付加条件(c),(d) を同時に満足できない
ので、付加条件に対応する複数の種類のトレーとするこ
とが必要である。この発明は上記に鑑みてなされたもの
で、上記の各処理条件を満たす複数種類のウエハ収容ト
レーを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の目的
を達成するウエハ収容トレーであって、反応炉外で被処
理のウエハを収容して搬送し、反応炉の均熱板に載置し
て、収容されたウエハをＣＶＤ処理して薄膜の形成を行
うものである。上記のウエハ収容トレーは、被処理のウ
エハの直径よりやや大きい外径と適当な厚さとを有する
円板をベースとし、ベース円板の上面に、ウエハが嵌入
する直径と、薄膜の形成により生ずるウエハの湾曲より
大きい深さを有する凹部を形成して構成される。上記の
凹部は、ザグリ加工により段階状または皿状に形成さ
れ、凹部の底面をザグリ加工のままの粗面、または研磨
して鏡面とする。また上記のベース円板は、適当な硬度
と耐熱性を有する次の各材料： (1) 導電体、(2) 半導体、(3) 絶縁物、(4) 表面を絶縁
処理した導電体、のいずれかによるものとする。なお、
凹部は、複数個収容できる大きなトレーにザグリ加工に
より複数個形成し、ウエハをそれぞれに収納してもよ
い。
を達成するウエハ収容トレーであって、反応炉外で被処
理のウエハを収容して搬送し、反応炉の均熱板に載置し
て、収容されたウエハをＣＶＤ処理して薄膜の形成を行
うものである。上記のウエハ収容トレーは、被処理のウ
エハの直径よりやや大きい外径と適当な厚さとを有する
円板をベースとし、ベース円板の上面に、ウエハが嵌入
する直径と、薄膜の形成により生ずるウエハの湾曲より
大きい深さを有する凹部を形成して構成される。上記の
凹部は、ザグリ加工により段階状または皿状に形成さ
れ、凹部の底面をザグリ加工のままの粗面、または研磨
して鏡面とする。また上記のベース円板は、適当な硬度
と耐熱性を有する次の各材料： (1) 導電体、(2) 半導体、(3) 絶縁物、(4) 表面を絶縁
処理した導電体、のいずれかによるものとする。なお、
凹部は、複数個収容できる大きなトレーにザグリ加工に
より複数個形成し、ウエハをそれぞれに収納してもよ
い。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記のウエハ収容トレーには、反
応炉外で被処理のウエハが収容され、搬送されて反応炉
の均熱板に載置され、ＣＶＤ処理により薄膜が形成され
る。ベース円板の上面に形成された凹部には、ウエハが
嵌入して収容されてＣＶＤ処理されるが、ウエハはトレ
ーを介して均熱板に接触するので、たとえ均熱板に異物
が付着していても、これがウエハの表裏の両面、および
両面に形成された薄膜を転移することがなく、前記した
ＣＶＤ処理の基本条件の(a) が満足される。
応炉外で被処理のウエハが収容され、搬送されて反応炉
の均熱板に載置され、ＣＶＤ処理により薄膜が形成され
る。ベース円板の上面に形成された凹部には、ウエハが
嵌入して収容されてＣＶＤ処理されるが、ウエハはトレ
ーを介して均熱板に接触するので、たとえ均熱板に異物
が付着していても、これがウエハの表裏の両面、および
両面に形成された薄膜を転移することがなく、前記した
ＣＶＤ処理の基本条件の(a) が満足される。
【００１０】次に、トレーの凹部はザグリ加工により、
階段状または皿状の形状に１個または複数個形成され、
その深さはウエハの湾曲より大きくされ、その底面はザ
グリ加工のままの粗面、または研磨した鏡面とされる。
なお、実施例では、１個の場合を示す。凹部に収容され
た平坦なウエハ、または薄膜が形成されて湾曲したウエ
ハが、底面に接触しない形状の場合は粗面としてもキズ
が付かない。また、ウエハが底面に接触する形状の場合
は、底面を鏡面とすることにより、やはりギスが付かな
い。要するに、凹部の形状とウエハの湾曲の程度に応じ
て、底面には粗面と鏡面のいずれかを選択してキズが防
止され、基本条件の(b) が満足される。
階段状または皿状の形状に１個または複数個形成され、
その深さはウエハの湾曲より大きくされ、その底面はザ
グリ加工のままの粗面、または研磨した鏡面とされる。
なお、実施例では、１個の場合を示す。凹部に収容され
た平坦なウエハ、または薄膜が形成されて湾曲したウエ
ハが、底面に接触しない形状の場合は粗面としてもキズ
が付かない。また、ウエハが底面に接触する形状の場合
は、底面を鏡面とすることにより、やはりギスが付かな
い。要するに、凹部の形状とウエハの湾曲の程度に応じ
て、底面には粗面と鏡面のいずれかを選択してキズが防
止され、基本条件の(b) が満足される。
【００１１】次に、上記のベース円板は適当な硬度と耐
熱性を有する次の各材料： (1) 導電体、(2) 半導体、(3) 絶縁物、(4) 表面を絶縁
