JPH0687910A - スチレン系重合体の製造方法 - Google Patents
スチレン系重合体の製造方法Info
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- JPH0687910A JPH0687910A JP23729192A JP23729192A JPH0687910A JP H0687910 A JPH0687910 A JP H0687910A JP 23729192 A JP23729192 A JP 23729192A JP 23729192 A JP23729192 A JP 23729192A JP H0687910 A JPH0687910 A JP H0687910A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- transition metal
- styrene
- derivative
- cyclopentadienyl
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- Polymerization Catalysts (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】一般式 ＣｐＡ1 Ａ2 Ａ3 nＭ
（ここで、Ｃｐはシクロペンタジエニル基、インデニル
基、フルオレニル基またはそれらの誘導体を示す。
Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 はハロゲン原子、水素原子、炭素数１
〜１０までのアルキル基、アルコキシ基、炭素数６〜２
０までのアリール基、アルキルアリール基、アリールア
ルキル基またはアミド基であり、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 のう
ち少なくとも一つはアミド基である。また、Ａ1 ，
Ａ2 ，Ａ3 は互いに同じであっても異なっていてもよ
い。ｎは１〜３までの整数。Ｍは周期律表４〜６族の遷
移金属を示す。）で表される遷移金属化合物、および助
触媒からなる触媒の存在下にスチレンおよび／またはス
チレン誘導体を重合することを特徴とするスチレン系重
合体の製造方法。 【効果】効率よくシンジオタクチック構造を有するスチ
レン系重合体を製造することができる。
基、フルオレニル基またはそれらの誘導体を示す。
Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 はハロゲン原子、水素原子、炭素数１
〜１０までのアルキル基、アルコキシ基、炭素数６〜２
０までのアリール基、アルキルアリール基、アリールア
ルキル基またはアミド基であり、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 のう
ち少なくとも一つはアミド基である。また、Ａ1 ，
Ａ2 ，Ａ3 は互いに同じであっても異なっていてもよ
い。ｎは１〜３までの整数。Ｍは周期律表４〜６族の遷
移金属を示す。）で表される遷移金属化合物、および助
触媒からなる触媒の存在下にスチレンおよび／またはス
チレン誘導体を重合することを特徴とするスチレン系重
合体の製造方法。 【効果】効率よくシンジオタクチック構造を有するスチ
レン系重合体を製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスチレン系重合体の製造
方法に関する。詳しくはシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体の製造方法に関する。
方法に関する。詳しくはシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】シンジオタクチックポリスチレンは従来の
アタクチック、アイソタクチックポリスチレンと比べて
耐熱性が高いことなどからその用途が期待されている。
特開昭６２−１０４８１８号公報、特開昭６２−１８７
７０８号公報、特開平２−１０２２０６号公報等にはチ
タン化合物およびアルミノキサンを主成分とした触媒を
用いてシンジオタクチックポリスチレンが製造できるこ
とが記載されている。特開昭６３−１７２７０７号公報
には、少なくとも一つのTi-N結合を有するチタン化合物
とアルミノキサンからなる触媒を用いてシンジオタクチ
ックポリスチレンが製造できることが記載されている。
アタクチック、アイソタクチックポリスチレンと比べて
耐熱性が高いことなどからその用途が期待されている。
特開昭６２−１０４８１８号公報、特開昭６２−１８７
７０８号公報、特開平２−１０２２０６号公報等にはチ
タン化合物およびアルミノキサンを主成分とした触媒を
用いてシンジオタクチックポリスチレンが製造できるこ
