JPH07106490A - 半導体装置と外部端子との接合方法 - Google Patents
半導体装置と外部端子との接合方法Info
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- JPH07106490A JPH07106490A JP5269854A JP26985493A JPH07106490A JP H07106490 A JPH07106490 A JP H07106490A JP 5269854 A JP5269854 A JP 5269854A JP 26985493 A JP26985493 A JP 26985493A JP H07106490 A JPH07106490 A JP H07106490A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置と外部端子とをレーザー光を用い
て所定位置で確実に熔接接合できるようにする。 【構成】 半導体装置の周辺部に外部端子４を接着剤で
仮固定する際に、接着剤の厚みに略相当する距離だけ外
部端子４の先端部４ａを予めディプレスしておくことに
より、あるいは接着剤の厚みに略相当する深さの凹部を
外部端子の半導体装置側の表面又は半導体装置表面に予
め設けておき、その凹部に接着剤を配設し、接着剤によ
り半導体装置の周縁部に外部端子の先端部４ａを半導体
装置の外部導通用の接続端子部に密着させ、そして外部
端子の先端にレーザー光を照射して外部端子と半導体装
置の接続端子部とを熔接する。
て所定位置で確実に熔接接合できるようにする。 【構成】 半導体装置の周辺部に外部端子４を接着剤で
仮固定する際に、接着剤の厚みに略相当する距離だけ外
部端子４の先端部４ａを予めディプレスしておくことに
より、あるいは接着剤の厚みに略相当する深さの凹部を
外部端子の半導体装置側の表面又は半導体装置表面に予
め設けておき、その凹部に接着剤を配設し、接着剤によ
り半導体装置の周縁部に外部端子の先端部４ａを半導体
装置の外部導通用の接続端子部に密着させ、そして外部
端子の先端にレーザー光を照射して外部端子と半導体装
置の接続端子部とを熔接する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置と外部端子
との接合方法に関する。より詳しくは、半導体装置と外
部端子とをレーザー光を用いて確実に熔接できる接合方
法に関する。
との接合方法に関する。より詳しくは、半導体装置と外
部端子とをレーザー光を用いて確実に熔接できる接合方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】配線回路基板に半導体チップが搭載され
た半導体装置の外部導通用の接続端子と、外部端子とを
接合する場合、近年の回路基板の高密度化に対応してフ
ァインピッチで接続できるワイヤーボンディング法やバ
ンプ法により行われるようになっている。
た半導体装置の外部導通用の接続端子と、外部端子とを
接合する場合、近年の回路基板の高密度化に対応してフ
ァインピッチで接続できるワイヤーボンディング法やバ
ンプ法により行われるようになっている。
【０００３】ワイヤーボンディング法で接合する場合に
は、半導体装置の周辺部に、外部端子を両面テープなど
で固定し、外部端子の先端と半導体装置の外部導通用の
接続端子とをボンディングワイヤーで接合している。ま
た、バンプ法で接続する場合には、半導体装置の接続端
子にバンプを形成し、そのバンプに外部端子を熱圧着さ
せることにより接合している。
は、半導体装置の周辺部に、外部端子を両面テープなど
で固定し、外部端子の先端と半導体装置の外部導通用の
接続端子とをボンディングワイヤーで接合している。ま
た、バンプ法で接続する場合には、半導体装置の接続端
子にバンプを形成し、そのバンプに外部端子を熱圧着さ
せることにより接合している。
【０００４】しかしながら、これらの方法により半導体
装置と外部端子とを接合した場合には、接合強度が十分
でなく、ワイヤーが切断したり、バンプ金属にクラック
が発生したりし、接続信頼性が不十分であるという問題
があった。また、接続材料として金をはじめとして貴金
属を使用する場合が多く、接続コストが増大するという
問題もあった。
装置と外部端子とを接合した場合には、接合強度が十分
でなく、ワイヤーが切断したり、バンプ金属にクラック
が発生したりし、接続信頼性が不十分であるという問題
があった。また、接続材料として金をはじめとして貴金
