JPH0692924A - ２−フルオロベンゾニトリル誘導体 - Google Patents
２−フルオロベンゾニトリル誘導体Info
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- GDHXJNRAJRCGMX-UHFFFAOYSA-N 2-fluorobenzonitrile Chemical class FC1=CC=CC=C1C#N GDHXJNRAJRCGMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 63
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 49
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 22
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims abstract description 19
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 9
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- -1 3,5-difluoro-4-cyanophenyl Chemical group 0.000 abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- JHLKSIOJYMGSMB-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3,5-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC(F)=CC(Br)=C1 JHLKSIOJYMGSMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- QDFKKJYEIFBEFC-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-fluorobenzene Chemical group FC1=CC=CC(Br)=C1 QDFKKJYEIFBEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 abstract description 3
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 abstract description 3
- VKRKCBWIVLSRBJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxaspiro[4.5]decan-8-one Chemical compound C1CC(=O)CCC21OCCO2 VKRKCBWIVLSRBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 117
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 76
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 description 52
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 47
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 34
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 30
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 27
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 26
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 13
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 13
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- CTSLXHKWHWQRSH-UHFFFAOYSA-N oxalyl chloride Chemical compound ClC(=O)C(Cl)=O CTSLXHKWHWQRSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 9
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 9
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 8
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical class C1(=CCCCC1)* 0.000 description 8
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 8
- GTFUFWJLWLKTMQ-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-(4-formylcyclohexyl)benzonitrile Chemical compound C1=C(C#N)C(F)=CC(C2CCC(CC2)C=O)=C1 GTFUFWJLWLKTMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 150000002924 oxiranes Chemical class 0.000 description 7
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 6
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical class CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 3-chloroperbenzoic acid Chemical compound OOC(=O)C1=CC=CC(Cl)=C1 NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OCXGTPDKNBIOTF-UHFFFAOYSA-N dibromo(triphenyl)-$l^{5}-phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(Br)(C=1C=CC=CC=1)(Br)C1=CC=CC=C1 OCXGTPDKNBIOTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JQDFAHSQSOKVEO-UHFFFAOYSA-N 2,6-difluoro-4-(4-formylcyclohexyl)benzonitrile Chemical compound FC1=C(C#N)C(F)=CC(C2CCC(CC2)C=O)=C1 JQDFAHSQSOKVEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GBYZVKIAPCSUIW-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-(4-oxocyclohexyl)benzonitrile Chemical compound C1=C(C#N)C(F)=CC(C2CCC(=O)CC2)=C1 GBYZVKIAPCSUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- CYSFOTCXPDIFGX-ZQPLVJBSSA-N C(C)[C@@H]1CC[C@H](CC1)/C=C/[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC(=C(C#N)C=C1)F Chemical compound C(C)[C@@H]1CC[C@H](CC1)/C=C/[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC(=C(C#N)C=C1)F CYSFOTCXPDIFGX-ZQPLVJBSSA-N 0.000 description 3
- ULGZDMOVFRHVEP-RWJQBGPGSA-N Erythromycin Chemical compound O([C@@H]1[C@@H](C)C(=O)O[C@@H]([C@@]([C@H](O)[C@@H](C)C(=O)[C@H](C)C[C@@](C)(O)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@H](C[C@@H](C)O2)N(C)C)O)[C@H]1C)(C)O)CC)[C@H]1C[C@@](C)(OC)[C@@H](O)[C@H](C)O1 ULGZDMOVFRHVEP-RWJQBGPGSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000009903 catalytic hydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 3
- 125000000950 dibromo group Chemical group Br* 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 3
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 3
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 3
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical group 0.000 description 3
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FGXQQTSLFAVOCN-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxaspiro[4.5]decan-6-one Chemical compound O=C1CCCCC11OCCO1 FGXQQTSLFAVOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FNUWTRXUMODLEK-UHFFFAOYSA-N 1-(bromomethyl)-4-propylcyclohexane Chemical compound CCCC1CCC(CBr)CC1 FNUWTRXUMODLEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XITHBCOVUXDSNP-UHFFFAOYSA-N 2,6-difluoro-4-(4-oxocyclohexyl)benzonitrile Chemical compound FC1=C(C#N)C(F)=CC(C2CCC(=O)CC2)=C1 XITHBCOVUXDSNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWUAWQPCHKUUCI-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexylethenylcyclohexane Chemical group C1CCCCC1C=CC1CCCCC1 IWUAWQPCHKUUCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LHELOYUWBUCWBE-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-difluorophenyl)cyclohexan-1-one Chemical compound FC1=CC(F)=CC(C2CCC(=O)CC2)=C1 LHELOYUWBUCWBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIAPPURFKRACQO-UHFFFAOYSA-N 4-(3-fluorophenyl)cyclohexan-1-one Chemical compound FC1=CC=CC(C2CCC(=O)CC2)=C1 LIAPPURFKRACQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FNUWTRXUMODLEK-MGCOHNPYSA-N CCC[C@H]1CC[C@H](CBr)CC1 Chemical compound CCC[C@H]1CC[C@H](CBr)CC1 FNUWTRXUMODLEK-MGCOHNPYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- CSKNSYBAZOQPLR-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonyl chloride Chemical compound ClS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 CSKNSYBAZOQPLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 2
- 125000002243 cyclohexanonyl group Chemical class *C1(*)C(=O)C(*)(*)C(*)(*)C(*)(*)C1(*)* 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 2
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- SJFNDMHZXCUXSA-UHFFFAOYSA-M methoxymethyl(triphenyl)phosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(COC)C1=CC=CC=C1 SJFNDMHZXCUXSA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTTAKDFRWSHWKT-UHFFFAOYSA-N 1-(bromomethyl)-4-ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCC(CBr)CC1 GTTAKDFRWSHWKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNBRIFIJRKJGEI-UHFFFAOYSA-N 2,6-difluorobenzonitrile Chemical compound FC1=CC=CC(F)=C1C#N BNBRIFIJRKJGEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRCVOCMSJCGQNR-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4,6-difluorobenzonitrile Chemical class FC1=CC(F)=C(C#N)C(Cl)=C1 BRCVOCMSJCGQNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSGMZTNTQKRAFA-UHFFFAOYSA-N 4-(4-heptylcyclohexyl)benzonitrile Chemical compound C1CC(CCCCCCC)CCC1C1=CC=C(C#N)C=C1 NSGMZTNTQKRAFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FURZYCFZFBYJBT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-pentylcyclohexyl)benzonitrile Chemical compound C1CC(CCCCC)CCC1C1=CC=C(C#N)C=C1 FURZYCFZFBYJBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXUSEPRYHRDKFV-UHFFFAOYSA-N 4-(4-propylcyclohexyl)benzonitrile Chemical compound C1CC(CCC)CCC1C1=CC=C(C#N)C=C1 XXUSEPRYHRDKFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAQAFKKAPYLWJM-VWIDKQNDSA-N C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)/C=C/[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC(=C(C#N)C(=C1)F)F Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)/C=C/[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC(=C(C#N)C(=C1)F)F NAQAFKKAPYLWJM-VWIDKQNDSA-N 0.000 description 1