処理した導電体、のいずれかにより製作される。まず
(1) の導電体の場合は、他の材料の場合に比較してより
緻密な薄膜を形成できることが確認されており、付加条
件の(c) が満たされる。(2) の半導体と(3) の絶縁体の
場合は、これらによりウエハ２の表面に低エネルギー電
子の帯電層が形成され、この層が前記したプラズマ化に
よる高エネルギー電子の侵入を阻止するので、プラズマ
損傷が低減され、付加条件の(d) 満たされる。また(4)
表面を絶縁処理した導電体の場合は、内部の導電体によ
り付加条件の(c) が、また表面の絶縁物により付加条件
の(d) がそれぞれ満足される。
熱性を有する次の各材料： (1) 導電体、(2) 半導体、(3) 絶縁物、(4) 表面を絶縁
処理した導電体、のいずれかにより製作される。まず
(1) の導電体の場合は、他の材料の場合に比較してより
緻密な薄膜を形成できることが確認されており、付加条
件の(c) が満たされる。(2) の半導体と(3) の絶縁体の
場合は、これらによりウエハ２の表面に低エネルギー電
子の帯電層が形成され、この層が前記したプラズマ化に
よる高エネルギー電子の侵入を阻止するので、プラズマ
損傷が低減され、付加条件の(d) 満たされる。また(4)
表面を絶縁処理した導電体の場合は、内部の導電体によ
り付加条件の(c) が、また表面の絶縁物により付加条件
の(d) がそれぞれ満足される。
【００１２】
【実施例】図１はこの発明のウエハ収容トレーの第１実
施例を示す構造図、図２は図１のトレーの作用説明図、
図３は第２実施例の構造図、図４は第３実施例の構造図
である。図１において、トレー３は、被処理のウエハ２
の直径φw よりやや大きい外径φd と、適当な厚さｔを
有する円板３a をベースとする。ベース円板３a は、適
当な硬度と耐熱性を有し、前記した付加条件(c) ，(d)
に応じて、導電体、半導体、絶縁物、または表面を絶縁
処理した導電体のいずれかの材料を使用して成型され、
その上面をザグリ加工して、ウエハ２を嵌入する凹部３
b を形成する。この場合の凹部３b は１段階のもので、
その深さｈは、薄膜形成により湾曲したウエハ２が飛び
出さないものとし、ザグリ加工した底面は粗面であるか
ら、これを研磨して鏡面に仕上げる。ただし導電体の表
面の絶縁処理は凹部３b の形成後に行う。ベース円板３
a の各材料を例記すると、導電体にはアルミニウムまた
はニッケルが適合し、半導体にはシリコンまたはガリウ
ム批素（ＧaＡs)が適合し、絶縁体には窒素アルミ、ア
ルミナが適合し、表面を絶縁処理した導電体としては、
アルミニウムの表面をアルマイト化，窒化アルミ化，弗
化アルミ化したものや、ニッケルの表面を窒化ニッケル
化，弗化ニッケル化したものなどが適合し、これらのう
ちから、加工や経費的に有利なものを選択してベース円
板３a を成型する。
施例を示す構造図、図２は図１のトレーの作用説明図、
図３は第２実施例の構造図、図４は第３実施例の構造図
である。図１において、トレー３は、被処理のウエハ２
の直径φw よりやや大きい外径φd と、適当な厚さｔを
有する円板３a をベースとする。ベース円板３a は、適
当な硬度と耐熱性を有し、前記した付加条件(c) ，(d)
に応じて、導電体、半導体、絶縁物、または表面を絶縁
処理した導電体のいずれかの材料を使用して成型され、
その上面をザグリ加工して、ウエハ２を嵌入する凹部３
b を形成する。この場合の凹部３b は１段階のもので、
その深さｈは、薄膜形成により湾曲したウエハ２が飛び
出さないものとし、ザグリ加工した底面は粗面であるか
ら、これを研磨して鏡面に仕上げる。ただし導電体の表
面の絶縁処理は凹部３b の形成後に行う。ベース円板３
a の各材料を例記すると、導電体にはアルミニウムまた
はニッケルが適合し、半導体にはシリコンまたはガリウ
ム批素（ＧaＡs)が適合し、絶縁体には窒素アルミ、ア
ルミナが適合し、表面を絶縁処理した導電体としては、
アルミニウムの表面をアルマイト化，窒化アルミ化，弗
化アルミ化したものや、ニッケルの表面を窒化ニッケル
化，弗化ニッケル化したものなどが適合し、これらのう
ちから、加工や経費的に有利なものを選択してベース円
板３a を成型する。
【００１３】被処理のウエハ２は反応炉11の外部で凹部
３b に嵌入して収容され、反応炉11の内部に搬送され
て、図２の(イ) に示すように均熱板122 に載置される。
この場合、均熱板122 に異物が付着していても、トレー
３には転移するが、これに収容されているウエハ２には
転移しないので、前記したＣＶＤ処理の基本条件の(a)
が満足される。また凹部３b の底面は鏡面であるので、
これに全面が接触した裏面２b にはキズが付かない。Ｃ
ＶＤ処理により表面２a に作用膜が形成されると、例え
ば(ロ) のように下方に凸に湾曲するが、裏面２b の中心
