JPH0684084B2 - ダイレクトドライブ型サーマルヘッドの製造方法 - Google Patents
ダイレクトドライブ型サーマルヘッドの製造方法Info
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- JPH0684084B2 JPH0684084B2 JP60234592A JP23459285A JPH0684084B2 JP H0684084 B2 JPH0684084 B2 JP H0684084B2 JP 60234592 A JP60234592 A JP 60234592A JP 23459285 A JP23459285 A JP 23459285A JP H0684084 B2 JPH0684084 B2 JP H0684084B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ダイレクトドライブ型サーマルヘッドの製造
方法の改良に関する。
方法の改良に関する。
例えば、ファクシミリには、サーマルヘッドが使用され
る。このように、サーマルヘッドが使用される製品は大
量生産品であるため、生産性の観点から、サーマルヘッ
ドには、各種電気部品の実装が容易であることが要求さ
れる。
る。このように、サーマルヘッドが使用される製品は大
量生産品であるため、生産性の観点から、サーマルヘッ
ドには、各種電気部品の実装が容易であることが要求さ
れる。
又、同様の理由により、サーマルヘッド自体の生産プロ
セスも簡略化されたものが望まれる。
セスも簡略化されたものが望まれる。
これに対応するものとして、ドライバICの低価格化に伴
い、現在では、ダイレクトドライブ方式が主流となって
いる。
い、現在では、ダイレクトドライブ方式が主流となって
いる。
このダイレクトドライブ方式は、発熱抵抗体への電流の
スイッチングごとにドライバICをそれぞれ対応して設け
るものである。
スイッチングごとにドライバICをそれぞれ対応して設け
るものである。
この方式によれば、配線が非常に簡略化されサーマルヘ
ッドの生産プロセスが簡略化されるが、その反面におい
て、ドライバICの接続は、ワイヤボンディングによるこ
とになる。
ッドの生産プロセスが簡略化されるが、その反面におい
て、ドライバICの接続は、ワイヤボンディングによるこ
とになる。
即ち、折角配線を簡略化しても、ワイヤボンディングの
接続点数が非常に多いため（例えば8dot.s/mm A4版用サ
ーマルヘッドで1800点）ボンデング工程が増加し、結局
低価格化ができないという問題があった。
接続点数が非常に多いため（例えば8dot.s/mm A4版用サ
ーマルヘッドで1800点）ボンデング工程が増加し、結局
低価格化ができないという問題があった。
このワイヤボンディング方式に代り、現在では、CCBに
よる接続（ハンダによる接続）の方向にある。
よる接続（ハンダによる接続）の方向にある。
然しながら、このCCB接続は、接続の信頼性の点から、
接続部の層構成が非常に大切であり、現在では、Cr（T
i）/Cu（Ni）/Auのような３層以上の構成が必要とされ
ている。
接続部の層構成が非常に大切であり、現在では、Cr（T
i）/Cu（Ni）/Auのような３層以上の構成が必要とされ
ている。
これについて、第４図を用いて、更に詳しく説明する。
図において（特開昭57-4781号）従来は、電極１に積層
した酸化防止層２の上に、ドライバICの実装用のメタラ
イズ3,4を多層に形成し、その上に更に、外部への接続
部９を形成していた。
図において（特開昭57-4781号）従来は、電極１に積層
した酸化防止層２の上に、ドライバICの実装用のメタラ
イズ3,4を多層に形成し、その上に更に、外部への接続
部９を形成していた。
その結果として、電極１及び酸化防止層２からなる配線
を形成した後に、更にドライバIC実装用のメタライズ層
3,4を形成するためのパターニング等の工程が必要であ
り、あつ、高価な材料を多く使用するので、高価なもの
となり、折角ドライバICが低価格化されて、ダイレクト
ドライブ方式が採用できても、実効をあげることができ
ないという問題があった。
を形成した後に、更にドライバIC実装用のメタライズ層
3,4を形成するためのパターニング等の工程が必要であ
り、あつ、高価な材料を多く使用するので、高価なもの
となり、折角ドライバICが低価格化されて、ダイレクト
ドライブ方式が採用できても、実効をあげることができ
ないという問題があった。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであ
り、サーマルヘッドの生産プロセスを簡略化し、かつ、
高価な材料の使用量も少なくした、ダイレクトドライブ
型サーマルヘッドの製造方法を提供せんとするものであ
る。
り、サーマルヘッドの生産プロセスを簡略化し、かつ、
高価な材料の使用量も少なくした、ダイレクトドライブ
型サーマルヘッドの製造方法を提供せんとするものであ
る。
即ち、本発明は、従来のような、ドライブIC実装用のメ
タライズ層を設けることなく、配線に直接ドライバICを
CCB接続するようにしたものであり、絶縁性基板上に形
