JPH0699807B2 - 非晶質の炭素質薄膜の付着法 - Google Patents

非晶質の炭素質薄膜の付着法

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JPH0699807B2
JPH0699807B2 JP18534882A JP18534882A JPH0699807B2 JP H0699807 B2 JPH0699807 B2 JP H0699807B2 JP 18534882 A JP18534882 A JP 18534882A JP 18534882 A JP18534882 A JP 18534882A JP H0699807 B2 JPH0699807 B2 JP H0699807B2
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    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
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    • C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
    • C03C2218/153—Deposition methods from the vapour phase by cvd by plasma-enhanced cvd

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、改良された非晶質の炭素質ダイヤモンド様
（ダイヤモンドのような特性を持つた）薄膜に関する。
＜発明の背景＞ 例えばこの発明の薄膜のような炭素質のダイヤモンド様
薄膜すなわちダイヤモンドの様な特性を有する薄膜は、
従来技術において周知である。これらの薄膜は、光学レ
ンズの光透過性を増すためのレンズの被覆、鏡の光反射
性を改良するための鏡の被覆等において特に有効であ
る。さらに、このような薄膜は、例えば筆記用具の被覆
のような摩耗するようなものに対する保護被覆、一般的
な反射防止被覆及びシリコン装置又はシリコンを含む装
置に対する誘電体被覆又は保護被覆等にも有効に応用で
きることがわかつている。事実、この発明によるダイヤ
モンド様の薄膜は透明で、非常に硬く、非常に付着力が
あり、耐摩耗性と耐腐食性を有し、かつ光学的特性が優
れた薄膜を必要とする商工業分野において、そのほかに
も数多くの有効な用途がある。
従来技術の非晶質の炭素質ダイヤモンド様薄膜は優れた
点を多く持つているが、ダイヤモンドの様な特性を有す
るさらに改良された非晶質の炭素質薄膜を得るための研
究が続けられてきた。特に、さらに硬く、種々の基板に
対してさらに付着力のあるような薄膜が、そのような薄
膜の製法とともに探求し続けられてきた。
この発明による新しい改良されたダイヤモンド様炭素質
薄膜は、応力が非常に低く、多種多様の基板に対する強
固な付着力を持ち、水素の含有量が非常に低く、さら
に、非常に硬いという点で、現在知られている薄膜より
も優れている。
＜この発明の要約＞ この発明の発明者は、水素の含有量が非常に低くかつ応
力が非常に低い、新しい改良された非晶質の炭素質ダイ
ヤモンド様薄膜を作つた。この薄膜は、酸とアルカリの
両方に対して耐性を持ち、ダイヤモンドと同様の硬度を
持つている。また、この薄膜は、ダイヤモンドと同様の
屈折率、誘電定数及び熱膨張係数を持つている。さら
に、この薄膜は、例えばガラス、プラスチック、金属、
半導体等の種々の基板に対して優れた付着性を持つてい
る。
＜発明の詳しい説明＞ この発明による改良された非晶質の炭素質ダイヤモンド
様薄膜は、先に列挙した特質及び特性を有するほかに、
水素の含有量が非常に低く、約１原子％あるいはそれ以
下である点においても他の現在知られている炭素質薄膜
と異なる。従来技術の炭素質の薄膜は、約25原子％ある
いはそれ以上の水素を含んでいる。
この発明によるダイヤモンド様薄膜は、更に、圧縮応力
であれ引張応力であれ、応力が非常に低いという点にお
いても、従来技術の炭素質薄膜と異なる。従来技術の薄
膜が1011ダイン／cm2程度の応力を呈するのに対して、
この発明による薄膜は107〜108ダイン／cm2程度の応力
を呈する。これらの炭素質の薄膜の応力は、その水素含
有量に関係しており、その薄膜の水素の含有量が低くな
ればその薄膜の応力もそれだけ低くなるものと考えられ
る。この発明による薄膜は、非常に応力が低いために非
常に付着力があり、多種多様な基板に強固に付着する。
この発明による炭素質のダイヤモンド様薄膜は、H2S
O4、HF、HCl、及びHCl:HNO3等の酸と、NaOH、KOH、RbOH
及びCsOH等のアルカリとに対して著しい耐性を持つてい
る。
この発明の非晶質の炭素質ダイヤモンド様薄膜は、一対
の互いに離れた、ほぼ平行なカーボン電極、好ましくは
超高純度のカーボン電極を用い、被着室中で例えば、ｎ
−ブタンのようなアルカンを高周波プラズマ分解するハ
イブリツド（hybrid）手法によつて作ることができる。
この発明のほとんどの薄膜は、ノリマルブタンを使用し
て被着形成したが、例えばメタン、エタン、プロパン、
ペンタン及びヘキサンのような他のアルカンを用いてこ
の発明の改良された炭素を含有するダイヤモンド様の薄
膜を作ることができる。
例えばステンレス鋼製の被着室には、一対の高純度カー
ボン電極が垂直方向に間隔を置いて互いにほぼ平行に配
置されており、被覆されるべき基板が下側のカーボン電
極上に配置される。これら電極は、代表的には、約２〜
8cm、好ましくは約2.5cm〜約6.0cm、特に好ましくは、
約2.5cmの間隔を置いて配置されている。被着室は、通
