JP2007305991A - サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007305991A JP2007305991A JP2007120829A JP2007120829A JP2007305991A JP 2007305991 A JP2007305991 A JP 2007305991A JP 2007120829 A JP2007120829 A JP 2007120829A JP 2007120829 A JP2007120829 A JP 2007120829A JP 2007305991 A JP2007305991 A JP 2007305991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- substrate
- semiconductor substrate
- counterbore
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板Wを主表面側からと主裏面側からとの双方から加熱して行う気相成長の際に該半導体基板Wを支持するサセプタ1である。サセプタ1に対し支持状態で半導体基板Wを位置決めさせるための座ぐり2を有する。座ぐり2の底面22aが、周縁部から中心に向かうほど次第に窪まされていることにより、気相成長の加熱の際における基板Wの撓み形状よりも窪まされている。この底面22aと半導体基板Wとの最大距離Dが、半導体基板Wを加熱しないで支持した状態で0.35mm以上、0.45mm未満となっている。
【選択図】図1
Description
従って、タイプ1の場合のサセプタ111の座ぐり113は、図5に示すように平面に形成されている(例えば、特許文献1参照)。
より具体的には、座ぐりの底面の一部は、周縁部から中心に向かうほど次第に窪む傾斜面状部となっているとともに、該底面のうちで該傾斜面状部よりも中央寄りの部位は、該傾斜面状部の最深部以上の深さに設定されていることが好ましい一例である。
また、この場合に、内周側部分の底面と半導体基板との最大距離が、半導体基板を加熱しないで支持した状態で0.35mm以上、0.45mm未満となるように、該内周側部分の底面が窪まされていることが好ましい。
しかし、座ぐりと基板との間隔があまりにも大きいと、該間隔に気相成長の際に用いる水素が大量に侵入してしまう結果、該水素により基板の主裏面がエッチングされてしまい、該主裏面に形成されている微少なキズが目立つようになってしまうことがある。従って、座ぐりが有する窪みは大きければ良い(座ぐりが単に深ければ良い)というものではない。
このような事情に対し、座ぐりの底面が周縁部から中心に向かうほど次第に窪まされているサセプタ、或いは、傾斜面状部を有するサセプタとすれば、基板との接触を防止しつつも、周縁部における基板と座ぐりとの間隔を狭くすることができる。よって、該間隔への水素の侵入を抑制できる結果、該水素による基板主裏面のエッチングも抑制できるので、該主裏面に微少なキズが形成されていても、このキズが目立つようになってしまうことを防止できる。
このような事情に対し、本発明のサセプタによれば、座ぐり底面(の少なくとも一部)を、周縁部から中心に向かうほど基板から遠ざかる曲面状に窪んだ状態に形成すればよいため、座ぐりを平坦に形成する必要がある場合よりもサセプタの製造が容易となり、例えば直径300mmの半導体ウェーハを支持するサセプタのように、比較的大寸法のサセプタであっても好適に製造することが可能となる。
この場合、サセプタが、反り返った全体姿勢に形成されていても良いので、つまり、全体姿勢が平板状となるように形成する必要がないので、平板状に形成する必要がある場合よりもサセプタの製造が容易となり、例えば直径300mmの半導体ウェーハを支持するサセプタのように、比較的大寸法のサセプタであっても好適に製造することが可能となる。
また、上記と同様に、主裏面に微少なキズが形成されていても、このキズが目立つようになってしまうことを防止できる。また、座ぐりを平坦に形成する必要がある場合よりもサセプタの製造が容易となり、例えば直径300mmの半導体ウェーハを支持するサセプタのように、比較的大寸法のサセプタであっても好適に製造することが可能となる。
また、本発明の半導体ウェーハの製造方法によれば、基板の主裏面に接触跡を形成することなく、両面が鏡面研磨処理された基板の主表面上に薄膜を気相成長させて半導体ウェーハを製造することができる。
先ず、サセプタの構成について説明する。
図1に示す本実施の形態のサセプタ1は、基板Wを主表面側からと主裏面側からとの双方から加熱して行う気相成長の際に該基板Wを支持するものである。
このサセプタ1は、例えば平板な円盤状に概略構成されている。
サセプタ1は、基板Wの支持状態で、該基板Wを当該サセプタ1に対し位置決めさせるための座ぐり2を、上面に有している。この座ぐり2は、基板Wの直径よりも内径が若干大きく設定された平面視円形の凹部である。
ただし、本実施形態のサセプタ1の座ぐり2は、基板Wを支持する円環状の外周側部分21と、該外周側部分21の内側に該外周側部分21よりも窪んだ状態に形成された平面視円形の内周側部分22とを有する二段構成をなしている。
このうち、外周側部分21は、基板Wの周縁部あるいは面取部を好適に支持可能となるように、例えば平面に形成されている。
他方、内周側部分22の底面22aは、例えば、周縁部から中心に向かうほど次第に深くなるよう凹曲面状に窪まされている。
ただし、該内周側部分22の底面22aの窪み形状は、気相成長の加熱の際における基板Wの撓み形状よりも深く設定されている。すなわち、座ぐり2の底面は、気相成長の加熱の際における基板Wの撓み形状よりも窪まされている。
なお、基板Wを加熱しないでサセプタ1により支持した状態における座ぐり2の内周側部分22の底面22aと基板Wの主裏面との最大距離Dは、0.35mm以上、0.45mm未満となるように、例えば0.4mm以下に設定されている。
このようなサセプタ1は、例えば、グラファイトからなる本体部の表面にSiC(炭化珪素)をコーティングすることにより構成されている。
