JPH0685101A - セラミックス基板の製造方法 - Google Patents

セラミックス基板の製造方法

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JPH0685101A
JPH0685101A JP23064792A JP23064792A JPH0685101A JP H0685101 A JPH0685101 A JP H0685101A JP 23064792 A JP23064792 A JP 23064792A JP 23064792 A JP23064792 A JP 23064792A JP H0685101 A JPH0685101 A JP H0685101A
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laminated plate
pattern
wiring
substrate
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JP23064792A
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Katsuhiro Kusaka
克宏 日下
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Integrated Microtechnology Ltd
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Integrated Microtechnology Ltd
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Publication date
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/107Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1258Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 TAB用セラミックス基板の製造に関し,剥
離強度の高いパターンを厚膜法により製造することを目
的とする。 【構成】 グリーンシート1a,1bの積層板1A表面
に金属含有ペーストからなる第一のペーストパターン2
aを印刷した後,積層板1Aを加熱加圧して第一のペー
ストパターン2aを積層板1Aに押し込み積層板1A表
面にペースト領域3aを形成する第一の印刷工程と,積
層板1A表面に第二のペーストパターン2bをペースト
領域3a上に重ねて印刷した後,加熱加圧してペースト
領域3aをより深く形成する印刷工程を1回以上行う工
程と,積層板1Aを焼成して,ペースト領域3aの焼成
により形成された導電性の配線領域3bを表面に有する
セラミックス基板1とする焼成工程と,セラミックス基
板1表面をラップして平坦化する研磨工程とを有して構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はTAB(Tape Automated
Bonding) 方式によりチップを搭載するためのパッケー
ジ用セラミックス基板の製造方法に関する。
【0002】TABは多数のリードを必要とする電子部
品チップの実装方法として幾多の長所を有することか
ら,多くの電子機器に用いられている。しかし,多数の
リードを有するチップをパッケージ基板上の配線パター
ンに確実に接続するには,基板形状が精密に製造され,
かつ接着強度の高い配線パターンが形成されていなけれ
ばならず,かかる条件を満たす基板の製造は難しい。
【0003】このため,TAB方式によるチップ搭載の
ための信頼性の高いセラミックス基板を,容易に製造す
る技術が要望されている。
【0004】
【従来の技術】TAB方式を用いてチップを搭載するた
めの基板(以下TAB用基板という。)は,多数のリー
ドを同時にかつ均一に接続するために,リードと接続す
べき配線パターンを平坦な面に形成する必要がある。
【0005】このため,従来のTAB用基板は,表面を
