JP2002502117A - 半導体基板処理のためのウェーハキャリヤ及び半導体装置 - Google Patents

半導体基板処理のためのウェーハキャリヤ及び半導体装置

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JP2002502117A JP2000529567A JP2000529567A JP2002502117A JP 2002502117 A JP2002502117 A JP 2002502117A JP 2000529567 A JP2000529567 A JP 2000529567A JP 2000529567 A JP2000529567 A JP 2000529567A JP 2002502117 A JP2002502117 A JP 2002502117A
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wafer
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ロバート ジェフリー ベイリー
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Abstract

(57)【要約】 プレートの周縁の周囲に延びる平坦な端部分（３１）を有する円形のプレートから構成されるウェーハキャリヤ（３４）が提供される。そのプレートは窪んだ底面を備える円形の窪んだ中央部分を有し、窪んだ底面の周辺部の周りに上方に傾斜した面（３３）を含む。基板（３５）は、上方に傾斜した面の一部により支持される中央部分に置かれ、基板がその縁端の周囲でのみ支持されるように窪んだ底面から間隔を置いて配置される。ウェーハキャリヤは基板との接触を最小限にしそれによって基板の背面に対する金属汚染及び表面損傷を最小限にし、基板の背面への蒸着を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、一般的には半導体加工の分野に関し、より具体的には基板の背面と
の接触を最小限にする半導体基板処理のためのウェーハキャリヤ及び半導体装置
に関する。
【０００２】 （背景技術） 半導体及び集積回路の製造には、様々な物質の薄膜すなわち皮膜がそのような
回路の製作中に蒸着される。誘電性の薄膜が、導電性の皮膜を電気的に絶縁しそ
のような皮膜の間に有用な相互接続を可能にするために半導体のウェーハ上に広
範にわたって蒸着される。誘電体及びその他の薄膜が化学蒸着（ＣＶＤ）により
多くの場合形成される。ＣＶＤ処理は、ある特定の気体の前駆物質を運び表面に
作用させることにより基板の表面に物質を蒸着させるものである。ＣＶＤ反応器
は、様々な形態のものが提供されている。減圧ＣＶＤシステム（ＬＰＣＶＤ）及
び常圧ＣＶＤシステム（ＡＰＣＶＤ）は熱ＣＶＤの原理で作動する。プラズマ強
化ＣＶＤシステム（ＰＥＣＶＤ）及び高密度プラズマ（ＨＤＰ）システムにおけ
る反応に対しては、化学物質の分解を促進するためにプラズマが利用できる。
【０００３】 ＣＶＤは前駆化学物質の含有成分を蒸着するから、そのような汚染物質が皮膜
に蒸着される可能性があるので、ＣＶＤ反応器環境における汚染物質をできるだ
けなくすことが大切である。皮膜中の汚染物質はウェーハ上の装置の機能を損な
い、装置の歩留まりを低下させる。金属の不純物は、熱処理後にウェーハ及び装
置の特性を変化させゲート酸化膜に悪影響を及ぼすおそれがあるため、シリコン
ウェーハには特に有害である。
【０００４】 汚染物質は様々な原因から起こり得る。前駆化学物質中に不純物が存在するこ
とに加えて、汚染物質はＣＶＤシステム自体から発生することもあり得る。半導
体加工中に金属原子汚染物質が処理装置を構成する金属構成部品の一部分から発
生する可能性がある。そのような汚染物質は、半導体基板に運ばれ、基板表面及
び／又は皮膜状の蒸着物を汚染しする可能性がある。
【０００５】 金属汚染の１つの原因はウェーハキャリヤである。従来のシステムではウェー
ハは一般的にウェーハキャリヤと接触している。加工中はウェーハの汚染はキャ
リヤから起こることがあり得る。その上に、キャリヤとの接触はウェーハの背面
を損傷することがあり得る。このことは、薄い皮膜が後でウェーハの背面に蒸着
