JPS6112378B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6112378B2
JPS6112378B2 JP9049885A JP9049885A JPS6112378B2 JP S6112378 B2 JPS6112378 B2 JP S6112378B2 JP 9049885 A JP9049885 A JP 9049885A JP 9049885 A JP9049885 A JP 9049885A JP S6112378 B2 JPS6112378 B2 JP S6112378B2
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JP
Japan
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wafer
vacuum suction
jig
grooves
groove
Prior art date
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Expired
Application number
JP9049885A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60239040A (ja
Inventor
Yukio Goto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seikosha KK
Original Assignee
Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seikosha KK filed Critical Seikosha KK
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Publication of JPS60239040A publication Critical patent/JPS60239040A/ja
Publication of JPS6112378B2 publication Critical patent/JPS6112378B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明はICダイ製造用などのウエハのブレ
ーキング方法に関するものである。
ICダイなどを製作するために、ウエハにダイ
シングを施こし、格子状に切り目を刻んだものを
ブレーキング工程において切り目にそつて割る際
に、従来例ではブレーキング工程においてカケ粉
が発生し、これがICダイに付着してICの不良発
生の原因となつていた。
この発明はこのような従来例における欠点を解
決するものである。
つぎに図面について説明する。
支持台１にブレーキング用の治具２がネジ３に
て固定される。この治具２の表面には格子状の溝
４が設けられ、その溝の交叉部に真空吸引用の穴
５があけられている。支持台１の下部には真空吸
引用のパイプ６が設けられている。使用例を第３
図により説明すると、、治具２の上にIC用ウエハ
７がのせられる。このIC用ウエハ７にはあらか
じめダイシングにより格子状のダイシングライン
８が設けられている。なお、治具２とウエハ７と
の間に和紙を入れておいてもよい。ウエハ７の上
にビニールシート９をかぶせる。ビニールシート
９はウエハ７のずれを防止することと、圧力調整
をおこなう。なおビニールシート９の代りに和紙
を用いてもよい。こうして設置したウエハ７に対
し、ローラ１０にて上から押圧してその切り溝８
にそつて割つていくが、その際真空吸引しつつお
こなう。するとカケ粉は治具２の溝４にたまる
か、あるいは穴５から下へ吸引される。したがつ
て、出来たIC用ダイにカケ粉が付着するおそれ
はない。
上述の構成をもつ本発明にかかるウエハのブレ
ーキング方法によれば、カケ粉のつくおそれがな
く良好なダイを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示し、第１図は平面
図、第２図は第１図―線断面図、第３図は使
用状態を示す腰部拡大断面図である。 ２……治具、４……溝、５……真空吸引用の
穴、７……ウエハ、８……ダイシングライン、１
０……ローラ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 格子状の溝と、その溝の交叉部に設けた真空
    吸引用の穴とを設けた治具の上に、ウエハをその
    ダイシングラインを上記溝と対向させて載置し、
    真空吸引しながら上からローラで押圧することを
    特徴とするウエハのブレーキング方法。
JP60090498A 1985-04-26 1985-04-26 ウエハのブレーキング方法 Granted JPS60239040A (ja)

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JPS60239040A JPS60239040A (ja) 1985-11-27
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JP5991133B2 (ja) * 2012-10-16 2016-09-14 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板のブレイク用治具及びブレイク方法
JP6001044B2 (ja) * 2014-12-24 2016-10-05 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板のブレイク用治具及びブレイク方法
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JPS60239040A (ja) 1985-11-27

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