研磨により平坦にしたセラミックス基板を用い,その表
面に薄膜の配線パターンを形成することで製造されてい
た。かかる薄膜の配線パターンを有するTAB用基板の
製造工程について以下に説明する。
【0006】図4は従来のTAB用基板説明図であり,
図4(a)及び(b)は,それぞれ薄膜の配線パターン
が形成される前及び後の基板の斜視図を,図4(c)
は,その使用例を断面図により表している。
【0007】図4(a)を参照して,先ず,表面が平坦
に研磨されたセラミックス基板1を製造する。この基板
1には,通常は表面の配線パターンを,裏面に設けられ
るピン,或いは配線に接続するためのビアホール7が設
けられる。
【0008】図5は従来のTAB用基板断面製造工程図
であり,上記ビアホールを設けたセラミックス基板の製
造工程を表している。図5(a)を参照して,貫通孔に
例えばタングステンペーストを圧入したビアホール7が
形成されたグリーンシートを積層した積層板1Aを焼成
してセラミックス基板1とする。
【0009】焼成後のセラミックス基板1は,図5
(b)を参照して,焼成により表面の凹凸および基板の
反りが生ずるのである。このセラミックス基板1を,図
5(c)を参照して,例えばラップ盤12間に挟みラッ
ピングして,図5(d)を参照して,図4(a)に示す
如きビアホールを有する平行平板のセラミックス基板と
する。
【0010】以上の工程により,図4(a)に示すよう
な表面が平坦で,かつビアホールを有するセラミックス
基板が製造される。次に,図4(b)を参照して,TA
B方式を採るチップのリードを接続するための配線8を
薄膜パターンにより形成する。
【0011】この薄膜パターンは,図5(e)を参照し
て,基板表面に導電体を例えば蒸着により堆積し,これ
をフォトエッチングして配線8パターンとすることで形
成される。
【0012】上記方法により製造されたセラミックス基
板は,図4(c)を参照して,裏面にビアホール7と接
続するピン9が固着され,表面にはTAB方式を採るチ
ップ10がそのリード11を配線8上に例えば熱圧着に
より固着され,パッケージングされる。
【0013】上述したセラミック基板表面に薄膜パター
ンを形成するTAB用基板の製造方法は,薄膜パターン
を形成するために導電体の堆積装置,例えば真空装置又
はCVDが必要であり,さらに薄膜パターン形成のため
のフォトエッチング装置を必要とする。従って,複雑,
高価な製造設備を必要とし,また多大の工程と時間とを
要する。
【0014】また,薄膜パターンは基板との密着強度が
十分ではなく,基板から剥離することがあり,パッケー
ジングの信頼性が損なわれる。他方,TAB方式によら
ないセラミック基板の配線は,通常,厚膜により形成さ
れている。ここで配線パターンの形成に薄膜を用いずに
膜厚を用いる理由は,厚膜は薄膜よりも密着性に優れ信
頼性が高いこと,印刷法を用いて安価な装置と少ない工
程とで配線を形成することができるためである。
【0015】しかし従来,厚膜はTAB用基板の配線に
は用いられていない。これは,厚膜はパターニングした
後にセラミックを焼結しなければならず,この焼結の際
に基板の反り及び表面の凹凸を生じて,TAB用基板に
必要な平坦性を担保することができないからである。
【0016】以下,かかる事情を厚膜の配線パターンの
形成工程に沿い説明する。図6は従来の厚膜パターン形
成工程図であり,セラミック基板表面に配線パターンを
形成する工程を基板の断面図により表している。
【0017】厚膜のパターンを形成するには,先ず,図
6(a)を参照して,グリーンシートを加圧,積層して
形成された積層板1Aの表面に,印刷法,例えばスクリ
ーン印刷法を用いて,焼結後に導電性を有するペースト
2,例えばタングステンペーストを配線パターンとして
印刷する。
【0018】次いで,図6(b)を参照して,グリーン
シートからなる積層板1Aの表面に配線パターン状に印
刷されたペーストパターン2を昇温,加圧して,ペース
ト2を積層板1A表面層中に押し込む。この工程により
積層板1A表面に埋め込まれるように配線パターンと同
じパターン形状のペースト領域3aが形成される。
【0019】次いで,積層板1Aを焼成し,グリーンシ
ートをセラミックスとする。この焼成によりペースト領