されるときに問題になる。ウェーハキャリヤに接触することで引き起こされる擦
り傷は、皮膜に欠陥をもたらすことがあり得る。
【０００６】 さらに、ある特定の応用（背面密閉応用と呼ばれる）にとっては、ウェーハの
表側に蒸着する間はウェーハの背面には蒸着は全く起きないということは重要で
ある。従って、ウェーハ上の汚染と擦り傷をできるだけなくすためにウェーハと
の接触を最小限にすることが大切であるだけでなく、蒸着ガスからウェーハを密
閉することも時には大切である。
【０００７】 従来技術のウェーハキャリヤは、ウェーハの背面のかなりの領域に接触するこ
とでウェーハを支持するのが一般的である。そのようなウェーハとの表面接触は
背面の金属汚染と損傷を助長する。別の従来技術のウェーハキャリヤは、米国特
許第５,６４５,６４６号に記述されるように、ウェーハを支持するために板の表
面から突出する複数の支持板を利用する。この設計では、様々な位置でウェーハ
と表面接触をすることで同じ制約を受ける。さらに、この設計はウェーハの背面
に蒸着を許すことになり、従って背面密閉応用には適さないであろう。基板との
表面接触をできるだけなくし、ウェーハの背面における蒸着をも防止することが
できるウェーハキャリヤを提供することが望ましい。
【０００８】 （発明の開示） 従って、改良されたウェーハキャリヤを提供することが本発明の目的である。
【０００９】 より具体的には、基板との表面接触をできるだけなくしそれによって基板の背
面への金属汚染と表面の損傷をできるだけなくすウェーハキャリヤを提供するこ
とが本発明の目的である。
【００１０】 基板の背面への蒸着を防止するウェーハキャリヤを提供することが本発明のさ
らにもう１つの目的である。
【００１１】 本発明の関連する目的は、基板の上面に一様な蒸着を助長するウェーハキャリ
ヤを提供することである。
【００１２】 これらと他の目的及び特長は、ここに開示される本発明のウェーハキャリヤに
より実現される。ウェーハキャリヤは、プレートの周辺部に延びる平坦端部領域
を有する円形のプレートを含む。プレートは窪んだ底面を備える円形の窪んだ中
央部領域を有し、窪んだ底面の周辺部の周りに上方に傾斜した面を含む。基板（
“ウェーハ”とも呼ばれる）は、基板がその周縁エッジのみををウェーハキャリ
ヤにより支持されるように、上方に傾斜した面の1部により支持され窪んだ底面 から間隔を置いて、中央部領域に配置される。
【００１３】 本発明の他の目的と特長は、以下に提供される本発明の詳細な記述を読み、図
面を参照することで明らかになる。
【００１４】 （発明を実施するための最良の形態） 同じ構成要素が同じ数字により示されている図面を参照して、図１は本発明の
ウェーハキャリヤを利用することができる装置の概略を表したものである。図１
は、一般的にCVD反応器２０及びガスを反応器２０へ送るための導管を有するガ ス送給システム１５とを含む化学蒸着（CVD）システム１０を表す。CVD反応器２
０は、コンベア化された常圧CVD（APCVD）型の反応器として示され、これは米国
特許第４,８３４,０２０号に十分に記載されており、該明細書中の記載内容は、
本願明細書に含まれるものとする。APCVD反応器が示されているが、減圧CVD（LP
CVD）やプラズマ強化CVD(PECVD)反応器や高密度プラズマ（HDP）反応器のような
別の型のCVDを用いて、本発明の方法を実施してもよい。図１に示されるAPCVD反
応器２０は一般にマッフル３１、多段階（説明を簡単にするためにインゼクタ３
０を１つだけと、従って１段階が示される）を規定する複数のインゼクタ３０及
びコンベアベルト３４を含む。反応器２０は４つの段階から構成され、そのそれ
ぞれは実質的に同一である。マッフル３１内では、複数のカーテン３２が、領域
を分離するためにインゼクタ３０の両側に配置され、それらの間に蒸着チャンバ
ー領域３３を形成する。
【００１５】 半導体装置の表面に物質の皮膜を蒸着するために、基板３５がコンベアベルト
３４の上に置かれ、そしてマッフル３１中に送り込まれそれから蒸着チャンバー
領域３３を通り抜ける。蒸着チャンバー領域３３ではガス状の化学物質がインゼ
クタ３０により基板３５の表面に最も近い領域へ送られ、そこでガス状の化学物