点ｐもキズ付かず、さらに(ハ) のように反転して裏面２
b に保護膜が形成され、(ニ) のように平坦化されて作用
膜の全面が底面に接触しても、やはりキズが付かない。
上記はウエハ２の湾曲が下方に凸の場合であるが、上方
に凸の場合も事情は上記と同一であり、このようにし
て、ウエハ２の表裏の両面と、これに形成された薄膜と
にキズ付くことが防止されて、基本条件の(b) が満足さ
れる。
３b に嵌入して収容され、反応炉11の内部に搬送され
て、図２の(イ) に示すように均熱板122 に載置される。
この場合、均熱板122 に異物が付着していても、トレー
３には転移するが、これに収容されているウエハ２には
転移しないので、前記したＣＶＤ処理の基本条件の(a)
が満足される。また凹部３b の底面は鏡面であるので、
これに全面が接触した裏面２b にはキズが付かない。Ｃ
ＶＤ処理により表面２a に作用膜が形成されると、例え
ば(ロ) のように下方に凸に湾曲するが、裏面２b の中心
点ｐもキズ付かず、さらに(ハ) のように反転して裏面２
b に保護膜が形成され、(ニ) のように平坦化されて作用
膜の全面が底面に接触しても、やはりキズが付かない。
上記はウエハ２の湾曲が下方に凸の場合であるが、上方
に凸の場合も事情は上記と同一であり、このようにし
て、ウエハ２の表裏の両面と、これに形成された薄膜と
にキズ付くことが防止されて、基本条件の(b) が満足さ
れる。
【００１４】図３に示す第２実施例においては、ウエハ
収容トレー３は、第１実施例と同様の材料によりベース
円板３a を成型し、この場合の凹部３b の形状は、例え
ば図示のように最上段を含めて４段階とし、上から２段
目にウエハ２を載置して収容する。２段目に対する底面
の深さｈをウエハ２の湾曲より大きくして、湾曲した表
面２a または裏面２b が底面に接触しない寸法とし、ま
た底面をザグリ粗面のままとして、キズ付きを防止す
る。
収容トレー３は、第１実施例と同様の材料によりベース
円板３a を成型し、この場合の凹部３b の形状は、例え
ば図示のように最上段を含めて４段階とし、上から２段
目にウエハ２を載置して収容する。２段目に対する底面
の深さｈをウエハ２の湾曲より大きくして、湾曲した表
面２a または裏面２b が底面に接触しない寸法とし、ま
た底面をザグリ粗面のままとして、キズ付きを防止す
る。
【００１５】図４に示す第３実施例は、凹部３b を皿状
とし、その直径φw’をウエハ２の直径φw より僅かに
大きくし、その深さｈをウエハ２の湾曲より大きくした
もので、ウエハ２は図示のように皿面の上端に収容さ
れ、平坦または湾曲しても両面にはキズが付かないの
で、皿面はザグリ粗面のままとする。以上は、凹部３b
を１個形成する例を挙げているが、大きなトレーに、例
えば３個の凹部３b を形成して、３枚のウエハを収納す
るようにすることもできる。
とし、その直径φw’をウエハ２の直径φw より僅かに
大きくし、その深さｈをウエハ２の湾曲より大きくした
もので、ウエハ２は図示のように皿面の上端に収容さ
れ、平坦または湾曲しても両面にはキズが付かないの
で、皿面はザグリ粗面のままとする。以上は、凹部３b
を１個形成する例を挙げているが、大きなトレーに、例
えば３個の凹部３b を形成して、３枚のウエハを収納す
るようにすることもできる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明によるウ
エハ収容トレーに被処理のウエハを収容してＣＶＤ処理
を行うときは、ＣＶＤ処理の基本条件が要求する、ウエ
ハの表裏両面とこれに形成された薄膜に異物が付着せ
ず、キズも付かないことが満足され、また材料として導
電体、半導体、絶縁物、または表面を絶縁処理した導電
体のいずれかを選択することにより、付加条件が要求す
る、格別に緻密な薄膜の形成と、プラズマ損傷の低減が
満たされるもので、プラズマＣＶＤ装置によるウエハの
良質な薄膜の形成に寄与する効果には優れたものがあ
る。
エハ収容トレーに被処理のウエハを収容してＣＶＤ処理
を行うときは、ＣＶＤ処理の基本条件が要求する、ウエ
ハの表裏両面とこれに形成された薄膜に異物が付着せ
ず、キズも付かないことが満足され、また材料として導
電体、半導体、絶縁物、または表面を絶縁処理した導電
体のいずれかを選択することにより、付加条件が要求す
る、格別に緻密な薄膜の形成と、プラズマ損傷の低減が
満たされるもので、プラズマＣＶＤ装置によるウエハの
良質な薄膜の形成に寄与する効果には優れたものがあ
る。
【図１】 図１は、この発明のウエハ収容トレーの第１
実施例の構造図である。
実施例の構造図である。
【図２】 図２は、図１のウエハ収容トレーの作用説明
図である。
図である。
【図３】 図３は、ウエハ収容トレーの第２実施例の構
造図である。
造図である。