域3aは導電性の配線領域3bに変換される。この配線
領域は,セラミック基板1中に一体として形成されるた
め大きな剥離強度を有している。
【0020】ところが,この焼結の際に生じる表面の凹
凸及び基板の反りのため,図6(c)を参照して,積層
板1Aを焼成して形成されたセラミックス基板1の表面
は平坦にはならないのである。
【0021】従って,焼成後のままの基板表面に形成さ
れた配線パターンは高低差が大きく,直接TAB方式に
よるリードを固着することができない。また,かかる基
板表面の高低差を消失するために基板1の表面を研磨す
る方法は,図6(d)を参照して,配線パターンの高低
差の分,一方の配線領域3bがラップの際に研磨され,
薄くなるのである。
【0022】例えば,焼成後の基板表面の高低差は,多
くの場合にTABのリード接続位置間で20μm程度で
ある。これに対し,配線領域3bの深さは例えば20μ
m程度であるから,一部の配線領域3b全体が研磨によ
り除去される場合も生ずる。また全体が除去されなくと
も,配線領域3bが薄くなるため電気抵抗が大きくな
る。
【0023】とくに,配線領域の密度が基板面内で異な
る場合には,配線領域とセラミックスとの研磨速度の相
違から斜めに研磨され,平坦にならないのである。この
ように,厚膜パターンが形成されたセラミック基板は,
焼成では表面を平坦にすることが難しい,平坦にするた
め研磨すると配線領域が薄くなる,配線密度によっては
平坦に研磨することができないという事情から,TAB
用基板に適用することは難しかった。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】上述したように,従来
のTAB用基板は,表面を平坦に研磨したセラミックス
基板上に薄膜パターンを形成して製造していたため,製
造装置が複雑,高価で製造工程が多く,また製造時間も
長いという欠点がある。さらに,薄膜は,剥離強度が低
く信頼性に乏しいという問題がある。
【0025】また,厚膜パターンをTAB用基板の配線
に適用するには,配線パターン形成後の基板表面の平坦
性が悪いという問題がある。また,配線が形成された基
板表面を研磨して平坦にしても配線領域が薄くなり配線
抵抗が増加する,さらに基板面内の配線密度分布がある
ときは平坦に研磨できず,配線パターンの切断を招くと
いう問題がある。
【0026】本発明は,厚膜を用いて深い配線領域を形
成することにより,研磨による基板表面の平坦化に際し
て十分な深さの配線領域を残し,低い配線抵抗と剥離強
度の高いかつ簡易な装置と少ない工程で容易に製造する
ことができるTAB用パッケージに用いるセラミックス
基板を提供することを目的とする。
【0027】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の第一実施
例断面工程図,図2は本発明の第二実施例断面工程図で
あり,セラミック基板表面に厚膜の配線領域を形成する
工程を表している。
【0028】上記課題を解決するために,本発明の第一
の構成は,図1を参照して,セラミックスグリーンシー
ト1a,1bからなる積層板1A表面に配線パターン状
の金属含有ペーストからなる第一のペーストパターン2
aを印刷した後,該積層板1Aを加熱加圧して該第一の
ペーストパターン2aを該積層板1A表面に押し込み該
積層板1A表面に埋め込まれたペースト領域3aを形成
する第一の印刷工程と,次いで,該積層板1A表面に該
ペーストからなり該配線パターン形状を有する第二のペ
ーストパターン2bを該ペースト領域3a上に重ねて印
刷した後,加熱加圧して該ペースト領域3aをより深く
形成する印刷工程を1回以上行う工程と,次いで,該積
層板1Aを焼成して,該ペースト領域3aの焼成により
形成された導電性の配線領域3bを表面に有するセラミ
ックス基板1とする焼成工程と,次いで,該セラミック
ス基板1表面をラップして平坦化する研磨工程とを有す
ることを特徴として構成し,及び,第二の構成は,セラ
ミックスグリーンシート1a,1bからなる積層板1A
表面に配線パターン状の金属含有ペーストからなる第一
のペーストパターン2aを印刷した後,該積層板1Aを
加熱加圧して該第一のペーストパターン2aを該積層板