図2に示すように、半導体ウェーハの製造装置10は、基板W(例えばシリコン単結晶基板)の主表面上に薄膜(例えばシリコン単結晶薄膜)を気相成長させるための装置であり、反応容器11と、この反応容器11内に配された上記サセプタ1と、このサセプタ1を気相成長の際に回転駆動させる駆動装置(図示略)と、サセプタ1の上下に配され反応容器11内を加熱するための加熱装置13(例えばハロゲンランプ)等を備えて概略構成されている。
反応容器11内には、矢印A方向に沿ってガス(原料ガスおよびキャリアガスを含む気相成長用ガス)が導入され、反応容器11内からは、矢印B方向に沿って排気されるようになっている。
先ず、基板Wを支持したサセプタ1を反応容器11内に配し、このサセプタ1を回転させながら、加熱装置13により反応容器11内の基板Wを加熱するとともに、反応容器11内にガスを導入することで、該ガスを基板Wの主表面上に供給して、該基板Wの主表面上に薄膜を気相成長させ、半導体ウェーハを製造することができる。
なお、気相成長の際の基板Wの加熱は、該基板Wの主表面側とサセプタ1を介して該基板Wの主裏面側との双方から行う。
また、基板Wとしては、例えば、両面が鏡面研磨処理されたもの(両面ミラーの基板)を用いる。
これに対し、本実施形態のサセプタ1は、座ぐり2の内周側部分22の底面(座ぐり底面)22aが、気相成長の加熱の際における基板Wの撓み形状よりも窪まされているので、このように加熱によって基板Wが撓んだとしても、基板Wの主裏面が底面22aに接触してしまうことを防止できる。よって、基板Wの主裏面に座ぐり2との接触跡が形成されてしまうことを好適に防止できる。
しかも、座ぐり2の内周側部分22の底面22aが、周縁部から中心に向かうほど次第に窪まされているため、該周縁部における基板Wと底面22aとの間隔を中心部よりも狭くすることができる。よって、該底面22aと基板Wとの非接触状態を保ちつつも、該間隔への水素(キャリアガスとして用いる)の侵入を抑制できる。この結果、該水素による基板W主裏面のエッチングも抑制できるので、該主裏面に微少なキズが形成されていたとしても、このキズが目立つようになってしまうことを防止できる。
従って、両面ミラーの基板Wを用いて半導体ウェーハを製造する場合にも、該基板Wの主裏面に底面22aとの接触跡を形成してしまうことを防止できる。
なお、基板Wの主裏面に形成されている微少なキズは、研磨工程にて形成される研磨キズであると考えられ、水素エッチングにより目立つようになると考えられる。
<実施例>
本発明者は、直径300mmの基板を支持可能で、基板Wを加熱しないで支持した状態における基板Wの主裏面と座ぐり2の内周側部分22の底面22aとの最大距離が0.4mmとなるように構成した本実施の形態のサセプタ1と、該最大距離が0.35mmとなるように構成したサセプタ1とを各々作成した。
そして、これらサセプタ1を各々用いて、両面ミラーの基板Wとしてのシリコン単結晶基板の主表面上に、水素雰囲気中1130℃で、薄膜としてのシリコン単結晶薄膜を気相成長させて、半導体ウェーハとしてのシリコンエピタキシャルウェーハを製造した。
この製造したシリコンエピタキシャルウェーハの主裏面を外観検査すると、前記最大距離が0.4mmのサセプタ1を用いた場合と、同0.35mmのサセプタ1を用いた場合で、ともに目立つキズは発見されなかった。
また、本発明者は、比較例として、前記最大距離が0.45mmである他は上記の実施例と同様のサセプタと、前記最大距離が0.7mmである他は上記の実施例と同様のサセプタとを各々作成し、これらサセプタを用いて、上記の実施例と同様の条件で半導体ウェーハ(つまりシリコンエピタキシャルウェーハ)を製造した。
この製造したシリコンエピタキシャルウェーハの主裏面を外観検査すると、前記最大距離が0.45mmのサセプタを用いた場合には、目立つキズが発見された。また、前記最大距離が0.7mmのサセプタを用いた場合には、目立つキズがより多く発見された。
よって、基板Wの主裏面に元々微少なキズが形成されていても、このキズが半導体ウェーハの製造後において目立つようになってしまうことを防止できる。
しかも、座ぐり2の底面22aが周縁部から中心に向かうほど次第に窪まされているため、周縁部における基板Wと座ぐり2との間隔を狭くすることができる。よって、該間隔への水素の侵入を抑制できる結果、該水素による基板主裏面のエッチングも抑制できるので、該主裏面に微少なキズが形成されていても、このキズが目立つようになってしまうことを防止できる。
また、特に、内周側部分22の底面22aと基板Wとの最大距離Dが、基板Wを加熱しないで支持した状態で0.35mm以上、0.45mm未満、例えば0.4mm以下となるように、該底面22aが窪まされているので、基板Wと座ぐり2との間隔への水素の侵入を確実に抑制できる。
具体的には、例えば、座ぐりの底面が、倒立円錐状(ただし、上面に比べて高さが極めて小さい)に窪まされていても良い。
或いは、座ぐりの底面が、倒立円錐台状に窪まされていても良い。すなわち、座ぐりの底面の一部は、周縁部から中心に向かうほど次第に窪む傾斜面状部(例えば、倒立円錐台状の窪みにおける側周面に相当)となっているとともに、該底面のうちで該傾斜面状部よりも中央寄りの部位(例えば、倒立円錐台状の窪みにおける平面部に相当)は、該傾斜面状部の最深部以上の深さ(窪みが倒立円錐台状の場合、傾斜面状部の最深部と等しい深さ)に設定されていても良い。
また、例えば、上記のような二段構成の座ぐりの場合などは、座ぐり2の底面22aが、気相成長の加熱の際における基板Wの撓み形状よりも窪まされていれば、該底面22aが平面に形成されていても良い。ただし、この場合、周縁部における底面22aと基板Wとの間隔が大きくなるため、基板Wがエッチングされやすくなる上、底面22aが平面であるため、サセプタが大寸法の場合、該サセプタを製造し難い。
また、例えば、上記のような二段構成の座ぐりの場合などは、座ぐり2の底面22aが、隆起していても良い。ただし、この場合も、周縁部における底面22aと基板Wとの間隔が大きくなるため、基板Wがエッチングされやすくなる上、基板周縁部の温度が中心部に比べて低くなるのでスリップが発生しやすくなる。
第2の実施の形態では、上記第1の実施の形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
図3に示す第2の実施の形態のサセプタ30は、直線に引かれた仮想線Lとの比較から分かるように、基板Wを支持する主表面31に対し裏面32が、該裏面32の中心部ほど窪むように反り返った全体姿勢をなす盤状に形成されている。