とが記載されている。特開昭６３−１７２７０７号公報
には、少なくとも一つのTi-N結合を有するチタン化合物
とアルミノキサンからなる触媒を用いてシンジオタクチ
ックポリスチレンが製造できることが記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記公報に開示されて
いるような従来技術の中で、シクロペンタジエニルチタ
ニウムトリハライドやシクロペンタジエニルチタニウム
トリアルコキシドのようなチタン化合物は比較的効率よ
くシンジオタクチックポリスチレンを製造することが知
られている。しかしながら、上記チタン化合物を用いて
シンジオタクチックポリスチレンを製造する場合におい
ても高価なアルミノキサンを大量に必要としたり、チタ
ン当たりの活性は不充分であるなどのような問題点があ
った。
いるような従来技術の中で、シクロペンタジエニルチタ
ニウムトリハライドやシクロペンタジエニルチタニウム
トリアルコキシドのようなチタン化合物は比較的効率よ
くシンジオタクチックポリスチレンを製造することが知
られている。しかしながら、上記チタン化合物を用いて
シンジオタクチックポリスチレンを製造する場合におい
ても高価なアルミノキサンを大量に必要としたり、チタ
ン当たりの活性は不充分であるなどのような問題点があ
った。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決し効率よくシンジオタクチックポリスチレンを製
造する方法について鋭意検討した結果、特定の新規な遷
移金属化合物を使用することにより効率良くシンジオタ
クチックポリスチレンが製造できることを見出し、本発
明を完成するに到った。すなわち本発明は、 一般式 ＣｐＡ1 Ａ2 Ａ3 n Ｍ （ここで、Ｃｐはシクロペンタジエニル基、インデニル
基、フルオレニル基またはそれらの誘導体を示す。
Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 はハロゲン原子、水素原子、炭素数１
〜１０までのアルキル基、アルコキシ基、炭素数６〜２
０までのアリール基、アルキルアリール基、アリールア
ルキル基またはアミド基であり、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 のう
ち少なくとも一つはアミド基である。また、Ａ1 ，
Ａ2 ，Ａ3 は互いに同じであっても異なっていてもよ
い。ｎは１〜３までの整数。Ｍは周期律表４〜６族の遷
移金属を示す。）で表される遷移金属化合物、および助
触媒からなる触媒の存在下にスチレンおよび／またはス
チレン誘導体を重合することを特徴とするスチレン系重
合体の製造方法である。上記一般式ＣｐＡ1 Ａ2 Ａ3 n
Ｍ中、Ｃｐはシクロペンタジエニル基、インデニル基、
フルオレニル基またはそれらの誘導体を示す。具体的に
は、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエ
ニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、トリメチル
シクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジ
エニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基、イン
デニル基、３−メチルインデニル基、４，５，６，７−
テトラヒドロインデニル基、フルオレニル基、１−メチ
ルフルオレニル基、２、７−ジｔ−ブチルフルオレニル
基、オクタヒドロフルオレニル基などを挙げることがで
きる。
を解決し効率よくシンジオタクチックポリスチレンを製
造する方法について鋭意検討した結果、特定の新規な遷
移金属化合物を使用することにより効率良くシンジオタ
クチックポリスチレンが製造できることを見出し、本発
明を完成するに到った。すなわち本発明は、 一般式 ＣｐＡ1 Ａ2 Ａ3 n Ｍ （ここで、Ｃｐはシクロペンタジエニル基、インデニル
基、フルオレニル基またはそれらの誘導体を示す。
Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 はハロゲン原子、水素原子、炭素数１
〜１０までのアルキル基、アルコキシ基、炭素数６〜２
０までのアリール基、アルキルアリール基、アリールア
ルキル基またはアミド基であり、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 のう
ち少なくとも一つはアミド基である。また、Ａ1 ，
Ａ2 ，Ａ3 は互いに同じであっても異なっていてもよ
い。ｎは１〜３までの整数。Ｍは周期律表４〜６族の遷
移金属を示す。）で表される遷移金属化合物、および助
触媒からなる触媒の存在下にスチレンおよび／またはス
チレン誘導体を重合することを特徴とするスチレン系重