1Aに押し込み該積層板1A表面に埋め込まれた第一の
ペースト領域3aを形成する第一の印刷工程と,次い
で,該積層板1A表面に該ペーストからなり該配線パタ
ーン形状を有する第二のペーストパターン4を該ペース
ト領域3a上に重ねて印刷した後,該積層板1A表面に
セラミックスグリーンシート薄片6を密着して重ね,加
熱加圧して該第二のペーストパターン4を該グリーンシ
ート薄片6に押し込み,該第一のペースト領域3aと接
する該グリーンシート薄片6表面に第二のペースト領域
5を形成する工程と,次いで,該積層板1Aを焼成し
て,該第一の及び該第二のペースト領域3a,5の焼成
により該積層板1Aと該グリーンシート薄片6との間に
形成された導電性の配線領域3b,5bを有するセラミ
ックス基板1とする焼成工程と,次いで,該セラミック
ス基板1の表面を平坦にラップして該配線領域3b,5
bを表出する研磨工程とを有することを特徴として構成
する。
【0029】
【作用】本発明の第一の構成では,焼成前のセラミック
スグリーンシートからなる積層板の表面に印刷された金
属含有ペーストパターンを押し込むことにより,積層板
表面に埋め込むようにペースト領域を形成し,その後さ
らに同じ領域上に同じパターン形状の金属ペーストパタ
ーンを印刷し押し込む工程を1回以上行う。
【0030】即ち,図1(a)を参照して,先ず焼成前
のセラミックスグリーンシート1a,1bからなる積層
板1Aの表面に配線パターン形状の金属含有ペーストパ
ターン2aを印刷し,図1(b)を参照して,その後昇
温,加圧してペーストパターン2aを積層板1Aに押し
込み,ペースト領域3aを積層板1A表面に埋め込まれ
る様に形成する。この工程は,通常の膜厚パターン形成
に用いられる印刷法と異なるところはない。
【0031】次いで,図1(c)を参照して,上記印刷
工程で印刷されたパターンと同じパターン形状のぺース
トパターン2bを,再びぺースト領域3a上に重ねて印
刷する。
【0032】次いで,図1(d)を参照して,昇温,加
圧してペーストパターン2bを積層板1A中に押し込
む。このとき,既に埋め込まれていたぺーストは積層板
1A表面から深部に押し込まれるため,ペースト領域3
aは深くなるのである。
【0033】従って,ぺースト領域3a上に同じパター
ンを重ねて印刷し押し込むことにより,深い,言い換え
れば厚いペースト領域3aが形成される。この厚いペー
スト領域3aは,図1(e)を参照して,積層板1Aを
セラミックス基板1に変換する焼成の際に,同時に導電
性の配線領域3bに変換される。従って本構成により,
厚い配線領域3bが形成される。
【0034】かかる方法で形成された配線領域3bは基
板1表面の深くまで形成されているから,図1(e),
(f)を参照して,焼成により生じた基板1の反り又は
基板表面の凹凸をラッピングして平坦な基板1とする
際,ラップにより配線領域3bの表層が除去されても配
線領域3bの深部までは除去されることがなく,配線用
として十分な厚さの配線領域3bが基板1表面に残され
る。
【0035】このように,配線領域3bは深く形成され
ているから,配線領域3bが形成された基板を研磨して
平坦にする際,配線領域3bが除去されたり,配線領域
が薄くなることがない。
【0036】従って,配線領域の一部が細くなる又は欠
損する,或いは,薄いため配線抵抗が高く配線として使
用できなくなるという問題を回避することができるか
ら,容易に厚膜パターンを使用した表面が平坦なTAB
用セラミックス基板を製造することができる。
【0037】即ち,平坦な研磨面に深い配線パターンが
形成されたセラミックス基板を厚膜印刷法により製造す
ることができる。また,本構成では,パターンを重ねて
印刷し押し込む工程を,2回以上繰り返す。この構成に
より,深い配線領域を容易に形成することができる。さ
らに,一回の印刷,押し込みの工程で形成するよりも矩
形断面形状に近いペーストパターンを形成することがで
きる。このため焼成後に表層を除去するラップの際に配
線領域の線幅の変化が少なく,精密に配線パターンを形
成することができる。
【0038】本発明の第二の構成では,図2(c)を参
照して,積層板1A表面に印刷法によりペースト領域3