属を使用する場合が多く、接続コストが増大するという
問題もあった。
【０００５】このため、図５（ａ）に示すように、絶縁
層２とそれを挟持する導体層３とからなる半導体装置の
配線回路基板１の外部導通用の接続端子部３ａに、外部
端子４を接着剤で固定せずに押さえ治具を使用して位置
合わせして密接させ、そして図５（ｂ）に示すように、
外部端子４の先端にＹＡＧレーザーなどのレーザー光ｈ
νを照射し、これにより外部端子４と半導体装置の接続
端子部３ａとを高い接合強度で熔接することが試みられ
ている（図５（ｃ））。
層２とそれを挟持する導体層３とからなる半導体装置の
配線回路基板１の外部導通用の接続端子部３ａに、外部
端子４を接着剤で固定せずに押さえ治具を使用して位置
合わせして密接させ、そして図５（ｂ）に示すように、
外部端子４の先端にＹＡＧレーザーなどのレーザー光ｈ
νを照射し、これにより外部端子４と半導体装置の接続
端子部３ａとを高い接合強度で熔接することが試みられ
ている（図５（ｃ））。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、外部端
子４がファインピッチ化するに従って、外部端子４と半
導体装置の接続端子部３ａとを押さえ治具だけで所定位
置において密接させることが困難になり、このため図６
に示すように外部端子４が接続端子部３ａから浮き上が
ってしまったり、また、所定位置からずれたりして両者
が密接しなくなり、レーザー光を外部端子４の先端に照
射しても意図したように熔接できないという問題があっ
た。
子４がファインピッチ化するに従って、外部端子４と半
導体装置の接続端子部３ａとを押さえ治具だけで所定位
置において密接させることが困難になり、このため図６
に示すように外部端子４が接続端子部３ａから浮き上が
ってしまったり、また、所定位置からずれたりして両者
が密接しなくなり、レーザー光を外部端子４の先端に照
射しても意図したように熔接できないという問題があっ
た。
【０００７】本発明は以上のような従来技術の問題点を
解決しようとするものであり、半導体装置と外部端子と
をレーザー光を用いて所定位置で確実に熔接接合できる
ようにすることを目的とする。
解決しようとするものであり、半導体装置と外部端子と
をレーザー光を用いて所定位置で確実に熔接接合できる
ようにすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、半導体装置
と外部端子とをレーザー光を用いて熔接接合する場合
に、外部端子を半導体基板に接着剤を使用して予め仮固
定し、そしてその時に接着剤の厚さをキャンセルするよ
うに外部端子を予めディプレスしておくか又は外部端子
もしくは半導体装置の配線回路基板に凹部を予め設けて
おくことにより上述の目的が達成できることを見出し、
本発明を完成させるに至った。
と外部端子とをレーザー光を用いて熔接接合する場合
に、外部端子を半導体基板に接着剤を使用して予め仮固
定し、そしてその時に接着剤の厚さをキャンセルするよ
うに外部端子を予めディプレスしておくか又は外部端子
もしくは半導体装置の配線回路基板に凹部を予め設けて
おくことにより上述の目的が達成できることを見出し、
本発明を完成させるに至った。
【０００９】即ち、本発明は、半導体装置の周辺部に外
部端子を接着剤で仮固定し、接着剤の厚みに略相当する
距離だけ外部端子の先端部を予めディプレスしておくこ
とにより外部端子の先端部を半導体装置の外部導通用の
接続端子部に密着させ、そして外部端子の先端にレーザ
ー光を照射することにより外部端子と半導体装置の接続
端子部とを熔接することを特徴とする、半導体装置と外
部端子との接合方法を提供する。
部端子を接着剤で仮固定し、接着剤の厚みに略相当する
距離だけ外部端子の先端部を予めディプレスしておくこ
とにより外部端子の先端部を半導体装置の外部導通用の
接続端子部に密着させ、そして外部端子の先端にレーザ
ー光を照射することにより外部端子と半導体装置の接続
端子部とを熔接することを特徴とする、半導体装置と外
部端子との接合方法を提供する。
【００１０】また、本発明は、半導体装置の周辺部に外
部端子を接着剤で仮固定する際に、接着剤の厚みに略相
当する深さの凹部を外部端子の半導体装置側の表面又は
半導体装置表面に予め設けておき、その凹部に接着剤を
配設し、その接着剤により半導体装置の周縁部に外部端
子を仮固定し且つ外部端子の先端部を半導体装置の外部
導通用の接続端子部に密着させ、そして外部端子の先端
にレーザー光を照射することにより外部端子と半導体装
