JPH0699217B2 - 単結晶成長装置 - Google Patents
単結晶成長装置Info
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- JPH0699217B2 JPH0699217B2 JP1199055A JP19905589A JPH0699217B2 JP H0699217 B2 JPH0699217 B2 JP H0699217B2 JP 1199055 A JP1199055 A JP 1199055A JP 19905589 A JP19905589 A JP 19905589A JP H0699217 B2 JPH0699217 B2 JP H0699217B2
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- Japan
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- rod
- crystal growth
- hood
- chamber
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
- C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
- C30B13/12—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials in the gaseous or vapour state
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/906—Special atmosphere other than vacuum or inert
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、単結晶成長装置に関するもので、さらに詳し
くは、浮融帯法によって単結晶棒を育成するための単結
晶成長装置に関するものである。
くは、浮融帯法によって単結晶棒を育成するための単結
晶成長装置に関するものである。
［従来の技術］ 浮融帯法は、上軸に多結晶棒を、下軸に種結晶を支持さ
せ、その接触部を高周波コイルで加熱溶融する。その
後、多結晶棒および種結晶を回転させながら上下軸を下
降させ、該高周波コイルによって加熱された溶融帯（メ
ルト）を移動させて単結晶を成長させるようにしてい
る。
せ、その接触部を高周波コイルで加熱溶融する。その
後、多結晶棒および種結晶を回転させながら上下軸を下
降させ、該高周波コイルによって加熱された溶融帯（メ
ルト）を移動させて単結晶を成長させるようにしてい
る。
第４図にはその単結晶成長装置が示されている。
同図において符号１はチャンバを表わしており、このチ
ャンバ１内には、その上軸1aに多結晶棒2aが、下軸1bに
種結晶2bが支持されている。また、チャンバ１内には、
そのほぼ中央に、単巻きで血型の高周波コイル３が配置
されている。
ャンバ１内には、その上軸1aに多結晶棒2aが、下軸1bに
種結晶2bが支持されている。また、チャンバ１内には、
そのほぼ中央に、単巻きで血型の高周波コイル３が配置
されている。
そして、この単結晶成長装置では、上軸1aおよび下軸1b
によって多結晶棒2aおよび種結晶2bを同じ回転速度若し
くは異なる回転速度で回軸させつつ、当該上軸1aおよび
下軸1bを下降させ、メルトを軸線に沿って多結晶側へ順
次に移行させることにより、単結晶を順次に成長させ、
単結晶棒2cを作成するようになっている。
によって多結晶棒2aおよび種結晶2bを同じ回転速度若し
くは異なる回転速度で回軸させつつ、当該上軸1aおよび
下軸1bを下降させ、メルトを軸線に沿って多結晶側へ順
次に移行させることにより、単結晶を順次に成長させ、
単結晶棒2cを作成するようになっている。
ところで、この単結晶成長装置によって、ｐ型若しくは
ｎ型の所定の抵抗率を持つ単結晶棒2cを育成するにあっ
ては、チャンバ１の下方からドープガス（ｐ型の場合は
B2H6,n型の場合はPH3等）を導入させている。
ｎ型の所定の抵抗率を持つ単結晶棒2cを育成するにあっ
ては、チャンバ１の下方からドープガス（ｐ型の場合は
B2H6,n型の場合はPH3等）を導入させている。
なお、この単結晶成長装置では、チャンバ１内のガスの
排気は、チャンバ１の上方から行なうようになってい
る。
排気は、チャンバ１の上方から行なうようになってい
る。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記のような単結晶成長装置によってｐ
型若しくはｎ型の単結晶棒2cを作成した場合、次のよう
な不都合を生じる。
型若しくはｎ型の単結晶棒2cを作成した場合、次のよう
な不都合を生じる。
即ち、上記単結晶成長装置にあっては、多結晶棒2aおよ
び単結晶棒2b（両者を総称するときには半導体棒と称す
る）がチャンバ１内に導入されたドープガス雰囲気に曝
されるため、不純物がメルトに直接的に溶け込んで取り
込まれるばかりか、多結晶棒2aの高温部の周面近くにお
いても当該不純物が分解して半導体棒の周面に付着し、
結晶の成長工程中に半導体棒の溶融とともに溶融拡散し
てしまう。
び単結晶棒2b（両者を総称するときには半導体棒と称す
