JPH07309693A - 単結晶製造方法 - Google Patents
単結晶製造方法Info
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- JPH07309693A JPH07309693A JP10246594A JP10246594A JPH07309693A JP H07309693 A JPH07309693 A JP H07309693A JP 10246594 A JP10246594 A JP 10246594A JP 10246594 A JP10246594 A JP 10246594A JP H07309693 A JPH07309693 A JP H07309693A
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- crystal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インゴットの結晶成長方向における抵抗値の
バラツキの狭小化。 【構成】 ルツボ内に多結晶シリコンとボロン（Ｐ型）
を入れた後、前記ルツボ内の材料を溶かし、その後溶け
た融液に種結晶の下端を浸漬させ、前記種結晶を相対的
に引き上げながらルツボおよび種結晶を回転させて前記
種結晶に単結晶を成長させる。単結晶引き上げの途中で
リン（Ｎ型）を追加供給する。ボロンの量は、インゴッ
トの引き上げ最初側部分の不純物濃度が所望の抵抗値域
に入るように設定するとともに、単結晶引き上げの途中
で供給されるリンの量および供給時点は、インゴットの
引き上げ最終側部分の抵抗値が目標値の抵抗値域に入る
ように設定する。追加供給された逆導電型の不純物の結
晶内への取り込みによって結晶成長部分の抵抗値の変化
率が鈍くなり、インゴットのトップからテイルに至る全
体の抵抗値が目標値内に収まり、ウエハの収益性が向上
する。
バラツキの狭小化。 【構成】 ルツボ内に多結晶シリコンとボロン（Ｐ型）
を入れた後、前記ルツボ内の材料を溶かし、その後溶け
た融液に種結晶の下端を浸漬させ、前記種結晶を相対的
に引き上げながらルツボおよび種結晶を回転させて前記
種結晶に単結晶を成長させる。単結晶引き上げの途中で
リン（Ｎ型）を追加供給する。ボロンの量は、インゴッ
トの引き上げ最初側部分の不純物濃度が所望の抵抗値域
に入るように設定するとともに、単結晶引き上げの途中
で供給されるリンの量および供給時点は、インゴットの
引き上げ最終側部分の抵抗値が目標値の抵抗値域に入る
ように設定する。追加供給された逆導電型の不純物の結
晶内への取り込みによって結晶成長部分の抵抗値の変化
率が鈍くなり、インゴットのトップからテイルに至る全
体の抵抗値が目標値内に収まり、ウエハの収益性が向上
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は単結晶引上方法、特に、
チョクラルスキー（ＣＺ）法による単結晶製造方法に関
する。
チョクラルスキー（ＣＺ）法による単結晶製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン（Ｓｉ）単結晶の製造方法の一
つとして、ルツボ内に収容したシリコン融液に種結晶の
下端を浸漬させ、ルツボおよび種結晶を回転させるとと
もに、種結晶を引き上げて種結晶の下にシリコン単結晶
を成長形成する方法（チョクラルスキー法）が知られて
いる。チョクラルスキー法については、株式会社オーム
社発行「半導体ハンドブック」昭和56年６月30日発行、
P128およびP129に記載されている。この文献には「ＣＺ
結晶の成長方向の不純物濃度分布は自然凝固の形であ
り，また抵抗率は不純物濃度に反比例するため，狭い抵
抗率範囲の結晶を収率良くとるには，目的の下限抵抗率
の推定長さまでで引上げを終わり，引上量と同量の新原
料を加え，再溶解後，新たに引き上げるリチャージ法
や，偏析による融液中の不純物濃度増加分を蒸発によっ
て逃すような減圧下引上法がある。」旨記載されてい
る。
つとして、ルツボ内に収容したシリコン融液に種結晶の
