JPH07107041B2 - オキシム誘導体およびその製造方法 - Google Patents

オキシム誘導体およびその製造方法

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JPH07107041B2 JP61057926A JP5792686A JPH07107041B2 JP H07107041 B2 JPH07107041 B2 JP H07107041B2 JP 61057926 A JP61057926 A JP 61057926A JP 5792686 A JP5792686 A JP 5792686A JP H07107041 B2 JPH07107041 B2 JP H07107041B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は一般式(I) (式中、Rはアルキル基、アラルキル基、もしくはアル
キル置換シリル基を表わす。) で示される新規なオキシム誘導体およびその製造方法に
関するものである。
〈従来の技術および発明が解決しようとする問題点〉 (p−トリルメチル)フェニルケトンオキシム(上記
(I)の構造式においてRが水素に相当する化合物)は
知られている。
例えばJ.Am.Chem.Soc.,76,3719(1954)には(p−トリ
ルメチル)フェニルケトンにヒドロキシルアミンを作用
させて相当するオキシムを得た事が記載されている。
しかしながら一般式(I)で示されるオキシム誘導体に
ついては全く知られていない。
〈問題を解決するための手段〉 本発明者らは(p−トリルメチル)フェニルケトンオキ
シム類について、これを種々合成し、研究を重ねた結
果、新規なオキシム誘導体が光学分割剤である光学活性
1−フェニル−2−(p−トリル)エチルアミン(以下
PTEAと略称する)の重要な製造中間体となり得ることを
見出すとともに種々の検討を加え本発明を完成した。
すなわち本発明は一般式(I) (式中、Rはアルキル基、アラルキル基もしくはアルキ
ル置換シリル基を表わす。) で示されるオキシム誘導体およびその製造方法を提供す
るものである。
本発明の対象化合物は上記一般式(I)で示されるオキ
シム誘導体であるが、具体的には、例えばRがメチル、
エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イ
ソブチル、n−ペンチル、シクロペンチル、n−ヘキシ
ル、2−ヘキシル、シクロヘキシル、n−ヘプチル、2
−ヘプチル、3−ヘプチル、シクロヘプチル、n−オク
チル、2−オクチル、シクロオクチル、n−ノニル、n
−デシル等の炭素数1〜10のアルキル基、ベンジル、フ
ェネチル、ナフチルメチル、ナフチルエチル等の炭素数
7〜12のアラルキル基、トリメチルシリル、トリエチル
シリル、ジメチル−t−ブチルシリル、トリ−n−プロ
ピルシリル、トリ−n−ブチルシリル等の炭素数3〜12
のアルキルシリル基などであるオキシム誘導体が挙げら
れる。
また一般式(I)のオキシム誘導体には、フェニル基と
OR基の関係がシン体、アンチ体の二種の立体異性体が存
在するが、本発明の対象化合物はこれ等の異性体および
これ等異性体の任意の比率の混合物を包含する。
かかるオキシム誘導体(I)は例えば(p−トリルメチ
ル)フェニルケトンオキシムに一般式(II) R−X (II) (式中、Rはアルキル基、アラルキル基もしくはアルキ
ル置換シリル基を表わし、XはRがアルキル基の場合は
ハロゲン原子または硫酸エステル残基を、Rがアラルキ
ル基、アルキル置換シリル基の場合はハロゲン原子を表
わす。) で示されるアルキル化剤、アラルキル化剤もしくはシリ
ル化剤を反応させることによって製造することができ
る。
ここでアルキル化剤としては、例えばアルキル基とし
て、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n
−ブチル、イソブチル、n−ペンチル、シクロペンチ
ル、n−ヘキシル、2−ヘキシル、シクロヘキシル、n
−ヘプチル、2−ヘプチル、3−ヘプチル、シクロヘプ
チル、n−オクチル、2−オクチル、シクロオクチル、
n−ノニル、n−デシル等を有する塩化アルキル、臭化
アルキル、ヨウ化アルキル、アルキル硫酸が挙げられ
る。
アラルキル化剤としては、例えばアラルキル基として、
ベンジル、α−フェネチル、β−フェネチル、1−ナフ
チルメチルなどを有する塩化アラルキル、臭化アラルキ
ル、ヨウ化アラルキル等のハロゲン化アラルキルが挙げ
られる。
またシリル化剤としては、例えばアルキル置換シリル基
として、トリメチルシリル、トリエチルシリル、ジメチ
ル−t−ブチルシリル、トリ−n−プロピルシリル、ト
リ−n−ブチルシリルなどを有する塩化トリアルキルシ
リル、臭化トリアルキルシリル、ヨウ化トリアルキルシ
リル等のハロゲン化トリアルキルシリルが挙げられる。
かかる一般式(II)で示される化合物に(p−トリルメ
チル)フェニルケトンオキシムを反応させるに当って
は、該オキシムをあらかじめO−アルカリ塩とした後反
応させる2段階法を用いても良いし、塩基の存在下に該
オキシムを反応させる1段階法を採用することもでき
る。
先ず2段階法について説明する。
2段階法におけるO−アルカリ塩は該オキシムに塩基を
作用させることにより、容易に製造することができる。
ここで塩基としては例えば水素化ナトリウム、水素化リ
チウム等の水素化アルカリ金属が挙げられ、その使用量
は該オキシムに対し、通常1〜5当量、好ましくは1〜
2当量である。また溶媒としては該塩基と反応しないも
のであれば良いが、通常N,N−ジメチルホルムアミド、
テトラヒドロフラン、ヘキサメチレンホスホリックトリ
アミド等が用いられる。反応温度は通常−10〜100℃の
範囲であり、好ましくは0〜60℃である。反応時間は通
常10分から5時間程度であり水素の発生量により反応の
進行を確認することもできる。
このようにしてO−アルカリ塩が製造されるが、これに
一般式(II)の化合物を作用させることにより本発明化
合物(I)が得られる。一般式(II)の化合物は該オキ
シムに対し通常1〜5当量、好ましくは1〜2当量であ
り、反応温度は通常−10〜100℃の範囲であり、好まし
くは0〜60℃である。反応時間は通常10分から10時間程
度であり、反応の進行はガスクロマトグラフ等により確
認できる。
次に、塩基の存在下に(p−トリルメチル)フェニルケ
トンオキシムと一般式(II)の化合物とを反応させる1
段階法について説明する。
一般式(II)の化合物は該オキシムに対し通常、1〜5
当量、好ましくは1〜2当量用いられる。用いる溶媒と
しては非プロトン溶媒であれば良く、例えばヘキサン、
ヘプタン等の脂肪族炭化水素、トルエン、ベンゼン等の
芳香族炭化水素、クロロホルム、クロルベンゼン等のハ
ロゲン化炭化水素等が用いられる。また塩基としてはピ
リジン、トリエチルアミン、N−メチルモルホリン等の
有機塩基が通常用いられ、その使用量は該オキシムに対
して1〜5当量、好ましくは1〜2当量である。反応温
度は通常−30〜100℃、好ましくは−10〜50℃であり、
反応の進行はガスクロマトグラフ等により確認できる。
また本発明のオキシム誘導体は(p−トリメチル)フェ
ニルケトンと一般式(III) H2NOR2 (III) (式中、R2はアルキル基もしくはアラルキル基を表わ
す。) で示されるヒドロキシルアミン誘導体とを反応させるこ
とによっても製造することができる。
ここで一般式(III)で示されるヒドロキシルアミン誘