る）がチャンバ１内に導入されたドープガス雰囲気に曝
されるため、不純物がメルトに直接的に溶け込んで取り
込まれるばかりか、多結晶棒2aの高温部の周面近くにお
いても当該不純物が分解して半導体棒の周面に付着し、
結晶の成長工程中に半導体棒の溶融とともに溶融拡散し
てしまう。
その結果、単結晶棒2cの抵抗率はメルトに直接取り込ま
れた不純物量のみならず、多結晶棒2aに取り込まれたメ
ルトに溶け込んだ不純物量にも依存することとなり、単
結晶棒2cの抵抗率のコントロールが困難となる。
れた不純物量のみならず、多結晶棒2aに取り込まれたメ
ルトに溶け込んだ不純物量にも依存することとなり、単
結晶棒2cの抵抗率のコントロールが困難となる。
つまり、多結晶棒2aは下側から順次溶融されるため、多
結晶棒2aにおいてはその上部にいくにつれて不純物のド
ープ量が多くなる。多結晶棒2aの上部ほど長くドープガ
ス中に置かれるからである。そのため、作成された単結
晶棒2cにあっては第５図に示すようにそのテール（尾）
側に向けて抵抗率が低くなってしまうという問題があっ
た。
結晶棒2aにおいてはその上部にいくにつれて不純物のド
ープ量が多くなる。多結晶棒2aの上部ほど長くドープガ
ス中に置かれるからである。そのため、作成された単結
晶棒2cにあっては第５図に示すようにそのテール（尾）
側に向けて抵抗率が低くなってしまうという問題があっ
た。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、抵抗率の変
動が小さい単結晶棒を得ることができる単結晶成長装置
を提供することを目的としている。
動が小さい単結晶棒を得ることができる単結晶成長装置
を提供することを目的としている。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。
ついては、本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。
［課題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。
を説明すれば、下記のとおりである。
即ち、本発明は、上記目的を達成するため、チャンバ内
の上軸に多結晶棒および種結晶のいずれか一方を支持さ
せ、他方の下軸に支持させ、高周波コイルによって多結
晶棒を加熱溶融させると共に、多結晶棒および種結晶を
回転させつつ、その軸線に沿って高周波コイルによって
形成された溶融帯（メルト）を連続的に多結晶側に移行
させ、一方、上記チャンバ内にドープガスを導入し、不
純物ドープの単結晶を育成させるようにした単結晶成長
装置において、上記多結晶棒のメルト以外の部分をドー
プガス雰囲気から隔離するフードを上記チャンバ内に設
け、そのフード内に不活性ガスを流すようにしたもので
ある。
の上軸に多結晶棒および種結晶のいずれか一方を支持さ
せ、他方の下軸に支持させ、高周波コイルによって多結
晶棒を加熱溶融させると共に、多結晶棒および種結晶を
回転させつつ、その軸線に沿って高周波コイルによって
形成された溶融帯（メルト）を連続的に多結晶側に移行
させ、一方、上記チャンバ内にドープガスを導入し、不
純物ドープの単結晶を育成させるようにした単結晶成長
装置において、上記多結晶棒のメルト以外の部分をドー
プガス雰囲気から隔離するフードを上記チャンバ内に設
け、そのフード内に不活性ガスを流すようにしたもので
ある。
［作用］ この発明によれば、単結晶育成中、単結晶棒のメルト以
外の部分はフードによってドープガス雰囲気から隔離さ
れているので、単結晶棒内には不純物は取り込まれな
い。
外の部分はフードによってドープガス雰囲気から隔離さ
れているので、単結晶棒内には不純物は取り込まれな
い。
その結果、実質的に単結晶棒の抵抗率は、メルトから直
接取り込まれた不純物量のみに依存することとなり、そ
れ故、精度の高い抵抗率制御と、その全長にわたって抵
抗率の均一な信頼性の高い単結晶棒が得られることにな
る。
接取り込まれた不純物量のみに依存することとなり、そ
れ故、精度の高い抵抗率制御と、その全長にわたって抵
抗率の均一な信頼性の高い単結晶棒が得られることにな
る。
［実施例］ 以下、本発明に係る単結晶成長装置の実施例を図面に基
づいて説明する。
づいて説明する。
第１図には実施例の単結晶成長装置が示されている。
同図において、符号11はチャンバを表わしており、この
チャンバ11内には、回転かつ昇降可能な上軸11aおよび
下軸11bが設けられており、その上軸11aには多結晶棒12
aの一端が、下軸11bには種結晶12bの一端が支持されて
いる。
チャンバ11内には、回転かつ昇降可能な上軸11aおよび
下軸11bが設けられており、その上軸11aには多結晶棒12
aの一端が、下軸11bには種結晶12bの一端が支持されて
いる。
また、チャンバ11内中央部には、単巻きで皿型の高周波
コイル13が配置されている。
コイル13が配置されている。
さらに、高周波コイル13の直上には、多結晶棒12aを覆
うフード14が配設されている。このフード14には高周波
コイル13に向かうにつれて狭まるようにテーパが付けら
れている。そして、このフード14内にはアルゴンガス等
の不活性ガスが流せるようになっており、このフード14
内に流した不活性ガスはフード14の下側から多結晶棒12