置の接続端子部とを熔接することを特徴とする、半導体
装置と外部端子との接合方法を提供する。
部端子を接着剤で仮固定する際に、接着剤の厚みに略相
当する深さの凹部を外部端子の半導体装置側の表面又は
半導体装置表面に予め設けておき、その凹部に接着剤を
配設し、その接着剤により半導体装置の周縁部に外部端
子を仮固定し且つ外部端子の先端部を半導体装置の外部
導通用の接続端子部に密着させ、そして外部端子の先端
にレーザー光を照射することにより外部端子と半導体装
置の接続端子部とを熔接することを特徴とする、半導体
装置と外部端子との接合方法を提供する。
【００１１】
【作用】本発明の接合方法においては、半導体装置の配
線回路基板の外部導通用の接続端子部と外部端子とを接
着剤で仮固定する。従って、外部端子と半導体装置の位
置合わせ精度が向上する。更に、接着剤の厚みに略相当
する距離だけ外部端子の先端部を半導体装置方向へ予め
ディプレスしておく。これにより、外部端子と半導体装
置の接続端子部とを密接させることが可能となる。
線回路基板の外部導通用の接続端子部と外部端子とを接
着剤で仮固定する。従って、外部端子と半導体装置の位
置合わせ精度が向上する。更に、接着剤の厚みに略相当
する距離だけ外部端子の先端部を半導体装置方向へ予め
ディプレスしておく。これにより、外部端子と半導体装
置の接続端子部とを密接させることが可能となる。
【００１２】また、本発明の別の態様においては、接着
剤の厚みに略相当する深さの凹部を外部端子又は半導体
装置の表面に予め形成しておき、そこに接着剤を入れて
両者を仮固定する。従って両者を密接させたまま仮固定
することが可能となる。
剤の厚みに略相当する深さの凹部を外部端子又は半導体
装置の表面に予め形成しておき、そこに接着剤を入れて
両者を仮固定する。従って両者を密接させたまま仮固定
することが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の接合方法を図面に基づいて詳
細に説明する。なお、各図において同じ番号は同じ又は
同等の構成要素を示している。
細に説明する。なお、各図において同じ番号は同じ又は
同等の構成要素を示している。
【００１４】図１及び図２は、外部端子をディプレスす
る場合の本発明の接合方法の工程図であり、図３は、外
部端子に凹部を設けた場合の工程図であり、そして図４
は半導体装置側に凹部を設けた場合の工程図である。
る場合の本発明の接合方法の工程図であり、図３は、外
部端子に凹部を設けた場合の工程図であり、そして図４
は半導体装置側に凹部を設けた場合の工程図である。
【００１５】図１に示した方法では、まず、半導体装置
の配線回路基板１の周辺部に接着剤として、熱可塑性の
ポリイミドテープなどの両面接着テープ５を貼り付ける
（同図（ａ））。
の配線回路基板１の周辺部に接着剤として、熱可塑性の
ポリイミドテープなどの両面接着テープ５を貼り付ける
（同図（ａ））。
【００１６】次に、予め先端部４ａをディプレスした外
部端子４を両面接着テープ５に位置合せした後、圧着し
て仮固定する（同図（ｂ））。
部端子４を両面接着テープ５に位置合せした後、圧着し
て仮固定する（同図（ｂ））。
【００１７】次に外部端子の先端に、十分な熔接エネル
ギーを供給できるレーザー光ｈν、例えばＹＡＧレーザ
ー光を小さなスポット（例えば、２００μｍ径スポッ
ト）状に照射し（同図（ｃ））、半導体装置の接続端子
部３ａと外部端子４とを熔接接合する（同図（ｄ））。
これにより、半導体装置の接続端子部３ａと外部端子４
とを、高い接続強度で接合することができ、しかも接続
信頼性を著しく向上させることができる。
ギーを供給できるレーザー光ｈν、例えばＹＡＧレーザ
ー光を小さなスポット（例えば、２００μｍ径スポッ
ト）状に照射し（同図（ｃ））、半導体装置の接続端子
部３ａと外部端子４とを熔接接合する（同図（ｄ））。
これにより、半導体装置の接続端子部３ａと外部端子４
とを、高い接続強度で接合することができ、しかも接続
信頼性を著しく向上させることができる。
【００１８】図２は、接着剤として紫外線硬化型樹脂を
使用した例であり、まず、半導体装置の配線回路基板１
の周辺部に接着剤として紫外線硬化型樹脂６をディスペ
ンサーなどにより供給する（同図（ａ））。
使用した例であり、まず、半導体装置の配線回路基板１
の周辺部に接着剤として紫外線硬化型樹脂６をディスペ
ンサーなどにより供給する（同図（ａ））。
【００１９】次に、紫外線硬化型樹脂６上から予め先端
部４ａをディプレスした外部端子４を位置合せし、半導