成した発熱抵抗体に、拡散速度の遅い金属製の電極層と
該電極層の上に積層されかつ比抵抗の小さい金属膜から
なる酸化防止層とからなる配線を形成し、次いで発熱抵
抗体の配線を除く位置に保護層を形成すると共に、前記
配線の酸化防止層上に樹脂製の層を形成した後、該樹脂
製の層における所定位置にCCB接続用のスルーホールを
形成し、該樹脂製の層のスルーホールに対しハンダボー
ルを形成し、該ハンダボールを介しドライバICを前記配
線に接続することを特徴とするものである。
タライズ層を設けることなく、配線に直接ドライバICを
CCB接続するようにしたものであり、絶縁性基板上に形
成した発熱抵抗体に、拡散速度の遅い金属製の電極層と
該電極層の上に積層されかつ比抵抗の小さい金属膜から
なる酸化防止層とからなる配線を形成し、次いで発熱抵
抗体の配線を除く位置に保護層を形成すると共に、前記
配線の酸化防止層上に樹脂製の層を形成した後、該樹脂
製の層における所定位置にCCB接続用のスルーホールを
形成し、該樹脂製の層のスルーホールに対しハンダボー
ルを形成し、該ハンダボールを介しドライバICを前記配
線に接続することを特徴とするものである。
以下本発明の一実施例について詳細に説明する。第１図
において、絶縁性基板７上に、発熱抵抗体層5,電極層2,
酸化防止層１を、蒸着又はスパッタ蒸着或はメッキ等に
より形成する。その後、順次フォトエッチングによりパ
ターンを形成していく。
において、絶縁性基板７上に、発熱抵抗体層5,電極層2,
酸化防止層１を、蒸着又はスパッタ蒸着或はメッキ等に
より形成する。その後、順次フォトエッチングによりパ
ターンを形成していく。
このようにして、配線パターンを完成した後、発熱抵抗
体５の上に保護層６をマスク蒸着或はマスクスパッタ等
の方法により形成する。その後、ポリイミドのような耐
熱性の樹脂８により、配線層を覆った後、ドライバICと
接続する部分及びハンダを形成したい部分にスルーホー
ルを設け、ハンダ浴に浸ける等の方法でハンダボール10
を形成する。最後にドライバIC11を搭載してリフローす
ることにより、サーマルヘッドが完成される。
体５の上に保護層６をマスク蒸着或はマスクスパッタ等
の方法により形成する。その後、ポリイミドのような耐
熱性の樹脂８により、配線層を覆った後、ドライバICと
接続する部分及びハンダを形成したい部分にスルーホー
ルを設け、ハンダ浴に浸ける等の方法でハンダボール10
を形成する。最後にドライバIC11を搭載してリフローす
ることにより、サーマルヘッドが完成される。
上記構造において、電極層２は、Cu,Ni,Ta,Nbのよう
に、ハンダを構成する金属（特にSn）の拡散速度が適度
である金属を使用する。
に、ハンダを構成する金属（特にSn）の拡散速度が適度
である金属を使用する。
この理由は、電極２の金属内のSnの拡散状態により、接
続部の信頼性が左右されるからである。
続部の信頼性が左右されるからである。
又、酸化防止層１には、比抵抗性が小さいAu等が使用さ
れる。その理由は、ハンダに対する濡れ性がよいこと及
び電極の一部として機能した場合に配線抵抗が小さいこ
とである。
れる。その理由は、ハンダに対する濡れ性がよいこと及
び電極の一部として機能した場合に配線抵抗が小さいこ
とである。
実施例では、上述の如く、電極層２と酸化防止層１から
なる配線に耐熱性の樹脂８を形成した後、その耐熱性の
樹脂８に設けたスルーホールにハンダボール10を形成
し、該ハンダボール10によりドライバIC11を配線に接続
するので、従来技術のようなメタライズ層を形成するこ
とが不要になる。しかも、酸化防止層１がハンダ濡れ性
及び配線抵抗を考慮したものであるので、ハンダボール
10を形成しても、該ハンダボール10が酸化防止層１上で
濡れ広がって形状が崩れると云うことを防止でき、ハン
ダボール10を確実に形成でき、接続の信頼性が低下する
おそれがない。
なる配線に耐熱性の樹脂８を形成した後、その耐熱性の
樹脂８に設けたスルーホールにハンダボール10を形成
し、該ハンダボール10によりドライバIC11を配線に接続
するので、従来技術のようなメタライズ層を形成するこ
とが不要になる。しかも、酸化防止層１がハンダ濡れ性
及び配線抵抗を考慮したものであるので、ハンダボール
10を形成しても、該ハンダボール10が酸化防止層１上で
濡れ広がって形状が崩れると云うことを防止でき、ハン
ダボール10を確実に形成でき、接続の信頼性が低下する
おそれがない。
次に第２図に他の実施例を示す。この実施例は、上記第
１図に示した実施例において、耐熱性の樹脂層８を省略
し、その代りに、発熱部の保護層６′を配線の全面に形
成し、生産工程を少なくしたものである。即ち、発熱抵
抗体層５上に配線を形成した後、その配線間の発熱抵抗
体層５上に保護層６′を設けると共に、該保護層６′を
配線の酸化防止層１の上にも一体的に形成する。そし
て、この保護層６′にスルーホールを形成した後、これ
に第１図に示す実施例と同様にハンダボール10を形成し
て第一ドライバIC11を搭載する。
１図に示した実施例において、耐熱性の樹脂層８を省略
し、その代りに、発熱部の保護層６′を配線の全面に形
成し、生産工程を少なくしたものである。即ち、発熱抵
抗体層５上に配線を形成した後、その配線間の発熱抵抗
体層５上に保護層６′を設けると共に、該保護層６′を
配線の酸化防止層１の上にも一体的に形成する。そし
て、この保護層６′にスルーホールを形成した後、これ
に第１図に示す実施例と同様にハンダボール10を形成し
て第一ドライバIC11を搭載する。
この場合、酸化防止層１をAuで形成すれば、HF等のよう
な無機酸にも耐えるので、保護層６′にスルーホールを
形成するのは容易である。
な無機酸にも耐えるので、保護層６′にスルーホールを
形成するのは容易である。
又、保護層６′と酸化防止層１との接着性が悪い場合に
は、これらの間に接着層としてNiやNiCrの層を形成す
る。
は、これらの間に接着層としてNiやNiCrの層を形成す
る。
第３図に示す実施例は、更に他の実施例であり、基本的
には第２図に示す実施例と同様であるが、第２図に示す
実施例と異なるのは、電極２と発熱抵抗体５との間に拡
散障壁層13を設けたものである。
には第２図に示す実施例と同様であるが、第２図に示す
実施例と異なるのは、電極２と発熱抵抗体５との間に拡
散障壁層13を設けたものである。
この拡散障壁層13により、電極２の発熱抵抗体層５への
拡散が防止されると共に、ハンダ成分の金属がリフロー
の際に、発熱抵抗体層５へ拡散していくのを防止し、接
続の信頼性が確保される。
拡散が防止されると共に、ハンダ成分の金属がリフロー
の際に、発熱抵抗体層５へ拡散していくのを防止し、接
続の信頼性が確保される。
この拡散障壁層として、W,Mo,Crのような高融点金属が
使用される。
使用される。
本実施例は、第２図に示した実施例に適用した場合を示
すが、第１図の実施例に適用しても同様の作用及び効果
を得る。
すが、第１図の実施例に適用しても同様の作用及び効果
を得る。
以上述べたように、本発明の第一の発明によれば、発熱
抵抗体層上の電極層と酸化防止層とからなる配線に耐熱
性の樹脂を形成した後、その耐熱性の樹脂に設けたスル
ーホールにハンダボールを形成し、該ハンダボールによ
りドライバICを配線に接続するように構成したので、ド
ライバICを接続するために必要な特別なメタライズ層が
不要となり、サーマルヘッドの構造及び生産プロセスを
大巾に簡略化することができ、ダイレクトドライバ方式
の実効を損なうことなく、安価にすることができた。
抵抗体層上の電極層と酸化防止層とからなる配線に耐熱
性の樹脂を形成した後、その耐熱性の樹脂に設けたスル
ーホールにハンダボールを形成し、該ハンダボールによ
りドライバICを配線に接続するように構成したので、ド
ライバICを接続するために必要な特別なメタライズ層が
不要となり、サーマルヘッドの構造及び生産プロセスを
大巾に簡略化することができ、ダイレクトドライバ方式
の実効を損なうことなく、安価にすることができた。
また、本発明によれば、発熱抵抗体層の配線を除く位置
と配線の上とに保護層を一体的に形成した後、該保護層
における所定位置に設けたスルーホールにハンダボール
を形成し、該ハンダボールによりドライバICを配線に接
続するように構成したので、上記第一の発明と同様の効
果を得ることができる他、前記保護層を、発熱抵抗体層
の配線を除く位置と配線の上とに一体的に形成すること
によって耐熱性の樹脂が不要になるので、生産プロセス
のより簡略化を図ることもできる。
と配線の上とに保護層を一体的に形成した後、該保護層
における所定位置に設けたスルーホールにハンダボール
を形成し、該ハンダボールによりドライバICを配線に接
続するように構成したので、上記第一の発明と同様の効
果を得ることができる他、前記保護層を、発熱抵抗体層
の配線を除く位置と配線の上とに一体的に形成すること
によって耐熱性の樹脂が不要になるので、生産プロセス
のより簡略化を図ることもできる。
第１図乃至第３図は本発明の実施例であり、第１図は、
配線にドライバICを直接CCB接線した状態を示す縦断面
図，第２図は、樹脂層を省略した他の実施例の縦断面
図，第３図は、拡散障壁を設けた場合の縦断面図であ
る。 第４図は、従来のダイレクトドライブ型サーマルヘッド
の縦断面図である。 １……酸化防止層、２……電極、５……発熱抵抗体層、
6,6′……保護層、７……絶縁性基板、８……耐熱性の
樹脂層、10……ハンダボール、11……ドライバIC、13…
…拡散障壁層。
配線にドライバICを直接CCB接線した状態を示す縦断面
図，第２図は、樹脂層を省略した他の実施例の縦断面
図，第３図は、拡散障壁を設けた場合の縦断面図であ
る。 第４図は、従来のダイレクトドライブ型サーマルヘッド
の縦断面図である。 １……酸化防止層、２……電極、５……発熱抵抗体層、
6,6′……保護層、７……絶縁性基板、８……耐熱性の
樹脂層、10……ハンダボール、11……ドライバIC、13…