質が反応して基板３５の表面に物質の皮膜を蒸着する。
【００１６】 基板３５の表面に所望の成分と純度の層を蒸着するためには、基板の表面を汚
染したりかつ／または損傷したりすることなくウェーハキャリヤが基板をしっか
り固定することが大切である。本発明は、基板をその周縁エッジで支持すること
により基板の表面に対する汚染物質や物理的損傷が減少を促進する。本発明の１
つの実施形態によれば、基板がウェーハキャリヤに置かれ、そしてそのウェーハ
キャリヤがコンベアベルト３４の上に置かれ、それから蒸着チャンバー３３を通
り抜けて送られる。この特定の実例では、コンベア化された型のCVD反応器が示 されている。単一のウェーハが単一の反応器チャンバーへ出し入れされる単一の
ウェーハシステムは、本発明のウェーハキャリヤとともに使用できるということ
が理解されるべきである。
【００１７】 ウェーハキャリヤは、図２及び図３に関してより詳細に示される。ウェーハキ
ャリヤ４０は、プレート４２の周辺部に延びる平坦端部分領域４４と円形の窪ん
だ中央部領域４５を有する円形のプレート４２から構成される。窪んだ中央部領
域４５は、窪んだ底面４６及び窪んだ底面４６の周辺部の周りの上方に傾斜した
面４８から構成される。窪んだ中央部４５の縁端領域４９は、窪んだ底面４６の
平面に垂直である。不可欠ではないが、少なくとも１つの開口５０が円形の窪ん
だ領域４５の底面４６に配設されるのが望ましい。その開口は、ウェーハをウェ
ーハキャリヤから受け取ったり取り外したりするためにウェーハに係合するピン
（示ぜず）を受け入れる。
【００１８】 基板又はウェーハを支持するために、図４に示されるように、基板が窪んだ中
央部領域４５に置かれる。とりわけ長所となるのは、本発明のウェーハキャリヤ
は、ウェーハをその周縁エッジのみで支持するようになっていることである。特
に、基板は中央部領域に置かれて上方に傾斜した面４８の部分によりその周縁部
で支持される。ウェーハとウェーハキャリヤの間の唯一の接触は傾斜した面上で
起こり、そこでウェーハのエッジの曲面がキャリヤの上に載る。ウェーハの背面
の残り（つまりウェーハの周縁エッジを除いた残り）は底面４６から間隔を置い
て配置されるのでウェーハキャリヤとは接触しない。他の実施形態では、傾斜面
は、ウェーハがキャリヤの底に上下方向の間隔を保って確実に接触するのに十分
な半径方向の距離で、延びるようにすることができる。
【００１９】 ウェーハがウェーハキャリヤに置かれ上方に傾斜した面４８の部分に接触する
とき、ウェーハの上面がウェーハキャリヤの平坦端部面４４と実質的に同一平面
になるよう、縁端領域４９がウェーハ“ｔ”の厚さと実質的に同じ深さを有する
ことが望ましい。このことは、“縁効果”として知られているものに対処するこ
とになり、ウェーハへの蒸着を強化する。縁効果は、ウェーハの縁端がガスの流
れ及び／又は温度の均一性に乱れを生ずる現象であり、蒸着された皮膜の均一性
を減ずる。本発明のウェーハキャリヤにより平坦端部領域４４がウェーハの端部
を延ばした結果になり、縁効果はさらに少なくなる。縁効果は平坦端部領域４４
上で生じ、結果としてウェーハの全面にわたっては均一な蒸着が行われるように
なる。
【００２０】 図４に示されるように、とりわけ有利なのは、ウェーハが窪んだ中央部４５の
傾斜面４８により支持されるウェーハエッジ５０の周縁部に沿ってのみウェーハ
キャリヤと接触することである。点接触または線接触が、従来のキャリヤにおけ
る平面接触とは異なって、ウェーハとの接触を最小限にする。面接触を最小限に
することによって、本発明は、表面損傷及び金属汚染の可能性を実質的に減少さ
せる。さらに有利なことは、本発明は、ウェーハの背面への蒸着の発生を実質的
になくすことである。ウェーハはその全周縁エッジで支持されるので、ウェーハ
は密閉され蒸着ガスはウェーハの背面へは拡散しない。このことは背面密閉応用
によるウェーハの加工を可能にする。つまり、このことが、背面の蒸着が起こる
ことを許す従来のキャリヤとは著しく違うところである。
【００２１】 ウェーハキャリヤには様々な大きさの基板を収納できる。ウェーハキャリヤは
、２００mm又は３００mmのウェーハを収納するためにそれぞれ約２００mm又は３
００mmの直径を備える円形の中央部領域４５を有することが望ましいと考えられ