体装置の接続端子部３ａに密接させる（同図（ｂ））。
部４ａをディプレスした外部端子４を位置合せし、半導
体装置の接続端子部３ａに密接させる（同図（ｂ））。
【００２０】次に、外部端子４の先端部４ａを接続端子
部３ａに密接させたまま紫外線硬化型樹脂６に紫外線Ｕ
Ｖを照射して外部端子４を半導体装置に仮固定する（同
図（ｃ））。
部３ａに密接させたまま紫外線硬化型樹脂６に紫外線Ｕ
Ｖを照射して外部端子４を半導体装置に仮固定する（同
図（ｃ））。
【００２１】次に外部端子４の先端に、十分な熔接エネ
ルギーを供給できるレーザー光ｈνを照射し（同図
（ｄ））、半導体装置の接続端子部３ａと外部端子４と
を熔接接合する（同図（ｅ））。これにより、半導体装
置の接続端子部３ａと外部端子４とを、高い接続強度で
接合することができ、しかも接続信頼性を著しく向上さ
せることができる。
ルギーを供給できるレーザー光ｈνを照射し（同図
（ｄ））、半導体装置の接続端子部３ａと外部端子４と
を熔接接合する（同図（ｅ））。これにより、半導体装
置の接続端子部３ａと外部端子４とを、高い接続強度で
接合することができ、しかも接続信頼性を著しく向上さ
せることができる。
【００２２】図３に示した方法においては、まず、半導
体装置の配線回路基板１の周辺部に接着剤として、熱可
塑性のポリイミドテープなどの両面接着テープ５を貼り
付ける（同図（ａ））。
体装置の配線回路基板１の周辺部に接着剤として、熱可
塑性のポリイミドテープなどの両面接着テープ５を貼り
付ける（同図（ａ））。
【００２３】一方、外部端子４にハーフエッチング法な
どにより予め形成しておいた凹部４ｂに両面接着テープ
５を嵌入させるように位置合わせし（同図（ｂ））、加
熱圧着して仮固定する。これにより、外部端子４の先端
部４ａと半導体装置の外部導通用の接続端子部３ａとが
確実に密接する（同図（ｃ））。
どにより予め形成しておいた凹部４ｂに両面接着テープ
５を嵌入させるように位置合わせし（同図（ｂ））、加
熱圧着して仮固定する。これにより、外部端子４の先端
部４ａと半導体装置の外部導通用の接続端子部３ａとが
確実に密接する（同図（ｃ））。
【００２４】次に外部端子の先端に、十分な熔接エネル
ギーを供給できるレーザー光ｈνを照射し（同図
（ｄ））、半導体装置の接続端子部３ａと外部端子４と
を熔接接合する（同図（ｅ））。これにより、半導体装
置の接続端子部３ａと外部端子４とを、高い接続強度で
接合することができ、しかも接続信頼性を著しく向上さ
せることができる。
ギーを供給できるレーザー光ｈνを照射し（同図
（ｄ））、半導体装置の接続端子部３ａと外部端子４と
を熔接接合する（同図（ｅ））。これにより、半導体装
置の接続端子部３ａと外部端子４とを、高い接続強度で
接合することができ、しかも接続信頼性を著しく向上さ
せることができる。
【００２５】図４に示した方法において、外部端子４に
凹部４ｂを形成する代わりに、半導体装置の配線回路基
板１の周辺部に凹部２ｂを形成し（同図（ａ））、その
凹部２ｂの中に両面接着テープ５を貼りつけ、その上か
ら外部端子４を仮固定した例（（同図（ｂ））である。
凹部４ｂを形成する代わりに、半導体装置の配線回路基
板１の周辺部に凹部２ｂを形成し（同図（ａ））、その
凹部２ｂの中に両面接着テープ５を貼りつけ、その上か
ら外部端子４を仮固定した例（（同図（ｂ））である。
【００２６】外部端子４を仮固定した後は、外部端子４
の先端４ａにレーザー光ｈνを照射し（同図（ｃ））、
半導体装置の接続端子部３ａと外部端子４とを熔接接合
する（同図（ｄ））。
の先端４ａにレーザー光ｈνを照射し（同図（ｃ））、
半導体装置の接続端子部３ａと外部端子４とを熔接接合
する（同図（ｄ））。
【００２７】
【発明の効果】本発明の半導体装置と外部端子との接合
方法によれば、半導体装置と外部端子とをレーザー光を
用いて所定位置で確実に熔接接合できる。
方法によれば、半導体装置と外部端子とをレーザー光を
用いて所定位置で確実に熔接接合できる。
【図１】本発明の接合方法の工程図である。
【図２】本発明の接合方法の工程図である。
【図３】本発明の接合方法の工程図である。
【図４】本発明の接合方法の工程図である。
【図５】従来の接合方法の工程図である。
【図６】外部端子と半導体装置の接続不良状態の説明図
である。
である。
１ 配線回路基板 ２ 絶縁層 ３ 導体層 ３ａ 接続端子部 ４ 外部端子 ４ａ 外部端子先端部 ５ 両面接着テープ ６ 紫外線硬化型樹脂 ｈν レーザー光