下端を浸漬させ、ルツボおよび種結晶を回転させるとと
もに、種結晶を引き上げて種結晶の下にシリコン単結晶
を成長形成する方法（チョクラルスキー法）が知られて
いる。チョクラルスキー法については、株式会社オーム
社発行「半導体ハンドブック」昭和56年６月30日発行、
P128およびP129に記載されている。この文献には「ＣＺ
結晶の成長方向の不純物濃度分布は自然凝固の形であ
り，また抵抗率は不純物濃度に反比例するため，狭い抵
抗率範囲の結晶を収率良くとるには，目的の下限抵抗率
の推定長さまでで引上げを終わり，引上量と同量の新原
料を加え，再溶解後，新たに引き上げるリチャージ法
や，偏析による融液中の不純物濃度増加分を蒸発によっ
て逃すような減圧下引上法がある。」旨記載されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】チョクラルスキー法に
よって製造された棒状の単結晶（インゴット）において
は、前記文献にも記載されているように、ＣＺ結晶の成
長方向（軸方向）の不純物濃度分布は自然凝固の形態を
とる。このため、インゴットのトップ側（単結晶の引き
上げ最初側部分）では不純物濃度が低く、インゴットの
テイル側（単結晶の引き上げ最終側部分）では不純物濃
度が高くなる。インゴットの軸方向の不純物濃度のバラ
ツキは、インゴットを薄く切断して得られる半導体ウエ
ハの収益をあげるため、極力小さくすることが望まし
い。一方、単結晶製造の収益向上からインゴットはより
長大化の傾向にある。このため、実際には、インゴット
のトップからテイルに至る全域の不純物濃度を目標値内
に収めることは難しく、トップ側およびテイル側から製
造したウエハは所望の不純物濃度域、すなわち抵抗値域
から外れることが多い。
よって製造された棒状の単結晶（インゴット）において
は、前記文献にも記載されているように、ＣＺ結晶の成
長方向（軸方向）の不純物濃度分布は自然凝固の形態を
とる。このため、インゴットのトップ側（単結晶の引き
上げ最初側部分）では不純物濃度が低く、インゴットの
テイル側（単結晶の引き上げ最終側部分）では不純物濃
度が高くなる。インゴットの軸方向の不純物濃度のバラ
ツキは、インゴットを薄く切断して得られる半導体ウエ
ハの収益をあげるため、極力小さくすることが望まし
い。一方、単結晶製造の収益向上からインゴットはより
長大化の傾向にある。このため、実際には、インゴット
のトップからテイルに至る全域の不純物濃度を目標値内
に収めることは難しく、トップ側およびテイル側から製
造したウエハは所望の不純物濃度域、すなわち抵抗値域
から外れることが多い。
【０００４】本発明の目的は、インゴットの各部の抵抗
値を目標値域にすることができる単結晶製造方法を提供
することにある。
値を目標値域にすることができる単結晶製造方法を提供
することにある。
【０００５】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の単結晶製造方法
は、ルツボ内に多結晶シリコンと第１導電型決定用不純
物材料を入れた後、前記ルツボ内の材料を溶かし、その
後溶けた融液に種結晶の下端を浸漬させ、前記種結晶を
相対的に引き上げながらルツボおよび種結晶を回転させ
て前記種結晶に単結晶を成長させる単結晶製造方法であ
って、単結晶引き上げの途中で第２導電型決定用不純物
材料をルツボ内に少なくとも１回供給して単結晶の引き
上げを行う。第１導電型決定用不純物材料の量は、製造
される単結晶の引き上げ最初側部分の不純物濃度が、所
望の抵抗値域に入るように設定されるとともに、単結晶
引き上げの途中で供給される第２導電型決定用不純物材
料の量および供給時点は、単結晶の引き上げ最終側部分
の抵抗値が目標値の抵抗値域に入るように設定される。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の単結晶製造方法
は、ルツボ内に多結晶シリコンと第１導電型決定用不純
物材料を入れた後、前記ルツボ内の材料を溶かし、その
後溶けた融液に種結晶の下端を浸漬させ、前記種結晶を
相対的に引き上げながらルツボおよび種結晶を回転させ
て前記種結晶に単結晶を成長させる単結晶製造方法であ
って、単結晶引き上げの途中で第２導電型決定用不純物
材料をルツボ内に少なくとも１回供給して単結晶の引き
上げを行う。第１導電型決定用不純物材料の量は、製造
される単結晶の引き上げ最初側部分の不純物濃度が、所
望の抵抗値域に入るように設定されるとともに、単結晶
引き上げの途中で供給される第２導電型決定用不純物材
料の量および供給時点は、単結晶の引き上げ最終側部分
の抵抗値が目標値の抵抗値域に入るように設定される。
【０００７】
【作用】上記した手段によれば、本発明の単結晶製造方
法は、ルツボ内に多結晶シリコンと第１導電型決定用不
純物材料を入れた後、この材料を溶かして単結晶を製造
するが、第１導電型決定用不純物材料のルツボ内への供
給量は、単結晶の引き上げ最初側部分の抵抗値が目標値
の抵抗値域に入るように設定されている。また、単結晶
引き上げの途中では、ルツボ内に入れられた不純物とは
逆導電型となる第２導電型決定用不純物材料が追加供給
されるため、成長する単結晶部分には相互に異なる導電
型の不純物が偏析し、従来のように同一不純物が多く偏
析して抵抗値が小さくなり過ぎることがなく、抵抗値が
目標値内に収まるようになる。
法は、ルツボ内に多結晶シリコンと第１導電型決定用不
純物材料を入れた後、この材料を溶かして単結晶を製造
するが、第１導電型決定用不純物材料のルツボ内への供
給量は、単結晶の引き上げ最初側部分の抵抗値が目標値
の抵抗値域に入るように設定されている。また、単結晶
引き上げの途中では、ルツボ内に入れられた不純物とは
逆導電型となる第２導電型決定用不純物材料が追加供給
されるため、成長する単結晶部分には相互に異なる導電
型の不純物が偏析し、従来のように同一不純物が多く偏
析して抵抗値が小さくなり過ぎることがなく、抵抗値が
目標値内に収まるようになる。
【０００８】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明のシリコン単結晶の製造方法
による手順を示すフローチャート、図２は本発明の単結
晶製造を行う単結晶引上装置の概要を示す断面図、図３
は本発明の単結晶製造方法によって製造されたインゴッ
トを示す正面図、図４は本発明の単結晶製造方法によっ
て製造されたインゴットにおける軸方向の抵抗値を示す
グラフである。
て説明する。図１は本発明のシリコン単結晶の製造方法
による手順を示すフローチャート、図２は本発明の単結
晶製造を行う単結晶引上装置の概要を示す断面図、図３
は本発明の単結晶製造方法によって製造されたインゴッ
トを示す正面図、図４は本発明の単結晶製造方法によっ
て製造されたインゴットにおける軸方向の抵抗値を示す
グラフである。
【０００９】本発明の単結晶製造方法を説明する前に、
使用するＣＺ型単結晶引上装置について説明する。単結
晶引上装置は、図２に示すように、ベース１上にチャン
バ２を有する構造となっている。前記チャンバ２は、円
筒状のメインチャンバ３と、このメインチャンバ３の上
部を塞ぐアッパーチャンバ４と、前記アッパーチャンバ
４の中央上部の筒状のプルチャンバ５とからなってい
る。前記メインチャンバ３の中央には、ルツボ７が配設
されている。このルツボ７は、上部が開口した石英ルツ
ボ８と、この石英ルツボ８を収容支持する黒鉛ルツボ９
とからなっている。前記黒鉛ルツボ９はモータ１０の回
転軸１１によって回転制御される台座１２上に載置され
る。前記回転軸１１は、軸受１５を介してメインチャン
バ３の底板１６部分で支持されている。また、前記モー
タ１０は図示しない昇降機構によって支持されている。
したがって、前記ルツボ７は矢印に示すように昇降およ
び回転制御可能となっている。
使用するＣＺ型単結晶引上装置について説明する。単結
晶引上装置は、図２に示すように、ベース１上にチャン
バ２を有する構造となっている。前記チャンバ２は、円
筒状のメインチャンバ３と、このメインチャンバ３の上
部を塞ぐアッパーチャンバ４と、前記アッパーチャンバ
４の中央上部の筒状のプルチャンバ５とからなってい
る。前記メインチャンバ３の中央には、ルツボ７が配設