【図４】 図４は、ウエハ収容トレーの第３実施例の構
造図である。
造図である。
【図５】 図５は、平行平板式のプラズマＣＶＤ装置の
構成図である。
構成図である。
【図６】 図６は、ＣＶＤ処理されるウエハの状態と、
その両面に付着する異物とキズの説明図である。
その両面に付着する異物とキズの説明図である。
１…プラズマＣＶＤ装置、11…反応炉、122 …均熱板、
２…ウエハ、２a …ウエハの表面、２b …裏面、３…こ
の発明のウエハ収容トレー、３a …ベース円板、３b …
凹部、φd …ベース円板の外径、φw …ウエハの直径、
ｔ…ベース円板の厚さ、ｈ…凹部の深さ。
２…ウエハ、２a …ウエハの表面、２b …裏面、３…こ
の発明のウエハ収容トレー、３a …ベース円板、３b …
凹部、φd …ベース円板の外径、φw …ウエハの直径、
ｔ…ベース円板の厚さ、ｈ…凹部の深さ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 0333−3Ｅ Ｂ６５Ｄ 85/38 Ｒ
Claims (5)
- 【請求項１】反応炉の内部に設けた均熱板に載置され、
所定の温度に加熱された被処理のウエハに対して、反応
ガスを噴射し、該反応ガスに高周波電圧を加圧してプラ
ズマ化して、該ウエハの表裏の両面または表面に薄膜を
形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記反応炉外で
被処理のウエハを収容して搬送し、前記均熱板に載置し
て該収容されたウエハをＣＶＤ処理して前記薄膜の形成
を行うことを特徴とする、ＣＶＤ処理用ウエハ収容トレ
ー。 - 【請求項２】前記被処理のウエハの直径よりやや大きい
外径と適当な厚さとを有する円板をベースとし、該ベー
ス円板の上面に、該ウエハが嵌入する直径と、前記薄膜
の形成により生ずる前記ウエハの湾曲より大きい深さを
有する凹部を形成して構成されたことを特徴とする、請
求項１記載のＣＶＤ処理用ウエハ収容トレー。 - 【請求項３】前記凹部は、ザグリ加工により段階状また
は皿状に形成され、該凹部の底面を該ザグリ加工のまま
の粗面、または研磨して鏡面とすることを特徴とする、
請求項１または２記載のＣＶＤ処理用ウエハ収容トレ
ー。 - 【請求項４】前記ベース円板は、適当な硬度と耐熱性を
有する次の各材料： (1) 導電体、(2) 半導体、(3) 絶縁物、(4) 表面を絶縁
処理した導電体、のいずれかによることを特徴とする、
請求項１記載のＣＶＤ処理用ウエハ収容トレー。 - 【請求項５】前記凹部は、前記ベース円板に１個または
２個以上の複数個形成され、被処理ウエハが同時に複数
枚処理できるよう構成されたことを特徴とする、請求項
１記載のＣＶＤ処理用ウエハ収容トレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29355395A JPH09115840A (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | Ｃｖｄ処理用ウエハ収容トレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29355395A JPH09115840A (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | Ｃｖｄ処理用ウエハ収容トレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115840A true JPH09115840A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17796249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29355395A Pending JPH09115840A (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | Ｃｖｄ処理用ウエハ収容トレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09115840A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000021788A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜成長装置およびこれを用いた薄膜成長方法 |
| JP2003086664A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 吸着固定装置及びその製造方法 |