- ZFPBDDVJAPUCQO-CPJRXUKVSA-N C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)/C=C/[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC(=C(C#N)C=C1)F Chemical compound C(CC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)/C=C/[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC(=C(C#N)C=C1)F ZFPBDDVJAPUCQO-CPJRXUKVSA-N 0.000 description 1
- UFSGAFKRHIRKIH-KQBXAXKWSA-N C(CCCC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)/C=C/[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC(=C(C#N)C=C1)F Chemical compound C(CCCC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)/C=C/[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC(=C(C#N)C=C1)F UFSGAFKRHIRKIH-KQBXAXKWSA-N 0.000 description 1
- KHHIUXUOHXVCFJ-QPNMKSQVSA-N C(CCCCCCCCC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)/C=C/[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC(=C(C#N)C=C1)F Chemical compound C(CCCCCCCCC)[C@@H]1CC[C@H](CC1)/C=C/[C@@H]1CC[C@H](CC1)C1=CC(=C(C#N)C=C1)F KHHIUXUOHXVCFJ-QPNMKSQVSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 description 1
- 150000004753 Schiff bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 230000010933 acylation Effects 0.000 description 1
- 238000005917 acylation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 1
- 150000008359 benzonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000012230 colorless oil Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound C1CCCCC1C1=CC=CC=C1 IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- XQNUHMQSOMLVGM-UHFFFAOYSA-M magnesium;1,3-difluorobenzene-5-ide;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].FC1=C[C-]=CC(F)=C1 XQNUHMQSOMLVGM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DTKMKZYEOXZPQZ-UHFFFAOYSA-M magnesium;fluorobenzene;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].FC1=CC=C[C-]=C1 DTKMKZYEOXZPQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- RKGIBJNSINGUDT-UHFFFAOYSA-N methoxymethylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].COC[PH3+] RKGIBJNSINGUDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M potassium bisulfate Chemical compound [K+].OS([O-])(=O)=O CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000343 potassium bisulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
- C07C255/49—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
- C07C255/50—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton to carbon atoms of non-condensed six-membered aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
- C09K19/3048—Cyclohexane rings in which at least two rings are linked by a carbon chain containing carbon to carbon double bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/14—The ring being saturated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】
【構成】
（式中Ｒは水素または炭素数１〜１０の直鎖または分岐
アルキル基を示し、Ｘは水素またはフッ素原子、ビニル
基はトランス配置である）で表されるベンゾニトリル誘
導体、並びにそれを含有する液晶組成物。 【効果】 これらの化合物は比較的低粘性でありながら
高い誘電率異方性値を有し、液晶表示素子を低電圧で駆
動出来る。室温付近から二百度付近までの広い温度範囲
で液晶相を示すほか、他の多くの液晶性化合物、すなわ
ちエステル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニル
シクロヘキサン系、複素環系、フッソ系等の液晶化合物
との相溶性が良く、特に低温における相溶性が良好であ
るところから改良された液晶材料を提供出来る。また、
これらの化合物を液晶組成物の成分として加えることに
より、粘度を上昇させずに液晶組成物の使用温度範囲を
著しく拡大することができる。
アルキル基を示し、Ｘは水素またはフッ素原子、ビニル
基はトランス配置である）で表されるベンゾニトリル誘
導体、並びにそれを含有する液晶組成物。 【効果】 これらの化合物は比較的低粘性でありながら
高い誘電率異方性値を有し、液晶表示素子を低電圧で駆
動出来る。室温付近から二百度付近までの広い温度範囲
で液晶相を示すほか、他の多くの液晶性化合物、すなわ
ちエステル系、シッフ塩基系、ビフェニル系、フェニル
シクロヘキサン系、複素環系、フッソ系等の液晶化合物
との相溶性が良く、特に低温における相溶性が良好であ
るところから改良された液晶材料を提供出来る。また、
これらの化合物を液晶組成物の成分として加えることに
より、粘度を上昇させずに液晶組成物の使用温度範囲を
著しく拡大することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は２ーフルオロベンゾニト
リル誘導体に関し、さらに詳しくは４ー［トランスー４
ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ーアルキルシクロヘキ
シル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフルオロベンゾ
ニトリル誘導体および該化合物を有効成分として含有す
る液晶組成物に関する。
リル誘導体に関し、さらに詳しくは４ー［トランスー４
ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ーアルキルシクロヘキ
シル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフルオロベンゾ
ニトリル誘導体および該化合物を有効成分として含有す
る液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は液晶物質がもつ光学異方
性および誘電率異方性を利用したものであるが、その表
示方法としてはＴＮ型（ねじれネマチック型）、スーパ
ーツイストネマチック型 （ＳＴＮ型）、動的散乱型
（ＤＳ型）、ゲスト・ホスト型（Ｇ−Ｈ型）、ＤＡＰ型
等が知られている。また、これらの駆動方式にはスタテ
ィック駆動方式、時分割駆動方式、アクティブマトリッ
クス駆動方式、２周波駆動方式などが用いられている。
これら種々の液晶表示素子に用いられる液晶物質の性質
は種々異なるが、いずれの液晶物質も水分、空気、熱、
光等に安定であることは共通しており、また、室温を中
心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、粘性
が小さく、表示素子中においては、速い応答速度、高コ
ントラスト、さらに駆動電圧が低いことが要求される。
また、表示素子の種類によっては適切な誘電率異方性
（△ε）を有するようにしなければならない。しかし、
これらの特性を単一成分で満足する液晶化合物は現在の
ところ知られておらず、数種の液晶化合物や非液晶化合
物を混合して得られる液晶組成物を使用しているのが現
状である。
性および誘電率異方性を利用したものであるが、その表
示方法としてはＴＮ型（ねじれネマチック型）、スーパ
ーツイストネマチック型 （ＳＴＮ型）、動的散乱型
（ＤＳ型）、ゲスト・ホスト型（Ｇ−Ｈ型）、ＤＡＰ型
等が知られている。また、これらの駆動方式にはスタテ
ィック駆動方式、時分割駆動方式、アクティブマトリッ
クス駆動方式、２周波駆動方式などが用いられている。
これら種々の液晶表示素子に用いられる液晶物質の性質
は種々異なるが、いずれの液晶物質も水分、空気、熱、
光等に安定であることは共通しており、また、室温を中
心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、粘性
が小さく、表示素子中においては、速い応答速度、高コ
ントラスト、さらに駆動電圧が低いことが要求される。
また、表示素子の種類によっては適切な誘電率異方性
（△ε）を有するようにしなければならない。しかし、
これらの特性を単一成分で満足する液晶化合物は現在の
ところ知られておらず、数種の液晶化合物や非液晶化合
物を混合して得られる液晶組成物を使用しているのが現
状である。
【０００３】ところで本発明の類似化合物として下記の
化合物が開示されている。
化合物が開示されている。
【０００４】
【化２】
【０００５】（式中、Ｒは炭素数１〜８のアルキル基、
Ｘは水素またはフッ素原子を表わす）化合物（イ）に関
しては特開昭６１ー２１５３３６において実施例が全く
無いが、発明者らの検討では、誘電率異方性の割には粘
度が高く、他の液晶性化合物との相溶性が悪いという欠
点を有する。また化合物（ロ）に関しても誘電率異方性
値△εが小さいほか、液晶相を示す温度範囲が狭いとい
う欠点を有する。
Ｘは水素またはフッ素原子を表わす）化合物（イ）に関
しては特開昭６１ー２１５３３６において実施例が全く
無いが、発明者らの検討では、誘電率異方性の割には粘
度が高く、他の液晶性化合物との相溶性が悪いという欠
点を有する。また化合物（ロ）に関しても誘電率異方性
値△εが小さいほか、液晶相を示す温度範囲が狭いとい
う欠点を有する。
【０００６】そこで本発明者らはアルキルジシクロヘキ
シルエチレンの部分構造に２ーフルオロベンゾニトリル
誘導体の導入を検討した結果、低粘性で著しく広い温度
範囲でネマチック相を示し、高い誘電率異方性値を有
し、かつ他の液晶性化合物との低温における相溶性が良
好な請求項に掲げる新規液晶性物質を発明するに至った
シルエチレンの部分構造に２ーフルオロベンゾニトリル
誘導体の導入を検討した結果、低粘性で著しく広い温度
範囲でネマチック相を示し、高い誘電率異方性値を有
し、かつ他の液晶性化合物との低温における相溶性が良
好な請求項に掲げる新規液晶性物質を発明するに至った
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、誘電
率の異方性が大きく、広い温度範囲で液晶相を示し、か
つ他の既知の液晶化合物との低温における相溶性が良好
な新規な液晶化合物およびこれを含有する液晶組成物を
提供することにある。
率の異方性が大きく、広い温度範囲で液晶相を示し、か
つ他の既知の液晶化合物との低温における相溶性が良好
な新規な液晶化合物およびこれを含有する液晶組成物を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式
【０００９】
【化３】
【００１０】（式中Ｒは水素または炭素数１〜１０の直
鎖または分岐アルキル基を示し、Ｘは水素またはフッ素
原子、ビニル基はトランス配置である）で表される２ー
フルオロベンゾニトリル誘導体および該化合物を有効成
分として含有する液晶組成物である。本発明により提供
される液晶組成物は、（Ｉ）式で表される化合物を少な
くとも一つ含む成分（Ａ）と、好ましくは△ε≧５であ
る高誘電率異方性の化合物を一つ以上含む成分（Ｂ）、
｜△ε｜＜５である低誘電率異方性の化合物を一つ以上
含む成分（Ｃ）、８０℃を越える透明点を有する化合物
を一つ以上含む成分（Ｄ）、およびその他の成分（Ｅ）
から選ばれた１種以上の成分からなる液晶誘電体であ
る。
鎖または分岐アルキル基を示し、Ｘは水素またはフッ素
原子、ビニル基はトランス配置である）で表される２ー
フルオロベンゾニトリル誘導体および該化合物を有効成
分として含有する液晶組成物である。本発明により提供
される液晶組成物は、（Ｉ）式で表される化合物を少な
くとも一つ含む成分（Ａ）と、好ましくは△ε≧５であ
る高誘電率異方性の化合物を一つ以上含む成分（Ｂ）、
｜△ε｜＜５である低誘電率異方性の化合物を一つ以上
含む成分（Ｃ）、８０℃を越える透明点を有する化合物
を一つ以上含む成分（Ｄ）、およびその他の成分（Ｅ）
から選ばれた１種以上の成分からなる液晶誘電体であ
る。
【００１１】本発明の液晶組成物の成分（Ｂ）として特
に好ましい化合物を以下に示す。
に好ましい化合物を以下に示す。
【００１２】
【化４】
【００１３】
【化５】
【００１４】ここで、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基
またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣合わな
い２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えられても
よい。成分（Ｃ）として特に好ましい化合物を以下に示
す。
またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣合わな
い２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えられても
よい。成分（Ｃ）として特に好ましい化合物を以下に示
す。
【００１５】
【化６】
【００１６】
【化７】
【００１７】
【化８】
【００１８】ここで、Ｒ、Ｒ′は炭素数１〜１０のアル
キル基またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣
合わない２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えら
れてもよい。成分（Ｄ）として特に好ましい化合物を以
下に示す。
キル基またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣
合わない２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えら
れてもよい。成分（Ｄ）として特に好ましい化合物を以
下に示す。
【００１９】
【化９】
【００２０】
【化１０】
【００２１】
【化１１】
【００２２】
【化１２】
【００２３】
【化１３】
【００２４】
【化１４】
【００２５】
【化１５】
【００２６】
【化１６】
【００２７】
【化１７】
【００２８】
【化１８】
【００２９】ここで、Ｒ、Ｒ′は炭素数１〜１０のアル
キル基またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣
合わない２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えら
れてもよい。成分（Ｅ）として特に好ましい化合物を以
下に示す。
キル基またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣
合わない２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えら
れてもよい。成分（Ｅ）として特に好ましい化合物を以
下に示す。
【００３０】
【化１９】
【００３１】
【化２０】
【００３２】ここで、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基
またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣合わな
い２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えられても
よい。本発明の化合物（Ｉ）の好ましい態様は、次の一
般式群により表される化合物である。
またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣合わな
い２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えられても
よい。本発明の化合物（Ｉ）の好ましい態様は、次の一
般式群により表される化合物である。
【００３３】
【化２１】
【００３４】（式中Ｒは水素または炭素数１〜１０の直
鎖または分岐アルキル基を示し、ビニル基はトランス配
置である）分子内のジシクロヘキシルエチレンの部分構
造はネマチック相の温度範囲を拡大する効果があること
は知られているが、２ーフルオロベンゾニトリル誘導体
と組合わされた場合、その効果が著しく向上し、化合物
（Ｉーａ）、（Ｉーｂ）とも室温付近から二百度付近ま
での幅広い温度範囲でネマチック液晶相を示すことが判
明した。また、両化合物とも３環系化合物としては比較
的低粘性でありながら正の大きな誘電率異方性値（△
ε）を有し、特に化合物（Ｉーｂ）においては著しく大
きな誘電率異方性値（△ε）を有することから液晶表示
素子を低電圧で駆動させることができ、液晶表示素子の
材料として最適であることが判った。
鎖または分岐アルキル基を示し、ビニル基はトランス配
置である）分子内のジシクロヘキシルエチレンの部分構
造はネマチック相の温度範囲を拡大する効果があること
は知られているが、２ーフルオロベンゾニトリル誘導体
と組合わされた場合、その効果が著しく向上し、化合物
（Ｉーａ）、（Ｉーｂ）とも室温付近から二百度付近ま
での幅広い温度範囲でネマチック液晶相を示すことが判
明した。また、両化合物とも３環系化合物としては比較
的低粘性でありながら正の大きな誘電率異方性値（△
ε）を有し、特に化合物（Ｉーｂ）においては著しく大
きな誘電率異方性値（△ε）を有することから液晶表示
素子を低電圧で駆動させることができ、液晶表示素子の
材料として最適であることが判った。
【００３５】本発明の化合物は、電気的に安定であり、
かつ、熱、空気、光等にも安定な化合物で、広い温度範
囲で液晶相を示し、高い誘電率異方性値を有する。 さ
らに本発明の化合物はその他の液晶性化合物との相溶性
も良好で、特に低温における相溶性が良好な化合物であ
り改良された特性を有する液晶材料を提供することがで
きる。 〔化合物の製法〕次に、本発明の化合物の製造法を示
す。製造方法は製造原料である１ーホルミルー４ー（３
ーフルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサンの製
造と、これを用いた各化合物の製造とに分けられる。
かつ、熱、空気、光等にも安定な化合物で、広い温度範
囲で液晶相を示し、高い誘電率異方性値を有する。 さ
らに本発明の化合物はその他の液晶性化合物との相溶性
も良好で、特に低温における相溶性が良好な化合物であ
り改良された特性を有する液晶材料を提供することがで
きる。 〔化合物の製法〕次に、本発明の化合物の製造法を示
す。製造方法は製造原料である１ーホルミルー４ー（３
ーフルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサンの製
造と、これを用いた各化合物の製造とに分けられる。
【００３６】製造原料である１ーホルミルー４ー（３ー
フルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサンの製造
は３ーフルオロブロモベンゼン（１）より調製したGrig
nard試薬に１、４ーシクロヘキサンジオンモノエチレン
ケタールを反応させアルコール体（２）としたのち、酸
触媒（例えばｐ−トルエンスルホン酸、硫酸水素カリウ
ム、塩酸、硫酸、イオン交換樹脂等）にて脱水してシク
ロヘキセン誘導体（３）に誘導する。次にこれをＰｄ、
ＮｉあるいはＰｔ系等の触媒下、接触水素添加反応を行
い、さらに酸性水溶液（例えば酢酸、塩酸、ぎ酸等）で
脱保護し、シクロヘキサノン誘導体（５）を得る。次
に、化合物（５）に塩化アルミニウム存在下オキサリル
クロリドを作用させアシル化を行い、酸クロリド誘導体
（６）としたのち、アンモニア水を作用させアミド体
（７）とし、さらにこれにピリジン中、塩化ベンゼンス
ルホニルを作用させ４ー（３ーフルオロー４ーシアノフ
ェニル）シクロヘキサノン（８）を得る。得られたシク
ロヘキサノン誘導体にメトキシメチルホスホニウムクロ
リドを塩基（例えばｎ−ブチルリチウム、カリウムーｔ
−ブトキシド等）で処理して得られたイリドを反応さ
せ、さらに酸性水溶液中で処理することによって目的の
１ーホルミルー４ー（３ーフルオロー４ーシアノフェニ
ル）シクロヘキサンを得ることができる。１ーホルミル
ー４ー（３、５ージフルオロー４ーシアノフェニル）シ
クロヘキサンに関しても３、５ージフルオロブロモベン
ゼンを原料に上記同様の操作で製造できる。
フルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサンの製造
は３ーフルオロブロモベンゼン（１）より調製したGrig
nard試薬に１、４ーシクロヘキサンジオンモノエチレン
ケタールを反応させアルコール体（２）としたのち、酸
触媒（例えばｐ−トルエンスルホン酸、硫酸水素カリウ
ム、塩酸、硫酸、イオン交換樹脂等）にて脱水してシク
ロヘキセン誘導体（３）に誘導する。次にこれをＰｄ、
ＮｉあるいはＰｔ系等の触媒下、接触水素添加反応を行
い、さらに酸性水溶液（例えば酢酸、塩酸、ぎ酸等）で
脱保護し、シクロヘキサノン誘導体（５）を得る。次
に、化合物（５）に塩化アルミニウム存在下オキサリル
クロリドを作用させアシル化を行い、酸クロリド誘導体
（６）としたのち、アンモニア水を作用させアミド体
（７）とし、さらにこれにピリジン中、塩化ベンゼンス
ルホニルを作用させ４ー（３ーフルオロー４ーシアノフ
ェニル）シクロヘキサノン（８）を得る。得られたシク
ロヘキサノン誘導体にメトキシメチルホスホニウムクロ
リドを塩基（例えばｎ−ブチルリチウム、カリウムーｔ
−ブトキシド等）で処理して得られたイリドを反応さ
せ、さらに酸性水溶液中で処理することによって目的の
１ーホルミルー４ー（３ーフルオロー４ーシアノフェニ
ル）シクロヘキサンを得ることができる。１ーホルミル
ー４ー（３、５ージフルオロー４ーシアノフェニル）シ
クロヘキサンに関しても３、５ージフルオロブロモベン
ゼンを原料に上記同様の操作で製造できる。
【００３７】このようにして得た１ーホルミルー４ー
（３ーフルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサン
を用いて目的とする４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２
ー（トランスー４ーアルキルシクロヘキシル）ビニル〕
シクロヘキシル］ー２ーフルオロベンゾニトリル誘導体
を以下の製造方法にて製造することができる。すなわ
ち、アルキルシクロヘキシルメチルブロミドとトリフェ
ニルホスフィンから誘導した４級塩（９）に塩基（例え
ばｎ−ブチルリチウム、カリウムーｔ−ブトキシド等）
を作用させてイリドを発生させたのち、これにアルデヒ
ド誘導体（８）を反応させジシクロヘキシルエチレン誘
導体（１０）とする。（１０）はＥ体とＺ体との混合物
であり、その比はおよそＺ／Ｅ＝９５／５である。この
Ｚ体をＥ体へ変換して本発明化合物（Ｉ−ａ）を得る。
すなわちＺ、Ｅ混合物をジクロロメタン中ｍ−クロロ過
安息香酸等の過酸化物で酸化し、オキシラン誘導体（１
１）とし、次にジブロモトリフェニルホスホランで臭素
化して、ジブロモ体（１２）とする。このものはエリス
ロ、スレオの両混合物であることから適切な溶媒から、
再結晶させエリスロ体のみを分離したのち、亜鉛粉末に
て還元することによって本発明化合物４ー［トランスー
４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ーアルキルシクロヘ
キシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフルオロベン
ゾニトリル誘導体が得られる。また、本発明化合物４ー
［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ーアル
キルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２、
６ージフルオロベンゾニトリル誘導体についても１ーホ
ルミルー４ー（３、５ージフルオロー４ーシアノフェニ
ル）シクロヘキサンを原料に同様の製造方法にて製造で
きる。
（３ーフルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサン
を用いて目的とする４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２
ー（トランスー４ーアルキルシクロヘキシル）ビニル〕
シクロヘキシル］ー２ーフルオロベンゾニトリル誘導体
を以下の製造方法にて製造することができる。すなわ
ち、アルキルシクロヘキシルメチルブロミドとトリフェ
ニルホスフィンから誘導した４級塩（９）に塩基（例え
ばｎ−ブチルリチウム、カリウムーｔ−ブトキシド等）
を作用させてイリドを発生させたのち、これにアルデヒ
ド誘導体（８）を反応させジシクロヘキシルエチレン誘
導体（１０）とする。（１０）はＥ体とＺ体との混合物
であり、その比はおよそＺ／Ｅ＝９５／５である。この
Ｚ体をＥ体へ変換して本発明化合物（Ｉ−ａ）を得る。
すなわちＺ、Ｅ混合物をジクロロメタン中ｍ−クロロ過
安息香酸等の過酸化物で酸化し、オキシラン誘導体（１
１）とし、次にジブロモトリフェニルホスホランで臭素
化して、ジブロモ体（１２）とする。このものはエリス
ロ、スレオの両混合物であることから適切な溶媒から、
再結晶させエリスロ体のみを分離したのち、亜鉛粉末に
て還元することによって本発明化合物４ー［トランスー
４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ーアルキルシクロヘ
キシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフルオロベン
ゾニトリル誘導体が得られる。また、本発明化合物４ー
［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ーアル
キルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２、
６ージフルオロベンゾニトリル誘導体についても１ーホ
ルミルー４ー（３、５ージフルオロー４ーシアノフェニ
ル）シクロヘキサンを原料に同様の製造方法にて製造で
きる。
【００３８】
【化２２】
【００３９】
【化２３】
【００４０】（式中Ｒは水素または炭素数１〜１０の直
鎖または分岐アルキル基を示し、Ｘは水素またはフッ素
原子）
鎖または分岐アルキル基を示し、Ｘは水素またはフッ素
原子）
【００４１】
【本発明の作用、効果】本発明の化合物は比較的低粘性
でありながら高い誘電率異方性を示し、液晶表示素子を
低電圧で駆動することができる。また、USP5,055,220記
載の化合物（Ｂ）（Ｒ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7 、Ｘ＝Ｆ）のネマ
チック相ー等方性液体相転移点は39.0〜131.8℃である
のに比較し本発明化合物（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ-Ｃ
3 Ｈ7 、Ｘ＝Ｈのもの）のそれは48.0〜215.5 ℃と著し
く広い温度範囲で液晶相を示す。さらに本発明化合物は
他の多くの液晶性化合物、すなわちエステル系、シッフ
塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複
素環系、フッソ系等の液晶化合物との相溶性が良く、特
に低温における相溶性が良好であるところから改良され
た液晶材料を提供することが出来る。また、本発明の化
合物を液晶組成物の成分として加えることにより、粘度
を上昇させずに液晶組成物の使用温度範囲を著しく拡大
することができる。
でありながら高い誘電率異方性を示し、液晶表示素子を
低電圧で駆動することができる。また、USP5,055,220記
載の化合物（Ｂ）（Ｒ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7 、Ｘ＝Ｆ）のネマ
チック相ー等方性液体相転移点は39.0〜131.8℃である
のに比較し本発明化合物（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ-Ｃ
3 Ｈ7 、Ｘ＝Ｈのもの）のそれは48.0〜215.5 ℃と著し
く広い温度範囲で液晶相を示す。さらに本発明化合物は
他の多くの液晶性化合物、すなわちエステル系、シッフ
塩基系、ビフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、複
素環系、フッソ系等の液晶化合物との相溶性が良く、特
に低温における相溶性が良好であるところから改良され
た液晶材料を提供することが出来る。また、本発明の化
合物を液晶組成物の成分として加えることにより、粘度
を上昇させずに液晶組成物の使用温度範囲を著しく拡大
することができる。
【００４２】
１）温度計、かくはん機、冷却管および滴下ロートを備
えた三つ口フラスコに削り状マグネシウム20.5g（0.844
mol）およびテトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す）1
0mlを添加し、かくはんしながら、３ーフルオロブロモ
ベンゼン134.5g（0.77mol）のＴＨＦ溶液250mlを系内が
50℃を保つように１時間を要して滴下した。滴下終了後
さらに温浴中同温度で２時間熟成させ、３ーフルオロフ
ェニルマグネシウムブロミドを調製した。次に調製した
Grignard試薬の中にシクロヘキサンジオンモノエチレン
ケタール100g（0.64mol）のＴＨＦ溶液200mlを同様に反
応系内が50℃を保つように１時間を要して滴下し、さら
に温浴中同温度に保ちながら３時間かくはんし、熟成さ
せた。熟成終了後反応溶液中に飽和塩化アンモニウム水
溶液200mlを添加したのち、不溶物をセライトろ過後、
トルエン（1000ml）で抽出した。抽出層は水洗（1500m
l）後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下トル
エンを留去し、茶褐色結晶物165.1gを得た。これがアル
コール誘導体である。アルコール誘導体はそのまま次の
工程に使用した。
えた三つ口フラスコに削り状マグネシウム20.5g（0.844
mol）およびテトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す）1
0mlを添加し、かくはんしながら、３ーフルオロブロモ
ベンゼン134.5g（0.77mol）のＴＨＦ溶液250mlを系内が
50℃を保つように１時間を要して滴下した。滴下終了後
さらに温浴中同温度で２時間熟成させ、３ーフルオロフ
ェニルマグネシウムブロミドを調製した。次に調製した
Grignard試薬の中にシクロヘキサンジオンモノエチレン
ケタール100g（0.64mol）のＴＨＦ溶液200mlを同様に反
応系内が50℃を保つように１時間を要して滴下し、さら
に温浴中同温度に保ちながら３時間かくはんし、熟成さ
せた。熟成終了後反応溶液中に飽和塩化アンモニウム水
溶液200mlを添加したのち、不溶物をセライトろ過後、
トルエン（1000ml）で抽出した。抽出層は水洗（1500m
l）後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下トル
エンを留去し、茶褐色結晶物165.1gを得た。これがアル
コール誘導体である。アルコール誘導体はそのまま次の
工程に使用した。
【００４３】２）かくはん機、温度計およびディーン・
スタークの装置を備えた２Ｌの３つ口フラスコに１）の
操作で得たアルコール誘導体165.1gを900mlのトルエン
に溶解添加し、酸触媒としてイオン交換樹脂アンバーリ
スト8.3gを添加して、かくはんしながら１時間加熱還流
を行った。反応溶液は室温まで放冷したのち、触媒をろ
別後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、トルエンを減
圧下留去して黄褐色油状物を165.1g得た。これがシクロ
ヘキセン誘導体である。シクロヘキセン誘導体は減圧蒸
留で精製を行い、158〜163℃/3mmHgの留分を112.5g得
た。シクロヘキセン誘導体は次に接触水素添加を行っ
た。すなわち１Ｌのナスフラスコ中シクロヘキセン誘導
体112.5gをソルミックス500mlに溶解し、５％ーPd/C触
媒を10g添加して、室温下水素圧５〜１０Kg/cm2で５時
間接触水素添加を行った。反応終了後、触媒を分別した
のち溶媒を減圧下留去、濃縮して藍色油状物111.1gを得
た。得られた反応物はそのまま脱保護に使用した。１Ｌ
ナスフラスコ中還元精製物111.1gをトルエン150mlに溶
解し、98%-ぎ酸132.4g（2.82mol）を添加し加熱還流を
４時間行った。室温まで放冷したのち反応溶液を500ml
の氷冷水に注ぎ込み、トルエン（800ml）で抽出した。
抽出層は水洗（400ml）後、飽和炭酸ナトリウム水溶液
（300ml）、および水（900ml）で順次洗浄後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥させ茶褐色油状物102.3gを得た。反
応混合物は減圧蒸留を行い、145〜148℃/4mmHgの留分を
分取し、４ー（３ーフルオロフェニル）シクロヘキサノ
ン（無色油状物）82.1gを得た。
スタークの装置を備えた２Ｌの３つ口フラスコに１）の
操作で得たアルコール誘導体165.1gを900mlのトルエン
に溶解添加し、酸触媒としてイオン交換樹脂アンバーリ
スト8.3gを添加して、かくはんしながら１時間加熱還流
を行った。反応溶液は室温まで放冷したのち、触媒をろ
別後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、トルエンを減
圧下留去して黄褐色油状物を165.1g得た。これがシクロ
ヘキセン誘導体である。シクロヘキセン誘導体は減圧蒸
留で精製を行い、158〜163℃/3mmHgの留分を112.5g得
た。シクロヘキセン誘導体は次に接触水素添加を行っ
た。すなわち１Ｌのナスフラスコ中シクロヘキセン誘導
体112.5gをソルミックス500mlに溶解し、５％ーPd/C触
媒を10g添加して、室温下水素圧５〜１０Kg/cm2で５時
間接触水素添加を行った。反応終了後、触媒を分別した
のち溶媒を減圧下留去、濃縮して藍色油状物111.1gを得
た。得られた反応物はそのまま脱保護に使用した。１Ｌ
ナスフラスコ中還元精製物111.1gをトルエン150mlに溶
解し、98%-ぎ酸132.4g（2.82mol）を添加し加熱還流を
４時間行った。室温まで放冷したのち反応溶液を500ml
の氷冷水に注ぎ込み、トルエン（800ml）で抽出した。
抽出層は水洗（400ml）後、飽和炭酸ナトリウム水溶液
（300ml）、および水（900ml）で順次洗浄後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥させ茶褐色油状物102.3gを得た。反
応混合物は減圧蒸留を行い、145〜148℃/4mmHgの留分を
分取し、４ー（３ーフルオロフェニル）シクロヘキサノ
ン（無色油状物）82.1gを得た。
【００４４】３）かくはん機、温度計、冷却管、窒素導
入管および滴下ロートを備えた３つ口フラスコに塩化ア
ルミニウム106.8g（0.80mol）およびジクロロメタン600
mlを添加し、塩氷冷下-5℃まで冷却後、かくはんしなが
ら４ー（３ーフルオロフェニル）シクロヘキサノン51.3
g（0.27mol）を添加した。次に窒素雰囲気下オキサリル
クロリド94.8g（0.75mol）を-5〜-2℃を保ちながら２時
間を要して滴下した。滴下終了後反応温度を10℃まで上
昇させ、10℃を保ちながら４時間かくはんした。反応終
了後反応溶液は2000mlの氷水中に徐々に滴下し、未反応
のオキサリルクロリドを分解したのち、ジクロロメタン
層を分離し、さらに水層をジクロロメタン500mlで抽出
した。抽出層を混合後、水洗（1000ml）し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥させたのち、溶媒を減圧下留去して茶
褐色油状物62.9gを得た。酸クロリド誘導体はジオキサ
ン100mlに懸濁させ氷冷下０℃まで冷却後、25%-アンモ
ニア水100mlを10℃を越えないように20分を要して徐々
に滴下し、滴下終了後10℃にて２時間かくはんした。反
応溶液から析出したアミド体をろ別後、水洗（500ml）
し、減圧下乾燥させて、褐色結晶物39.1gを得た。
入管および滴下ロートを備えた３つ口フラスコに塩化ア
ルミニウム106.8g（0.80mol）およびジクロロメタン600
mlを添加し、塩氷冷下-5℃まで冷却後、かくはんしなが
ら４ー（３ーフルオロフェニル）シクロヘキサノン51.3
g（0.27mol）を添加した。次に窒素雰囲気下オキサリル
クロリド94.8g（0.75mol）を-5〜-2℃を保ちながら２時
間を要して滴下した。滴下終了後反応温度を10℃まで上
昇させ、10℃を保ちながら４時間かくはんした。反応終
了後反応溶液は2000mlの氷水中に徐々に滴下し、未反応
のオキサリルクロリドを分解したのち、ジクロロメタン
層を分離し、さらに水層をジクロロメタン500mlで抽出
した。抽出層を混合後、水洗（1000ml）し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥させたのち、溶媒を減圧下留去して茶
褐色油状物62.9gを得た。酸クロリド誘導体はジオキサ
ン100mlに懸濁させ氷冷下０℃まで冷却後、25%-アンモ
ニア水100mlを10℃を越えないように20分を要して徐々
に滴下し、滴下終了後10℃にて２時間かくはんした。反
応溶液から析出したアミド体をろ別後、水洗（500ml）
し、減圧下乾燥させて、褐色結晶物39.1gを得た。
【００４５】４）かくはん機、冷却管を備えた１Ｌナス
フラスコ中アミド体39.1gをピリジン200mlおよびトルエ
ン300mlに溶解し、塩化ベンゼンスルホニル43.9g（0.25
mol）を添加して２時加熱還流を行った。反応溶液は室
温まで冷却後、水300mlを添加したのちトルエン層を分
離後、水層をさらにトルエン400mlで抽出した。抽出層
を混合後、6N-塩酸水溶液200ml、水400ml、飽和炭酸ナ
トリウム水溶液300mlおよび水800mlで順次洗浄後、無水
硫酸マグシウムで乾燥し、トルエンを減圧下留去して黄
褐色結晶物を32.3g得た。反応混合物はトルエン／酢酸
エチル系混合溶媒を展開溶媒に用いたシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製し、４ー（３ーフルオロー４
ーシアノフェニル）シクロヘキサノン（淡黄色結晶物）
30.8gを得た。
フラスコ中アミド体39.1gをピリジン200mlおよびトルエ
ン300mlに溶解し、塩化ベンゼンスルホニル43.9g（0.25
mol）を添加して２時加熱還流を行った。反応溶液は室
温まで冷却後、水300mlを添加したのちトルエン層を分
離後、水層をさらにトルエン400mlで抽出した。抽出層
を混合後、6N-塩酸水溶液200ml、水400ml、飽和炭酸ナ
トリウム水溶液300mlおよび水800mlで順次洗浄後、無水
硫酸マグシウムで乾燥し、トルエンを減圧下留去して黄
褐色結晶物を32.3g得た。反応混合物はトルエン／酢酸
エチル系混合溶媒を展開溶媒に用いたシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製し、４ー（３ーフルオロー４
ーシアノフェニル）シクロヘキサノン（淡黄色結晶物）
30.8gを得た。
【００４６】
【化２４】
【００４７】５）かくはん機、温度計および窒素導入管
を備えた３つ口フラスコに窒素雰囲気下メトキシメチル
トリフェニルホスフィンクロリド61.9g（0.18mol）をＴ
ＨＦ250mlに懸濁させ、かくはんしながら氷冷下、０℃
まで冷却したのち、カリウム-t-ブトキシド21.5g（0.19
mol）を添加し、徐々に室温（20℃）まで昇温しながら
３時間かくはんした。再度氷冷下０℃まで冷却したの
ち、４ー（３ーフルオロー４ーシアノフェニル）シクロ
ヘキサノン24.5g（0.11mol）のＴＨＦ溶液50mlを０℃を
保つように20分を要して滴下し、徐々に室温まで昇温し
ながら20時間かくはんした。水300mlを添加し反応を終
了後、反応溶液はＴＨＦ層を分離後、水層をさらに酢酸
エチル（300ml）で抽出した。抽出層を混合後、水洗（9
00ml）し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒
を留去して反応混合物を得た。反応混合物はトルエンを
展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにて精製し、無色油状物22.3gを得た。反応物は窒
素雰囲気下ＴＨＦ600mlに溶解し、2N-塩酸水溶液165ml
を添加して室温下20時間かくはんした。反応溶液は酢酸
エチル500mlで抽出し、抽出層を水（300ml）、飽和炭酸
ナトリウム水溶液（300ml）および水（900ml）で順次洗
浄したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下
溶媒を留去して目的物１ーホルミルー４ー（３ーフルオ
ロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサン（無色油状
物）を17.3g得た。
を備えた３つ口フラスコに窒素雰囲気下メトキシメチル
トリフェニルホスフィンクロリド61.9g（0.18mol）をＴ
ＨＦ250mlに懸濁させ、かくはんしながら氷冷下、０℃
まで冷却したのち、カリウム-t-ブトキシド21.5g（0.19
mol）を添加し、徐々に室温（20℃）まで昇温しながら
３時間かくはんした。再度氷冷下０℃まで冷却したの
ち、４ー（３ーフルオロー４ーシアノフェニル）シクロ
ヘキサノン24.5g（0.11mol）のＴＨＦ溶液50mlを０℃を
保つように20分を要して滴下し、徐々に室温まで昇温し
ながら20時間かくはんした。水300mlを添加し反応を終
了後、反応溶液はＴＨＦ層を分離後、水層をさらに酢酸
エチル（300ml）で抽出した。抽出層を混合後、水洗（9
00ml）し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒
を留去して反応混合物を得た。反応混合物はトルエンを
展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにて精製し、無色油状物22.3gを得た。反応物は窒
素雰囲気下ＴＨＦ600mlに溶解し、2N-塩酸水溶液165ml
を添加して室温下20時間かくはんした。反応溶液は酢酸
エチル500mlで抽出し、抽出層を水（300ml）、飽和炭酸
ナトリウム水溶液（300ml）および水（900ml）で順次洗
浄したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下
溶媒を留去して目的物１ーホルミルー４ー（３ーフルオ
ロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサン（無色油状
物）を17.3g得た。
【００４８】
【化２５】
【００４９】実施例２ 〔１ーホルミルー４ー（３、５ージフルオロー４ーシア
ノフェニル）シクロヘキサンの製造〕 １）温度計、かくはん機、冷却管および滴下ロートを備
えた三つ口フラスコに削り状マグネシウム13.9g（0.57m
ol）およびテトラヒドロフラン10mlを添加し、かくはん
しながら、３、５ージフルオロブロモベンゼン100.0g
（0.52mol）のＴＨＦ溶液150mlを系内が50℃保つように
１時間を要して滴下した。滴下終了後さらに温浴中同温
度で２時間熟成させ、３、５ージフルオロフェニルマグ
ネシウムブロミドを調製した。次に調製したGrignard試
薬の中にシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール6
2.3g（0.40mol）のＴＨＦ溶液100mlを同様に反応系内が
50℃を保つように１時間を要して滴下し、さらに温浴中
同温度に保ちながら３時間かくはんし、熟成させた。熟
成終了後反応溶液中に飽和塩化アンモニウム水溶液200m
lを添加したのち、不溶物をろ別後、トルエン（1000m
l）で抽出した。抽出層は水洗（1500ml）後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥させ、減圧下トルエンを留去して茶
褐色結晶物110.8gを得た。これがアルコール誘導体であ
る。アルコール誘導体はそのまま次の工程に使用した。
ノフェニル）シクロヘキサンの製造〕 １）温度計、かくはん機、冷却管および滴下ロートを備
えた三つ口フラスコに削り状マグネシウム13.9g（0.57m
ol）およびテトラヒドロフラン10mlを添加し、かくはん
しながら、３、５ージフルオロブロモベンゼン100.0g
（0.52mol）のＴＨＦ溶液150mlを系内が50℃保つように
１時間を要して滴下した。滴下終了後さらに温浴中同温
度で２時間熟成させ、３、５ージフルオロフェニルマグ
ネシウムブロミドを調製した。次に調製したGrignard試
薬の中にシクロヘキサンジオンモノエチレンケタール6
2.3g（0.40mol）のＴＨＦ溶液100mlを同様に反応系内が
50℃を保つように１時間を要して滴下し、さらに温浴中
同温度に保ちながら３時間かくはんし、熟成させた。熟
成終了後反応溶液中に飽和塩化アンモニウム水溶液200m
lを添加したのち、不溶物をろ別後、トルエン（1000m
l）で抽出した。抽出層は水洗（1500ml）後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥させ、減圧下トルエンを留去して茶
褐色結晶物110.8gを得た。これがアルコール誘導体であ
る。アルコール誘導体はそのまま次の工程に使用した。
【００５０】２）かくはん機、温度計およびディーン・
スタークの装置を備えた２Ｌの３つ口フラスコに１）の
操作で得たアルコール誘導体110.8gを600mlのトルエン
に溶解添加し、酸触媒としてイオン交換樹脂アンバーリ
スト5.5gを添加して、かくはんしながら１時間加熱還流
を行った。反応溶液は室温まで放冷したのち、触媒をろ
別後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、トルエンを減
圧下留去してシクロヘキセン誘導体（黄褐色油状物）を
105.1g得た。このものは減圧蒸留で精製を行い、111.0
〜129.0℃/1.5mmHgの留分を76.4g得た。シクヘキセン誘
導体は次に接触水素添加を行った。すなわち１Ｌのナス
フラスコ中シクロヘキセン誘導体76.4gをソルミックス5
00mlに溶解し、５％ーPd/C触媒を7.0g添加して、室温水
素圧５〜１０Kg/cm2で５時間接触水素添加を行った。反
応終了後、触媒をろ別したのち溶媒を減圧下留去して藍
色油状物76.6gを得た。得られた反応物はそのまま脱保
護に使用した。１Ｌナスフラスコ中還元精製物76.6gを
トルエン100mlに溶解し、98%-ぎ酸94.0g(2.04mol）を添
加し４時間加熱還流を行った。室温まで放冷したのち反
応溶液を500mlの氷水に注ぎ込み、トルエン（800ml）で
抽出した。抽出層は水洗（400ml）後、飽和炭酸ナリウ
ム水溶液（300ml）、および水（900ml）で順次洗浄後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥させ茶褐色結晶物69.8gを
得た。このものはヘプタン／酢酸エチル混合溶媒から再
結晶して４ー（３、５ージフルオロフェニル）シクロヘ
キサノン（無色結晶物）53.3gを得た。
スタークの装置を備えた２Ｌの３つ口フラスコに１）の
操作で得たアルコール誘導体110.8gを600mlのトルエン
に溶解添加し、酸触媒としてイオン交換樹脂アンバーリ
スト5.5gを添加して、かくはんしながら１時間加熱還流
を行った。反応溶液は室温まで放冷したのち、触媒をろ
別後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、トルエンを減
圧下留去してシクロヘキセン誘導体（黄褐色油状物）を
105.1g得た。このものは減圧蒸留で精製を行い、111.0
〜129.0℃/1.5mmHgの留分を76.4g得た。シクヘキセン誘
導体は次に接触水素添加を行った。すなわち１Ｌのナス
フラスコ中シクロヘキセン誘導体76.4gをソルミックス5
00mlに溶解し、５％ーPd/C触媒を7.0g添加して、室温水
素圧５〜１０Kg/cm2で５時間接触水素添加を行った。反
応終了後、触媒をろ別したのち溶媒を減圧下留去して藍
色油状物76.6gを得た。得られた反応物はそのまま脱保
護に使用した。１Ｌナスフラスコ中還元精製物76.6gを
トルエン100mlに溶解し、98%-ぎ酸94.0g(2.04mol）を添
加し４時間加熱還流を行った。室温まで放冷したのち反
応溶液を500mlの氷水に注ぎ込み、トルエン（800ml）で
抽出した。抽出層は水洗（400ml）後、飽和炭酸ナリウ
ム水溶液（300ml）、および水（900ml）で順次洗浄後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥させ茶褐色結晶物69.8gを
得た。このものはヘプタン／酢酸エチル混合溶媒から再
結晶して４ー（３、５ージフルオロフェニル）シクロヘ
キサノン（無色結晶物）53.3gを得た。
【００５１】
【化２６】
【００５２】３）かくはん機、温度計、冷却管、窒素導
入管および滴下ロートを備えた３つ口フラスコに塩化ア
ルミニウム110.08g（0.83mol）およびジクロロメタン60
0mlを添加し、塩氷冷下-5℃まで冷却後、かくはんしな
がら４ー（３、５ージフルオロフェニル）シクロヘキサ
ノン53.3g（0.25mol）を添加したのち窒素雰囲気下オキ
サリルクロリド95.2g（0.75mol)-5〜-2℃を保ちながら
２時間を要して滴下した。滴下終了後反応温度を10℃ま
で上昇させ、10℃を保ちながら４時間かくはんした。反
応終了後反応溶液は2000mlの氷水中に徐々に滴下し、未
反応のオキサリルクロリドを分解したのち、ジクロロメ
タン層を分離し、さらに水層をジクロロメタン500mlで
抽出した。抽出層を混合後、水洗（1000ml）し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させたのち、溶媒を減圧下留去し
て酸クロリド誘導体（茶褐色油状物)67.2gを得た。酸ク
ロリド誘導体はそのままジオキサン100mlに懸濁させ氷
冷下０℃まで冷却後、25%-アンモニア水100mlを10℃を越
えないように20分を要して徐々に滴下し、滴下終了後10
℃にて２時間かくはんした。反応溶液から析出したアミ
ド体をろ別後、水洗（500ml）し、減圧下乾燥させて、褐
色結晶物60.1gを得た。
入管および滴下ロートを備えた３つ口フラスコに塩化ア
ルミニウム110.08g（0.83mol）およびジクロロメタン60
0mlを添加し、塩氷冷下-5℃まで冷却後、かくはんしな
がら４ー（３、５ージフルオロフェニル）シクロヘキサ
ノン53.3g（0.25mol）を添加したのち窒素雰囲気下オキ
サリルクロリド95.2g（0.75mol)-5〜-2℃を保ちながら
２時間を要して滴下した。滴下終了後反応温度を10℃ま
で上昇させ、10℃を保ちながら４時間かくはんした。反
応終了後反応溶液は2000mlの氷水中に徐々に滴下し、未
反応のオキサリルクロリドを分解したのち、ジクロロメ
タン層を分離し、さらに水層をジクロロメタン500mlで
抽出した。抽出層を混合後、水洗（1000ml）し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させたのち、溶媒を減圧下留去し
て酸クロリド誘導体（茶褐色油状物)67.2gを得た。酸ク
ロリド誘導体はそのままジオキサン100mlに懸濁させ氷
冷下０℃まで冷却後、25%-アンモニア水100mlを10℃を越
えないように20分を要して徐々に滴下し、滴下終了後10
℃にて２時間かくはんした。反応溶液から析出したアミ
ド体をろ別後、水洗（500ml）し、減圧下乾燥させて、褐
色結晶物60.1gを得た。
【００５３】４）かくはん機、冷却管を備えた１Ｌナス
フラスコ中アミド体60.1gをピリジン300mlおびトルエン
300mlに溶解し、塩化ベンゼンスルホニル62.9g（0.36mo
l）を添加して、加熱還流を２時間行った。反応溶液は
室温まで冷却後、水300mlを添加したのちトルエン層を
分離後、水層をさらにトルエン400mlで抽出した。抽出
層を混合後、6N-塩酸水溶液200ml、水400ml、飽和炭酸ナ
トリウム水溶液300mlおよび水800mlで順次洗浄後、無水
硫酸マグシウムで乾燥し、トルエンを減圧下留去して黄
褐色結晶物を40.3g得た。反応混合物はトルエン／酢酸
エチル系混合溶媒を展開溶媒に用いたシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製し、４ー（３、５ージフルオ
ロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサノン（淡黄色結
晶物）33.4gを得た。
フラスコ中アミド体60.1gをピリジン300mlおびトルエン
300mlに溶解し、塩化ベンゼンスルホニル62.9g（0.36mo
l）を添加して、加熱還流を２時間行った。反応溶液は
室温まで冷却後、水300mlを添加したのちトルエン層を
分離後、水層をさらにトルエン400mlで抽出した。抽出
層を混合後、6N-塩酸水溶液200ml、水400ml、飽和炭酸ナ
トリウム水溶液300mlおよび水800mlで順次洗浄後、無水
硫酸マグシウムで乾燥し、トルエンを減圧下留去して黄
褐色結晶物を40.3g得た。反応混合物はトルエン／酢酸
エチル系混合溶媒を展開溶媒に用いたシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製し、４ー（３、５ージフルオ
ロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサノン（淡黄色結
晶物）33.4gを得た。
【００５４】
【化２７】
【００５５】５）かくはん機、温度計および窒素導入管
を備えた３つ口フラスコに窒素雰囲気下メトキシメチル
トリフェニルホスフィンクロリド73.1g（0.21mol）をＴ
ＨＦ300mlに懸濁させ、かくはんしながら氷冷下、０℃ま
で冷却したのち、カリウム-t-ブトキシド27.1g（0.24mo
l）を添加し、徐々に室温（20℃）まで昇温しながら３
時間かくはんした。再度氷冷下０℃まで冷却したのち、
４ー（３、５ージフルオロー４ーシアノフェニル）シク
ロヘキサノン33.4g（0.14mol）のＴＨＦ溶液60mlを０℃
を保つように20分を要して滴下し、徐々室温まで昇温し
ながら20時間かくはんした。水300mlを添加し反応を終
了後、反応溶液はＴＨＦ層を分離後、水層をさらに酢酸
エチル（300ml）で抽出した。抽出層を混合後、水洗（9
00ml）し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒
を留去して反応混合物を得た。反応混合物はトルエンを
展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにて精製し、無色油状物34.5gを得た。反応物は窒
素雰囲気下ＴＨＦ850mlに溶解し、2N-塩酸水溶液240ml
を添加して室温下20時間かくはんした。反応溶液は酢酸
エチル500mlで抽出し、抽出層を水（300ml）、飽和炭酸
ナトリウム水溶液（300ml）および水（900ml）順次洗浄
したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下溶
媒を留去して目的物である１ーホルミルー４ー（３、５
ージフルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサン
（無色油状物）を32.3g得た。
を備えた３つ口フラスコに窒素雰囲気下メトキシメチル
トリフェニルホスフィンクロリド73.1g（0.21mol）をＴ
ＨＦ300mlに懸濁させ、かくはんしながら氷冷下、０℃ま
で冷却したのち、カリウム-t-ブトキシド27.1g（0.24mo
l）を添加し、徐々に室温（20℃）まで昇温しながら３
時間かくはんした。再度氷冷下０℃まで冷却したのち、
４ー（３、５ージフルオロー４ーシアノフェニル）シク
ロヘキサノン33.4g（0.14mol）のＴＨＦ溶液60mlを０℃
を保つように20分を要して滴下し、徐々室温まで昇温し
ながら20時間かくはんした。水300mlを添加し反応を終
了後、反応溶液はＴＨＦ層を分離後、水層をさらに酢酸
エチル（300ml）で抽出した。抽出層を混合後、水洗（9
00ml）し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒
を留去して反応混合物を得た。反応混合物はトルエンを
展開溶媒として用いたシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーにて精製し、無色油状物34.5gを得た。反応物は窒
素雰囲気下ＴＨＦ850mlに溶解し、2N-塩酸水溶液240ml
を添加して室温下20時間かくはんした。反応溶液は酢酸
エチル500mlで抽出し、抽出層を水（300ml）、飽和炭酸
ナトリウム水溶液（300ml）および水（900ml）順次洗浄
したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下溶
媒を留去して目的物である１ーホルミルー４ー（３、５
ージフルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサン
（無色油状物）を32.3g得た。
【００５６】
【化２８】
【００５７】実施例３ ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
エチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２
ーフルオロベンゾニトリル （（Ｉ）式においてＲ＝ｎ
−Ｃ2 Ｈ5 、Ｘ＝Ｈのもの）の製造 １）かくはん機、温度計、冷却管および窒素導入管を備
えた３つ口フラスコにトランスー４ーエチルシクロヘキ
シルメチルブロミド13.4g（65.1mmol）、トリフェニル
ホスフィン20.5g（78.1mmol）およびキシレン10mlを添
加し、160℃に加熱かくはんしながら20時間反応させ
た。室温まで放冷、冷却したのち、ＴＨＦ250ml、カリ
ウム-t-ブトキシド6.8g（60.8mmol）を順次添加し、そ
のまま室温下３時間かくはんしながらイリドを調製し
た。次に実施例１で合成した１ーホルミルー４ー（３ー
フルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサン10g（4
3.4mmol）のＴＨＦ溶液35mlをイリド溶液中に室温下20
分を要して滴下し、さらに室温にて20時間かくはん熟成
させた。反応溶液に水300mlを添加し反応を終了後、反
応溶液を酢酸エチル（700ml）で抽出した。抽出層を水
（1000ml）で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
溶媒を減圧下留去して反応混合物を得た。得られた反応
物はトルエンを展開溶媒にシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製し、茶黄色油状物を11.4g得た。これが
４ー［トランスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トランスー
４ーエチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］
ー２ーフルオロベンゾニトリルである。Ｅ体、Ｚ体の生
成比はガスクロマトグラフィーの分析結果からＥ体／Ｚ
体＝５／９５である。
エチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２
ーフルオロベンゾニトリル （（Ｉ）式においてＲ＝ｎ
−Ｃ2 Ｈ5 、Ｘ＝Ｈのもの）の製造 １）かくはん機、温度計、冷却管および窒素導入管を備
えた３つ口フラスコにトランスー４ーエチルシクロヘキ
シルメチルブロミド13.4g（65.1mmol）、トリフェニル
ホスフィン20.5g（78.1mmol）およびキシレン10mlを添
加し、160℃に加熱かくはんしながら20時間反応させ
た。室温まで放冷、冷却したのち、ＴＨＦ250ml、カリ
ウム-t-ブトキシド6.8g（60.8mmol）を順次添加し、そ
のまま室温下３時間かくはんしながらイリドを調製し
た。次に実施例１で合成した１ーホルミルー４ー（３ー
フルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサン10g（4
3.4mmol）のＴＨＦ溶液35mlをイリド溶液中に室温下20
分を要して滴下し、さらに室温にて20時間かくはん熟成
させた。反応溶液に水300mlを添加し反応を終了後、反
応溶液を酢酸エチル（700ml）で抽出した。抽出層を水
（1000ml）で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
溶媒を減圧下留去して反応混合物を得た。得られた反応
物はトルエンを展開溶媒にシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製し、茶黄色油状物を11.4g得た。これが
４ー［トランスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トランスー
４ーエチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］
ー２ーフルオロベンゾニトリルである。Ｅ体、Ｚ体の生
成比はガスクロマトグラフィーの分析結果からＥ体／Ｚ
体＝５／９５である。
【００５８】２）かくはん機、温度計および窒素導入管
を備えた３つ口フラスコ中、ｍ−クロロ過安息香酸11.6
g（67.2mmol）および炭酸カリウム23.2g（167.9mmol）
をジクロロメタン200mlに懸濁させ、氷冷下かくはんしな
がら、０℃まで冷却後、１）の操作で合成した４ー［ト
ランスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トランスー４ーエチ
ルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフ
ルオロベンゾニトリル11.4g（33.6mmol）のＴＨＦ溶液5
0mlを０℃を保ちながら30分を要して滴下した。滴下終
了後室温まで昇温させ、そのまま20時間かくはんした。
反応溶液を10%チオ硫酸ナトリウム水溶液に注ぎ込んだ
のち、ジクロロメタン層を分離後、さらに水層をジクロ
ロメタン200mlで抽出した。抽出層を混合後、飽和炭酸
ナトリウム水溶液600ml、水（600ml）で順次洗浄後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去、濃縮
してオキシラン誘導体（白色結晶物）11.2gを得た。
を備えた３つ口フラスコ中、ｍ−クロロ過安息香酸11.6
g（67.2mmol）および炭酸カリウム23.2g（167.9mmol）
をジクロロメタン200mlに懸濁させ、氷冷下かくはんしな
がら、０℃まで冷却後、１）の操作で合成した４ー［ト
ランスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トランスー４ーエチ
ルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフ
ルオロベンゾニトリル11.4g（33.6mmol）のＴＨＦ溶液5
0mlを０℃を保ちながら30分を要して滴下した。滴下終
了後室温まで昇温させ、そのまま20時間かくはんした。
反応溶液を10%チオ硫酸ナトリウム水溶液に注ぎ込んだ
のち、ジクロロメタン層を分離後、さらに水層をジクロ
ロメタン200mlで抽出した。抽出層を混合後、飽和炭酸
ナトリウム水溶液600ml、水（600ml）で順次洗浄後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去、濃縮
してオキシラン誘導体（白色結晶物）11.2gを得た。
【００５９】
【化２９】
【００６０】３）かくはん機、温度計および冷却管を備
えたナスフラスコに２）で得たオキシラン誘導体11.2g
（31.0mmol）、ジブロモトリフェニルホスホラン21.2g
（50.1mmol）およびトルエン300mlを添加し、９時間加
熱還流を行った。反応溶液を氷冷水中に注ぎ込んだの
ち、トルエン不溶物をセライトろ過除去後、新たにトル
エン300mlを添加し、抽出した。抽出層を水（600ml）、
飽和炭酸ナトリウム水溶液（300ml）および水（600ml）
で順次洗浄したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧下溶媒を留去して反応混合物を25.3g得た。得られ
た反応混合物はトルエンを展開溶媒に用いたシリカゲル
カラムクロマトグラフィーさらにトルエンからエリスロ
体のみを再結晶で精製し、ジブロモ誘導体（無色結晶
物）2.53gを得た。
えたナスフラスコに２）で得たオキシラン誘導体11.2g
（31.0mmol）、ジブロモトリフェニルホスホラン21.2g
（50.1mmol）およびトルエン300mlを添加し、９時間加
熱還流を行った。反応溶液を氷冷水中に注ぎ込んだの
ち、トルエン不溶物をセライトろ過除去後、新たにトル
エン300mlを添加し、抽出した。抽出層を水（600ml）、
飽和炭酸ナトリウム水溶液（300ml）および水（600ml）
で順次洗浄したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
減圧下溶媒を留去して反応混合物を25.3g得た。得られ
た反応混合物はトルエンを展開溶媒に用いたシリカゲル
カラムクロマトグラフィーさらにトルエンからエリスロ
体のみを再結晶で精製し、ジブロモ誘導体（無色結晶
物）2.53gを得た。
【００６１】
【化３０】
【００６２】４）かくはん機を備えたナスフラスコ中、
窒素雰囲気下３）で合成したジブロモ体2.53g（2.5mmo
l）を酢酸30mlに懸濁させ、亜鉛粉末2.2g（32.9mmol）
を添加し、室温下17時間かくはんした。反応溶液は不溶
物をろ別したのち、水100mlを添加し、酢酸エチル（200
ml)で抽出した。抽出層は水（200ml）、飽和炭酸ナトリ
ウム水溶液（100ml）および水（400ml）で順次洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下留去し
て反応生成物1.7gを得た。反応物はヘプタンを展開溶媒
にシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、
さらに酢酸エチルから再結晶して最終目的物４ー［トラ
ンスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ーエチルシク
ロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフルオロ
ベンゾニトリル（無色結晶物）を0.59g得た。
窒素雰囲気下３）で合成したジブロモ体2.53g（2.5mmo
l）を酢酸30mlに懸濁させ、亜鉛粉末2.2g（32.9mmol）
を添加し、室温下17時間かくはんした。反応溶液は不溶
物をろ別したのち、水100mlを添加し、酢酸エチル（200
ml)で抽出した。抽出層は水（200ml）、飽和炭酸ナトリ
ウム水溶液（100ml）および水（400ml）で順次洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下留去し
て反応生成物1.7gを得た。反応物はヘプタンを展開溶媒
にシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、
さらに酢酸エチルから再結晶して最終目的物４ー［トラ
ンスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ーエチルシク
ロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフルオロ
ベンゾニトリル（無色結晶物）を0.59g得た。
【００６３】
【化３１】
【００６４】実施例４ ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
プロピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル （（Ｉ）式においてＲ＝
ｎ-Ｃ3Ｈ7、Ｘ＝Ｈのもの）の製造 １）かくはん機、温度計、冷却管および窒素導入管を備
えた３つ口フラスコにトランスー４ープロピルシクロヘ
キシルメチルブロミド15.2g（69.5mmol）、トリフェニ
ルホスフィン21.8g（83.4mmol）およびキシレン10mlを
添加し、160℃に加熱かくはんしながら20時間反応させ
た。室温まで放冷、冷却したのち、ＴＨＦ300ml、カリ
ウム-t-ブトキシド7.3g（65.1mmol）を順次添加し、そ
のまま室温下３時間かくはんしながらイリドを調製し
た。次に実施例１で合成した１ーホルミルー４ー（３ー
フルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサン10g（4
3.4mmol）のＴＨＦ溶液35mlをイリド溶液中に室温下20
分を要して滴下し、さらに室温にて20時間かくはん熟成
させた。反応溶液に水300mlを添加し反応を終了後、反
応溶液を酢酸エチル（700ml）で抽出した。抽出層を水
（1000ml）で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
溶媒を減圧下留去して反応混合物を得た。得られた反応
物はトルエンを展開溶媒にシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製し、茶黄色油状物を10.1g得た。これが
４ー［トランスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トランスー
４ープロピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシ
ル］ー２ーフルオロベンゾニトリルである。Ｅ体、Ｚ体
の生成比はガスクロマトグラフィーの分析結果からＥ体
／Ｚ体＝５／９５である。
プロピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル （（Ｉ）式においてＲ＝
ｎ-Ｃ3Ｈ7、Ｘ＝Ｈのもの）の製造 １）かくはん機、温度計、冷却管および窒素導入管を備
えた３つ口フラスコにトランスー４ープロピルシクロヘ
キシルメチルブロミド15.2g（69.5mmol）、トリフェニ
ルホスフィン21.8g（83.4mmol）およびキシレン10mlを
添加し、160℃に加熱かくはんしながら20時間反応させ
た。室温まで放冷、冷却したのち、ＴＨＦ300ml、カリ
ウム-t-ブトキシド7.3g（65.1mmol）を順次添加し、そ
のまま室温下３時間かくはんしながらイリドを調製し
た。次に実施例１で合成した１ーホルミルー４ー（３ー
フルオロー４ーシアノフェニル）シクロヘキサン10g（4
3.4mmol）のＴＨＦ溶液35mlをイリド溶液中に室温下20
分を要して滴下し、さらに室温にて20時間かくはん熟成
させた。反応溶液に水300mlを添加し反応を終了後、反
応溶液を酢酸エチル（700ml）で抽出した。抽出層を水
（1000ml）で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、
溶媒を減圧下留去して反応混合物を得た。得られた反応
物はトルエンを展開溶媒にシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製し、茶黄色油状物を10.1g得た。これが
４ー［トランスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トランスー
４ープロピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシ
ル］ー２ーフルオロベンゾニトリルである。Ｅ体、Ｚ体
の生成比はガスクロマトグラフィーの分析結果からＥ体
／Ｚ体＝５／９５である。
【００６５】２）かくはん機、温度計および窒素導入管
を備えた３つ口フラスコ中、ｍ−クロロ過安息香酸9.8g
（56.8mmol）および炭酸カリウム19.6g（142.0mmol）を
ジクロロメタン150mlに懸濁させ、氷冷下かくはんしなが
ら、０℃まで冷却後、１）の操作で合成した４ー［トラ
ンスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トランスー４ープロピ
ルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフ
ルオロベンゾニトリル10.1g（28.4mmol）のＴＨＦ溶液3
0mlを０℃を保ちながら40分を要して滴下した。滴下終
了後室温まで昇温させ、そのまま20時間かくはんした。
反応溶液を10%チオ硫酸ナトリウム水溶液（300ml）に注
ぎ込んだのち、ジクロメタン層を分離後、さらに水層を
ジクロロメタン200mlで抽出した。抽出層を混合後、飽
和炭酸ナトリウム水溶液600ml、水（600ml）で順次洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去
してオキシラン誘導体（白色結晶物）8.33gを得た。
を備えた３つ口フラスコ中、ｍ−クロロ過安息香酸9.8g
（56.8mmol）および炭酸カリウム19.6g（142.0mmol）を
ジクロロメタン150mlに懸濁させ、氷冷下かくはんしなが
ら、０℃まで冷却後、１）の操作で合成した４ー［トラ
ンスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トランスー４ープロピ
ルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフ
ルオロベンゾニトリル10.1g（28.4mmol）のＴＨＦ溶液3
0mlを０℃を保ちながら40分を要して滴下した。滴下終
了後室温まで昇温させ、そのまま20時間かくはんした。
反応溶液を10%チオ硫酸ナトリウム水溶液（300ml）に注
ぎ込んだのち、ジクロメタン層を分離後、さらに水層を
ジクロロメタン200mlで抽出した。抽出層を混合後、飽
和炭酸ナトリウム水溶液600ml、水（600ml）で順次洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去
してオキシラン誘導体（白色結晶物）8.33gを得た。
【００６６】
【化３２】
【００６７】３）かくはん機、温度計および冷却管を備
えたナスフラスコに２）で得たオキシラン誘導体8.33g
（16.2mmol）、ジブロモトリフェニルホスホラン10.9g
（25.9mmol）およびトルン300mlを添加し、６時間加熱
還流を行った。反応溶液を氷冷水中に注ぎ込んだのち、
トルエン不溶物をセライトろ過除去後、新たにトルエン
200mlを添加し、抽出した。抽出層は水（600ml）、飽和
炭酸ナトリウム水溶液（300ml）および水（600ml）で順
次洗浄したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下溶媒を留去して反応混合物を8.8g得た。得られた反応
混合物はトルエンを展開溶媒に用いたシリカゲルカラム
クロマトグラフィー、さらにトルエンからエリスロ体の
みを再結晶で精製し、ジブロモ誘導体（無色結晶物）3.