合体の製造方法である。上記一般式ＣｐＡ1 Ａ2 Ａ3 n
Ｍ中、Ｃｐはシクロペンタジエニル基、インデニル基、
フルオレニル基またはそれらの誘導体を示す。具体的に
は、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエ
ニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、トリメチル
シクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジ
エニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基、イン
デニル基、３−メチルインデニル基、４，５，６，７−
テトラヒドロインデニル基、フルオレニル基、１−メチ
ルフルオレニル基、２、７−ジｔ−ブチルフルオレニル
基、オクタヒドロフルオレニル基などを挙げることがで
きる。
【０００５】Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 はハロゲン原子、水素原
子、炭素数１〜１０までのアルキル基、アルコキシ基、
炭素数６〜２０までのアリール基、アルキルアリール
基、アリールアルキル基またはアミド基であり、Ａ1 ，
Ａ2 ，Ａ3 のうち少なくとも一つはアミド基である。ハ
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子であり、好ましくは塩素原子である。炭
素数１〜１０までのアルキル基、アルコキシ基、炭素数
６〜２０までのアリール基、アルキルアリール基、アリ
ールアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基、フェニル基、トルイル基、
ベンジル基、フェノキシ基などを挙げることができる。
アミド基としては、アミド基、メチルアミド、エチルア
ミド基、ブチルアミド基、アニリド基、ジメチルアミド
基、ジエチルアミド基、トリメチルシリルアミド基、ト
リメチルシリルメチルアミド基、トリメチルシリルブチ
ルアミド基、ビストリメチルシリルアミド基、トリメチ
ルシリルアニリド基、ビスジフェニルシリルアミド基、
ビスジメチルアミド基などを挙げることができる。その
中でも、珪素原子を含有するアミド基が好ましい。Ｍは
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、クロ
ム、モリブデンなどの周期律表４〜６族の遷移金属を示
し、好ましくはチタン、ジルコニウムである。ｎは前記
遷移金属Ｍの価数により異なり１〜３の整数をとりう
る。
子、炭素数１〜１０までのアルキル基、アルコキシ基、
炭素数６〜２０までのアリール基、アルキルアリール
基、アリールアルキル基またはアミド基であり、Ａ1 ，
Ａ2 ，Ａ3 のうち少なくとも一つはアミド基である。ハ
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子であり、好ましくは塩素原子である。炭
素数１〜１０までのアルキル基、アルコキシ基、炭素数
６〜２０までのアリール基、アルキルアリール基、アリ
ールアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基、フェニル基、トルイル基、
ベンジル基、フェノキシ基などを挙げることができる。
アミド基としては、アミド基、メチルアミド、エチルア
ミド基、ブチルアミド基、アニリド基、ジメチルアミド
基、ジエチルアミド基、トリメチルシリルアミド基、ト
リメチルシリルメチルアミド基、トリメチルシリルブチ
ルアミド基、ビストリメチルシリルアミド基、トリメチ
ルシリルアニリド基、ビスジフェニルシリルアミド基、
ビスジメチルアミド基などを挙げることができる。その
中でも、珪素原子を含有するアミド基が好ましい。Ｍは
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、クロ
ム、モリブデンなどの周期律表４〜６族の遷移金属を示
し、好ましくはチタン、ジルコニウムである。ｎは前記
遷移金属Ｍの価数により異なり１〜３の整数をとりう
る。
【０００６】上記本発明の遷移金属化合物の好適な例と
しては、（シクロペンタジエニル）（ビストリメチルシ
リルアミド）チタニウムジクロリド、（メチルシクロペ
ンタジエニル）（ビストリメチルシリルアミド）チタニ
ウムジクロリド、（テトラメチルシクロペンタジエニ
ル）（ビストリメチルシリルアミド）チタニウムジクロ
リド、（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ビスト
リメチルシリルアミド）チタニウムジクロリド、（シク
ロペンタジエニル）（ビスジメチルシリルアミド）チタ
ニウムジクロリド、（メチルシクロペンタジエニル）
（ビスジメチルシリルアミド）チタニウムジクロリド、
（テトラメチルシクロペンタジエニル）（ビスジメチル
シリルアミド）チタニウムジクロリド、（ペンタメチル
シクロペンタジエニル）（ビスジメチルシリルアミド）
チタニウムジクロリド、（シクロペンタジエニル）（ト
リメチルシリルアニリド）チタニウムジクロリド、（メ
チルシクロペンタジエニル）（トリメチルシリルアニリ
ド）チタニウムジクロリド、（テトラメチルシクロペン
タジエニル）（トリメチルシリルアニリド）チタニウム
ジクロリド、（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
（トリメチルシリルアニリド）チタニウムジクロリドな
どの他に同様のジルコニウム化合物を挙げることができ
る。
しては、（シクロペンタジエニル）（ビストリメチルシ
リルアミド）チタニウムジクロリド、（メチルシクロペ
ンタジエニル）（ビストリメチルシリルアミド）チタニ
ウムジクロリド、（テトラメチルシクロペンタジエニ
ル）（ビストリメチルシリルアミド）チタニウムジクロ
リド、（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（ビスト
リメチルシリルアミド）チタニウムジクロリド、（シク
ロペンタジエニル）（ビスジメチルシリルアミド）チタ
ニウムジクロリド、（メチルシクロペンタジエニル）
（ビスジメチルシリルアミド）チタニウムジクロリド、
（テトラメチルシクロペンタジエニル）（ビスジメチル
シリルアミド）チタニウムジクロリド、（ペンタメチル
シクロペンタジエニル）（ビスジメチルシリルアミド）
チタニウムジクロリド、（シクロペンタジエニル）（ト
リメチルシリルアニリド）チタニウムジクロリド、（メ
チルシクロペンタジエニル）（トリメチルシリルアニリ
ド）チタニウムジクロリド、（テトラメチルシクロペン
タジエニル）（トリメチルシリルアニリド）チタニウム
ジクロリド、（ペンタメチルシクロペンタジエニル）
（トリメチルシリルアニリド）チタニウムジクロリドな
どの他に同様のジルコニウム化合物を挙げることができ
る。
【０００７】上記本発明の遷移金属化合物の特徴は、１
つのシクロペンタジエニル誘導体の配位子と少なくとも
１つのアミド基配位子を有していることにある。これら
の化合物は例えば、後述の実施例に記載されているよう
に、モノシクロペンタジエニル遷移金属化合物と相当す
る金属アミド化合物とを反応させることにより得られ
る。本発明においては、上記本発明の遷移金属化合物を
助触媒と組み合わせることによりオレフィン重合用触媒
として使用することができる。使用される助触媒として
は、オレフィン重合用触媒としてメタロセン化合物と組
み合わせて使用される公知の助触媒を用いることができ
る。そのような助触媒としては公知のアルミノキサンが
好適に使用することができるが、いわゆるメタロセン化
合物と共に使用される公知の助触媒、例えば特表平１−
５０１９５０号公報、特表平１−５０２０３６号公報、
特開平３−１７９００６号公報などに記載されているよ
うな遷移金属カチオンを安定化することのできる化合物
や、特開平３−１７９００５号公報に記載されているよ
うなルイス酸性を示す化合物を使用することも可能であ
る。
つのシクロペンタジエニル誘導体の配位子と少なくとも
１つのアミド基配位子を有していることにある。これら
の化合物は例えば、後述の実施例に記載されているよう
に、モノシクロペンタジエニル遷移金属化合物と相当す
る金属アミド化合物とを反応させることにより得られ
る。本発明においては、上記本発明の遷移金属化合物を
助触媒と組み合わせることによりオレフィン重合用触媒
として使用することができる。使用される助触媒として
は、オレフィン重合用触媒としてメタロセン化合物と組
み合わせて使用される公知の助触媒を用いることができ
る。そのような助触媒としては公知のアルミノキサンが
好適に使用することができるが、いわゆるメタロセン化
合物と共に使用される公知の助触媒、例えば特表平１−
５０１９５０号公報、特表平１−５０２０３６号公報、
特開平３−１７９００６号公報などに記載されているよ
うな遷移金属カチオンを安定化することのできる化合物
や、特開平３−１７９００５号公報に記載されているよ
うなルイス酸性を示す化合物を使用することも可能であ
る。
【０００８】アルミノキサンとしては、下記一般式
【０００９】
【化１】 （ここでＲは炭素数１〜１０の炭化水素基を示し、ｎは
２以上である。）で表される化合物であり、特にＲがメ
チル基であるメチルアルミノキサンでｎが５以上、好ま
しくは１０以上のものが利用される。上記アルミノキサ
ン類には若干のアルキルアルミニウム化合物が混入して
いても差し支えない。また、その他に、特開平２−２４
７０１号公報、特開平３−１０３４０７号公報などに記
載されている二種類以上のアルキル基を有するアルミノ
キサンや、特開昭６３−１９８６９１号公報などに記載
されている微粒子状アルミノキサン、特開平２−１６７
３０２号公報、特開平２−１６７３０５号公報などに記
載されているアルミノキサンを水や活性水素化合物と接
触させて得られるアルミニウムオキシ化合物なども好適
に利用することができる。また、上記アルミノキサンの
他に、特開平３−１９７５１４号公報に記載されている
テトラアルキルジアルミノキサンも好適に使用すること
ができる。
２以上である。）で表される化合物であり、特にＲがメ
チル基であるメチルアルミノキサンでｎが５以上、好ま
しくは１０以上のものが利用される。上記アルミノキサ
ン類には若干のアルキルアルミニウム化合物が混入して
いても差し支えない。また、その他に、特開平２−２４
７０１号公報、特開平３−１０３４０７号公報などに記
載されている二種類以上のアルキル基を有するアルミノ
キサンや、特開昭６３−１９８６９１号公報などに記載
されている微粒子状アルミノキサン、特開平２−１６７
３０２号公報、特開平２−１６７３０５号公報などに記
載されているアルミノキサンを水や活性水素化合物と接
触させて得られるアルミニウムオキシ化合物なども好適
に利用することができる。また、上記アルミノキサンの
他に、特開平３−１９７５１４号公報に記載されている
テトラアルキルジアルミノキサンも好適に使用すること
ができる。
【００１０】本発明における上記遷移金属化合物に対す
るアルミノキサンの使用割合としては１〜１０００００
モル倍、通常１０〜１００００モル倍である。本発明に
おける遷移金属化合物および／または助触媒はそのまま
でも、ＳｉＯ 2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＣｌ2 などのチーグ
ラー型触媒を担持する公知の担体上に担持して使用して
もよい。また、本発明における遷移金属化合物／助触媒
からなる触媒は必要に応じて有機アルミニウム化合物の
存在下に使用することができる。そうすることにより、
より少ないアルミノキサン使用量でオレフィン重合体を
製造することも可能である。使用される有機アルミニウ
ム化合物としては、 一般式 Ｒ1 j Ａｌ（ＯＲ2 ）k Ｈl Ｘm （ここでＲ1 ，Ｒ2 は炭素数１〜２０までの炭化水素基
を示し、Ｒ1 ，Ｒ2 は互いに同一であっても異なってい
てもよい。Ｘはハロゲン原子、Ｏは酸素原子、Ｈは水素
原子を示す。ｊは１〜３までの整数、ｋ，ｌ，ｍは０か
ら２までの整数であり、ｊ＋ｋ＋ｌ＋ｍ＝３である）で
表される有機アルミニウム化合物でこれらを混合して使
用することもできる。具体的には例えば、トリメチルア
ルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチル
アルミニウム、ジエチルアルミニウムクロリド、エチル
アルミニウムジクロリド、ジイソブチルアルミニウムヒ
ドリドなどを挙げることができる。その中でも、トリエ
チルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが好適
に用いられる。本発明の方法で行われる重合方法および
重合条件については特に制限はなく、不活性炭化水素媒
体を用いる溶媒重合法、または実質的に不活性炭化水素
媒体の存在しない塊状重合法も利用でき、重合温度とし
ては−１００〜２００℃、好ましくは−５０〜１００℃
である。
るアルミノキサンの使用割合としては１〜１０００００
モル倍、通常１０〜１００００モル倍である。本発明に
おける遷移金属化合物および／または助触媒はそのまま
でも、ＳｉＯ 2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＣｌ2 などのチーグ
ラー型触媒を担持する公知の担体上に担持して使用して
もよい。また、本発明における遷移金属化合物／助触媒
からなる触媒は必要に応じて有機アルミニウム化合物の
存在下に使用することができる。そうすることにより、
より少ないアルミノキサン使用量でオレフィン重合体を
製造することも可能である。使用される有機アルミニウ
ム化合物としては、 一般式 Ｒ1 j Ａｌ（ＯＲ2 ）k Ｈl Ｘm （ここでＲ1 ，Ｒ2 は炭素数１〜２０までの炭化水素基
を示し、Ｒ1 ，Ｒ2 は互いに同一であっても異なってい
てもよい。Ｘはハロゲン原子、Ｏは酸素原子、Ｈは水素
原子を示す。ｊは１〜３までの整数、ｋ，ｌ，ｍは０か
ら２までの整数であり、ｊ＋ｋ＋ｌ＋ｍ＝３である）で
表される有機アルミニウム化合物でこれらを混合して使
用することもできる。具体的には例えば、トリメチルア
ルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチル
アルミニウム、ジエチルアルミニウムクロリド、エチル