る。しかしながら、中央の窪んだ部分の直径はどのような大きさであってもよい
。窪んだ中央部４５の縁端領域４９は支持されるべきウェーハの厚さと一致する
ことが望ましいと考えられる。例えば、縁端領域４９は、３００mmウェーハに対
しては約０.７５mmから０.８０mmの深さを有することになるはずである。
【００２２】 ウェーハを支持するためには、上方に傾斜した面４８は、ウェーハの背面との
接触が最小限になるよう選定される角度で傾斜されることが望ましい。ウェーハ
の裏側の縁端面５０は大体半円形の断面を備えて曲成される。本発明では、曲が
ったウェーハエッジ５０上でのみウェーハと接触し、その周縁でウェーハと線接
触をする傾斜した接触面を備える。上方に傾斜した面４８は窪んだ底面４６の平
面に対して約５度から４５度の範囲の角度で傾斜しているのが望ましいが、約１
０度の角度が最も望ましい。
【００２３】 ウェーハの周縁エッジと所望の線接触又は点接触を維持し、ウェーハを確実に
支持するために、ウェーハキャリヤの熱膨張が考慮される。処理中にはほとんど
熱膨張が起こらないで、そのため所望の傾斜角度が維持されるのが望ましい。特
に、ウェーハキャリヤは、２.６×１０-6／℃から５×１０6／℃までの範囲の熱
膨張率を有する物質から構成されるが、低ければ低い値の方が望まれる。適した
熱膨張率を有する物質にはシリコン及び炭化珪素が含まれる。
【００２４】 上方に向かってテーパしたたエッジ領域４８の部分によりウェーハを支持する
ことで、ウェーハが円形の中央の窪んだ領域４５の底面４６から間隔を保つこと
が可能になる。本発明は、ウェーハをウェーハキャリヤとの接触から間隔を置く
ようにし、それによってウェーハへの表面損傷及び金属汚染を最小限にするが、
その一方で、ウェーハへの熱伝達は維持する。ウェーハへの熱伝達を助長するた
めにウェーハキャリヤの熱伝導率が考慮される。良好な熱伝達を促進するために
は、ウェーハキャリヤの熱伝導率は約４０Ｗ／ｍ／Ｋから７０Ｗ／ｍ／Ｋまでの
範囲であることが望ましい。熱膨張率と熱伝導率の両方の要件を満たすためには
、ウェーハキャリヤは炭化珪素、窒化アルミニウム、大きい粒子の多結晶シリコ
ン、及びシリコン／炭化珪素合金から選ばれる物質で作られることが望ましい。
【００２５】 ウェーハの背面と窪んだ底面４６との間に間隔をとることは、様々な理由で大
切であるということを発明者達は発見した。第一に、熱伝達に対する間隔をとる
ことの効果が考慮されなければならない。第二に、重量や，温度勾配や取り扱い
によるウェーハの撓みが評価されなければならない。これらの条件は、約０.１ ５mmから０.５mmまでの範囲で、３００mmのウェーハに対して最も望ましい０.２
５mmの間隔で、ウェーハの背面と窪んだ底面４６との間の間隔を付与することに
より、本発明に合致する。
【００２６】 かくして、改良されたウェーハキャリヤが提供される。該ウェーハキャリヤは
基板に対して金属汚染及び損傷を最小限にし背面密閉応用には適している。本発
明のウェーハキャリヤを使用しての試験運転はウェーハに蒸着された薄膜中に金
属汚染が検出できない水準（＜１０9原子／ｃｍ2）にまで減少されるということ
を証明している。
【００２７】 本発明の特定の実施形態についての前記の記述は図示及び記述の目的で提供さ
れてきたものである。それらは網羅的であることも開示された厳密な形態に発明
を限定することをも意図したものではなく、多くの修正形態、実施形態や変形形
態が上記の教示に照らして可能であることが明白である。本発明の範囲は、特許
請求の範囲及びその均等物により規定されることを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 １つの実施形態における本発明に関して利用される可能性のある化学蒸着（CV
D）の部分的に断面になった部分概略図である。
【図２】 本発明の１つの実施形態におけるウェーハキャリヤの上面図である。
【図３】 本発明を実施したウェーハキャリヤの部分の横断側面図である。
【図４】 本発明を実施したウェーハの配置を示すウェーハキャリヤの部分の拡大横断側