aを形成した後,第一の構成と同様にペースト領域3a
上に重ねて同じパターン形状のペーストパターン4を印
刷する。
【0039】なお,ペースト領域3aを形成したのち,
続けて第一の構成に示す重ねて厚膜印刷し加熱加圧する
方法を用いて,そのペースト領域3aを厚く形成したの
ち,ペーストパターン4を印刷することもできる。
【0040】ついで,図2(d)を参照して,ペースト
パターン4を覆い積層板1A表面上にグリーンシート薄
片6を載置し,昇温,加圧することでグリーンシート薄
片6表面にペーストパターン4を押し込み,グリーンシ
ート薄片6中にペースト領域5を形成する。
【0041】この工程において,積層板1Aのペースト
領域にペーストが押し込まれる深さよりも,ペーストが
含まれていないグリーンシート薄片6中に押し込まれる
深さが深いため,積層板1A中のペースト領域の深さと
グリーンシート薄片6中のペースト領域の深さは略同じ
になる。即ち,ペースト領域の厚さは,合わせて2倍に
なる。
【0042】このため,配線領域を第一の構成よりも厚
く形成することができるので,その後,図2(e)を参
照して,表面のセラミックスをラップして除去し,配線
3b,5b領域を表出することで,容易にTAB接続用
の配線パターンを形成することができる。
【0043】本第二の構成では,焼成直後の配線領域3
b,5bは均一な厚さのセラミック層で覆われているか
ら,配線領域の面内密度分布が偏っていても研磨量はセ
ラミックスの研磨速度できまり,配線密度とは無関係に
研磨量を基板面内で一定に保つことができる。
【0044】従って,配線パターンの設計が容易になる
という利点がある。さらに,配線領域3b,5bは,積
層板1Aとグリーンシート薄片6との界面で幅が最大で
あり,界面から離れる程幅は狭く形成される。
【0045】このため,本構成において,表面のセラミ
ックスをラップして除去する際,グリーンシート薄片6
から変換されたセラミックス部分を,積層板1Aとの界
面近傍の層を残して除去することにより,配線領域3
b,5bの端面をひさし型のセラミックスが抑える形状
とすることができる。
【0046】かかる事情を図3を参照して説明する。図
3は本発明の1効果説明図であり,従来及び本発明の実
施例に係る厚膜配線領域の断面を表している。
【0047】図3(b)は既述の第一実施例に係る配線
領域(3a)であり,図3(a)に示す従来例よりも深
く形成されている。従って,第一実施例では配線領域
(3a)の側面積が大きな分基板1と配線領域(3a)
とが接する面積が大きく,このため,第一実施例の配線
の剥離強度は大きい。
【0048】図3(c)は第二実施例に係る配線領域
(3a,3b)の断面形状であって,上述したように配
線領域(3a,3b)の両端部分が基板1のセラミック
ス中に埋め込まれている。このため,配線領域(3a,
3b)の両端がセラミックスで抑えられ,剥離強度が著
しく向上するのである。
【0049】従って,この形状を有する配線領域は,剥
離強度が大きい。上述したように本発明の構成では,配
線領域は厚膜印刷を用いた厚膜パターンから形成され
る。
【0050】従って,単に導体を密着するだけの薄膜パ
ターンにより形成される従来の配線よりも剥離強度が大
きい。このため,TAB用セラミックス基板の配線に用
いたとき,信頼性に優れたものとなる。
【0051】また,厚膜印刷は,薄膜パターンの形成と
比較して,簡易な装置でかつ少ない工数で短時間にする
ことができる。
【0052】
【実施例】本発明の詳細を実施例を参照して説明する。
本発明の第一実施例は第一の構成によりTAB用セラミ
ックス基板を製造する方法に関する。
【0053】先ず,図1(a)を参照して,例えば厚さ
200μm,一辺が3cmの正方形のセラミックスグリー
ンシート1a,1bを例えば15枚積層して加圧し,厚
さが例えば3mmの積層板1Aを成形する。
【0054】これらのグリーンシート1a,1bには,
予め開設された孔に金属含有ペースト,例えばタングス
テンペーストを圧入したビアホール(図示されていな
い。)が設けられている。
【0055】また,グリーンシート1a,1bは,例え
ばアルミナ,窒化アルミニュウム,或いはムライトのセ
ラミックスに変換されるものを用いることができる。次
いで,積層板1A表面に金属含有ペーストを使用した印
刷法,例えばタングステンペーストを使用したスクリー
ン印刷法により,例えば幅70μm,厚さ20μmのペ
ーストパターン2aを60μmの間隔をおいて形成す
る。
【0056】次いで,積層板1Aの上下から表面にPE
T(ポリエチレンテレフタレート)フイルムを介在させ
てプレスで加圧し,図1(b)を参照して,ペーストパ
ターン2aを積層板1A表面に押し込み,配線パターン
の平面形状を有し,厚さが例えば20μmのペースト領
域3aを積層板1A表面に形成する。
【0057】この押し込み工程の加圧は例えば50〜2
00kgf/cm2 ,温度は通常は30〜80℃ですることが
できる。次いで,図1(c)を参照して,再びスクリー
ン印刷により上記の初めに印刷したペーストパターン2
aと同形,同じ厚さのペーストパターン2bをペースト
領域3a上に形成する。
【0058】次いで,図1(d)を参照して,初めに形
成されたペースト領域3aと同じ条件下で,ペーストパ
ターン2bを,先に成形されているペースト領域3a上
から押し込む。この工程により,ペースト浸透領域3a
の厚さは初めに形成されたときの略2倍,例えば40μ
mとなる。
【0059】次いで,図1(e)を参照して,積層板1
Aを焼成してセラミックス基板1とする。この時,セラ
ミックス基板表面には,基板の反り及び表面の凹凸によ
る高低差を生ずる。その高低差は,例えば20μmに及
ぶことがある。
【0060】なお,この焼成によりペースト浸透領域3
aは導電性の配線領域3bに変換される。次いで,図1
(f)を参照して,基板1をラッピングして表面を平坦
に研磨する。ラッピングは,初め400番から1000
番の砥粒を用い,仕上げには2000番から4000番
の砥粒を用いた。
【0061】その結果,凸面の表面の頂点に位置するた
め最も多く除去される配線領域について,研磨量が20
μm,研磨後に残された配線領域の深さは略20μmで
あり,TAB用セラミックス基板の配線パターンとして
十分低い抵抗値を有する。
【0062】本発明の第二実施例は,第二の構成を適用
したTAB用セラミックス基板の製造方法である。本実
施例では,図2(a)〜(c)を参照して,第一実施例
と同様に,積層板1A表面にペースト領域3aを形成
し,その領域上に重ねてペーストパターン4を形成す
る。
【0063】次いで,ペーストパターン4を覆うように
例えば厚さ200μmのグリーンシート薄片6を積層板
1A上に重ねて昇温,加圧し,グリーンシート薄片6中
にペーストパターン4を押し込みペースト領域5を形成
する。
【0064】従って,ペースト領域5は,積層板1Aと
グリーンシート薄片6の界面を中心に例えば上下略20
μmの深さで,幅70μmの偏平な長円断面を有する領
域として形成される。
【0065】次いで,焼成してセラミックス基板とす
る。次いで,図2(e)を参照して,基板表面をラップ
して平坦にする。このとき,グリーンシート薄片6から
生成するセラミックス層を,積層板1Aとの界面に相当
する位置から例えば5μmの厚さを残すことにより,研
磨前に長円断面であった配線領域3の端を,この残され
たセラミックス層がひさし状に抑える形状になる。
【0066】このため,本実施例に係る配線は,第一実
施例に係る配線よりも剥離強度がたかく,例えば第一実
施例に係る配線の1.5〜3倍の剥離強度を有する。な
お,本実施例において,グリーンシート薄片に代えてセ
ラミックスペースト又はセラミックススラリーを使用す
ることもできる。これにより,配線領域を覆うセラミッ
クス層を薄くすることができるから,ラップ量が少なく
てよいという利点がある。
【0067】
【発明の効果】本発明によれば,厚膜印刷法により基板
表面に形成された配線パターンを破壊することなくセラ
ミックス基板表面を研磨して平坦にすることができるか
ら,剥離強度が高く配線抵抗が低い配線パターンを有す
るTAB用セラミックス基板を,簡単な装置で短時間に
製造することができるので,電子機器の性能向上に寄与
するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第一実施例断面製造工程図