されている。このルツボ７は、上部が開口した石英ルツ
ボ８と、この石英ルツボ８を収容支持する黒鉛ルツボ９
とからなっている。前記黒鉛ルツボ９はモータ１０の回
転軸１１によって回転制御される台座１２上に載置され
る。前記回転軸１１は、軸受１５を介してメインチャン
バ３の底板１６部分で支持されている。また、前記モー
タ１０は図示しない昇降機構によって支持されている。
したがって、前記ルツボ７は矢印に示すように昇降およ
び回転制御可能となっている。
【００１０】また、前記プルチャンバ５の上部には、図
示しない結晶引上機構が設けられている。前記プルチャ
ンバ５の中心には、前記結晶引上機構のワイヤ１７が垂
れ下がっている。前記ワイヤ１７の下端にはシードチャ
ック１８が取り付けられ、単結晶の種結晶（シード）１
９が保持される。一方、前記メインチャンバ３の底板１
６上には、前記ルツボ７に対して同心円的にヒータ２５
および断熱材２６が配設されている。また、前記プルチ
ャンバ５側からは、Ａｒ等のガス２７がチャンバ２内に
流される。このガス２７は、ベース１側に設けられた排
気管２８から真空排気される。
示しない結晶引上機構が設けられている。前記プルチャ
ンバ５の中心には、前記結晶引上機構のワイヤ１７が垂
れ下がっている。前記ワイヤ１７の下端にはシードチャ
ック１８が取り付けられ、単結晶の種結晶（シード）１
９が保持される。一方、前記メインチャンバ３の底板１
６上には、前記ルツボ７に対して同心円的にヒータ２５
および断熱材２６が配設されている。また、前記プルチ
ャンバ５側からは、Ａｒ等のガス２７がチャンバ２内に
流される。このガス２７は、ベース１側に設けられた排
気管２８から真空排気される。
【００１１】単結晶製造においては、最初にルツボ内に
原料（材料）が入れられ、その後原料を溶融した後単結
晶の引き上げが行われる。ＭＯＳ（Metal Oxide Semico
ndu-ctor）トランジスタの製造用に用いられる半導体基
板（ウエハ）は、たとえば、ボロン（Ｂ）を拡散させた
Ｐ型のシリコン基板が使用される。また、この場合、半
導体基板の抵抗値は９〜１２Ω−ｃｍのものが使用され
る。本実施例では、抵抗値が９〜１２Ω−ｃｍとなるイ
ンゴットの製造例について説明する。従来、インゴット
内に原料となる多結晶シリコンと、Ｐ導電型決定用不純
物材料としてのボロンを入れ、その後単結晶の引き上げ
を行った場合、抵抗値は図４の二点鎖線で示すように、
インゴットのトップでは１３Ω−ｃｍとなり、テイルで
は７Ω−ｃｍとなり、トップ側とテイル側に単結晶製造
の目標値（規格値）である１２〜９Ω−ｃｍから外れる
部分が発生する。
原料（材料）が入れられ、その後原料を溶融した後単結
晶の引き上げが行われる。ＭＯＳ（Metal Oxide Semico
ndu-ctor）トランジスタの製造用に用いられる半導体基
板（ウエハ）は、たとえば、ボロン（Ｂ）を拡散させた
Ｐ型のシリコン基板が使用される。また、この場合、半
導体基板の抵抗値は９〜１２Ω−ｃｍのものが使用され
る。本実施例では、抵抗値が９〜１２Ω−ｃｍとなるイ
ンゴットの製造例について説明する。従来、インゴット
内に原料となる多結晶シリコンと、Ｐ導電型決定用不純
物材料としてのボロンを入れ、その後単結晶の引き上げ
を行った場合、抵抗値は図４の二点鎖線で示すように、
インゴットのトップでは１３Ω−ｃｍとなり、テイルで
は７Ω−ｃｍとなり、トップ側とテイル側に単結晶製造
の目標値（規格値）である１２〜９Ω−ｃｍから外れる
部分が発生する。
【００１２】本実施例では、インゴットのトップからテ
イルに至る全長で、抵抗値が目標値である９〜１２Ω−
ｃｍとなるような単結晶の製造方法を提供するものであ
る。このため、本実施例においては、前記ＣＺ型単結晶
引上装置を用い、図１のフローチャートで示す手順で単
結晶製造を行う。最初にルツボ７内に原料（材料）とし
ての多結晶シリコンとボロン（Ｂ）とが入れられて溶融
される。第１導電型決定用不純物としてのボロンの量
は、製造される単結晶（インゴット）の引き上げ最初側
部分（トップ）の不純物濃度が、目標値である上限の１
２Ω−ｃｍ以下に入るように設定される。
イルに至る全長で、抵抗値が目標値である９〜１２Ω−
ｃｍとなるような単結晶の製造方法を提供するものであ
る。このため、本実施例においては、前記ＣＺ型単結晶
引上装置を用い、図１のフローチャートで示す手順で単
結晶製造を行う。最初にルツボ７内に原料（材料）とし
ての多結晶シリコンとボロン（Ｂ）とが入れられて溶融
される。第１導電型決定用不純物としてのボロンの量
は、製造される単結晶（インゴット）の引き上げ最初側
部分（トップ）の不純物濃度が、目標値である上限の１
２Ω−ｃｍ以下に入るように設定される。
【００１３】つぎに、前記シードチャック１８に保持さ
れた種結晶１９の下端が融液３１中に浸漬される。その
後、シードチャック１８およびルツボ７を矢印の方向に
回転させるとともに、種結晶１９を相対的に引き上げ、
種結晶１９の下端に所望の太さの単結晶（インゴット）
３２を成長させ、かつ図３に示すようなインゴット３２
を製造して単結晶製造を終了する。本実施例では、単結
晶引き上げの途中で、Ｐ型不純物とは逆導電型となる第
２導電型決定用不純物として、リン（Ｐ）がルツボ７内
に所定量供給される。リンの供給量および溶けて供給さ
れた時点Ａでは、図４に示すように、インゴットのテイ
ルにおける抵抗値が、目標値である下限の８Ω−ｃｍ以
上の大きさとなるように設定される。すなわち、単結晶
引き上げにおいては、結晶の成長方向の不純物濃度分布
は自然凝固の形となる。また、融液３１内には第１導電
型決定用不純物となるボロンと、第２導電型決定用不純
物となるリンが混在していることから、ボロンとリンが
ともに単結晶中に取り込まれる。このため、単結晶中に
おいて正孔と電子との再結合が起き、インゴットの単結
晶成長方向での抵抗値の変化率は鈍くなり、インゴット
長さが長くなっても、トップ３３からテイル３４に至る
部分の抵抗値の変化幅は小さくなる。
れた種結晶１９の下端が融液３１中に浸漬される。その
後、シードチャック１８およびルツボ７を矢印の方向に
回転させるとともに、種結晶１９を相対的に引き上げ、
種結晶１９の下端に所望の太さの単結晶（インゴット）
３２を成長させ、かつ図３に示すようなインゴット３２
を製造して単結晶製造を終了する。本実施例では、単結
晶引き上げの途中で、Ｐ型不純物とは逆導電型となる第
２導電型決定用不純物として、リン（Ｐ）がルツボ７内
に所定量供給される。リンの供給量および溶けて供給さ
れた時点Ａでは、図４に示すように、インゴットのテイ
ルにおける抵抗値が、目標値である下限の８Ω−ｃｍ以
上の大きさとなるように設定される。すなわち、単結晶
引き上げにおいては、結晶の成長方向の不純物濃度分布
は自然凝固の形となる。また、融液３１内には第１導電
型決定用不純物となるボロンと、第２導電型決定用不純
物となるリンが混在していることから、ボロンとリンが
ともに単結晶中に取り込まれる。このため、単結晶中に
おいて正孔と電子との再結合が起き、インゴットの単結
晶成長方向での抵抗値の変化率は鈍くなり、インゴット
長さが長くなっても、トップ３３からテイル３４に至る
部分の抵抗値の変化幅は小さくなる。
【００１４】本実施例によって得られたインゴット３２
はスライスされてウエハとされる。インゴット３２のト
ップ３３からテイル３４に至る各部の抵抗値は、目標の
抵抗値域、すなわち９〜１２Ω−ｃｍに収まっているこ
とから、各ウエハは所定の特性を有するＭＯＳトランジ
スタ製造用のウエハに適したものとなり、ウエハの収益
性が向上する。
はスライスされてウエハとされる。インゴット３２のト
ップ３３からテイル３４に至る各部の抵抗値は、目標の
抵抗値域、すなわち９〜１２Ω−ｃｍに収まっているこ
とから、各ウエハは所定の特性を有するＭＯＳトランジ
スタ製造用のウエハに適したものとなり、ウエハの収益
性が向上する。
【００１５】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。たとえば、
単結晶引き上げの途中に不純物材料を追加供給する作業
は複数回でもよい。この場合、より細かな抵抗値の制御
が可能となる。また、前記実施例では、Ｐ型シリコン半
導体基板を製造するためのインゴットを製造する例につ
いて説明したが、Ｎ型半導体基板を製造する場合に、初
期にルツボ内のＮ型不純物濃度を選択し、かつ単結晶引
き上げの途中でＰ型不純物を追加供給すれば、前記実施
例同様に抵抗値域の狭いインゴットを形成できることに
なる。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。たとえば、
単結晶引き上げの途中に不純物材料を追加供給する作業
は複数回でもよい。この場合、より細かな抵抗値の制御
が可能となる。また、前記実施例では、Ｐ型シリコン半
導体基板を製造するためのインゴットを製造する例につ
いて説明したが、Ｎ型半導体基板を製造する場合に、初
期にルツボ内のＮ型不純物濃度を選択し、かつ単結晶引
き上げの途中でＰ型不純物を追加供給すれば、前記実施
例同様に抵抗値域の狭いインゴットを形成できることに
なる。
【００１６】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるシリコ
ン単結晶の製造技術に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、化合物半導体、た
とえば、ＬＥＣ（Liquid Encapsulated Czochralski ）
法によるＧａＡｓ単結晶の製造技術などに適用できる。
本発明は少なくとも引き上げ単結晶製造技術には適用で
きる。
なされた発明をその背景となった利用分野であるシリコ
ン単結晶の製造技術に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、化合物半導体、た
とえば、ＬＥＣ（Liquid Encapsulated Czochralski ）
法によるＧａＡｓ単結晶の製造技術などに適用できる。
本発明は少なくとも引き上げ単結晶製造技術には適用で
きる。
【００１７】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明の単結晶製造方法によれば、
インゴットの結晶成長方向における各部の抵抗値のバラ
ツキを小さくできることから、ウエハの収益性が向上す
る。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明の単結晶製造方法によれば、
インゴットの結晶成長方向における各部の抵抗値のバラ
ツキを小さくできることから、ウエハの収益性が向上す
る。
【図１】本発明のシリコン単結晶の製造方法による手順
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図２】本発明の単結晶製造を行う単結晶引上装置の概
要を示す断面図である。
要を示す断面図である。
【図３】本発明の単結晶製造方法によって製造されたイ
ンゴットを示す正面図である。
ンゴットを示す正面図である。
【図４】本発明の単結晶製造方法によって製造されたイ
ンゴットにおける軸方向の抵抗値を示すグラフである。
ンゴットにおける軸方向の抵抗値を示すグラフである。
１…ベース、２…チャンバ、３…メインチャンバ、４…
アッパーチャンバ、５…プルチャンバ、７…ルツボ、８
…石英ルツボ、９…黒鉛ルツボ、１０…モータ、１１…
回転軸、１２…台座、１５…軸受、１６…底板、１７…
ワイヤ、１８…シードチャック、１９…種結晶、２５…
ヒータ、２６…断熱材、２７…ガス、２８…排気管、３
１…融液、３２…インゴット、３３…トップ、３４…テ
イル。
アッパーチャンバ、５…プルチャンバ、７…ルツボ、８
…石英ルツボ、９…黒鉛ルツボ、１０…モータ、１１…
回転軸、１２…台座、１５…軸受、１６…底板、１７…
ワイヤ、１８…シードチャック、１９…種結晶、２５…
ヒータ、２６…断熱材、２７…ガス、２８…排気管、３
１…融液、３２…インゴット、３３…トップ、３４…テ
イル。
Claims (3)
- 【請求項１】 ルツボ内に半導体材料と第１導電型決定
用不純物材料を入れた後、前記ルツボ内の材料を溶か
し、その後溶けた融液に種結晶の下端を浸漬させ、前記
種結晶を相対的に引き上げながらルツボおよび種結晶を