面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１０月６日（２０００．１０．６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｕ Ａ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ， ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，Ｌ Ｔ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ， ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，Ｕ Ａ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ベイリー ロバート ジェフリー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 951060 サンタ クルーズ トゥリー フ ロッグ レーン 101 Ｆターム(参考） 3F022 AA08 CC02 EE05 LL31 4K030 CA04 CA12 EA04 FA01 GA13 GA14 JA09 KA46 5F031 CA02 DA13 EA01 FA03 GA51 5F045 AA06 AA08 AE29 BB14 EM08 EM09

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を支持するためのウェーハキャリヤであって、 円形のプレートであって、該プレートの円周の周りに延びる平坦な端部領域を
    有する、前記プレート、及び、 円形の窪んだ中央部領域であって、窪んだ底面を有し、該窪んだ底面の周縁の
    周りに上方に傾斜した面を含む、前記円形の窪んだ中央部領域、 を備えており、 前記基板は、該基板が該基板の周縁のみで前記ウェーハキャリヤにより支持さ
    れるように、前記上方に傾斜した面の一部によって支持され、前記窪んだ底面か
    ら隔てられている、前記ウェーハキャリヤ。
  2. 【請求項２】 前記窪んだ底面が、さらに、前記基板に係合する少なくとも
    １つの支持部材を受け入れるために該底面に形成された少なくとも１つの開口を
    備えている、請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
  3. 【請求項３】 前記円形の窪んだ中央部領域が約２００ｍｍの直径を有する
    、請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
  4. 【請求項４】 前記円形の窪んだ中央部領域が約３００ｍｍの直径を有する
    、請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
  5. 【請求項５】 前記上方に傾斜した面が、前記窪んだ底面の平面に対して約
    ５〜４５度の範囲の角度で傾斜している、請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
  6. 【請求項６】 前記上方に傾斜した面が、前記窪んだ底面の平面に対して約
    １０度の角度で傾斜している、請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
  7. 【請求項７】 前記ウェーハキャリヤが、２．６×１０― 6／℃〜５×１０- 6 ／℃の範囲の熱膨張率を有する物質を含む、請求項１に記載のウェーハキャリ ヤ。
  8. 【請求項８】 前記ウェーハキャリヤが、４０〜７０Ｗ／ｍ／Ｋの範囲の熱
    伝導率を有する物質を含む、請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
  9. 【請求項９】 前記ウェーハキャリヤが、炭化珪素、窒化アルミニウム、粒
    度の大きい多結晶シリコン及びシリコン／炭化珪素合金からなる群から選ばれる
    物質を含む、請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
  10. 【請求項１０】 前記ウェーハが、前記窪んだ底面から、約０．１５〜０．