このサセプタ30の主表面31には、上記の第1の実施の形態と同様の座ぐり2が形成されている。
この第2の実施の形態によれば、サセプタ30が、反り返った全体姿勢に形成されていても良い。つまり、全体姿勢が平板状となるように形成する必要がない。よって、平板状に形成する必要がある場合よりもサセプタ30の製造が容易となり、例えば直径300mmの半導体ウェーハを支持するサセプタのように、比較的大寸法のサセプタであっても好適に製造することが可能となる。
2 座ぐり
21 外周側部分
22 内周側部分
22a 内周側部分の底面(座ぐり底面)
30 サセプタ
40 サセプタ
W 半導体基板
D 最大距離
Claims (5)
- 半導体基板を主表面側からと主裏面側からとの双方から加熱して行う気相成長の際に該半導体基板を支持するサセプタにおいて、
当該サセプタに対し半導体基板を位置決めさせるための座ぐりを有し、
該座ぐりの底面が、周縁部から中心に向かうほど次第に窪まされていることにより、前記加熱の際における半導体基板の撓み形状よりも窪まされており、
この底面と半導体基板との最大距離が、半導体基板を加熱しないで支持した状態で0.35mm以上、0.45mm未満となるように、該底面が窪まされていることを特徴とするサセプタ。 - 前記座ぐりの底面の一部は、周縁部から中心に向かうほど次第に窪む傾斜面状部となっているとともに、該底面のうちで該傾斜面状部よりも中央寄りの部位は、該傾斜面状部の最深部以上の深さに設定されていることを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 前記座ぐりは、半導体基板を支持する外周側部分と、該外周側部分の内側に該外周側部分よりも窪んだ状態に形成された内周側部分とを有する二段構成をなすことを特徴とする請求項1に記載のサセプタ。
- 両面が鏡面研磨処理された半導体基板の主表面上に薄膜を気相成長させて半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの製造方法において、請求項1〜3の何れかに記載のサセプタにより支持させた半導体基板を、主表面側と該サセプタを介して主裏面側との双方から加熱しながら、該半導体基板の主表面上に薄膜を気相成長させることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
- 半導体基板を位置決めさせるための座ぐりを有し、周縁部から中心に向かうほど次第に窪まされていることにより、気相成長の加熱の際における半導体基板の撓み形状よりも前記座ぐりの底面が窪まされ、この底面と半導体基板との最大距離が、半導体基板を加熱しないで支持した状態で0.35mm以上、0.45mm未満となるように、該底面が窪まされたサセプタにより、
両面が鏡面研磨処理された半導体基板を支持し、該半導体基板を、主表面側と該サセプタを介して主裏面側との双方から加熱しながら、該半導体基板の主表面上に薄膜を気相成長させて半導体ウェーハを製造することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007120829A JP4665935B2 (ja) | 2007-05-01 | 2007-05-01 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007120829A JP4665935B2 (ja) | 2007-05-01 | 2007-05-01 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002124056A Division JP4003527B2 (ja) | 2002-04-25 | 2002-04-25 | サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007305991A true JP2007305991A (ja) | 2007-11-22 |
JP4665935B2 JP4665935B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=38839608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007120829A Expired - Fee Related JP4665935B2 (ja) | 2007-05-01 | 2007-05-01 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4665935B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010147080A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 |
CN102828169A (zh) * | 2011-06-13 | 2012-12-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种载片托盘、托盘装置和结晶膜生长设备 |
JP7296914B2 (ja) | 2020-04-17 | 2023-06-23 | 三菱電機株式会社 | サテライトおよび炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6366925A (ja) * | 1986-05-27 | 1988-03-25 | ジエミニ リサ−チ,インコ−ポレイテツド | Cvd反応器における改良型サスセプタ |
JPH06326078A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JPH09115840A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Cvd処理用ウエハ収容トレー |
JPH11329983A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Cvdによる成膜方法とその装置 |