アルミニウムジクロリド、ジイソブチルアルミニウムヒ
ドリドなどを挙げることができる。その中でも、トリエ
チルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが好適
に用いられる。本発明の方法で行われる重合方法および
重合条件については特に制限はなく、不活性炭化水素媒
体を用いる溶媒重合法、または実質的に不活性炭化水素
媒体の存在しない塊状重合法も利用でき、重合温度とし
ては−１００〜２００℃、好ましくは−５０〜１００℃
である。
【００１１】本発明において重合に際し使用される炭化
水素媒体としては例えばブタン、ペンタン、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、シクロペンタ
ン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素の他に、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素も使用す
ることができる。また、本発明においてモノマーとして
使用されるスチレン誘導体としては、スチレン、ｏ−メ
チルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ，ｐ−ジメチル
スチレン、ｏ−クロルスチレン、ｐ−クロルスチレン、
α−メチルスチレンなどを挙げることができる。
水素媒体としては例えばブタン、ペンタン、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、シクロペンタ
ン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素の他に、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素も使用す
ることができる。また、本発明においてモノマーとして
使用されるスチレン誘導体としては、スチレン、ｏ−メ
チルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ，ｐ−ジメチル
スチレン、ｏ−クロルスチレン、ｐ−クロルスチレン、
α−メチルスチレンなどを挙げることができる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
る。 実施例１遷移金属化合物の合成 〔（シクロペンタジエニル）（ビストリメチルシリルア
ミド）チタニウムジクロリド〕充分窒素置換した３００
ｃｍ3 の４つ口フラスコにシクロペンタジエニルチタニ
ウムトリクロリド３．０ｇをジエチルエーテル１００ｃ
ｍ3 に溶解させた。この溶液に２．３ｇのリチウムビス
（トリメチルシリル）アミドを含むジエチルエーテル溶
液２０ｃｍ3 を室温で１時間かけて滴下した。室温で一
晩攪拌した後、沈澱物を濾別、濾液を約３０ｃｍ3 まで
冷却し、析出したオレンジ色の固体を分離、乾燥するこ
とにより３．３ｇの標題化合物を得た。この化合物の物
性値を下に示す。
る。 実施例１遷移金属化合物の合成 〔（シクロペンタジエニル）（ビストリメチルシリルア
ミド）チタニウムジクロリド〕充分窒素置換した３００
ｃｍ3 の４つ口フラスコにシクロペンタジエニルチタニ
ウムトリクロリド３．０ｇをジエチルエーテル１００ｃ
ｍ3 に溶解させた。この溶液に２．３ｇのリチウムビス
（トリメチルシリル）アミドを含むジエチルエーテル溶
液２０ｃｍ3 を室温で１時間かけて滴下した。室温で一
晩攪拌した後、沈澱物を濾別、濾液を約３０ｃｍ3 まで
冷却し、析出したオレンジ色の固体を分離、乾燥するこ
とにより３．３ｇの標題化合物を得た。この化合物の物
性値を下に示す。
【００１３】1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（９０ＭＨｚ，Ｃ
ＤＣｌ3 溶液）（ｐｐｍ） ６．６６（ｓ，５Ｈ），０．４１（ｓ，１８Ｈ）重合 充分窒素置換した２００ｃｍ3 ガラス製フラスコにトル
エン２５ｃｍ3 、上記で合成した（シクロペンタジエニ
ル）（ビストリメチルシリルアミド）チタニウムジクロ
リド５ｍｇおよび東ソー・アクゾ社製メチルアルミノキ
サン０．１ｇを装入し、続いてスチレン２５ｃｍ3 を加
え、内温を４０℃として２０分間重合を行った。少量の
メタノールを系内に加えることにより重合を停止した
後、大量のメタノール・塩酸中に重合スラリーを投入す
ることにより、生成ポリマーを析出させた。得られたポ
リマーを乾燥することにより１８．６ｇのシンジオタク
チックポリスチレンを得た。これは２６６００g-PS/g-T
i の活性に相当する。このポリスチレンの沸騰メチルエ
チルケトン不溶部は９０％であった。
ＤＣｌ3 溶液）（ｐｐｍ） ６．６６（ｓ，５Ｈ），０．４１（ｓ，１８Ｈ）重合 充分窒素置換した２００ｃｍ3 ガラス製フラスコにトル