導体としては例えばR2がメチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、n−ペン
チル、シクロペンチル、n−ヘキシル、2−ヘキシル、
シクロヘキシル、n−ヘプチル、2−ヘプチル、3−ヘ
プチル、シクロヘプチル、n−オクチル、2−オクチ
ル、シクロオクチル、n−ノニル、n−デシル等の炭素
数1〜10のアルキル基、ベンジル、フェネチル、ナフチ
ルメチル、ナフチルエチル等の炭素数7〜12のアラルキ
ル基などであるヒドロキシルアミン誘導体が挙げられ
る。
かかるヒドロキシルアミン誘導体は通常、塩酸塩、硫酸
塩等の塩の形で入手できるので、塩基の存在下に前記ケ
トンと反応せしめる。ヒドロキシルアミン誘導体のケト
ンに対する使用量は好ましくは通常1〜10当量、好まし
くは1〜3当量である。
ここで塩基としてはピリジン、トリエチルアミン、N−
メチルモルホリン等の有機塩基、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、炭酸ソーダ等の無機塩基が例示され、そ
の使用量はヒドロキシルアミン誘導体の塩に対し通常1
当量以上、好ましくは1〜3当量である。
溶媒はヒドロキシルアミン誘導体と反応しないものであ
れば特に限定されない。例えばトルエン、ベンゼン等の
芳香族炭化水素、クロロホルム、塩化メチレン、クロロ
ベンゼン等のハロゲン化炭化水素、メタノール、エタノ
ール等のアルコール類、ピリジン、トリエチルアミン等
のアミン類を挙げることができる。
反応温度は通常−20〜150℃で特に限定されないが、室
温付近でも反応は円滑に進行する。
本発明化合物(I)は上記のような方法により生成する
が、反応混合物から、抽出、濃縮、蒸留、結晶化等の通
常用の操作によって分離することができる。また再結
晶、各種クロマトグラフィー等によってさらに精製する
こともできる。またシン体とアンチ体の分離は、公知化
合物(p−トリルメチル)フェニルケトンオキシムの場
合は困難であるが、本発明化合物の場合は容易であるの
で必要に応じ分離することもできる。
〈発明の効果〉 かくして本発明のオキシム誘導体(I)が得られるが、
該誘導体は光学分割として有用な光学活性PTEAの製造中
間体となり得る。
例えば、オキシム誘導体(I)は触媒の存在下における
水素もしくは水素化リチウムアルミニウム、ジボラン等
の金属ハイドライドなどにより容易に還元され、高純度
のラセミPTEAを極めて高い収率で与える。かかるラセミ
PTEAは公知の方法で光学分割することにより有用な光学
活性PTEAに導びくことができる。
またシンもしくはアンチのオキシム誘導体(I)に不斉
源を有する還元剤を作用させることにより、不斉合成反
応が起り、光学活性PTEAが一挙に、しかも極めて高い光
学純度で得られる。
〈実施例〉 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例1 (p−トリルメチル)フェニルケトンオキシム257mgを
N,N−ジメチルホルムアミド5mlに溶解し、室温で53%水
素化ナトリウム66mgを加えて30分撹拌後、n−オクチル
ブロミド332mgを加え、室温で4時間撹拌した。次いで
反応液に希塩酸とトルエンを加え撹拌した後、有機層を
分液し、濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで精製して(p−トリルメチル)フェニルケ
トン(O−オクチルオキシム)のアンチ体336mg(収率8
7%)およびシン体37mg(収率10%)を得た。
(アンチ体) NMR(CDCl3)δppm 0.88(t,3H),1.28(bs,10H),1.5〜1.8(m,2H),2.28
(s,3H),4.09(s,2H),4.14(t,2H),7.08(s,4H),7.
2〜7.8(m,5H) ▲n26 D▼=1.5348 (シン体) NMR(CDCl3)δppm 0.88(t,3H),1.27(bs,10H),1.5〜1.8(m,2H),3.79
(s,3H),4.08(t,2H),7.08(s,4H),7.26(s,5H) ▲n26 D▼=1.5318 実施例2 実施例1において(p−トリルメチル)フェニルケトン
オキシム323mg、53%水素化ナトリウム84mg、n−オク
チルブロミドに代えてシクロヘキシルブロミド360mg使
用する以外は実施例1と同様に行って(p−トリルメチ
ル)フェニルケトン(O−シクロヘキシルオキシム)の
アンチ体84mg(収率19%)およびシン体7mg(収率2
%)を得た。
(アンチ体) NMR(CDCl3)δppm 2.27(s,3H),4.01(s,3H),4.09(s,2H),7.07(s,4
H),7.25〜7.61(m,5H) ▲n26 D▼=1.5765 (シン体) NMR(CDCl3)δppm 2.27(s,3H),3.78(s,2H),3.88(s,3H),7.03(s,4
H),7.25(s,5H) ▲n20 D▼=1.5700 実施例3 (p−トリルメチル)フェニルケトンオキシム453mg
(2.01ミリモル)をトルエン20mlに溶解し、室温でトリ
エチルアミン0.3gを加えた後、トリメチルシリルクロリ
ド0.26gを滴下し、3時間撹拌を続けた。
次いで水、10%苛性ソーダ水溶液、2%塩酸、飽和食塩
水で順次洗浄後、有機層を芒硝で乾燥し、次いで減圧下
に濃縮した。得られた残留物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーで精製し(p−トリルメチル)フェニルケ
トン(O−トリメチルシリルオキシム)のアンチ体401m
g(収率77%)およびシン体68mg(収率11%)を得た。
(アンチ体) NMR(CDCl3)δppm 0.27(s,9H),2.27(s,3H),4.15(s,2H),7.06(s,4
H), 7.02〜7.78(m,5H) mp=38〜40℃ (シン体) NMR(CDCl3)δppm 0.23(s,9H),2.27(s,3H),3.82(s,2H),7.03(s,4
H),7.28(m,5H) 実施例4 (p−トリルメチル)フェニルケトンオキシム538mg
(2.39ミリモル)をトルエン20mlに溶解し、室温でトリ
エチルアミン300mgとt−ブチルジメチルシリルクロリ
ド432mgと触媒量のN,N−ジメチルアミノピリジンを加え
て3日間静置した。
次いで実施例3と同様に後処理を行ない(p−トリルメ
チル)フェニルケトン(O−t−ブチルジメチルシリル
オキシム)のアンチ体520mg(収率64.1%)とシン体166
mg(収率21%)を得た。
(アンチ体) NMR(CDCl3)δppm 0.23(s,6H),0.96(s,9H),2.04(s,3H),4.15(s,2
H),7.07(s,4H),7.20〜7.72(m,5H) ▲n22 D▼=1.5225 (シン体) NMR(CDCl3)δppm 0.18(s,3H),0.88(s,9H),2.27(s,3H),3.82(s,2
H),7.03(s,4H),7.28(m,5H) ▲n22 D▼=1.5277 実施例5 (p−トリルメチル)フェニルケトン427mgをピリジン2
mlに溶解し、O−メチルヒドロキシルアミン塩酸塩200m
gを加え室温で12時間反応させた。
次いで、反応液に水を加え、エーテルで抽出し、有機層
を2%塩酸で洗浄後、芒硝で乾燥し、次いで減圧下に溶
媒を留去した。
得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
で精製し(p−トリルメチル)フェニルケトン(O−メ
チルオキシム)のアンチ体306mg(収率63%)およびシ
ン体157mg(収率32%)を得た。
(アンチ体) NMR(CDCl3)δppm 2.27(s,3H),4.01(s,3H),4.09(s,2H),7.07(s,4
H),7.25〜7.61(m,5H) ▲n20 D▼=1.5765 (シン体) NMR(CDCl3)δppm 2.27(s,3H),3.78(s,2H),3.88(s,3H),7.03(s,4