8gを得た。
えたナスフラスコに２）で得たオキシラン誘導体8.33g
（16.2mmol）、ジブロモトリフェニルホスホラン10.9g
（25.9mmol）およびトルン300mlを添加し、６時間加熱
還流を行った。反応溶液を氷冷水中に注ぎ込んだのち、
トルエン不溶物をセライトろ過除去後、新たにトルエン
200mlを添加し、抽出した。抽出層は水（600ml）、飽和
炭酸ナトリウム水溶液（300ml）および水（600ml）で順
次洗浄したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下溶媒を留去して反応混合物を8.8g得た。得られた反応
混合物はトルエンを展開溶媒に用いたシリカゲルカラム
クロマトグラフィー、さらにトルエンからエリスロ体の
みを再結晶で精製し、ジブロモ誘導体（無色結晶物）3.
8gを得た。
【００６８】
【化３３】
【００６９】４）かくはん機を備えたナスフラスコ中、
窒素雰囲気下３）で合成したジブロモ体3.8g（7.4mmo
l）を酢酸40mlに懸濁させ、亜鉛粉末3.1g（47.8mmol）
を添加し、室温下17時間かくはんした。反応溶液は不溶
物をろ別したのち、反応溶液を酢酸エチル（200ml）で
抽出した。抽出層は水（200ml）、飽和炭酸ナトリウム
水溶液（100ml）および水（400ml)で順次洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下留去して反
応生成物2.5gを得た。反応物はヘプタンを展開溶媒にシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さら
に酢酸エチルから再結晶して最終目的物４ー［トランス
ー４ー〔（Ｅ）ー２ー （トランスー４ープロピルシク
ロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフルオロ
ベンゾニトリル（無色結晶物）を1.2g得た。
窒素雰囲気下３）で合成したジブロモ体3.8g（7.4mmo
l）を酢酸40mlに懸濁させ、亜鉛粉末3.1g（47.8mmol）
を添加し、室温下17時間かくはんした。反応溶液は不溶
物をろ別したのち、反応溶液を酢酸エチル（200ml）で
抽出した。抽出層は水（200ml）、飽和炭酸ナトリウム
水溶液（100ml）および水（400ml)で順次洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下留去して反
応生成物2.5gを得た。反応物はヘプタンを展開溶媒にシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さら
に酢酸エチルから再結晶して最終目的物４ー［トランス
ー４ー〔（Ｅ）ー２ー （トランスー４ープロピルシク
ロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフルオロ
ベンゾニトリル（無色結晶物）を1.2g得た。
【００７０】
【化３４】
【００７１】上記製造法に準じて４ープロピルシクロヘ
キシルメチルブロミドにかえてアルキル基の異なる４ー
アルキルシクロヘキシルメチルブロミドを用いて以下の
４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
アルキルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリルを製造することができる。
キシルメチルブロミドにかえてアルキル基の異なる４ー
アルキルシクロヘキシルメチルブロミドを用いて以下の
４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
アルキルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリルを製造することができる。
【００７２】４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（ト
ランスー４ーメチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘ
キシル］ー２ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ブチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２
ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ペンチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル CN点 48.5〜49.2℃ NI点 176.2〜181.8℃ ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ヘキシルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ヘプチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
オクチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ノニルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２
ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
デシルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２
ーフルオロベンゾニトリル 実施例５ ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
プロピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル （（Ｉ）式におい
てＲ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7、Ｘ＝Ｆのもの）の製造 １）かくはん機、温度計、冷却管および窒素導入管を備
えた３つ口フラスコにトランスー４ープロピルシクロヘ
キシルメチルブロミド15.2g（69.5mmol）、トリフェニ
ルホスフィン21.8g（83.4mmol）およびキシレン10mlを
添加し、160℃に加熱かくはんしながら20時間反応させ
た。室温まで放冷、冷却したのち、ＴＨＦ300ml、カリ
ウム-t-ブトキシド7.3g（65.1mmol）を順次添加し、そ
のまま室温下３時間かくはんしながらイリドを調製し
た。次に実施例２で合成した１ーホルミルー４ー（３、
５ージフルオロー４ーシアノフェニル)シクロヘキサン1
1.2g（45.0mmol）のＴＨＦ溶液35mlをイリド溶液中に室
温下20分を要して滴下し、さらに室温にて20時間かくは
ん熟成させた。反応溶液に水300mlを添加し反応を終了
後、反応溶液を酢酸エチル（700ml）で抽出した。抽出
層を水（1000ml）で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物を得た。得られ
た反応物はトルエンを展開溶媒にシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製し、茶黄色油状物を11.5g得た。
これが４ー［トランスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トラ
ンスー４ープロピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘ
キシル］ー２、６ージフルオロベンゾニトリルである。
Ｅ体、Ｚ体の生成比はガスクロマトグラフィーの分析結
果からＥ体／Ｚ体＝５／９５である。
ランスー４ーメチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘ
キシル］ー２ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ブチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２
ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ペンチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル CN点 48.5〜49.2℃ NI点 176.2〜181.8℃ ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ヘキシルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ヘプチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
オクチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ノニルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２
ーフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
デシルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２
ーフルオロベンゾニトリル 実施例５ ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
プロピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル （（Ｉ）式におい
てＲ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7、Ｘ＝Ｆのもの）の製造 １）かくはん機、温度計、冷却管および窒素導入管を備
えた３つ口フラスコにトランスー４ープロピルシクロヘ
キシルメチルブロミド15.2g（69.5mmol）、トリフェニ
ルホスフィン21.8g（83.4mmol）およびキシレン10mlを
添加し、160℃に加熱かくはんしながら20時間反応させ
た。室温まで放冷、冷却したのち、ＴＨＦ300ml、カリ
ウム-t-ブトキシド7.3g（65.1mmol）を順次添加し、そ
のまま室温下３時間かくはんしながらイリドを調製し
た。次に実施例２で合成した１ーホルミルー４ー（３、
５ージフルオロー４ーシアノフェニル)シクロヘキサン1
1.2g（45.0mmol）のＴＨＦ溶液35mlをイリド溶液中に室
温下20分を要して滴下し、さらに室温にて20時間かくは
ん熟成させた。反応溶液に水300mlを添加し反応を終了
後、反応溶液を酢酸エチル（700ml）で抽出した。抽出
層を水（1000ml）で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物を得た。得られ
た反応物はトルエンを展開溶媒にシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製し、茶黄色油状物を11.5g得た。
これが４ー［トランスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トラ
ンスー４ープロピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘ
キシル］ー２、６ージフルオロベンゾニトリルである。
Ｅ体、Ｚ体の生成比はガスクロマトグラフィーの分析結
果からＥ体／Ｚ体＝５／９５である。
【００７３】２）かくはん機、温度計および窒素導入管
を備えた３つ口フラスコ中、ｍ−クロロ過安息香酸10.7
g（61.9mmol）および炭酸カリウム21.4g（154.8mmol）
をジクロロメタン150mlに懸濁させ、氷冷下かくはんしな
がら、０℃まで冷却後、１）の操作で合成した４ー［ト
ランスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トランスー４ープロ
ピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２、
６ージフルオロベンゾニトリル11.5g（30.9mmol）のＴ
ＨＦ溶液30mlを０℃を保ちながら40分を要して滴下し
た。滴下終了後室温まで昇温させ、そのまま20時間かく
はんした。反応溶液を10%チオ硫酸ナトリウム水溶液（3
00ml）に注ぎ込んだのち、ジクロロメタン層を分離後、
さらに水層をジクロロメタン200mlで抽出した。抽出層
を混合後、飽和炭酸ナトリウム水溶液600ml、水（600m
l）で順次洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶
媒を減圧下留去してオキシラン誘導体（白色結晶物）9.
80gを得た。
を備えた３つ口フラスコ中、ｍ−クロロ過安息香酸10.7
g（61.9mmol）および炭酸カリウム21.4g（154.8mmol）
をジクロロメタン150mlに懸濁させ、氷冷下かくはんしな
がら、０℃まで冷却後、１）の操作で合成した４ー［ト
ランスー４ー〔（Ｅ、Ｚ）ー２ー（トランスー４ープロ
ピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２、
６ージフルオロベンゾニトリル11.5g（30.9mmol）のＴ
ＨＦ溶液30mlを０℃を保ちながら40分を要して滴下し
た。滴下終了後室温まで昇温させ、そのまま20時間かく
はんした。反応溶液を10%チオ硫酸ナトリウム水溶液（3
00ml）に注ぎ込んだのち、ジクロロメタン層を分離後、
さらに水層をジクロロメタン200mlで抽出した。抽出層
を混合後、飽和炭酸ナトリウム水溶液600ml、水（600m
l）で順次洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶
媒を減圧下留去してオキシラン誘導体（白色結晶物）9.
80gを得た。
【００７４】
【化３５】
【００７５】３）かくはん機、温度計および冷却管を備
えたナスフラスコに２）で得たオキシラン誘導体9.80g
（25.2mmol）、ジブロモトリフェニルホスホラン17.0g
（40.3mmol）およびトルン300mlを添加し、６時間加熱
還流を行った。反応溶液を氷冷水中に注ぎ込んだのち、
トルエン不溶物をセライトろ過除去後、新たにトルエン
200mlを添加し、抽出した。抽出層は水（600ml）、飽和
炭酸ナトリウム水溶液（300ml）および水（600ml）で順
次洗浄したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下溶媒を留去して反応混合物を10.5g得た。得られた反
応混合物はトルエンを展開溶媒に用いたシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーさらにトルエンからエリスロ体の
みを再結晶で精製し、ジブロモ誘導体（無色結晶物）4.
5gを得た。
えたナスフラスコに２）で得たオキシラン誘導体9.80g
（25.2mmol）、ジブロモトリフェニルホスホラン17.0g
（40.3mmol）およびトルン300mlを添加し、６時間加熱
還流を行った。反応溶液を氷冷水中に注ぎ込んだのち、
トルエン不溶物をセライトろ過除去後、新たにトルエン
200mlを添加し、抽出した。抽出層は水（600ml）、飽和
炭酸ナトリウム水溶液（300ml）および水（600ml）で順
次洗浄したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧
下溶媒を留去して反応混合物を10.5g得た。得られた反
応混合物はトルエンを展開溶媒に用いたシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーさらにトルエンからエリスロ体の
みを再結晶で精製し、ジブロモ誘導体（無色結晶物）4.
5gを得た。
【００７６】
【化３６】
【００７７】４）かくはん機を備えたナスフラスコ中、
窒素雰囲気下３）で合成したジブロモ体3.8g（7.4mmo
l）を酢酸45mlに懸濁させ、亜鉛粉末3.6g（55.4mmol）
を添加し、室温下17時間かくはんした。反応溶液は不溶
物をろ別したのち、反応溶液を酢酸エチル（200ml）で
抽出した。抽出層は水（200ml）、飽和炭酸ナトリウム
水溶液（100ml）および水（400ml）で順次洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下留去して反
応生成物2.9gを得た。反応物はヘプタンを展開溶媒にシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さら
に酢酸エチルから再結晶して最終目的物４ー［トランス
ー４ー〔（Ｅ）ー２ー （トランスー４ープロピルシク
ロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２、６ージフ
ルオロベンゾニトリル（無色結晶物）を1.6g得た。
窒素雰囲気下３）で合成したジブロモ体3.8g（7.4mmo
l）を酢酸45mlに懸濁させ、亜鉛粉末3.6g（55.4mmol）
を添加し、室温下17時間かくはんした。反応溶液は不溶
物をろ別したのち、反応溶液を酢酸エチル（200ml）で
抽出した。抽出層は水（200ml）、飽和炭酸ナトリウム
水溶液（100ml）および水（400ml）で順次洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧下留去して反
応生成物2.9gを得た。反応物はヘプタンを展開溶媒にシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さら
に酢酸エチルから再結晶して最終目的物４ー［トランス
ー４ー〔（Ｅ）ー２ー （トランスー４ープロピルシク
ロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２、６ージフ
ルオロベンゾニトリル（無色結晶物）を1.6g得た。
【００７８】
【化３７】
【００７９】上記製造法に準じて４ープロピルシクロヘ
キシルメチルブロミドにかえてアルキル基の異なる４ー
アルキルシクロヘキシルメチルブロミドを用いて、以下
の４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４
ーアルキルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］
ー２、６ージフルオロベンゾニトリルを製造することが
できる。
キシルメチルブロミドにかえてアルキル基の異なる４ー
アルキルシクロヘキシルメチルブロミドを用いて、以下
の４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４
ーアルキルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］
ー２、６ージフルオロベンゾニトリルを製造することが
できる。
【００８０】４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（ト
ランスー４ーメチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘ
キシル］ー２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
エチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ブチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ペンチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ヘキシルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ヘプチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
オクチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ノニルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
デシルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル 実施例６（使用例１） ４ー（４ープロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル
３０％（重量、以下同じ） ４ー（４ーペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル
４０％ ４ー（４ーヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル
３０％ なる組成の液晶組成物のネマチック液晶の透明点（Ｃ
ｐ）は52.3℃である。この液晶組成物をセル厚９μｍの
ＴＮセル（ねじれネマチックセル）に封入したものの動
作しきい値電圧（Ｖ10）は1.60Ｖ、誘電率異方性値（△
ε）は＋10.7、屈折率異方性値（△ｎ）は0.119、また
粘度（η20）は21.7ｃＰであった。この液晶組成物を母
液晶としてその８５wt％に実施例３に示した４ー［トラ
ンスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ーエチルシク
ロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフルオロ
ベンゾニトリル１５％を混合し、その物性値を測定し
た。その結果Ｃｐ：65.0℃、△ε：11.5、△ｎ：0.12
2、η20：24.6ｃＰ、Ｖ10：1.49であった。また、この
組成物をー２０℃のフリーザーに２０日間放置したが結
晶の析出は認められなかった。
ランスー４ーメチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘ
キシル］ー２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
エチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ブチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ペンチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ヘキシルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ヘプチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
オクチルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
ノニルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル ４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
デシルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２、６ージフルオロベンゾニトリル 実施例６（使用例１） ４ー（４ープロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル
３０％（重量、以下同じ） ４ー（４ーペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル
４０％ ４ー（４ーヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル
３０％ なる組成の液晶組成物のネマチック液晶の透明点（Ｃ
ｐ）は52.3℃である。この液晶組成物をセル厚９μｍの
ＴＮセル（ねじれネマチックセル）に封入したものの動
作しきい値電圧（Ｖ10）は1.60Ｖ、誘電率異方性値（△
ε）は＋10.7、屈折率異方性値（△ｎ）は0.119、また
粘度（η20）は21.7ｃＰであった。この液晶組成物を母
液晶としてその８５wt％に実施例３に示した４ー［トラ
ンスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ーエチルシク
ロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー２ーフルオロ
ベンゾニトリル１５％を混合し、その物性値を測定し
た。その結果Ｃｐ：65.0℃、△ε：11.5、△ｎ：0.12
2、η20：24.6ｃＰ、Ｖ10：1.49であった。また、この
組成物をー２０℃のフリーザーに２０日間放置したが結
晶の析出は認められなかった。
【００８１】実施例７（使用例２） 使用例１に示す組成物を母液晶として実施例４に示した
４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
プロピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル１５％を混合し、その物性
値を測定した。その結果Ｃｐ：68.8℃、△ε：11.7、△
ｎ：0.123、η20：25.0ｃＰ、Ｖ10：1.57であった。ま
た、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放置
したが結晶の析出は認められなかった。
４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
プロピルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル１５％を混合し、その物性
値を測定した。その結果Ｃｐ：68.8℃、△ε：11.7、△
ｎ：0.123、η20：25.0ｃＰ、Ｖ10：1.57であった。ま
た、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放置
したが結晶の析出は認められなかった。
【００８２】比較例 前述の（ロ）式で表される化合物のＣＮ点、ＮＩ点と組
成物Ａにそれぞれ１５重量部加えて得た２つの液晶組成
物のしきい値電圧（Ｖ10）、誘電率異方性値（△ε）お
よび粘度（ｃＰ）を実施例６、７の結果と共に表１に示
す。
成物Ａにそれぞれ１５重量部加えて得た２つの液晶組成
物のしきい値電圧（Ｖ10）、誘電率異方性値（△ε）お
よび粘度（ｃＰ）を実施例６、７の結果と共に表１に示
す。
【００８３】
【表１】
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【化４】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】ここで、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基
またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣合わな
い２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えられても
よい。 本発明の液晶組成物の成分（Ｃ）として好ましい
化合物を以下に示す。
またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣合わな
い２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えられても
よい。 本発明の液晶組成物の成分（Ｃ）として好ましい
化合物を以下に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【化５】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】ここで、Ｒ、Ｒ′は炭素数１〜１０のアル
キル基またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣
合わない２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えら
れてもよい。本発明の液晶組成物（Ｄ）として好ましい
化合物を示す。
キル基またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣
合わない２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えら
れてもよい。本発明の液晶組成物（Ｄ）として好ましい
化合物を示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【化６】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】
【化７】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】
【化８】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】
【化９】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】ここで、Ｒ、Ｒ′は炭素数１〜１０のアル
キル基またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣
合わない２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えら
れてもよい。本発明の液晶組成物の成分（Ｅ）として好
ましい化合物を以下に示す。
キル基またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣
合わない２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えら
れてもよい。本発明の液晶組成物の成分（Ｅ）として好
ましい化合物を以下に示す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【化１０】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】
【化１１】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】ここで、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基
またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣合わな
い２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えられても
よい。 本発明による組成物は式（Ｉ）で示される化合物
の１種または２種以上を０．１〜４０重量％の割合で含
有することが液晶特性の優良である点で好ましい。本発
明の化合物 (Ｉ) の好ましい態様は、次の一般式群によ
り表される化合物である。
またはアルケニル基を表し、該基の１つまたは隣合わな
い２つの炭素原子は酸素原子によって置き換えられても
よい。 本発明による組成物は式（Ｉ）で示される化合物
の１種または２種以上を０．１〜４０重量％の割合で含
有することが液晶特性の優良である点で好ましい。本発
明の化合物 (Ｉ) の好ましい態様は、次の一般式群によ
り表される化合物である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１１月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７８】
【化３７】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 泰行 千葉県市原市西広462番２号
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 （式中Ｒは水素または炭素数１〜１０の直鎖または分岐
アルキル基を示し、Ｘは水素またはフッ素原子、ビニル
基はトランス配置である）で表されるベンゾニトリル誘
導体。 - 【請求項２】 請求項１において、Ｘが水素で表される
４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４ー
アルキルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］ー
２ーフルオロベンゾニトリル誘導体。 - 【請求項３】 請求項１において、Ｘがフッ素で表され
る４ー［トランスー４ー〔（Ｅ）ー２ー（トランスー４
ーアルキルシクロヘキシル）ビニル〕シクロヘキシル］
ー２、６ージフルオロベンゾニトリル誘導体。 - 【請求項４】 請求項１記載の化合物を少なくとも１種
含有する２種以上の成分からなることを特徴とする液晶
組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24363592A JP3326821B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ２−フルオロベンゾニトリル誘導体 |
| US08/118,668 US5370822A (en) | 1992-09-11 | 1993-09-10 | 2-fluorobenzonitrile derivative |
| EP93114703A EP0588291B1 (en) | 1992-09-11 | 1993-09-13 | 2-Fluorobenzonitrile derivative |
| DE69301987T DE69301987T2 (de) | 1992-09-11 | 1993-09-13 | 2-Fluorobenzonitrile Derivat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24363592A JP3326821B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ２−フルオロベンゾニトリル誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0692924A true JPH0692924A (ja) | 1994-04-05 |
| JP3326821B2 JP3326821B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=17106756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24363592A Expired - Lifetime JP3326821B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ２−フルオロベンゾニトリル誘導体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5370822A (ja) |
| EP (1) | EP0588291B1 (ja) |
| JP (1) | JP3326821B2 (ja) |
| DE (1) | DE69301987T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006089432A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Dainippon Ink & Chem Inc | （ｅ）−１，２−ビス（シクロヘキシル）エチレン誘導体の製造方法及びその製造中間体 |
| JP2009007312A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Dic Corp | シクロヘキシルメチルホスホナート誘導体 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3137208B2 (ja) * | 1992-04-28 | 2001-02-19 | チッソ株式会社 | シクロヘキサン誘導体 |
| EP0727406B1 (de) * | 1995-02-16 | 2001-09-05 | MERCK PATENT GmbH | Vinylenverbindungen und flüssigkristallines Medium |
| WO1997000233A1 (fr) * | 1995-06-15 | 1997-01-03 | Chisso Corporation | Composes presentant des groupes alcenylene a substitution alkyle et composition de cristaux liquides |
| US6468443B1 (en) | 2000-07-21 | 2002-10-22 | Raytheon Company | Colorless and low viscosity compounds for low voltage liquid crystal operation |
| EP2295520A3 (de) * | 2003-05-21 | 2011-08-03 | Merck Patent GmbH | Flüssigkristallines Medium |
| TWI392905B (zh) * | 2006-08-30 | 2013-04-11 | Sony Corp | 液晶顯示元件以及投射型液晶顯示裝置 |
| CN102153442B (zh) * | 2011-03-04 | 2014-03-19 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 烷基双环己基2、3-二氟苯丁烯类液晶化合物及其用途 |
| CN102633595B (zh) * | 2012-03-29 | 2014-10-15 | 福建省邵武市永晶化工有限公司 | 含氟四环液晶化合物、合成方法和应用 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3509170C2 (de) * | 1985-03-14 | 1995-01-05 | Merck Patent Gmbh | trans-Ethenylenverbindungen |
| JPH0662462B2 (ja) * | 1989-10-13 | 1994-08-17 | チッソ株式会社 | ジシクロヘキシルエチレン誘導体 |
| DE69106452T2 (de) * | 1990-08-10 | 1995-06-01 | Dainippon Ink & Chemicals | Fluorsubstituierte Etherverbindungen. |
| JPH04210669A (ja) * | 1990-12-13 | 1992-07-31 | Dainippon Ink & Chem Inc | エーテル系ネマチック液晶化合物 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP24363592A patent/JP3326821B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-09-10 US US08/118,668 patent/US5370822A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-13 DE DE69301987T patent/DE69301987T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-13 EP EP93114703A patent/EP0588291B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006089432A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Dainippon Ink & Chem Inc | （ｅ）−１，２−ビス（シクロヘキシル）エチレン誘導体の製造方法及びその製造中間体 |
| JP4691937B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2011-06-01 | Ｄｉｃ株式会社 | （ｅ）−１，２−ビス（シクロヘキシル）エチレン誘導体の製造方法及びその製造中間体 |
| JP2009007312A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Dic Corp | シクロヘキシルメチルホスホナート誘導体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3326821B2 (ja) | 2002-09-24 |
| DE69301987D1 (de) | 1996-05-02 |
| EP0588291B1 (en) | 1996-03-27 |
| DE69301987T2 (de) | 1996-09-12 |
| EP0588291A1 (en) | 1994-03-23 |
| US5370822A (en) | 1994-12-06 |
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Legal Events
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| ABAN | Cancellation due to abandonment | ||
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