JPH0692637B2 - リ−ドフレ−ム用析出強化型銅合金の表面処理方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ム用析出強化型銅合金の表面処理方法Info
- Publication number
- JPH0692637B2 JPH0692637B2 JP62065126A JP6512687A JPH0692637B2 JP H0692637 B2 JPH0692637 B2 JP H0692637B2 JP 62065126 A JP62065126 A JP 62065126A JP 6512687 A JP6512687 A JP 6512687A JP H0692637 B2 JPH0692637 B2 JP H0692637B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- copper alloy
- fluoride
- surface treatment
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主としてリードフレーム用析出強化型銅合金の
表面処理方法に関する。
表面処理方法に関する。
一般にトランジスタやICなどの電子部品の実装には、リ
ードフレームが用いられている。リードフレームは中央
部分にSiチップを搭載するタブ部、その周囲にインナー
リード部、更にその外周にアウターリード部が設けられ
た金属成形体で、タブ部にはSiチップがろう材によりダ
イボンドされ、Siチップとインナーリード部とが金属細
線によりワイヤーボンドされ、次いでタブ部とインナー
リード部とがレジンによりモールド封止され、封止部よ
り露出されたアウターリード部はSn-10％Pb合金などの
半田が予備的にホットディップなどによりコーティング
される。
ードフレームが用いられている。リードフレームは中央
部分にSiチップを搭載するタブ部、その周囲にインナー
リード部、更にその外周にアウターリード部が設けられ
た金属成形体で、タブ部にはSiチップがろう材によりダ
イボンドされ、Siチップとインナーリード部とが金属細
線によりワイヤーボンドされ、次いでタブ部とインナー
リード部とがレジンによりモールド封止され、封止部よ
り露出されたアウターリード部はSn-10％Pb合金などの
半田が予備的にホットディップなどによりコーティング
される。
上記において、Siチップのダイボンド、ワイヤーボン
ド、モールド封止などの工程は通常大気中で150〜300℃
に加熱して行われるため、アウターリード部に厚い酸化
膜が形成される。この酸化膜は通常のフラックスでは除
去し得ず、半田ぬれ性を著しく害する。そこで半田コー
ティングに際しては、予め半田ぬれ性を良好にするとと
もに、レジン封止のバリとりで生じる加工変質層を除去
する目的で、アウターリード部表面を酸などで１〜10μ
溶解し除去することが行われる。
ド、モールド封止などの工程は通常大気中で150〜300℃
に加熱して行われるため、アウターリード部に厚い酸化
膜が形成される。この酸化膜は通常のフラックスでは除
去し得ず、半田ぬれ性を著しく害する。そこで半田コー
ティングに際しては、予め半田ぬれ性を良好にするとと
もに、レジン封止のバリとりで生じる加工変質層を除去
する目的で、アウターリード部表面を酸などで１〜10μ
溶解し除去することが行われる。
従来、リードフレームにはSn、Ni、Feなどが配合された
固溶性のCu合金が多用され、その表面処理には廃液の処
理が容易で、廉価な硫酸−過酸化水素系処理液が主に用
いられている。
固溶性のCu合金が多用され、その表面処理には廃液の処
理が容易で、廉価な硫酸−過酸化水素系処理液が主に用
いられている。
近年、半導体パッケージの高密度化、小型化に伴って、
高強度、高導電性のリードフレームが要求されるように
なり、これに対応してCuマトリックス中に合金元素を微
細に析出させて強度と導電率の向上を計った析出強化型
銅合金が種々開発されている。
高強度、高導電性のリードフレームが要求されるように
なり、これに対応してCuマトリックス中に合金元素を微
細に析出させて強度と導電率の向上を計った析出強化型
銅合金が種々開発されている。
上記の析出物は金属または金属間化合物などからなり、
これらは従来の硫酸−過酸化水素系処理液によっては溶
解されずに銅合金表面に残留して、外観が黒色を呈しま
た半田ぬれ性を阻害するため、析出強化型銅合金をリー
ドフレームに実用していく上で重大な支障を来たしてい
る。
これらは従来の硫酸−過酸化水素系処理液によっては溶
解されずに銅合金表面に残留して、外観が黒色を呈しま
た半田ぬれ性を阻害するため、析出強化型銅合金をリー
ドフレームに実用していく上で重大な支障を来たしてい
る。
本発明はかかる状況に鑑みなされたもので、その要旨と
するところは、析出合金元素を0.1〜5wt％（以下％と略
記）含有するリードフレーム用析出強化型銅合金を、水
に酸を10〜500g/l、過酸化物を１〜200g/l、可溶性フッ
化物を１〜50g/lの濃度で溶解した処理液を用いて表面
処理することを特徴とするリードフレーム用析出強化型
銅合金の表面処理方法にある。
するところは、析出合金元素を0.1〜5wt％（以下％と略
記）含有するリードフレーム用析出強化型銅合金を、水
に酸を10〜500g/l、過酸化物を１〜200g/l、可溶性フッ
化物を１〜50g/lの濃度で溶解した処理液を用いて表面