【図2】 本発明の第二実施例断面製造工程図
【図3】 本発明の一効果説明図
【図4】 従来のTAB用基板説明図
【図5】 従来のTAB用基板断面製造工程図
【図6】 従来の厚膜パターン形成工程図
【符号の説明】
1 基板 1a,1b グリーンシート 1A 積層板 2,2a,2b,4 ペーストパターン 3a,5 ペースト領域 3b,4b,5b 配線領域 6 グリーンシート薄片 7 ビアホール 8 配線 9 ピン 10 チップ 11 リード 12 ラップ盤

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミックスグリーンシート(1a,1
    b)からなる積層板(1A)表面に配線パターン状の金
    属含有ペーストからなる第一のペーストパターン(2
    a)を印刷した後,該積層板(1A)を加熱加圧して該
    第一のペーストパターン(2a)を該積層板(1A)表
    面に押し込み該積層板(1A)表面に埋め込まれたペー
    スト領域(3a)を形成する第一の印刷工程と, 次いで,該積層板(1A)表面に該ペーストからなり該
    配線パターン形状を有する第二のペーストパターン(2
    b)を該ペースト領域(3a)上に重ねて印刷した後,
    加熱加圧して該ペースト領域(3a)をより深く形成す
    る印刷工程を1回以上行う工程と, 次いで,該積層板(1A)を焼成して,該ペースト領域
    (3a)の焼成により形成された導電性の配線領域(3
    b)を表面に有するセラミックス基板(1)とする焼成
    工程と, 次いで,該セラミックス基板(1)表面をラップして平
    坦化する研磨工程とを有することを特徴とするセラミッ
    クス基板の製造方法。
  2. 【請求項2】 セラミックスグリーンシート(1a,1
    b)からなる積層板(1A)表面に配線パターン状の金
    属含有ペーストからなる第一のペーストパターン(2
    a)を印刷した後,該積層板(1A)を加熱加圧して該
    第一のペーストパターン(2a)を該積層板(1A)に
    押し込み該積層板(1A)表面に埋め込まれた第一のペ
    ースト領域(3a)を形成する第一の印刷工程と, 次いで,該積層板(1A)表面に該ペーストからなり該
    配線パターン形状を有する第二のペーストパターン
    (4)を該ペースト領域(3a)上に重ねて印刷した
    後,該積層板(1A)表面にセラミックスグリーンシー
    ト薄片(6)を密着して重ね,加熱加圧して該第二のペ
    ーストパターン(4)を該グリーンシート薄片(6)に
    押し込み,該第一のペースト領域(3a)と接する該グ
    リーンシート薄片(6)表面に第二のペースト領域
    (5)を形成する工程と, 次いで,該積層板(1A)を焼成して,該第一の及び該
    第二のペースト領域(3a,5)の焼成により該積層板
    (1A)と該グリーンシート薄片(6)との間に形成さ
    れた導電性の配線領域(3b,5b)を有するセラミッ
    クス基板(1)とする焼成工程と, 次いで,該セラミックス基板(1)の表面を平坦にラッ
    プして該配線領域(3b,5b)を表出する研磨工程と
    を有することを特徴とするセラミックス基板の製造方
    法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006059958A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 電子部品収納用セラミックパッケージ及びその製造方法
US7841670B2 (en) 2006-02-03 2010-11-30 Toyoda Goset Co., Ltd. Vehicle wheel
CN107993986A (zh) * 2017-12-29 2018-05-04 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种气密性ltcc基板及穿墙微带结构

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