エン２５ｃｍ3 、上記で合成した（シクロペンタジエニ
ル）（ビストリメチルシリルアミド）チタニウムジクロ
リド５ｍｇおよび東ソー・アクゾ社製メチルアルミノキ
サン０．１ｇを装入し、続いてスチレン２５ｃｍ3 を加
え、内温を４０℃として２０分間重合を行った。少量の
メタノールを系内に加えることにより重合を停止した
後、大量のメタノール・塩酸中に重合スラリーを投入す
ることにより、生成ポリマーを析出させた。得られたポ
リマーを乾燥することにより１８．６ｇのシンジオタク
チックポリスチレンを得た。これは２６６００g-PS/g-T
i の活性に相当する。このポリスチレンの沸騰メチルエ
チルケトン不溶部は９０％であった。
【００１４】比較例１ 遷移金属化合物としてシクロペンタジエニルチタニウム
トリクロリド５ｍｇを使用した以外は実施例１と同様に
してスチレンの重合を行った。得られたシンジオタクチ
ックポリスチレンは１５．１ｇであり、これは１３９０
０g-PS/g-Ti の活性に相当する。また、このポリスチレ
ンの沸騰メチルエチルケトン不溶部は９０％であった。
トリクロリド５ｍｇを使用した以外は実施例１と同様に
してスチレンの重合を行った。得られたシンジオタクチ
ックポリスチレンは１５．１ｇであり、これは１３９０
０g-PS/g-Ti の活性に相当する。また、このポリスチレ
ンの沸騰メチルエチルケトン不溶部は９０％であった。
【００１５】
【発明の効果】本発明の方法を実施することにより効率
良くシンジオタクチックスチレン系重合体が製造でき、
工業的に極めて価値がある。
良くシンジオタクチックスチレン系重合体が製造でき、
工業的に極めて価値がある。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式 ＣｐＡ1 Ａ2 Ａ3 n Ｍ （ここで、Ｃｐはシクロペンタジエニル基、インデニル
基、フルオレニル基またはそれらの誘導体を示す。
Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 はハロゲン原子、水素原子、炭素数１
〜１０までのアルキル基、アルコキシ基、炭素数６〜２
０までのアリール基、アルキルアリール基、アリールア
ルキル基またはアミド基であり、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 のう
ち少なくとも一つはアミド基である。また、Ａ1 ，
Ａ2 ，Ａ3 は互いに同じであっても異なっていてもよ
い。ｎは１〜３までの整数。Ｍは周期律表４〜６族の遷
移金属を示す。）で表される遷移金属化合物、および助
触媒からなる触媒の存在下にスチレンおよび／またはス
チレン誘導体を重合することを特徴とするスチレン系重
合体の製造方法。 - 【請求項２】助触媒がアルミノキサンであることを特徴
とする請求項１記載のスチレン系重合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23729192A JP3264454B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | スチレン系重合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23729192A JP3264454B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | スチレン系重合体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0687910A true JPH0687910A (ja) | 1994-03-29 |
| JP3264454B2 JP3264454B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=17013201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23729192A Expired - Fee Related JP3264454B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | スチレン系重合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3264454B2 (ja) |
-
1992
- 1992-09-04 JP JP23729192A patent/JP3264454B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3264454B2 (ja) | 2002-03-11 |
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