回転させて前記種結晶に単結晶を成長させる単結晶製造
方法であって、単結晶引き上げの途中で第２導電型決定
用不純物材料をルツボ内に少なくとも１回供給して単結
晶引き上げを行うことを特徴とする単結晶製造方法。 - 【請求項２】 ルツボ内に多結晶シリコンと第１導電型
決定用不純物材料を入れた後、前記ルツボ内の材料を溶
かし、その後溶けた融液に種結晶の下端を浸漬させ、前
記種結晶を相対的に引き上げながらルツボおよび種結晶
を回転させて前記種結晶に単結晶を成長させる単結晶製
造方法であって、単結晶引き上げの途中で第２導電型決
定用不純物材料をルツボ内に少なくとも１回供給して単
結晶引き上げを行うことを特徴とする単結晶製造方法。 - 【請求項３】 第１導電型決定用不純物材料の量は、製
造される単結晶の引き上げ最初側部分の不純物濃度が、
所望の抵抗値となるように設定されるとともに、単結晶
引き上げの途中で供給される第２導電型決定用不純物材
料の量および供給時点は、単結晶の引き上げ最終側部分
の抵抗値が所望値となるように設定されることを特徴と
する請求項１記載の単結晶製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246594A JPH07309693A (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 単結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246594A JPH07309693A (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 単結晶製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07309693A true JPH07309693A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=14328213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10246594A Pending JPH07309693A (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 単結晶製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07309693A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NO335110B1 (no) * | 2011-10-06 | 2014-09-15 | Elkem Solar As | Fremgangsmåte for fremstilling av silisiummonokrystall og multikrystalline silisiumingoter |
| WO2016031164A1 (ja) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | 信越半導体株式会社 | 抵抗率制御方法及びｎ型シリコン単結晶 |
| JP2016060667A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 信越半導体株式会社 | 抵抗率制御方法、追加ドーパント投入装置、並びに、ｎ型シリコン単結晶 |
-
1994
- 1994-05-17 JP JP10246594A patent/JPH07309693A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2016060667A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 信越半導体株式会社 | 抵抗率制御方法、追加ドーパント投入装置、並びに、ｎ型シリコン単結晶 |
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