| JP2004134761A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-30 | Asm Internatl Nv | 高温熱処理用のサセプタプレート |
| WO2005003403A1 (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-13 | Tokyo Electron Limited | プラズマcvdを用いた成膜方法および成膜装置 |
| JP2006270097A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Asm Japan Kk | 膜質の安定な低誘電率膜の形成方法 |
| JP2007305991A (ja) * | 2007-05-01 | 2007-11-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法 |
| JP2014063872A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法および成膜装置 |
| JP2017022320A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 昭和電工株式会社 | ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置 |
| CN115140391A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-10-04 | 广东电网有限责任公司 | 绝缘子托盘 |
-
1995
- 1995-10-17 JP JP29355395A patent/JPH09115840A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000021788A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜成長装置およびこれを用いた薄膜成長方法 |
| JP2003086664A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 吸着固定装置及びその製造方法 |
| JP2004134761A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-30 | Asm Internatl Nv | 高温熱処理用のサセプタプレート |
| WO2005003403A1 (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-13 | Tokyo Electron Limited | プラズマcvdを用いた成膜方法および成膜装置 |
| JP2006270097A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Asm Japan Kk | 膜質の安定な低誘電率膜の形成方法 |
| JP4545107B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2010-09-15 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 膜質の安定な低誘電率膜の形成方法 |
| JP2007305991A (ja) * | 2007-05-01 | 2007-11-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法 |
| JP4665935B2 (ja) * | 2007-05-01 | 2011-04-06 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
| JP2014063872A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法および成膜装置 |
| JP2017022320A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 昭和電工株式会社 | ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置 |
| CN115140391A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-10-04 | 广东电网有限责任公司 | 绝缘子托盘 |
| CN115140391B (zh) * | 2022-07-26 | 2023-10-24 | 广东电网有限责任公司 | 绝缘子托盘 |
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