処理することを特徴とするリードフレーム用析出強化型
銅合金の表面処理方法にある。
上記において析出合金元素とは、Cuマトリックス中に析
出させて用いられる合金元素のことを言い、その析出物
は１種類の元素からなるものでも２種類以上の元素から
なる金属間化合物でもよい。前者の代表例はCrであり、
後者にはBe-Cu、Zr-Cu、Ti-Ni、Ti-Ni-Sn、Ti-Fe、Ti-F
e-Sn、Ni-Sn、Ni-Si系の金属間化合物またはFe-P系化合
物などがある。析出合金元素の濃度は合計で0.1〜５％
が望ましいがその理由は、0.1％未満では析出物量が少
ないため、従来の処理液によっても良好な半田ぬれ性が
得られるためであり、また５％を超えると合金の導電率
ならびに加工性が著しく低下するためである。実用上更
に望ましくは0.5〜５％の濃度である。
出させて用いられる合金元素のことを言い、その析出物
は１種類の元素からなるものでも２種類以上の元素から
なる金属間化合物でもよい。前者の代表例はCrであり、
後者にはBe-Cu、Zr-Cu、Ti-Ni、Ti-Ni-Sn、Ti-Fe、Ti-F
e-Sn、Ni-Sn、Ni-Si系の金属間化合物またはFe-P系化合
物などがある。析出合金元素の濃度は合計で0.1〜５％
が望ましいがその理由は、0.1％未満では析出物量が少
ないため、従来の処理液によっても良好な半田ぬれ性が
得られるためであり、また５％を超えると合金の導電率
ならびに加工性が著しく低下するためである。実用上更
に望ましくは0.5〜５％の濃度である。
尚、本発明は、強度の向上を計るために、析出合金元素
に加えてSnなどの固溶合金元素を添加した銅合金に適用
しても同様の効果がある。
に加えてSnなどの固溶合金元素を添加した銅合金に適用
しても同様の効果がある。
本発明において、酸はCu合金表面の酸化膜を溶解する作
用を有する。酸としては、Cuの溶解度の高いものが望ま
しく、硫酸、硝酸、塩酸、ホウフッ酸、スルファミン酸
などが用いられる。酸の濃度を10〜500g/lに限定した理
由は、10g/l未満ではその効果が十分に発現されず、500
g/lを超えると銅の溶解度が著しく低下し、またコスト
的にも不利になるためである。
用を有する。酸としては、Cuの溶解度の高いものが望ま
しく、硫酸、硝酸、塩酸、ホウフッ酸、スルファミン酸
などが用いられる。酸の濃度を10〜500g/lに限定した理
由は、10g/l未満ではその効果が十分に発現されず、500
g/lを超えると銅の溶解度が著しく低下し、またコスト
的にも不利になるためである。
過酸化物は、酸素イオンを遊離してCuを酸化させる作用
を有し、酸と共存してCuを溶解する。
を有し、酸と共存してCuを溶解する。
過酸化物としては、過酸化水素(H2O2)の他に過硫酸アン
モニウムなどの過硫酸塩が適用される。過酸化物の濃度
を１〜200g/lに限定した理由は、1g/l未満ではその作用
が十分に発現されず、200g/lを超えるとその作用が顕著
となり反応熱により過酸化物が自己分解して溶解速度が
はやまり、制御が困難になるためである。
モニウムなどの過硫酸塩が適用される。過酸化物の濃度
を１〜200g/lに限定した理由は、1g/l未満ではその作用
が十分に発現されず、200g/lを超えるとその作用が顕著
となり反応熱により過酸化物が自己分解して溶解速度が
はやまり、制御が困難になるためである。
可溶性フッ化物とは、酸−過酸化物系処理液に溶解する
フッ素化合物のことで、このような可溶性フッ化物とし
ては、フッ化水素水、酸性フッ化アンモニウム、中性フ
ッカアンモニウム、酸性フッ化ナトリウム、中性フッ化
ナトリウム、酸性フッ化カリウム、中性フッ化カリウ
ム、フッ化アルミニウム、フッ化物カドミウム、フッ化
マンガン、フッ化ニッケル、フッ化亜鉛などがある。こ
れらの可溶性フッ化物はフッ素イオンを遊離して析出物
を分解し溶解する作用を有する。可溶性フッ化物の濃度
を１〜50g/lに限定した理由は、1g/l未満ではその作用
が十分に発現されず、50g/lを超えるとその効果が飽和
するばかりでなく、溶解速度を著しく低下させるためで
ある。実用上望ましい濃度は５〜20g/lである。
フッ素化合物のことで、このような可溶性フッ化物とし
ては、フッ化水素水、酸性フッ化アンモニウム、中性フ
ッカアンモニウム、酸性フッ化ナトリウム、中性フッ化
ナトリウム、酸性フッ化カリウム、中性フッ化カリウ
ム、フッ化アルミニウム、フッ化物カドミウム、フッ化
マンガン、フッ化ニッケル、フッ化亜鉛などがある。こ
れらの可溶性フッ化物はフッ素イオンを遊離して析出物
を分解し溶解する作用を有する。可溶性フッ化物の濃度
を１〜50g/lに限定した理由は、1g/l未満ではその作用
が十分に発現されず、50g/lを超えるとその効果が飽和
するばかりでなく、溶解速度を著しく低下させるためで
ある。実用上望ましい濃度は５〜20g/lである。
フッ化ホウ素酸やフッ化珪素には上記のような効果がな
く、これはフッ素が処理液中で錯イオンとして存在する
ためと考えられる。
く、これはフッ素が処理液中で錯イオンとして存在する
ためと考えられる。
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
Ni2Siの金属間化合物が析出した高強度コルソン合金（C
u-3.0％Ni-0.6％Si-0.5％Zn）およびSn-Ti-Ni系の金属
間化合物が析出したEFTEC-200合金（Cu-2.0％Sn-0.25％
Ti-1.5％Ni-0.5％Zn）の条(0.25mmt)を70×30mmの短冊
状に切り出し、これを電解脱脂後、H2SO4 100g/l、H2O2
30g/lを含有する酸溶解液に第１表に示す各種可溶性フ
ッ化物を添加した処理液に浸漬して表面を約10μ溶解し
てのち、外観および半田ぬれ性を調べた。尚、上記酸性
液には、H2O2の安定化剤として通常用いられるｎ−プロ
ピルアルコールを10g/l添加した。
u-3.0％Ni-0.6％Si-0.5％Zn）およびSn-Ti-Ni系の金属
間化合物が析出したEFTEC-200合金（Cu-2.0％Sn-0.25％
Ti-1.5％Ni-0.5％Zn）の条(0.25mmt)を70×30mmの短冊
状に切り出し、これを電解脱脂後、H2SO4 100g/l、H2O2
30g/lを含有する酸溶解液に第１表に示す各種可溶性フ
ッ化物を添加した処理液に浸漬して表面を約10μ溶解し
てのち、外観および半田ぬれ性を調べた。尚、上記酸性
液には、H2O2の安定化剤として通常用いられるｎ−プロ
ピルアルコールを10g/l添加した。
半田ぬれ性はRAM型フラックス（ムラタ製作所ソルダー
ライトＬ−35）を用い、235℃の共晶半田浴に３秒間デ
ィップして半田付着面積を測定し、百分率であらわし
た。
ライトＬ−35）を用い、235℃の共晶半田浴に３秒間デ
ィップして半田付着面積を測定し、百分率であらわし
た。
第１表より明らかなようにコルソン合金およびEFTEC-20
0合金ともに、本発明法により処理したもの（１〜16）
は表面に析出物が残留しないため外観が美麗で、半田ぬ
れ性が極めて優れている。これに対し従来法により処理
したもの（25、26）は、表面に析出物が残留しているた
め外観が真黒色を呈し、半田ぬれ性は10％と低い値を示
している。
0合金ともに、本発明法により処理したもの（１〜16）
は表面に析出物が残留しないため外観が美麗で、半田ぬ
れ性が極めて優れている。これに対し従来法により処理
したもの（25、26）は、表面に析出物が残留しているた
め外観が真黒色を呈し、半田ぬれ性は10％と低い値を示
している。
比較法のうち、可溶性フッ化物の添加量が限定範囲を下
廻るもの（17〜20、22〜24）は表面の析出物を十分に除
去できないため外観が黒褐色または真黒色を呈し、半田
ぬれ性も15〜30％と低い値である。またフッ素が錯イオ
ンとして存在するフッ化ホウ素酸（21）は外観、半田ぬ
れ性ともに劣る。
廻るもの（17〜20、22〜24）は表面の析出物を十分に除
去できないため外観が黒褐色または真黒色を呈し、半田
ぬれ性も15〜30％と低い値である。またフッ素が錯イオ
ンとして存在するフッ化ホウ素酸（21）は外観、半田ぬ
れ性ともに劣る。
可溶性フッ化物の濃度が限定範囲を超えるものは溶解速
度が速すぎて、実用的でないので特性調査から除外し
た。
度が速すぎて、実用的でないので特性調査から除外し
た。
本発明によれば、従来の処理液に可溶性フッ化物を添加
するだけで、析出合金元素を含有するリードフレーム用
析出強化型銅合金の表面を、析出物が残留しない美麗な
半田ぬれ性に優れた面に処理できるので、電子部品の製
造などにおいて顕著な効果を奏する。
するだけで、析出合金元素を含有するリードフレーム用
析出強化型銅合金の表面を、析出物が残留しない美麗な
半田ぬれ性に優れた面に処理できるので、電子部品の製
造などにおいて顕著な効果を奏する。
Claims (1)
- 【請求項１】析出合金元素を0.1〜5wt％含有するリード
フレーム用析出強化型銅合金を、水に酸を10〜500g/l、
過酸化物を１〜200g/l、可溶性フッ化物を１〜50g/lの
濃度で溶解した処理液を用いて表面処理することを特徴
とするリードフレーム用析出強化型銅合金の表面処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62065126A JPH0692637B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | リ−ドフレ−ム用析出強化型銅合金の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62065126A JPH0692637B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | リ−ドフレ−ム用析出強化型銅合金の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63230884A JPS63230884A (ja) | 1988-09-27 |
| JPH0692637B2 true JPH0692637B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=13277868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62065126A Expired - Fee Related JPH0692637B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | リ−ドフレ−ム用析出強化型銅合金の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0692637B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2612331B2 (ja) * | 1989-03-07 | 1997-05-21 | 株式会社神戸製鋼所 | 銅基合金の酸化皮膜除去方法 |