    ５ｍｍの距離だけ隔てられている、請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
  11. 【請求項１１】 前記ウェーハが、前記窪んだ底面から、約０．２５ｍｍの
    距離だけ隔てられている、請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
  12. 【請求項１２】 前記平坦な端部領域が約５〜２５ｍｍの幅を有する、請求
    項１に記載のウェーハキャリヤ。
  13. 【請求項１３】 基板上に物質の層を蒸着するための反応器であって、 蒸着チャンバー、 該蒸着チャンバー内のウェーハキャリヤであって、該ウェーハキャリヤが、円
    形のプレートであって、該プレートの円周の周りに延びる平坦な端部領域を有す
    る、前記プレート、及び、円形の窪んだ中央部領域であって、窪んだ底面を有し
    、該窪んだ底面の周縁の周りに上方に傾斜した面を含む、前記円形の窪んだ中央
    部領域を備えており、前記基板は、該基板が該基板の周縁のみで前記ウェーハキ
    ャリヤにより支持されるように、前記上方に傾斜した面の一部によって支持され
    、前記窪んだ底面から隔てられている、前記ウェーハキャリヤ、 ガスを前記チャンバーに送るための前記蒸着チャンバーへのガス引き込み口、
    及び、 前記チャンバーからガスを排出するための排気システム、 を備える、前記反応器。
  14. 【請求項１４】 前記反応器が減圧ＣＶＤ反応器である、請求項１３に記載
    の方法。
  15. 【請求項１５】 前記反応器が常圧ＣＶＤ反応器である、請求項１３に記載
    の方法。
  16. 【請求項１６】 前記反応器がプラズマ強化ＣＶＤ反応器である、請求項１
    ３に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 基板処理用のＣＶＤ処理装置であって、 マッフル、 該マッフル内の少なくとも１つのＣＶＤチャンバー領域、 該少なくとも１つのＣＶＤチャンバー領域にガスを送り込むための少なくとも
    １つのインゼクタ、 前記チャンバー領域と前記マッフルとを通過するコンベア化されたベルト、及
    び、 前記チャンバー領域を通して前記基板を移動させて、前記ガスにより前記基板
    の表面を処理するために、前記コンベア化されたベルト上に置かれた、少なくと
    も１つのウェーハキャリヤ、 を備える、前記ＣＶＤ処理装置。
  18. 【請求項１８】 前記ウェーハキャリヤが、さらに、 円形のプレートであって、該プレートの円周の周りに延びる平坦な端部領域を
    有する、前記プレート、及び、 円形の窪んだ中央部領域であって、窪んだ底面を有し、該窪んだ底面の周縁の
    周りに上方に傾斜した面を含む、前記円形の窪んだ中央部領域、 を備えており、 前記基板は、該基板が該基板の周縁のみで前記ウェーハキャリヤにより支持さ
    れるように、前記上方に傾斜した面の一部によって支持され、前記窪んだ底面か
    ら隔てられている、請求項１７に記載のＣＶＤ処理装置。
  19. 【請求項１９】 前記上方に傾斜した面が、前記窪んだ底面の平面に対して
    約１０度の角度で傾斜している、請求項１８に記載のウェーハキャリヤ。
  20. 【請求項２０】 前記ウェーハキャリヤが、２．６×１０-6〜５×１０-6／
    ℃の範囲内の熱膨張率を有する物質を含む、請求項１７に記載のウェーハキャリ
    ヤ。
  21. 【請求項２１】 前記ウェーハキャリヤが、４０〜７０Ｗ／ｍ／Ｋの範囲内
    の熱伝導率を有する物質を含む、請求項１７に記載のウェーハキャリヤ。
  22. 【請求項２２】 前記ウェーハキャリヤが、炭化珪素、窒化アルミニウム、
    粒度の大きい多結晶シリコン及びシリコン／炭化珪素合金からなる群から選ばれ
    る物質を含む、請求項１７に記載のウェーハキャリヤ。
  23. 【請求項２３】 前記ウェーハが、前記窪んだ底面から、約０．１５〜０．
    ５ｍｍの距離だけ隔てられている、請求項１７に記載のウェーハキャリヤ。
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