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置の周辺部に外部端子を接着剤
で仮固定する際に、接着剤の厚みに略相当する距離だけ
外部端子の先端部を予めディプレスしておくことにより
外部端子の先端部を半導体装置の外部導通用の接続端子
部に密着させ、そして外部端子の先端にレーザー光を照
射することにより外部端子と半導体装置の接続端子部と
を熔接することを特徴とする、半導体装置と外部端子と
の接合方法。 - 【請求項２】 半導体装置の周辺部に外部端子を接着剤
で仮固定する際に、接着剤の厚みに略相当する深さの凹
部を外部端子の半導体装置側の表面又は半導体装置表面
に予め設けておき、その凹部に接着剤を配設し、その接
着剤により半導体装置の周縁部に外部端子を仮固定し且
つ外部端子の先端部を半導体装置の外部導通用の接続端
子部に密着させ、そして外部端子の先端にレーザー光を
照射することにより外部端子と半導体装置の接続端子部
とを熔接することを特徴とする、半導体装置と外部端子
との接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26985493A JP3243906B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体装置と外部端子との接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26985493A JP3243906B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体装置と外部端子との接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106490A true JPH07106490A (ja) | 1995-04-21 |
| JP3243906B2 JP3243906B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=17478128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26985493A Expired - Fee Related JP3243906B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 半導体装置と外部端子との接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3243906B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11104865A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-20 | Denso Corp | 溶接構造及び溶接方法 |
| US6713714B1 (en) * | 1999-01-18 | 2004-03-30 | Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh | Method and device for thermally connecting the contact surfaces of two substrates |
-
1993
- 1993-09-30 JP JP26985493A patent/JP3243906B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11104865A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-20 | Denso Corp | 溶接構造及び溶接方法 |
| US6713714B1 (en) * | 1999-01-18 | 2004-03-30 | Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh | Method and device for thermally connecting the contact surfaces of two substrates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3243906B2 (ja) | 2002-01-07 |
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