aとの隙間を通ってフード11内のドープガス雰囲気側へ
流出するようになっている。
うフード14が配設されている。このフード14には高周波
コイル13に向かうにつれて狭まるようにテーパが付けら
れている。そして、このフード14内にはアルゴンガス等
の不活性ガスが流せるようになっており、このフード14
内に流した不活性ガスはフード14の下側から多結晶棒12
aとの隙間を通ってフード11内のドープガス雰囲気側へ
流出するようになっている。
このようにして単結晶棒12cを育成すれば下記のような
効果が得られる。
効果が得られる。
即ち、上記実施例の単結晶成長装置によれば、多結晶棒
12aのメルト以外の部分をドープガス雰囲気から隔離す
るフード14をチャンバ11内に設け、そのフード11内に不
活性ガスを流すようにしてので、単結晶育成中、多結晶
棒12aのメルト以外の部分はフード14によってドープガ
ス雰囲気から隔離されると共に、多結晶棒12a側へのド
ープガスの移行はなく、多結晶棒12a内には不純物は取
り込まれない。
12aのメルト以外の部分をドープガス雰囲気から隔離す
るフード14をチャンバ11内に設け、そのフード11内に不
活性ガスを流すようにしてので、単結晶育成中、多結晶
棒12aのメルト以外の部分はフード14によってドープガ
ス雰囲気から隔離されると共に、多結晶棒12a側へのド
ープガスの移行はなく、多結晶棒12a内には不純物は取
り込まれない。
その結果、実質的に単結晶棒12cの抵抗は、メルトに直
接取り込まれた不純物量のみに依存することとなり、そ
れ故、第２図に示すように軸線に沿った方向での抵抗率
変化がない、信頼性の高い単結晶棒12cが得られること
になる。
接取り込まれた不純物量のみに依存することとなり、そ
れ故、第２図に示すように軸線に沿った方向での抵抗率
変化がない、信頼性の高い単結晶棒12cが得られること
になる。
また、第３図には他の実施例の単結晶成長装置が示され
ている。
ている。
この実施例の単結晶成長装置が第１図に示す結晶成長装
置と異なる点はテーパ形状を呈するフード14の下端部が
多結晶棒12aの周面に沿ってかつ当該周面との間に所定
の間隔を保って延びるように円筒状に成形されている点
である。つまり、フード14の全体が漏斗状に成形されて
いる点が第１図のものと異なっている。他の点について
は、同一構成となっているので同一の符号を付しその説
明は省略する。
置と異なる点はテーパ形状を呈するフード14の下端部が
多結晶棒12aの周面に沿ってかつ当該周面との間に所定
の間隔を保って延びるように円筒状に成形されている点
である。つまり、フード14の全体が漏斗状に成形されて
いる点が第１図のものと異なっている。他の点について
は、同一構成となっているので同一の符号を付しその説
明は省略する。
この実施例の単結晶成長装置によっても第１図に示す単
結晶成長装置におけると同様な効果を得ることができ
る。
結晶成長装置におけると同様な効果を得ることができ
る。
さらに、この実施例の単結晶成長装置によれば、フード
14の下端部が円筒状となっているので、不活性ガスの逆
拡散によりドープガスがフード14内に逆流することがな
いので、抵抗率の制御がより容易となる。
14の下端部が円筒状となっているので、不活性ガスの逆
拡散によりドープガスがフード14内に逆流することがな
いので、抵抗率の制御がより容易となる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、第１図および第３図の実施例の単結晶成長装置
によれば、多結晶棒12a側のみフード14で覆ったが単結
晶棒12c側もフードで覆ってもよい。
によれば、多結晶棒12a側のみフード14で覆ったが単結
晶棒12c側もフードで覆ってもよい。
また、上記両実施例の単結晶成長装置にあっては、上軸
11aに多結晶12aを、下軸11bに種結晶12bを支持させるよ
うにしたが、反対に、上軸11aに種結晶12bを、下軸11b
に多結晶12aを支持させるようにしてもよい。
11aに多結晶12aを、下軸11bに種結晶12bを支持させるよ
うにしたが、反対に、上軸11aに種結晶12bを、下軸11b
に多結晶12aを支持させるようにしてもよい。
［発明の効果］ 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりであ
る。
即ち、チャンバ内の上軸に多結晶棒および種結晶のいず
れか一方を支持させ、他方を下軸に支持させ、高周波コ
イルによって多結晶棒を加熱溶融させると共に、多結晶
棒および種結晶を回転させつつ、その軸線に沿って高周
波コイルによって形成された溶融帯を多結晶側に移行さ
せ、一方、上記チャンバ内にドープガスを導入し、不純
物ドープの単結晶を育成させるようにした単結晶成長装
置において、上記多結晶棒のメルト以外の部分をドープ
ガス雰囲気から隔離するフードを上記チャンバ内に設
け、そのフード内に不活性ガスを流すようにしたので、
単結晶育成中、多結晶棒のメルト以外の部分はフードに
よってドープガス雰囲気から隔離され、多結晶棒内には
不純物は取り込まれない。
れか一方を支持させ、他方を下軸に支持させ、高周波コ
イルによって多結晶棒を加熱溶融させると共に、多結晶
棒および種結晶を回転させつつ、その軸線に沿って高周
波コイルによって形成された溶融帯を多結晶側に移行さ
せ、一方、上記チャンバ内にドープガスを導入し、不純
物ドープの単結晶を育成させるようにした単結晶成長装
置において、上記多結晶棒のメルト以外の部分をドープ
ガス雰囲気から隔離するフードを上記チャンバ内に設
け、そのフード内に不活性ガスを流すようにしたので、
単結晶育成中、多結晶棒のメルト以外の部分はフードに
よってドープガス雰囲気から隔離され、多結晶棒内には
不純物は取り込まれない。
その結果、実質的に単結晶棒の抵抗は、メルト部分に直
接取り込まれた不純物量のみに依存することとなり、そ
れ故、全長にわたって高精度に制御された抵抗率分布を
示す単結晶棒が得られることになる。
接取り込まれた不純物量のみに依存することとなり、そ
れ故、全長にわたって高精度に制御された抵抗率分布を
示す単結晶棒が得られることになる。
第１図は本発明に係る単結晶成長装置の第１の実施例の
縦断面図、 第２図は第１図の単結晶成長装置によって育成された単
結晶棒の軸線方向に沿った抵抗率変化を示すグラフ、 第３図は本発明に係る単結晶成長装置の第２の実施例の
縦断面図、 第４図は従来の単結晶成長装置の縦断面図、 第５図は従来の単結晶成長装置によって育成された単結
晶棒の軸線方向に沿った抵抗率変化を示すグラフであ
る。 11a……上軸、11b……下軸、12a……多結晶棒、12c……
単結晶棒、13……高周波コイル、14……フード。
縦断面図、 第２図は第１図の単結晶成長装置によって育成された単
結晶棒の軸線方向に沿った抵抗率変化を示すグラフ、 第３図は本発明に係る単結晶成長装置の第２の実施例の
縦断面図、 第４図は従来の単結晶成長装置の縦断面図、 第５図は従来の単結晶成長装置によって育成された単結
晶棒の軸線方向に沿った抵抗率変化を示すグラフであ
る。 11a……上軸、11b……下軸、12a……多結晶棒、12c……
単結晶棒、13……高周波コイル、14……フード。
Claims (1)
- 【請求項１】チャンバ内の上軸に多結晶棒および種結晶
のいずれか一方を支持させ、他方を下軸に支持させ、高
周波コイルによって多結晶棒を加熱溶融させると共に、
多結晶棒および種結晶を回転させつつ、そのメルトを軸
線に沿って多結晶棒側に順次に移行させ、一方、上記チ
ャンバ内にドープガスを導入し、不純物ドープの単結晶
を順次成長させるようにした単結晶成長装置において、
上記多結晶棒のメルト以外の部分をドープガス雰囲気か
ら隔離するフードを上記チャンバ内に設け、そのフード
内に不活性ガスを流すようにしたことを特徴とする単結
晶成長装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199055A JPH0699217B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 単結晶成長装置 |
| US07/557,784 US5059401A (en) | 1989-07-31 | 1990-07-26 | Monocrystal growing apparatus |
| DE69015057T DE69015057T2 (de) | 1989-07-31 | 1990-07-30 | Vorrichtung zur Herstellung eines Monokristalles. |
| EP90308323A EP0415559B1 (en) | 1989-07-31 | 1990-07-30 | Monocrystal growing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199055A JPH0699217B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 単結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0365586A JPH0365586A (ja) | 1991-03-20 |
| JPH0699217B2 true JPH0699217B2 (ja) | 1994-12-07 |
Family
ID=16401357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1199055A Expired - Lifetime JPH0699217B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 単結晶成長装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5059401A (ja) |
| EP (1) | EP0415559B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0699217B2 (ja) |
| DE (1) | DE69015057T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU94036650A (ru) * | 1994-09-28 | 1996-08-27 | Г.С. Бурханов | Способ бестигельной зонной плавки для выращивания кристаллических слитков и устройство для его осуществления |
| DE19520175A1 (de) * | 1995-06-01 | 1996-12-12 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe |
| AU6264198A (en) * | 1997-02-06 | 1998-08-26 | Crysteco, Inc. | Method and apparatus for growing crystals |
| JP4529976B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2010-08-25 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE264031C (ja) * | ||||
| GB1059916A (en) * | 1963-10-10 | 1967-02-22 | Ass Elect Ind | The formation of single crystals |
| DE1233828B (de) * | 1964-07-03 | 1967-02-09 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung, Reinigung und/oder Dotierung von ein- oder polykristallinen Halbleiterverbindungen |
| US3477959A (en) * | 1967-04-24 | 1969-11-11 | Northern Electric Co | Method and apparatus for producing doped,monocrystalline semiconductor materials |
| FR2076731A6 (en) * | 1969-07-21 | 1971-10-15 | Radiotechnique Compelec | Using gaseous dopant introduced at molten zone |
| US4039283A (en) * | 1973-04-18 | 1977-08-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus for producing a controlled radial path of resistance in a semiconductor monocrystalline rod |
| US4270972A (en) * | 1980-03-31 | 1981-06-02 | Rockwell International Corporation | Method for controlled doping semiconductor material with highly volatile dopant |
| FR2526449B1 (fr) * | 1982-05-04 | 1985-07-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de fabrication d'un monocristal, exempt de toute contrainte, d'un compose ferroelectrique a structure cristalline |
| JPH0639352B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1994-05-25 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造装置 |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1199055A patent/JPH0699217B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-26 US US07/557,784 patent/US5059401A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-30 EP EP90308323A patent/EP0415559B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-30 DE DE69015057T patent/DE69015057T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0415559A1 (en) | 1991-03-06 |
| DE69015057T2 (de) | 1995-06-22 |
| EP0415559B1 (en) | 1994-12-14 |
| JPH0365586A (ja) | 1991-03-20 |
| DE69015057D1 (de) | 1995-01-26 |
| US5059401A (en) | 1991-10-22 |
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