RU94036650A - Способ бестигельной зонной плавки для выращивания кристаллических слитков и устройство для его осуществления - Google Patents

Способ бестигельной зонной плавки для выращивания кристаллических слитков и устройство для его осуществления

Info

Publication number
RU94036650A
RU94036650A RU94036650/02A RU94036650A RU94036650A RU 94036650 A RU94036650 A RU 94036650A RU 94036650/02 A RU94036650/02 A RU 94036650/02A RU 94036650 A RU94036650 A RU 94036650A RU 94036650 A RU94036650 A RU 94036650A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substance
active components
plasma
chemically active
metal
Prior art date
Application number
RU94036650/02A
Other languages
English (en)
Inventor
В.Г. Островский
Г.С. Бурханов
В.А. Обухов
В.А. Кузьмищев
В.П. Агеев
Н.П. Лякишев
Е.Д. Доронькин
Original Assignee
Г.С. Бурханов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Г.С. Бурханов filed Critical Г.С. Бурханов
Priority to RU94036650/02A priority Critical patent/RU94036650A/ru
Priority to PCT/RU1995/000210 priority patent/WO1996010098A1/ru
Publication of RU94036650A publication Critical patent/RU94036650A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
    • C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
    • C30B13/12—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials in the gaseous or vapour state

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к металлургии. Способ бестигельной зонной плавки для выращивания кристаллических слитков заключается в том, что путем ввода металлического плазмообразующего вещества при одновременном значительном снижении рабочего давления добиваются расширения диапазона регулирования температуры нагрева переплавляемого материала и расширения круга получаемых материалов. Процесс роста кристаллов по способу ведется в вакуумной камере, а в плазмообразующее вещество, кроме традиционного инертного газа, дополнительно вводятся химические активные компоненты, образующие с примесями переплавляемого материала легколетучие соединения, которые отводятся из рабочего объема. Катод плазменно-дугового нагревателя в устройстве для осуществления вышеуказанного способа выполнен в виде термоэмиссионного многополосного электрода, в каналы которого по системе трубопроводов подается парообразное металлическое рабочее вещество с дополнительно введенными химически активными компонентами. В устройстве имеется откачная система и система напуска металлического пара. Изобретение позволяет получать особо чистые монокристаллы тугоплавких металлов, их сплавов и соединений.

Claims (1)

  1. Изобретение относится к металлургии. Способ бестигельной зонной плавки для выращивания кристаллических слитков заключается в том, что путем ввода металлического плазмообразующего вещества при одновременном значительном снижении рабочего давления добиваются расширения диапазона регулирования температуры нагрева переплавляемого материала и расширения круга получаемых материалов. Процесс роста кристаллов по способу ведется в вакуумной камере, а в плазмообразующее вещество, кроме традиционного инертного газа, дополнительно вводятся химические активные компоненты, образующие с примесями переплавляемого материала легколетучие соединения, которые отводятся из рабочего объема. Катод плазменно-дугового нагревателя в устройстве для осуществления вышеуказанного способа выполнен в виде термоэмиссионного многополосного электрода, в каналы которого по системе трубопроводов подается парообразное металлическое рабочее вещество с дополнительно введенными химически активными компонентами. В устройстве имеется откачная система и система напуска металлического пара. Изобретение позволяет получать особо чистые монокристаллы тугоплавких металлов, их сплавов и соединений.
RU94036650/02A 1994-09-28 1994-09-28 Способ бестигельной зонной плавки для выращивания кристаллических слитков и устройство для его осуществления RU94036650A (ru)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94036650/02A RU94036650A (ru) 1994-09-28 1994-09-28 Способ бестигельной зонной плавки для выращивания кристаллических слитков и устройство для его осуществления
PCT/RU1995/000210 WO1996010098A1 (fr) 1994-09-28 1995-09-27 Procede de fusion a zone sans creuset pour la preparation de lingots cristallins et dispositif de mise en ×uvre dudit procede

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94036650/02A RU94036650A (ru) 1994-09-28 1994-09-28 Способ бестигельной зонной плавки для выращивания кристаллических слитков и устройство для его осуществления

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU94036650A true RU94036650A (ru) 1996-08-27

Family

ID=20161108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94036650/02A RU94036650A (ru) 1994-09-28 1994-09-28 Способ бестигельной зонной плавки для выращивания кристаллических слитков и устройство для его осуществления

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU94036650A (ru)
WO (1) WO1996010098A1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2453624C1 (ru) * 2011-05-20 2012-06-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ") Способ получения монокристаллов сплава вольфрам-тантал
RU2486718C2 (ru) * 2011-05-27 2013-06-27 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" Установка для плазменно-дуговой плавки
RU2504929C2 (ru) * 2011-10-18 2014-01-20 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" Плавильная печь установки для плазменно-дуговой плавки
RU2553905C2 (ru) * 2013-11-05 2015-06-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Способ выращивания монокристаллических дисков из тугоплавких металлов и устройство для его осуществления

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4080172A (en) * 1975-12-29 1978-03-21 Monsanto Company Zone refiner automatic control
FR2487808A1 (fr) * 1980-08-01 1982-02-05 Electricite De France Procede et dispositif d'elimination du bore dans le silicium par fusion de zone sous plasma reactif
DE3832896A1 (de) * 1988-09-28 1990-03-29 Siemens Ag Anordnung zum tiegellosen zonenschmelzen
JPH0699217B2 (ja) * 1989-07-31 1994-12-07 信越半導体株式会社 単結晶成長装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2453624C1 (ru) * 2011-05-20 2012-06-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ") Способ получения монокристаллов сплава вольфрам-тантал
RU2486718C2 (ru) * 2011-05-27 2013-06-27 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" Установка для плазменно-дуговой плавки
RU2504929C2 (ru) * 2011-10-18 2014-01-20 Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" Плавильная печь установки для плазменно-дуговой плавки
RU2553905C2 (ru) * 2013-11-05 2015-06-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Способ выращивания монокристаллических дисков из тугоплавких металлов и устройство для его осуществления

Also Published As

Publication number Publication date
WO1996010098A1 (fr) 1996-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4655893A (en) Cubic boron nitride preparation utilizing a boron and nitrogen bearing gas
US4412899A (en) Cubic boron nitride preparation utilizing nitrogen gas
EP1273330A4 (en) METHOD AND DEVICE FOR CLEANING BY SUBLIMATION
JP2007051047A (ja) 電子ビームを用いたシリコンの精錬方法及び装置
US4415420A (en) Cubic boron nitride preparation
RU94036650A (ru) Способ бестигельной зонной плавки для выращивания кристаллических слитков и устройство для его осуществления
WO1993002787A1 (en) Process for the production of ultra-fine powdered materials
JPH05262512A (ja) シリコンの精製方法
JP6696991B2 (ja) 金属部片の表面を熱化学処理するためのプラズマプロセスおよびリアクタ
JP2960652B2 (ja) 高純度金属の精製方法およびその精製装置
RU2208500C2 (ru) Устройство для получения мелкодисперсных металлических порошков
CN114985737A (zh) 一种多元六硼化物[100]单晶及其制备方法
JPS63218506A (ja) 分割されたけい素をプラズマの下で精製する方法
JP2003342716A (ja) ＧａＮ結晶の成長方法
JPS6111140A (ja) 高純度セラミツクス超微粒子の製造方法
RU2287023C1 (ru) Способ электронно-лучевой зонной плавки металла и устройство для его осуществления
US3053639A (en) Method and apparatus for growing crystals
JP4209964B2 (ja) 金属バナジウム又は／及び金属バナジウム合金の溶解方法並びに鋳造方法
RU2750006C1 (ru) Способ получения корунда
RU2819192C1 (ru) Способ получения высокочистого никеля для распыляемых мишеней
US20090280049A1 (en) Purifying method for metallic silicon and manufacturing method of silicon ingot
US5972133A (en) Method for producing intermetallic compound
RU2046840C1 (ru) Установка для получения тонких пленок методом ионно-плазменного распыления
JPH0834628A (ja) 高純度石英ガラスルツボの製造方法
WO2021145398A1 (en) Metal purifying method and metal purifying apparatus