常約10-7トル程度の極限圧力まで排気した後、ｎ−ブタ
ンのようなアルカンを注入して約８×10-4トルの圧力に
する。その後、真空装置を作動させて約25〜100ミリト
ル、好ましくは約35〜約85ミリトルの圧力にする。圧力
を安定させた後、高周波電力を一対の高純度カーボン電
極に供給する。下側の電極（基板ターゲット）を約０〜
−100ボルト、好ましくは約−25〜約−75ボルトにバイ
アスし、上側の電極は約−200〜−3500ボルト、好まし
くは約−250〜約−2500ボルトにバイアスする。このよ
うにすると、高周波プラズマ分解が始まり、非晶質の炭
素質ダイヤモンド様薄膜が、約８Å／分〜約35Å／分の
間の割合で基板上に被着されて、厚さが約５ミクロンの
薄膜ができ上がる。
上記方法によつて作られた薄膜は、非常に低い応力を有
する。この方法によつて作られた薄膜の応力は、測定の
結果、約107〜108ダイン／cm2のオーダーの範囲内にあ
ることがわかつた。先に述べたように、この応力には、
圧縮応力と引張り応力とがある。この手法によつて作ら
れる薄膜の応力は、圧縮あるいは引張り応力の如何んに
係わらず、上側のカーボン電極に供給される電位に依存
することがわかつた。
次に示す例は、この発明とこの発明による改良点とを詳
しく説明するために示したものであるが、この発明はこ
れらの例によつて如何なる点においても限定されるもの
ではない。
例１ この例においては、この発明の改良された炭素質ダイヤ
モンド様薄膜の被着のために、前記したように、ステン
レス鋼製の被着室を準備した。この被着室に一対の超高
純度のカーボン電極を垂直方向に約6cmの間隔を置いて
水平に配置し、被着室をｎ−ブタンにより約50ミリトル
の被着圧力で安定させた。薄膜を被着するガラス基板を
下側のカーボン電極上に配置した。下側の電極（基板タ
ーゲツト）を−50ボルトの電位に維持し、上側の電極を
−500ボルトの電位に維持した。
上述の条件下で、ｎ−ブタンの高周波プラズマ分解によ
つて、薄膜がガラス基板上に毎分約10Åの割合で、約1.
45ミクロンの厚さに被着された。このようにしてできた
薄膜の応力は、測定の結果約７×108ダイン／cm2の引張
り応力であることが確認された。また、この薄膜の水素
の含有量は、1.0原子％以下であつた。
上記と同様の実験で、上側の電極の電位を高くして、−
300ボルトに維持し、一方、下側の電極（基板ターゲッ
ト）の電位は−50ボルトのままに維持すると、このよう
な条件の下で毎分10Åの率で1.5ミクロンの厚さに被着
した薄膜は圧縮応力を呈することが確認された。この実
験による薄膜の応力を測定すると、約８×108ダイン／c
m2の圧縮応力であつた。また、この薄膜の水素の含有量
を測定すると、１原子％以下であつた。
また上記の実験と同じような一連の実験を行つて、上記
と同様の改良された炭素質ダイヤモンド様薄膜が他の基
板に被着された。それらの基板には、例えばポリカーボ
ネート樹脂、スチレス樹脂、アクリル樹脂、スチレン／
アクリル共重合体及びその他 の樹脂のプラスチツクの
他に、例えばステンレス鋼、モリブデン、タングステン
及びタンタルのような金属、色々なガラス、シリコン、
二酸化シリコン及び酸化アルミニウムが含まれる。
例２ この例においても第１の例と同様に、一連の実験を行つ
て、この発明の改良された炭素質のダイヤモンド様の薄
膜を、上側の電極と下側の電極即ち基板ターゲットに種
々の電位を供給して被着した。これらの実験において用
いた電圧とそれによつて得られた結果を次の表に示す。
上記の表に示された各薄膜の水素の含有量は、測定の結
果1.0原子％以下であつた。
例３ この例においては、多数の高品質プラスチツクレンズ
を、例１で述べた同じ方法とステンレス鋼被着室を用い
て、この発明の改良された炭素質のダイヤモンド様の薄
膜で被覆した。被着室を排気した後、ノルマルブタンを
注入し、約80ミリトルの被着圧力で安定させた。一対の
超高純度のカーボン電極を互に約2.5cm離して配置し、
下側の電極上に、被覆すべきプラスチツクレンズを置い
た。この下側電極（基板ターゲット）は−50ボルトの電
位に維持し、上側電極は−2500ボルトの電位に維持し
た。この条件下で、薄膜がプラスチックレンズ上に、約
25Å／分の率で1100Åの厚さに、高周波プラズマ被着さ
れた。別のレンズでは、その両面をこの発明の薄膜で被
覆したが、その両面上の薄膜の厚さは1100Åであつた。
第３番目のレンズでは、その片面だけを、11,000Åの厚
さのこの発明の薄膜で被覆した。全ての場合において、
この例３の薄膜は、先に述べた例で作られた薄膜と同じ
ように低い応力と低い水素含有率を呈した。さらに、こ
れらの被覆されたプラスチツクレンズの光学的な特性
（光吸収性、透過性及び反射性）は、ほぼ同じレベルに
維持され、また多くの場合、これらの光学的な特性はレ
ンズの表面に被着されたこの発明の薄膜によつて改良さ
れた。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−108876（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−143206（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−90281（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−22616（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−87002（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−106513（ＪＰ，Ａ)

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）内部に概して平行で水平の上下一対
    の炭素電極を垂直方向に約２〜8cmの距離間隔をおいて
    設けた被着室を用意し、 （ｂ）前記一対の炭素電極の下側の電極上に基体を置
    き、 （ｃ）前記被着室を排気しそれから低級アルカンで約25
    〜約100ミリトルの圧力に安定させ、 （ｄ）前記一対の炭素電極に高周波電力を印加し、これ
    によって、前記一対の炭素電極の上側の電極を約−200
    〜約−3500ボルトの範囲にバイアスし、前記の下側の電
    極を約０〜約−100ボルトの範囲にバイアスする、 ことからなる 107〜108ダイン／cm2のオーダーの応力を有し、１原子
    ％あるいはそれ以下の水素原子を有する、ダイヤモンド
    のような特性を持った非晶質の炭素質薄膜を基体上に付
    着する方法。
  2. 【請求項２】応力が引張応力である特許請求の範囲第１
    項記載の方法。
  3. 【請求項３】応力が圧縮応力である特許請求の範囲第１
    項記載の方法。
  4. 【請求項４】前記一対の炭素電極の間隔が約2.5〜約6.0
    cmに調節される特許請求の範囲第１項記載の方法。
  5. 【請求項５】前記被着室が約35〜約85ミリトルの圧力に
    安定される特許請求の範囲第１項または第４項のいずれ
    かに記載の方法。
  6. 【請求項６】前記低級アルカンがｎ−ブタンである特許
    請求の範囲第１項、第４項および第５項のいずれか１項
    に記載の方法。
  7. 【請求項７】前記上側の電極が約−250〜約−2500ボル
    トの範囲にバイアスされる特許請求の範囲第１項および
    第４項−第６項のいずれか１項に記載の方法。
  8. 【請求項８】前記下側の電極が約−25〜約−75ボルトの
    範囲にバイアスされる特許請求の範囲第１項および第４
    項−第７項のいずれか１項に記載の方法。
JP18534882A 1981-10-21 1982-10-20 非晶質の炭素質薄膜の付着法 Expired - Lifetime JPH0699807B2 (ja)

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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4640744A (en) * 1984-01-23 1987-02-03 Standard Oil Company (Indiana) Amorphous carbon electrodes and their use in electrochemical cells
DE3442208C3 (de) * 1984-11-19 1998-06-10 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen harter Kohlenstoffschichten
DE3608887A1 (de) * 1985-03-22 1986-10-02 Canon K.K., Tokio/Tokyo Waermeerzeugungs-widerstandselement und waermeerzeugungs-widerstandsvorrichtung unter verwendung des waermeerzeugungs-widerstandselements
DE3609503A1 (de) * 1985-03-22 1986-10-02 Canon K.K., Tokio/Tokyo Heizwiderstandselement und heizwiderstand unter verwendung desselben
US4845513A (en) * 1985-03-23 1989-07-04 Canon Kabushiki Kaisha Thermal recording head
GB2174877B (en) * 1985-03-23 1989-03-15 Canon Kk Thermal recording head
DE3609456A1 (de) * 1985-03-23 1986-10-02 Canon K.K., Tokio/Tokyo Waermeerzeugender widerstand und waermeerzeugendes widerstandselement unter benutzung desselben
DE3609975A1 (de) * 1985-03-25 1986-10-02 Canon K.K., Tokio/Tokyo Thermoaufzeichnungskopf
GB2176443B (en) * 1985-06-10 1990-11-14 Canon Kk Liquid jet recording head and recording system incorporating the same
JPS62202899A (ja) * 1986-03-03 1987-09-07 Nippon Gakki Seizo Kk 装飾品の製法
JPH0676666B2 (ja) * 1987-02-10 1994-09-28 株式会社半導体エネルギ−研究所 炭素膜作製方法
DE3706340A1 (de) * 1987-02-27 1988-09-08 Winter & Sohn Ernst Verfahren zum auftragen einer verschleissschutzschicht und danach hergestelltes erzeugnis
JPH01103310A (ja) * 1987-10-16 1989-04-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 表面弾性波素子
DE3815457A1 (de) * 1988-05-06 1989-11-16 Sipra Patent Beteiligung Strickmaschine
GB2240114B (en) * 1990-01-18 1993-03-24 Stc Plc Film nucleation process
KR930003300A (ko) * 1991-07-23 1993-02-24 스탠 게이어 다이아몬드가 피복된 캐리어
JP2574934Y2 (ja) * 1993-03-02 1998-06-18 シチズン時計株式会社 編機用部品
JPH0676383U (ja) * 1993-04-06 1994-10-28 シチズン時計株式会社 繊維関連機械部品
GB2286347B (en) * 1994-02-10 1998-04-29 Atomic Energy Authority Uk Improved load-bearing polymeric materials
JP2003035707A (ja) * 2001-06-18 2003-02-07 Doko Cho 遺伝子又は蛋白質を着床した生物チップの基板及びその製造方法
WO2007057478A1 (es) * 2005-11-15 2007-05-24 Fundacion Tekniker Pieza con superficie exterior polimérica con acabado metálico, procedimiento para su fabricación y usos de la misma
US10249495B2 (en) * 2016-06-28 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Diamond like carbon layer formed by an electron beam plasma process
WO2019059054A1 (ja) * 2017-09-25 2019-03-28 住友電気工業株式会社 硬質炭素系被膜の製造方法、及び被膜付き部材
JP2021006649A (ja) * 2017-09-26 2021-01-21 住友電気工業株式会社 硬質炭素被膜の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3961103A (en) * 1972-07-12 1976-06-01 Space Sciences, Inc. Film deposition
US4060660A (en) * 1976-01-15 1977-11-29 Rca Corporation Deposition of transparent amorphous carbon films
JPS5838952B2 (ja) * 1976-01-22 1983-08-26 日本電気株式会社 半導体レ−ザ装置
GB1582231A (en) * 1976-08-13 1981-01-07 Nat Res Dev Application of a layer of carbonaceous material to a surface
JPS6023406B2 (ja) * 1977-05-18 1985-06-07 日本電気株式会社 磁気デイスク
JPS5825041B2 (ja) * 1979-08-03 1983-05-25 日本電信電話株式会社 ダイヤモンド状炭素膜の製造方法
DE3064976D1 (en) * 1979-11-20 1983-10-27 Nat Res Dev Infra red reflectors
DE3167761D1 (en) * 1980-01-16 1985-01-31 Nat Res Dev Method and apparatus for depositing coatings in a glow discharge
JPS56108876A (en) * 1980-02-04 1981-08-28 Citizen Watch Co Ltd Silver plated exterior decorative parts for watch and their manufacture
GB2082562B (en) * 1980-08-21 1983-12-14 Secr Defence Coating germanium of silicon with carbon
DE3172609D1 (en) * 1980-08-21 1985-11-14 Nat Res Dev Coating infra red transparent semiconductor material
EP0049032B1 (en) * 1980-08-21 1986-09-17 National Research Development Corporation Coating insulating materials by glow discharge
GB2083841B (en) * 1980-08-21 1985-03-13 Secr Defence Glow discharge coating
JPS57106513A (en) * 1980-12-22 1982-07-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Formation of carbon film

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5879807A (ja) 1983-05-13
FR2514743B1 (fr) 1986-05-09
CA1202598A (en) 1986-04-01
GB2109012A (en) 1983-05-25
GB2109012B (en) 1986-09-03
FR2514743A1 (fr) 1983-04-22
DE3237851A1 (de) 1983-04-28

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