| US7946022B2 (en) * | 2005-07-05 | 2011-05-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy for electronic machinery and tools and method of producing the same |
| CN101400826B (zh) * | 2006-03-15 | 2012-06-20 | 日本帕卡濑精株式会社 | 铜材料用表面处理液、铜材料的表面处理方法、带表面处理被膜的铜材料和层合构件 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4893542A (ja) * | 1972-03-13 | 1973-12-04 | ||
| JPS5240291A (en) * | 1975-09-27 | 1977-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | Tension controller |
| JPS6231059A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Hitachi Ltd | デイスク插入装置のリンク機構 |
| JPS6250425A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP62065126A patent/JPH0692637B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4893542A (ja) * | 1972-03-13 | 1973-12-04 | ||
| JPS5240291A (en) * | 1975-09-27 | 1977-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | Tension controller |
| JPS6231059A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Hitachi Ltd | デイスク插入装置のリンク機構 |
| JPS6250425A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63230884A (ja) | 1988-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI286164B (en) | Titanium stripping solution | |
| JP2003197847A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100786592B1 (ko) | 전기 전도성 금속 스트립 및 커넥터 | |
| JPS61183426A (ja) | 高力高導電性耐熱銅合金 | |
| JP2004358540A (ja) | 高温ろう材 | |
| JPS6365039A (ja) | 電子電気機器用銅合金 | |
| JP2000307051A (ja) | 銅及び銅基合金とその製造方法 | |
| JPH0692637B2 (ja) | リ−ドフレ−ム用析出強化型銅合金の表面処理方法 | |
| JPH10284667A (ja) | 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法 | |
| JP2797846B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置のＣｕ合金製リードフレーム材 | |
| JP2004358539A (ja) | 高温ろう材 | |
| JP2766605B2 (ja) | ベアボンディング用銅合金リードフレーム | |
| JP3836257B2 (ja) | 耐食性に優れる電気電子機器用部品材料の製造方法 | |
| JP3403299B2 (ja) | 半導体素子用リードフレームのメッキ方法 | |
| JPH02122035A (ja) | 酸化膜密着性に優れた高力高導電銅合金 | |
| JPS6218614B2 (ja) | ||
| JP3500239B2 (ja) | 析出強化型銅合金製品の電解エッチング液および電解エッチング方法 | |
| Jacobson et al. | A low melting point solder for 22 carat yellow gold | |
| JPS6214452A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JP3273193B2 (ja) | 半田耐熱剥離性に優れた高強度高導電性銅基合金 | |
| JP3280686B2 (ja) | 民生用素子およびその製造方法 | |
| JPH0816255B2 (ja) | 電子機器用銅合金 | |
| JPS60131939A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JPH046101B2 (ja) | ||
| JP3077963B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |