JPH06823Y2 - 半導体ウエハの補強用当板 - Google Patents

半導体ウエハの補強用当板

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JPH06823Y2
JPH06823Y2 JP1989088651U JP8865189U JPH06823Y2 JP H06823 Y2 JPH06823 Y2 JP H06823Y2 JP 1989088651 U JP1989088651 U JP 1989088651U JP 8865189 U JP8865189 U JP 8865189U JP H06823 Y2 JPH06823 Y2 JP H06823Y2
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JP
Japan
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semiconductor wafer
contact plate
cut
cutting
plate
Prior art date
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JP1989088651U
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JPH0327041U (ja
Inventor
英雄 樋口
勉 佐藤
Original Assignee
直江津電子工業株式会社
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Publication date
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【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は半導体ウエハの補強用当板に関する。さらに詳
しくは、トランジスタ,ダイオード等のディスクリート
素子(個別素子)等として利用されるシリコン(Si)単結
晶の円板形等からなる半導体ウエハからディスクリート
素子用基板を製造する際に、半導体ウエハを2分割切断
工作する工程において使用される半導体ウエハの補強用
当板の改良に関する。
[従来の技術] 従来、本出願人は、シリコン単結晶の消耗低減等を目的
として、中央部に不純物が拡散されていない不純物未拡
散層を有し両面に不純物が拡散された不純物拡散層を有
する半導体ウエハを、厚み巾の中心部から切断し、切断
された各半導体ウエハの夫々の切断面を新な不純物を拡
散するための不純物未拡散層とするディスクリート素子
用基板の製造方法等を先に提案している(特開平1-2936
13号公報)。さらに、前記製造方法における半導体ウエ
ハの切断工程について、加工効率の確保、切断端の損傷
防止等を目的として、半導体ウエハの周縁にカーボン,
シリコン等で形成された当板を固着して行なう技術につ
いても先に提案している(特開平3-1536号公報)。
このような本出願人の先提案では、第6図、第7図に示
すような当板付き半導体ウエハを使用している。即ち、
半導体ウエハWと略同一の厚み巾を有する当板Pを、半
導体ウエハWの周縁に接着剤Cを介して当接し固着した
ものである。
[考案が解決しようとする課題] 前述の従来の補強用当板では、半導体ウエハW、当板P
の固着面積が狭く固着強度が低いため、切断工程の際に
半導体ウエハW、当板Pが剥離しやすいという問題点を
有している。
本考案はこのような問題点を解決するためになされたも
のであり、その目的は、半導体ウエハとの固着強度の高
い補強用当板を提供し、2分割後の2枚を当板を介して
確実に同時回収すること、すなわち切断補強用および同
時回収用の両機能を有する実用性のある半導体ウエハの
補強用当板を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 前述の目的を達成するため、本考案に係る半導体ウエハ
は、中央部に不純物未拡散層を、両面に不純物拡散層を
有する半導体ウエハを、その厚み巾の中心部より内周刃
式カッタで2分割状に切断する際に該ウエハの切り終り
部の周縁に接着される板状の補強用当板において、一端
部に前記半導体ウエハの外周一部と嵌合する断面U形状
の凹溝を有し、中央部に前記カッタによるウエハの切断
終了後で2枚の切断状ウエハを連結状態に保持する切り
残し部が具備される切断方向の長さを有することを特徴
とする。
[作用] 本考案によれば、当板に設けられた凹溝に半導体ウエハ
の外周一部が嵌合固着されたことにより、半導体ウエハ
の周縁のみならず両面(側面)側の周縁沿いの部分も凹
溝によって当板に当接することから、半導体ウエハと当
板の固着面積が拡大されるため、半導体ウエハ,当板の
固着強度が補強される。
又、前記当板は中央部に、前記カッタによるウエハの切
断終了後でなお2枚の切断状ウエハを連結状態に保持す
る切り残し部が具備されるので、切断により2分割され
る2枚のウエハを当板を介して保持状のまま一体型で同
時に回収することが可能である。
[実施例] 以下、本考案に係る半導体ウエハの実施例を第1図〜第
5図に基いて説明する。
半導体ウエハ1は、第2図に詳細に示されるような断面
U形状の凹溝11を有する当板1を備えたものである。
当板1はカーボン,シリコン等の脆性材料で形成されて
おり、その厚み巾を形成する一面12に半導体ウエハ2の
周縁2aが差込まれ嵌合するような断面U形状の凹溝11が
設けられている。従つて、必然的に当板1の厚み巾は半
導体ウエハ2の厚み巾よりも厚く形成されることにな
る。
この凹溝11の底面11′と前記面12とは、当板1が半導体
ウエハ2の周縁2aの円弧部2a′に固着される場合は円弧
形に形成され(第1図)、当板1が半導体ウエハ2の周
縁2aのオリフィラ2a″に固着される場合には直線形に形
成される(第3図)。
半導体ウエハ2はシリコン単結晶の円板形等からなり、
中央部に不純物が拡散されていない不純物未拡散層21を
有し両面に不純物が拡散された不純物拡散層22を有して
いる。
これら当板1,半導体ウエハ2は、当板1の凹溝11に接
着剤3を比較的厚く塗布してから、半導体ウエハ2の周
縁2aを当板1の凹溝11内に差込み嵌合することにより、
固着される。
この接着剤3には熱硬化性樹脂を使用し、好ましくはエ
ポキシ系樹脂が適切である。
このような実施例によると、半導体ウエハ2は、当板1
の凹溝11に嵌合するような格好になることから、その周
縁2aのみならず両面2bの周縁2a沿いの部分も当板1と当
接することになり、半導体ウエハ2,当板1の固着面積
が拡大され固着強度が高まることになる。なお、この接
着剤3を介した当板1,半導体ウエハ2の固着の際に
は、接着剤3の材質,粘度等にもよるが、凹溝11内の接
着剤3が半導体ウエハ2に押圧されて半導体ウエハ2の
両面2bと当板1の前記面12との間に流出して盛上部3′
が形成され、さらに当板1,半導体ウエハ2の固着強度
が高くなる。
このような実施例の2分割切断工程では、半導体ウエハ
2を適当な保持具で保持し、第4図に示すようなダイア
モンドカッタ等の内周刃式カッタ4で半導体ウエハ2厚
み巾の中心から切断を開始し、第5図に示すように半導
体ウエハ2を完全に切断し、さらに当板1を途中の切断
終了端まで切断した後に、カッタ4と半導体ウエハ2は
相対的逆向きに移動し復帰する。
上記カッタ4の切断終了端における半導体ウエハ2の当
板1との位置関係を第1図,第3図に2点鎖線で示し、
これにより当板1は、前記カッタ4による半導体ウエハ
2の切断終了後でなお切り残し部10が具備され、すな
わち当板1は中央部に前記切り残し部10が具備される
切断方向の長さを有することが理解されよう。
上記切断工程の場合、切断された各半導体ウエハ2は、
その周縁2aと両面(片面)2bの周縁2a沿いの部分とが当
板1に当接固着しており、L字形の広い固着面積を形成
しているため、当板1とは簡単には剥離しない。さら
に、このL字形の広い固着面積は、切断された各半導体
ウエハ2に離間方向へ壁となるように存在していること
から、仮に剥離しそうになっても各半導体ウエハ2の脱
落を防止することができる。さらに、当板1の厚み巾が
半導体ウエハ2の厚み巾よりも厚く形成されていること
から、当板1自体の強度が高くなっているため、当板1
を途中まで切断した状態でも割裂するようなことはな
い。
[考案の効果] 以上のように本考案によれば、半導体ウエハの周縁のみ
ならず両面側の周縁沿いの部分も凹溝によって当板に当
接することから、半導体ウエハ,当板の固着面積が拡大
され固着強度が高く、切断時におけるウエハ外周部の破
損を防止する切断補強機能を有するとともに、当板の一
部を残しての2分割切断の場合に、切断された各半導体
ウエハの剥離,脱落が防止されるため、2分割切断工程
後の同時回収作業を可能にする効果がある。
又、前記当板の凹溝が断面U形状であるので、接着剤を
充填した際の流出がないとともに半導体ウエハを嵌合す
る際の位置合わせも容易となり、当板の取り付け作業に
機械的自動化も可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係る当板を取り付けた半導体ウエハの
第1実施例を示す正面図、第2図は第1図のX−X線断
面図(要部拡大図を含む)、第3図は第1図の固着位置
の変形例を示す正面図、第4図、第5図は第1図のもの
に対する切断工程を示す断面図、第6図は従来例を示す
正面図,第7図は第6図の縦断面図である。 1…当板 2…半導体ウエハ 2a…周縁 2b…両面 21…不純物未拡散層 22…不純物拡散層 3…接着剤

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】中央部に不純物未拡散層を、両面に不純物
    拡散層を有する半導体ウエハを、その厚み巾の中心部よ
    り内周刃式カッタで2分割状に切断する際に該ウエハの
    切り終り部の周縁に接着される板状の補強用当板におい
    て、一端部に前記半導体ウエハの外周一部と嵌合する断
    面U形状の凹溝を有し、中央部に前記カッタによるウエ
    ハの切断終了後で2枚の切断状ウエハを連結状態に保持
    する切り残し部が具備される切断方向の長さを有するこ
    とを特徴とする半導体ウエハの補強用当板。
JP1989088651U 1989-07-27 1989-07-27 半導体ウエハの補強用当板 Expired - Lifetime JPH06823Y2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5318951A (en) * 1976-08-06 1978-02-21 Hitachi Ltd Production of semiconductor device
JPS5761715A (en) * 1980-09-29 1982-04-14 Teijin Ltd Pulp-like particles

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