H),7.25(s,5H) ▲n20 D▼=1.5700 実施例6 実施例5において(p−トリメチル)フェニルケトン42
0mg、O−メチルヒドロキシルアミン塩の代りにO−ベ
ンジルヒドロキシルアミン335mgを使用する以外は実施
例5と同様にして(p−トリメチル)フェニルケトン
(O−ベンジルオキシム)のアンチ体334mg(収率53
%)およびシン体207mg(収率32%)を得た。
(アンチ体) NMR(CDCl3)δppm 2.26(s,3H),4.12(2H,s),5.26(2H,s),7.04(4H),
7.23〜7.70(m,10H) mp=53〜55℃ (シン体) NMR(CDCl3)δppm 2.26(s,3H),3.77(s,2H),5.14(s,2H),6.99(s,4
H),7.25(s,5H),7.31(s,5H) ▲n20 D▼=1.5932 参考例1 実施例5で得られたアンチ−(p−トリルメチル)フェ
ニルケトン(O−メチルオキシム)95mg(0.4ミリモ
ル)をエタノール4mlに溶解し、10%Pd−C 30mgを加
え、水素雰囲気下、常圧常温で6時間撹拌した。次いで
触媒を別後、反応液を濃縮して82mg(0.39ミリモル、
収率97%)のラセミPTEAを得た。
参考例2〜4 (−)−ノルエフェドリン126mg(0.83ミリモル)のテ
トラヒドロフラン(THF)溶液を−70℃に冷却し、ボラ
ン1.66ミリモルのTHF溶液を滴下した後、徐々に室温迄
昇温した。
次で実施例1で得られたアンチ−(p−トリルメチル)
フェニルケトン(O−オクチルオキシム)0.27ミリモル
のTHF溶液を滴下し、室温で12時間撹拌した後、60℃に
昇温して同温度で5時間撹拌した。
次いで18%塩酸を加え同温度で1時間撹拌した後、減圧
下に濃縮した。次いで苛性ソーダ水溶液を加えてアルカ
リ性にした後、トルエンを加え抽出を行ない、得られた
有機層を濃縮後、アルミナカラムで精製し、光学活性な
PTEAを得た。光学純度は光学活性カラムを用いた液体ク
ロマトグラフィーで測定した。表1に結果を示した。
またO−オクチルオキシム体の代りに実施例3および5
で得られたO−トリメチルシリルオキシム体のアンチ体
およびO−メチルオキシム体のアンチ体をそれぞれ用い
た場合の結果も表1に示した。
参考例5 (R)−2−アミノ−1,1−ジフェニル−4−メチルペ
ンタノール135mg(0.50ミリモル)をTHFに溶解し−78℃
に冷却し、これにボラン1ミリモルのTHF溶液を加えた
後、室温迄昇温した。次いで実施例5で得られたシン−
(p−トリルメチル)フェニルケトン(O−メチルオキ
シム)95mg(0.4ミリモル)のTHF溶液を滴下した。次い
で参考例2と同様にして、53mg(収率63%)の光学活性
PTEAを得た。光学純度は93%(S)であった。
参考例6 参考例2において(−)−ノルエフェドリン302mg(2
ミリモル)、ボラン4ミリモルおよびアンチ−O−オク
チル体の代りに、実施例1で用いたと同じ(p−トリル
メチル)フェニルケトンオキシム158mg(0.7ミリモル、
シン体/アンチ体=14/86(NMRによる測定))を用いる
以外は参考例2と同様に行ない、31mg(収率21%)の光
学活性PTEAを得た。光学純度は30%(R)であった。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(I) (式中、Rはアルキル基、アラルキル基もしくはアルキ
    ル置換シリル基を表わす。) で示されるオキシム誘導体。
  2. 【請求項2】(p−トリルメチル)フェニルケトンオキ
    シムに一般式(II) R−X (II) (式中、Rはアルキル基、アラルキル基、もしくはアル
    キル置換シリル基を表わし、XはRがアルキル基の場合
    はハロゲン原子または硫酸エステル残基を、Rがアラル
    キル基、アルキル置換シリル基の場合はハロゲン原子を
    表わす。) で示されるアルキル化剤、アラルキル化剤もしくはシリ
    ル化剤を反応させることを特徴とする一般式(I) (式中、Rは前記と同じ意味を有する) で示されるオキシム誘導体の製造方法。
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