…拡散障壁層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀井 常彰 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭55−124965（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−240117（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−124965（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−20373（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−172755（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性基板上に形成した発熱抵抗体に保護
層と配線とを夫々設け、その配線に発熱抵抗体に電力を
供給するドライバICを接続してなるダイレクトドライブ
型サーマルヘッドにおいて、前記発熱抵抗体に、拡散速
度の遅い金属製の電極層と該電極層の上に積層されかつ
比抵抗の小さい金属膜からなる酸化防止層とからなる配
線を形成し、次いで発熱抵抗体の配線を除く位置に保護
層を形成すると共に、前記配線の酸化防止層上に樹脂製
の層を形成した後、該樹脂製の層における所定位置にCC
B接続用のスルーホールを形成し、該樹脂製の層のスル
ーホールに対しハンダボールを形成し、該ハンダボール
を介しドライバICを前記配線に接続することを特徴とす
るダイレクトドライブ型サーマルヘッドの製造方法。 - 【請求項２】絶縁性基板上に形成した発熱抵抗体に保護
層と配線とを夫々設け、その配線に発熱抵抗体に電力を
供給するドライバICを接続してなるダイレクトドライブ
型サーマルヘッドにおいて、前記発熱抵抗体上に、拡散
速度の遅い金属製の電極層と該電極層の上に積層されか
つ比抵抗の小さい金属膜からなる酸化防止層とからなる
配線を形成し、次いで発熱抵抗体の配線を除く位置と配
線の上とに保護層を一体的に形成した後、該保護層にお
ける所定位置にCCB接続用のスルーホールを形成し、該
保護層のスルーホールに対しハンダボールを形成し、該
ハンダボールを介しドライバICを前記配線に接続するこ
とを特徴とするダイレクトドライブ型サーマルヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60234592A JPH0684084B2 (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | ダイレクトドライブ型サーマルヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60234592A JPH0684084B2 (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | ダイレクトドライブ型サーマルヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6294358A JPS6294358A (ja) | 1987-04-30 |
| JPH0684084B2 true JPH0684084B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=16973441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60234592A Expired - Lifetime JPH0684084B2 (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | ダイレクトドライブ型サーマルヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684084B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124965A (en) * | 1979-03-17 | 1980-09-26 | Pioneer Electronic Corp | Preliminary solder of lead wire with evaporated thin film |
| JPS5720373A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-02 | Hitachi Ltd | Heat-sensitive recording head and production thereof |
| JPH0616461B2 (ja) * | 1984-05-14 | 1994-03-02 | 京セラ株式会社 | チップ型積層磁器コンデンサ |
| JPS61172755A (ja) * | 1985-01-26 | 1986-08-04 | Kyocera Corp | サ−マルヘツド |
-
1985
- 1985-10-22 JP JP60234592A patent/JPH0684084B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6294358A (ja) | 1987-04-30 |
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