JP2002502117A (ja) * | 1998-02-02 | 2002-01-22 | シリコン ヴァレイ グループ サーマル システムズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 半導体基板処理のためのウェーハキャリヤ及び半導体装置 |
-
2007
- 2007-05-01 JP JP2007120829A patent/JP4665935B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6366925A (ja) * | 1986-05-27 | 1988-03-25 | ジエミニ リサ−チ,インコ−ポレイテツド | Cvd反応器における改良型サスセプタ |
JPH06326078A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JPH09115840A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Cvd処理用ウエハ収容トレー |
JP2002502117A (ja) * | 1998-02-02 | 2002-01-22 | シリコン ヴァレイ グループ サーマル システムズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 半導体基板処理のためのウェーハキャリヤ及び半導体装置 |
JPH11329983A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Cvdによる成膜方法とその装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010147080A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 |
CN102828169A (zh) * | 2011-06-13 | 2012-12-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种载片托盘、托盘装置和结晶膜生长设备 |
JP7296914B2 (ja) | 2020-04-17 | 2023-06-23 | 三菱電機株式会社 | サテライトおよび炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4665935B2 (ja) | 2011-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4003527B2 (ja) | サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法 | |
JP5604907B2 (ja) | 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP4669476B2 (ja) | 半導体製造時にウェハを支持するホルダ | |
JP5024382B2 (ja) | サセプタ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP4655935B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
US20120024231A1 (en) | Semiconductor growing apparatus | |
JPH0758041A (ja) | サセプタ | |
JP2010034476A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法及びそれに用いられるウェーハの保持具 | |
KR20170126503A (ko) | 서셉터 및 에피택셜 성장 장치 | |
JP2003100855A (ja) | シリコン単結晶ウェーハ処理装置、シリコン単結晶ウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2010080614A (ja) | 基板トレイ及びその基板トレイを備えた気相成長装置 | |
WO2015030167A1 (ja) | サセプタ | |
JP4599816B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
KR20170023792A (ko) | 서셉터 및 그 제조 방법 | |
JP4665935B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2004119859A (ja) | サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法 | |
JP2017199745A (ja) | サセプタ | |
JP2004200436A (ja) | サセプタ及びその製造方法 | |
JP7233361B2 (ja) | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 | |
JP2005311108A (ja) | 気相成長装置 | |
JP2013004593A (ja) | 基板支持装置及び気相成長装置 | |
JP2009176959A (ja) | サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法 | |
JP2005235906A (ja) | ウェーハ保持具及び気相成長装置 | |
JP6493982B2 (ja) | サセプタ | |
JP2009135127A (ja) | 炭化ケイ素ウェハの保持方法及びウェハ保持具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100723 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101214 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4665935 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |