JPH0682398A - Ｘ線回折分析装置 - Google Patents
Ｘ線回折分析装置Info
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- JPH0682398A JPH0682398A JP3756993A JP3756993A JPH0682398A JP H0682398 A JPH0682398 A JP H0682398A JP 3756993 A JP3756993 A JP 3756993A JP 3756993 A JP3756993 A JP 3756993A JP H0682398 A JPH0682398 A JP H0682398A
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- rays
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 回折Ｘ線分析において、Ｘ線を分光する際の
強度の低下を防止して、回折Ｘ線の強度を強くして、分
析精度の向上を図る。 【構成】 Ｘ線源ＰからのＸ線を人工多層膜格子１によ
り単色化させるとともに、試料２にほぼ平行に入射させ
る。人工多層膜格子１は、Ｘ線源Ｐから入射角θで入射
したＸ線Ｂ１を反射面１ａにおいて、回折面θで回折し
て単色化する。この人工多層膜格子１における格子面間
隔の周期ｄは、反射面１ａの表面に沿って連続的に大き
くなるように設定されている。上記周期ｄは、Ｘ線源Ｐ
との関係では、Ｘ線源Ｐから矢印１０のように遠ざかる
に従い大きく設定されている。
強度の低下を防止して、回折Ｘ線の強度を強くして、分
析精度の向上を図る。 【構成】 Ｘ線源ＰからのＸ線を人工多層膜格子１によ
り単色化させるとともに、試料２にほぼ平行に入射させ
る。人工多層膜格子１は、Ｘ線源Ｐから入射角θで入射
したＸ線Ｂ１を反射面１ａにおいて、回折面θで回折し
て単色化する。この人工多層膜格子１における格子面間
隔の周期ｄは、反射面１ａの表面に沿って連続的に大き
くなるように設定されている。上記周期ｄは、Ｘ線源Ｐ
との関係では、Ｘ線源Ｐから矢印１０のように遠ざかる
に従い大きく設定されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、試料にＸ線を入射さ
せ、このＸ線が回折される回折角から試料の格子の構造
を知るＸ線回折分析装置に関するものである。
せ、このＸ線が回折される回折角から試料の格子の構造
を知るＸ線回折分析装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線回折分析は、ほぼ平行なＸ線を試料
に照射し、試料を回転させながら、試料において回折さ
れた回折Ｘ線を検出し、ブラッグの式に基づいて、試料
を構成する物質の格子面間隔を知ることで、試料の分析
を行うものである。かかるＸ線回折分析の１つとして、
分析精度を向上させる目的で、試料に単色化したＸ線を
照射する方法が知られている。この一例を図８に示す。
に照射し、試料を回転させながら、試料において回折さ
れた回折Ｘ線を検出し、ブラッグの式に基づいて、試料
を構成する物質の格子面間隔を知ることで、試料の分析
を行うものである。かかるＸ線回折分析の１つとして、
分析精度を向上させる目的で、試料に単色化したＸ線を
照射する方法が知られている。この一例を図８に示す。
【０００３】図８において、湾曲型の分光結晶５０は、
Ｘ線源Ｐから入射したＸ線Ｂ１を反射面５１において回
折し、単色化した第１の回折Ｘ線Ｂ２を試料２に向って
反射する。上記第１の回折Ｘ線Ｂ２は、集光点Ｑに集っ
た後、再び発散して試料２に入射し、この試料２で再び
回折されてＸ線検出器３に入射する。上記試料２とＸ線
検出器３は、１：２の角速比で回転され、第２の回折Ｘ
線Ｂ６が検出される回折角から、試料２の物質の構造を
知ることができる。
Ｘ線源Ｐから入射したＸ線Ｂ１を反射面５１において回
折し、単色化した第１の回折Ｘ線Ｂ２を試料２に向って
反射する。上記第１の回折Ｘ線Ｂ２は、集光点Ｑに集っ
た後、再び発散して試料２に入射し、この試料２で再び
回折されてＸ線検出器３に入射する。上記試料２とＸ線
検出器３は、１：２の角速比で回転され、第２の回折Ｘ
線Ｂ６が検出される回折角から、試料２の物質の構造を
知ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、試料２の組成
は、その分析箇所により、多少のばらつきがあるのに対
し、上記従来技術では、集光点Ｑに集った後の発散した
第１の回折Ｘ線Ｂ２を試料２に照射することにより、あ
る程度広い範囲（たとえば１ｃｍ角〜２ｃｍ角程度）の
分析を可能にしている。しかし、第１の回折Ｘ線Ｂ２
は、一度集光した後に、広がるので、光路が長くなるの
は避けられず、そのため、図８の紙面に直角な方向Ｚに
も拡がるので、Ｘ線強度が低下する。したがって、分析
精度が低下する。
は、その分析箇所により、多少のばらつきがあるのに対
し、上記従来技術では、集光点Ｑに集った後の発散した
第１の回折Ｘ線Ｂ２を試料２に照射することにより、あ
る程度広い範囲（たとえば１ｃｍ角〜２ｃｍ角程度）の
分析を可能にしている。しかし、第１の回折Ｘ線Ｂ２
は、一度集光した後に、広がるので、光路が長くなるの
は避けられず、そのため、図８の紙面に直角な方向Ｚに
も拡がるので、Ｘ線強度が低下する。したがって、分析
精度が低下する。
【０００５】ところで、この種の光学系では、Ｘ線源Ｐ
から湾曲型の分光結晶５０に入射する発散Ｘ線Ｂ１の発
散角Ωｏと、集光点Ｑに集まる第１の回折Ｘ線Ｂ２の束
が収束する角度（以下、「収束角」という。）Ωが等し
くなる。そのため、分光後の第１の回折Ｘ線Ｂ２をほぼ
平行な所定の小さな収束角Ωで試料（図示せず）に照射
する必要があるＸ線回折分析の場合には、Ｘ線Ｂ１の発
散角Ωｏも小さくする必要がある。したがって、試料に
入射する回折Ｘ線Ｂ２の強度が弱くなり、やはり、分析
精度を向上できないなどの原因となる。
から湾曲型の分光結晶５０に入射する発散Ｘ線Ｂ１の発
散角Ωｏと、集光点Ｑに集まる第１の回折Ｘ線Ｂ２の束
が収束する角度（以下、「収束角」という。）Ωが等し
くなる。そのため、分光後の第１の回折Ｘ線Ｂ２をほぼ
平行な所定の小さな収束角Ωで試料（図示せず）に照射
する必要があるＸ線回折分析の場合には、Ｘ線Ｂ１の発
散角Ωｏも小さくする必要がある。したがって、試料に
入射する回折Ｘ線Ｂ２の強度が弱くなり、やはり、分析
精度を向上できないなどの原因となる。
【０００６】この発明は、上記従来の問題に鑑みてなさ
れたもので、Ｘ線を分光する際の強度の低下を防止し
て、回折Ｘ線の強度を強くすることにより、分析精度の
向上を図り得るＸ線回折分析装置を提供することを目的
とする。
れたもので、Ｘ線を分光する際の強度の低下を防止し
て、回折Ｘ線の強度を強くすることにより、分析精度の
向上を図り得るＸ線回折分析装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の、この発明の構成および原理を、第１実施例を示す図
１を用いて説明する。図１において、人工多層膜格子１
は、Ｘ線源Ｐから入射角θで入射したＸ線Ｂ１を反射面
１ａにおいて、回折角θで回折して単色化する。この人
工多層膜格子１は、その格子面間隔の周期ｄが、反射面
１ａの表面に沿って連続的に大きくなるように設定され
ており、発散した状態のままで、かつ、発散角Ω0 を小
さくして第１の回折Ｘ線Ｂ２を試料２に入射させる。上
記周期ｄは、Ｘ線源Ｐとの関係では、Ｘ線源Ｐから矢印
１０のように遠ざかるに従い大きく設定されている。第
１の回折Ｘ線Ｂ２は、試料２における仮想の曲面２ｂで
回折されて、第２の回折Ｘ線Ｂ６としてＸ線検出器３に
入射する。上記試料２およびＸ線検出器３は、ゴニオメ
ータ６により、それぞれ１：２の角速比で回転される。
ここで、人工多層膜格子１における反射面１ａの縦断面
の形状は、下記の（１）式で表される極座標により設定
されているのが好ましい。
の、この発明の構成および原理を、第１実施例を示す図
１を用いて説明する。図１において、人工多層膜格子１
は、Ｘ線源Ｐから入射角θで入射したＸ線Ｂ１を反射面
１ａにおいて、回折角θで回折して単色化する。この人
工多層膜格子１は、その格子面間隔の周期ｄが、反射面
１ａの表面に沿って連続的に大きくなるように設定され
ており、発散した状態のままで、かつ、発散角Ω0 を小
さくして第１の回折Ｘ線Ｂ２を試料２に入射させる。上
記周期ｄは、Ｘ線源Ｐとの関係では、Ｘ線源Ｐから矢印
１０のように遠ざかるに従い大きく設定されている。第
１の回折Ｘ線Ｂ２は、試料２における仮想の曲面２ｂで
回折されて、第２の回折Ｘ線Ｂ６としてＸ線検出器３に
入射する。上記試料２およびＸ線検出器３は、ゴニオメ
ータ６により、それぞれ１：２の角速比で回転される。
ここで、人工多層膜格子１における反射面１ａの縦断面
の形状は、下記の（１）式で表される極座標により設定
されているのが好ましい。
【０００８】
【数２】
【０００９】上記Ｘ線源ＰからＸ線検出器３までの光路
には、Ｘ線Ｂ１，Ｂ２，Ｂ６を単色化する分光結晶を挿
入するのが好ましい。
には、Ｘ線Ｂ１，Ｂ２，Ｂ６を単色化する分光結晶を挿
入するのが好ましい。
【００１０】
【作用】Ｘ線の回折条件は、周知のように下記のブラッ
グの式で与えられる。 ２ｄ・ｓｉｎθ＝ｎλ θ：入射角、回折角 λ：Ｘ線の波長 ｎ：反射の次数 入射Ｘ線Ｂ１と回折Ｘ線Ｂ２のなす角（以下、「反射
角」という。）をΨN （図面では、Ψ1 ，Ψ2 を代表し
て示す。）とすれば、上記ブラッグの式は、下記の
（２）式で表される。 ２ｄ・ｓｉｎ｛（π−ΨN ）／２｝＝ｎλ…（２） 更に、この（２）式は下記の（３）式に変換できる。 ２ｄ・ｃｏｓ（ΨN ／２）＝ｎλ…（３）
グの式で与えられる。 ２ｄ・ｓｉｎθ＝ｎλ θ：入射角、回折角 λ：Ｘ線の波長 ｎ：反射の次数 入射Ｘ線Ｂ１と回折Ｘ線Ｂ２のなす角（以下、「反射
角」という。）をΨN （図面では、Ψ1 ，Ψ2 を代表し
て示す。）とすれば、上記ブラッグの式は、下記の
（２）式で表される。 ２ｄ・ｓｉｎ｛（π−ΨN ）／２｝＝ｎλ…（２） 更に、この（２）式は下記の（３）式に変換できる。 ２ｄ・ｃｏｓ（ΨN ／２）＝ｎλ…（３）
【００１１】この（３）式より、周期ｄが大きくなる
と、つまり、Ｘ線分光素子１においてＸ線源Ｐから遠い
反射点では、反射角ΨN が大きくなり、Ψ1 ＜Ψ2 とな
る。今、ΔＰＬ1 Ｏ1 とΔＱ１Ｒ1 Ｏ1 に注目すると、
Ω0 ＝−Ψ1 ＋角Ｑ１Ｏ1 Ｒ1であり、一方、Ω2 ＝Ψ
2 −角Ｑ１Ｏ1 Ｒ1 であるから、Ψ1 ，Ψ2 および角Ｑ
１Ｏ1 Ｒ1 を適当な値に設定することで、仮想上の集光
点Ｑ１に集まる仮想上の収束角（発散角）Ω2 が発散角
Ωｏよりも小さくなる。したがって、大きな発散角Ωｏ
で人工多層膜格子１に向って出射されるＸ線Ｂ１を小さ
な仮想上の収束角（発散角）Ω2 で試料２に入射させる
ことができるから、回折Ｘ線Ｂ２の強度の低下を抑制し
て、従来よりも強度を大きくすることができる。
と、つまり、Ｘ線分光素子１においてＸ線源Ｐから遠い
反射点では、反射角ΨN が大きくなり、Ψ1 ＜Ψ2 とな
る。今、ΔＰＬ1 Ｏ1 とΔＱ１Ｒ1 Ｏ1 に注目すると、
Ω0 ＝−Ψ1 ＋角Ｑ１Ｏ1 Ｒ1であり、一方、Ω2 ＝Ψ
2 −角Ｑ１Ｏ1 Ｒ1 であるから、Ψ1 ，Ψ2 および角Ｑ
１Ｏ1 Ｒ1 を適当な値に設定することで、仮想上の集光
点Ｑ１に集まる仮想上の収束角（発散角）Ω2 が発散角
Ωｏよりも小さくなる。したがって、大きな発散角Ωｏ
で人工多層膜格子１に向って出射されるＸ線Ｂ１を小さ
な仮想上の収束角（発散角）Ω2 で試料２に入射させる
ことができるから、回折Ｘ線Ｂ２の強度の低下を抑制し
て、従来よりも強度を大きくすることができる。
【００１２】ここで、Ｘ線回折分析では、以下の理由か
ら、人工多層膜格子１で回折された第１の回折Ｘ線Ｂ２
を、発散した状態で試料２に入射させる必要がある。す
なわち、Ｘ線検出器３に入射する第２の回折Ｘ線Ｂ６を
Ｘ線検出器３において収束させて、検出するＸ線の強度
を向上させる必要があり、そのためには、試料２の仮想
上の曲面２ｂで回折されるＸ線Ｂ２が、発散した状態で
試料２に入射する必要がある。また、試料２の組成は、
その位置により、多少のばらつきがあるので、十分な精
度で分析を行うには、試料２に対し、ある程度の広い範
囲に第１の回折Ｘ線Ｂ２を照射する必要があり、そのた
めには、やはり、仮想上の収束角（発散角）Ω2 が１°
程度の発散した状態で、第１の回折Ｘ線Ｂ２を試料に入
射させる必要がある。
ら、人工多層膜格子１で回折された第１の回折Ｘ線Ｂ２
を、発散した状態で試料２に入射させる必要がある。す
なわち、Ｘ線検出器３に入射する第２の回折Ｘ線Ｂ６を
Ｘ線検出器３において収束させて、検出するＸ線の強度
を向上させる必要があり、そのためには、試料２の仮想
上の曲面２ｂで回折されるＸ線Ｂ２が、発散した状態で
試料２に入射する必要がある。また、試料２の組成は、
その位置により、多少のばらつきがあるので、十分な精
度で分析を行うには、試料２に対し、ある程度の広い範
囲に第１の回折Ｘ線Ｂ２を照射する必要があり、そのた
めには、やはり、仮想上の収束角（発散角）Ω2 が１°
程度の発散した状態で、第１の回折Ｘ線Ｂ２を試料に入
射させる必要がある。
【００１３】これに対し、この発明は、人工多層膜格子
１がＸ線源Ｐからの大きな発散角Ωｏで、出射されたＸ
線Ｂ１を回折させるとともに、発散した状態のままで、
かつ、発散角Ω2 を小さくして第１の回折Ｘ線Ｂ２を試
料２に入射させるので、試料２の広い範囲について分析
ができるとともに、発散角Ω2 を小さくした第２の回折
Ｘ線Ｂ６をＸ線検出器３に入射させることができるか
ら、分析の精度が著しく向上する。
１がＸ線源Ｐからの大きな発散角Ωｏで、出射されたＸ
線Ｂ１を回折させるとともに、発散した状態のままで、
かつ、発散角Ω2 を小さくして第１の回折Ｘ線Ｂ２を試
料２に入射させるので、試料２の広い範囲について分析
ができるとともに、発散角Ω2 を小さくした第２の回折
Ｘ線Ｂ６をＸ線検出器３に入射させることができるか
ら、分析の精度が著しく向上する。
【００１４】ところで、人工多層膜格子１における格子
面間隔を表面に沿って変化させた先行技術としては、特
開昭６３−６１２００号公報、R.K.Smither 「 New met
hodfor focusing x rays and gamma rays」REVIEW OF S
CIENTIFIC INSTRUMENTS.VOL.53(2), Feb.1982, Ameri
can Institute of physics がある。しかし、いずれ
も、第１の回折Ｘ線Ｂ２が、発散した状態のままで、か
つ、発散角を小さくするものではなく、収束ないし平行
な状態である点において、この発明とは異なり、そのた
め、広い分析面積を必要とする試料２においては、従来
例で述べたように、第２の回折Ｘ線Ｂ６の光路が長くな
るので、Ｘ線の強度が低下する。したがって、十分な分
析精度が得られない。
面間隔を表面に沿って変化させた先行技術としては、特
開昭６３−６１２００号公報、R.K.Smither 「 New met
hodfor focusing x rays and gamma rays」REVIEW OF S
CIENTIFIC INSTRUMENTS.VOL.53(2), Feb.1982, Ameri
can Institute of physics がある。しかし、いずれ
も、第１の回折Ｘ線Ｂ２が、発散した状態のままで、か
つ、発散角を小さくするものではなく、収束ないし平行
な状態である点において、この発明とは異なり、そのた
め、広い分析面積を必要とする試料２においては、従来
例で述べたように、第２の回折Ｘ線Ｂ６の光路が長くな
るので、Ｘ線の強度が低下する。したがって、十分な分
析精度が得られない。
【００１５】また、特開平４−１６９８９８号公報（本
願の先の出願後に出願公開されたもの）には、人工多層
膜格子における格子面間隔を表面に沿って変化させ、こ
のような人工多層膜格子をＸ線回折分析に適用できる旨
の開示がなされている。しかし、この先行技術の人工多
層膜格子は、反射面が回転放物面になっており、平行光
線を焦点に集光させるもので、同様に、第１の回折Ｘ線
Ｂ２が収束している点においてこの発明とは異なり、そ
のため、Ｘ線回折分析に用いても、分析精度が十分に向
上しない。
願の先の出願後に出願公開されたもの）には、人工多層
膜格子における格子面間隔を表面に沿って変化させ、こ
のような人工多層膜格子をＸ線回折分析に適用できる旨
の開示がなされている。しかし、この先行技術の人工多
層膜格子は、反射面が回転放物面になっており、平行光
線を焦点に集光させるもので、同様に、第１の回折Ｘ線
Ｂ２が収束している点においてこの発明とは異なり、そ
のため、Ｘ線回折分析に用いても、分析精度が十分に向
上しない。
【００１６】ところで、格子面間隔の周期ｄが一定であ
る一般の分光結晶においては、ヨハン型分光器、ヨハン
ソン型分光器およびログ・スパイラル型分光器が知られ
ている。これらの分光器のうちヨハン型分光器は、その
性能上、結晶の長さが短い場合にのみ用いられ、一般
に、ヨハンソン型分光器およびログ・スパイラル型分光
器が用いられている。しかし、ヨハンソン型分光器は、
結晶の一部を研磨するので、格子層の極く薄い人工多層
膜格子１には、適用することは困難である。したがっ
て、この発明のＸ線回折分析装置においては、ログ・ス
パイラル型分光器を用いるのが好ましい。
る一般の分光結晶においては、ヨハン型分光器、ヨハン
ソン型分光器およびログ・スパイラル型分光器が知られ
ている。これらの分光器のうちヨハン型分光器は、その
性能上、結晶の長さが短い場合にのみ用いられ、一般
に、ヨハンソン型分光器およびログ・スパイラル型分光
器が用いられている。しかし、ヨハンソン型分光器は、
結晶の一部を研磨するので、格子層の極く薄い人工多層
膜格子１には、適用することは困難である。したがっ
て、この発明のＸ線回折分析装置においては、ログ・ス
パイラル型分光器を用いるのが好ましい。
【００１７】ここで、図２において、一般のログ・スパ
イラルの式は、反射面１ａのいずれの点においても入射
角θN が等しくなるから、下記の（４）式で与えられ、
したがって、傾角φにおけるＸ線源Ｐから反射面１ａま
での距離（動径）ｒは、下記の（５）式で表される。
イラルの式は、反射面１ａのいずれの点においても入射
角θN が等しくなるから、下記の（４）式で与えられ、
したがって、傾角φにおけるＸ線源Ｐから反射面１ａま
での距離（動径）ｒは、下記の（５）式で表される。
【００１８】
【数３】
【００１９】一方、この発明では、人工多層膜格子１の
反射面１ａにおけるＸ線源Ｐから遠い点程、格子面間隔
の周期ｄが大きくなるので、人工多層膜格子１への入射
角θN が小さくなる必要がある。そこで、この発明者
は、人工多層膜格子１の反射面１ａの断面形状について
鋭意研究を重ねたところ、図２の傾角φが大きくなるに
従い、動径ｒが（５）式で与えられるｒよりも大きくな
れば、入射角θN が小さくなることを発見し、請求項２
の発明を完成した。つまり、前述の（１）式のように、
動径ｒを傾角φの高次の指数関数で表すことにより、傾
角φが大きくなるに従い、入射角θN が小さくなる。よ
って、上記（１）式で表される極座標により、この発明
のＸ線回折分析装置に適用する人工多層膜格子１を得る
ことができる。
反射面１ａにおけるＸ線源Ｐから遠い点程、格子面間隔
の周期ｄが大きくなるので、人工多層膜格子１への入射
角θN が小さくなる必要がある。そこで、この発明者
は、人工多層膜格子１の反射面１ａの断面形状について
鋭意研究を重ねたところ、図２の傾角φが大きくなるに
従い、動径ｒが（５）式で与えられるｒよりも大きくな
れば、入射角θN が小さくなることを発見し、請求項２
の発明を完成した。つまり、前述の（１）式のように、
動径ｒを傾角φの高次の指数関数で表すことにより、傾
角φが大きくなるに従い、入射角θN が小さくなる。よ
って、上記（１）式で表される極座標により、この発明
のＸ線回折分析装置に適用する人工多層膜格子１を得る
ことができる。
【００２０】ところで、人工多層膜格子１は、その格子
面間隔が大きく、かつ、その周期がばらつくのは避けら
れず、単結晶よりもエネルギの分解能が低い。これに対
し、請求項３の発明のように、図１のＸ線源ＰからＸ線
検出器３までの光路に分光結晶を挿入することにより、
分解能の回復を図ることができるから、より一層分析精
度が向上する。なお、このように、分光結晶を挿入する
ことでＸ線の強度が若干低下する。しかし、たとえば、
Ω0 ＝１０Ω2 に設定すれば、分光結晶において、１／
２倍〜１／５倍程度にＸ線強度が低下しても、従来より
もＸ線強度が向上する。
面間隔が大きく、かつ、その周期がばらつくのは避けら
れず、単結晶よりもエネルギの分解能が低い。これに対
し、請求項３の発明のように、図１のＸ線源ＰからＸ線
検出器３までの光路に分光結晶を挿入することにより、
分解能の回復を図ることができるから、より一層分析精
度が向上する。なお、このように、分光結晶を挿入する
ことでＸ線の強度が若干低下する。しかし、たとえば、
Ω0 ＝１０Ω2 に設定すれば、分光結晶において、１／
２倍〜１／５倍程度にＸ線強度が低下しても、従来より
もＸ線強度が向上する。
【００２１】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面にしたがって
説明する。図１は、この発明の第１実施例を示す。図１
において、人工多層膜格子１の反射面１ａは緩やかな凹
面で形成されている。この実施例の場合、試料２および
試料２で回折された第２の回折Ｘ線Ｂ６を検出するＸ線
検出器（図示せず）は、試料表面２ａを中心としてゴニ
オメータ６により、１：２の角速比で回転される。Ｘ線
検出器３は、試料２において回折された第２の回折Ｘ線
Ｂ６を検出する。これにより、試料２に入射する回折Ｘ
線Ｂ２の入射角を演算して、試料２の格子面間隔の周期
を知ることで、試料２の分析がなされる。なお、試料２
は粉体を加圧成形したものである。その他の構成は、上
記手段において述べた構成と同様であり、同一部分また
は相当部分に同一符号を付して、その詳しい説明を省略
する。
説明する。図１は、この発明の第１実施例を示す。図１
において、人工多層膜格子１の反射面１ａは緩やかな凹
面で形成されている。この実施例の場合、試料２および
試料２で回折された第２の回折Ｘ線Ｂ６を検出するＸ線
検出器（図示せず）は、試料表面２ａを中心としてゴニ
オメータ６により、１：２の角速比で回転される。Ｘ線
検出器３は、試料２において回折された第２の回折Ｘ線
Ｂ６を検出する。これにより、試料２に入射する回折Ｘ
線Ｂ２の入射角を演算して、試料２の格子面間隔の周期
を知ることで、試料２の分析がなされる。なお、試料２
は粉体を加圧成形したものである。その他の構成は、上
記手段において述べた構成と同様であり、同一部分また
は相当部分に同一符号を付して、その詳しい説明を省略
する。
【００２２】試料２に入射する回折Ｘ線Ｂ２の束の仮想
上の集光点をＱ１とすると、仮想上の集光点Ｑ１に集ま
る仮想上の収束角（発散角）Ω2 は、回折Ｘ線Ｂ２を平
行光線に近いものとする必要があることから、１°程度
に設定される。したがって、通常の単結晶からなる平板
結晶では、Ｘ線源Ｐからの発散角Ωｏも１°程度に設定
する必要があるから、回折Ｘ線Ｂ２のＸ線強度を十分に
大きくすることができない。これに対し、この実施例で
は、人工多層膜格子１における格子面間隔の周期ｄを反
射面１ａの表面に沿って、Ｘ線源Ｐから遠ざかるに従い
連続的に大きく設定したので、前述の［作用］の項で述
べたと同様に仮想上の収束角（発散角）Ω2 よりも発散
角Ωｏが大きくなる。たとえば、発散角Ωｏ＝１０°に
対し、収束角Ω2 ＝１．０°程度にすることができ、し
たがって、Ω2 ＝１°に保ったままで、回折Ｘ線Ｂ２の
強度を従来よりも強くしうる。その結果、分析精度が向
上する。
上の集光点をＱ１とすると、仮想上の集光点Ｑ１に集ま
る仮想上の収束角（発散角）Ω2 は、回折Ｘ線Ｂ２を平
行光線に近いものとする必要があることから、１°程度
に設定される。したがって、通常の単結晶からなる平板
結晶では、Ｘ線源Ｐからの発散角Ωｏも１°程度に設定
する必要があるから、回折Ｘ線Ｂ２のＸ線強度を十分に
大きくすることができない。これに対し、この実施例で
は、人工多層膜格子１における格子面間隔の周期ｄを反
射面１ａの表面に沿って、Ｘ線源Ｐから遠ざかるに従い
連続的に大きく設定したので、前述の［作用］の項で述
べたと同様に仮想上の収束角（発散角）Ω2 よりも発散
角Ωｏが大きくなる。たとえば、発散角Ωｏ＝１０°に
対し、収束角Ω2 ＝１．０°程度にすることができ、し
たがって、Ω2 ＝１°に保ったままで、回折Ｘ線Ｂ２の
強度を従来よりも強くしうる。その結果、分析精度が向
上する。
【００２３】つぎに、Ｘ線分光素子１の格子面間隔の周
期ｄの決定方法について説明する。まず、仮想上の収束
角Ω2 を決定するとともに、用いる単色光（回折Ｘ線）
Ｂ２の波長λを決定する。ついで、人工多層膜格子１の
両端の反射角Ψ1 およびΨ2を定め、両端のＬ1 点およ
びＲ2 点における周期ｄ1 およびｄ2 を定める。Ｌ1点
およびＲ1 点の間については、ブラッグの式における入
射角θの値が一般に小さいことから、近似的にリニアに
変化させれば、十分な精度で、回折Ｘ線Ｂ２の波長がほ
ぼ一定の値になる。
期ｄの決定方法について説明する。まず、仮想上の収束
角Ω2 を決定するとともに、用いる単色光（回折Ｘ線）
Ｂ２の波長λを決定する。ついで、人工多層膜格子１の
両端の反射角Ψ1 およびΨ2を定め、両端のＬ1 点およ
びＲ2 点における周期ｄ1 およびｄ2 を定める。Ｌ1点
およびＲ1 点の間については、ブラッグの式における入
射角θの値が一般に小さいことから、近似的にリニアに
変化させれば、十分な精度で、回折Ｘ線Ｂ２の波長がほ
ぼ一定の値になる。
【００２４】つぎに、人工多層膜格子１の反射面１ａの
断面形状について説明する。図２において、反射面１ａ
の断面形状は、たとえば、下記の（６）式により設定さ
れている。
断面形状について説明する。図２において、反射面１ａ
の断面形状は、たとえば、下記の（６）式により設定さ
れている。
【００２５】
【数４】
【００２６】上記のように、動径ｒを傾角φの高次の指
数関数で表すことにより、この発明に用いる人工多層膜
格子１の反射面１ａの凹面が得られるのであるが、この
とき、格子面間隔の周期ｄは、リニアに変化させればよ
いから、以下のような製造方法により、人工多層膜格子
１を容易に得ることができる。
数関数で表すことにより、この発明に用いる人工多層膜
格子１の反射面１ａの凹面が得られるのであるが、この
とき、格子面間隔の周期ｄは、リニアに変化させればよ
いから、以下のような製造方法により、人工多層膜格子
１を容易に得ることができる。
【００２７】図３は第２実施例を示す。この第２実施例
では、試料２からＸ線検出器３までの光路に、分光結晶
９が挿入されている。この分光結晶９は、第２の回折Ｘ
線Ｂ６を単色化するもので、可動板１２によりＸ線検出
器３と一体になっており、ゴニオメータ６により、試料
２の２倍の角速比で回転される。
では、試料２からＸ線検出器３までの光路に、分光結晶
９が挿入されている。この分光結晶９は、第２の回折Ｘ
線Ｂ６を単色化するもので、可動板１２によりＸ線検出
器３と一体になっており、ゴニオメータ６により、試料
２の２倍の角速比で回転される。
【００２８】このように、分光結晶９により第２の回折
Ｘ線Ｂ６を単色化すれば、前述の〔作用〕の項で述べた
ように、人工多層膜格子１の分解能の低い欠点を補うこ
とができ、分析精度をより一層向上させることができ
る。
Ｘ線Ｂ６を単色化すれば、前述の〔作用〕の項で述べた
ように、人工多層膜格子１の分解能の低い欠点を補うこ
とができ、分析精度をより一層向上させることができ
る。
【００２９】なお、上記第２実施例において、分光結晶
９はＸ線源Ｐと人工多層膜格子１との間などに挿入して
もよい。つまり、分光結晶９は、Ｘ線源ＰからＸ線検出
器３までのＸ線Ｂ１，Ｂ２，Ｂ６の光路に挿入すればよ
い。
９はＸ線源Ｐと人工多層膜格子１との間などに挿入して
もよい。つまり、分光結晶９は、Ｘ線源ＰからＸ線検出
器３までのＸ線Ｂ１，Ｂ２，Ｂ６の光路に挿入すればよ
い。
【００３０】図４は、この発明の第３実施例を示す。図
４において、Ｘ線源Ｐと人工多層膜格子１との間のＸ線
Ｂ１の光路には、Ｘ線用ハーフミラー２０が挿入されて
いる。このＸ線用ハーフミラー２０は、Ｘ線源Ｐからの
Ｘ線Ｂ１の一部Ｂ１１を、一点鎖線で示すように全反射
させて、波長が長いＸ線Ｂ１１の成分を減少させるとと
もに、波長の短いＸ線を透過させる。このＸ線用ハーフ
ミラー２０は、たとえばポリプロピレン（密度：約１ｇ
/cm3）や、ポリエステル（密度：約１．３ｇ／ｃｍ3 ）
のような密度（比重）の小さい樹脂膜の反射面２０ａ
に、アルミのような軽金属からなるコーティング（厚
さ：２００Å）を設けてなる。
４において、Ｘ線源Ｐと人工多層膜格子１との間のＸ線
Ｂ１の光路には、Ｘ線用ハーフミラー２０が挿入されて
いる。このＸ線用ハーフミラー２０は、Ｘ線源Ｐからの
Ｘ線Ｂ１の一部Ｂ１１を、一点鎖線で示すように全反射
させて、波長が長いＸ線Ｂ１１の成分を減少させるとと
もに、波長の短いＸ線を透過させる。このＸ線用ハーフ
ミラー２０は、たとえばポリプロピレン（密度：約１ｇ
/cm3）や、ポリエステル（密度：約１．３ｇ／ｃｍ3 ）
のような密度（比重）の小さい樹脂膜の反射面２０ａ
に、アルミのような軽金属からなるコーティング（厚
さ：２００Å）を設けてなる。
【００３１】この実施例では、発散角Ωｏが１０°程度
に設定されており、図４のＸ線用ハーフミラー２０に入
射するＸ線Ｂ１の入射角βを一定にするために、Ｘ線用
ハーフミラー２０がログスパイラル状（対数螺旋状）に
曲げられている。なお、Ｘ線用ハーフミラー２０への入
射角βは、Ｔｉ，ＦｅおよびＮｉを分析元素とする場
合、たとえば０．２２°程度に設定される。ログスパイ
ラル状のＸ線用ハーフミラー２０は、下記の（７），
（８）式により、その反射面２０ａの形状が決定され
る。
に設定されており、図４のＸ線用ハーフミラー２０に入
射するＸ線Ｂ１の入射角βを一定にするために、Ｘ線用
ハーフミラー２０がログスパイラル状（対数螺旋状）に
曲げられている。なお、Ｘ線用ハーフミラー２０への入
射角βは、Ｔｉ，ＦｅおよびＮｉを分析元素とする場
合、たとえば０．２２°程度に設定される。ログスパイ
ラル状のＸ線用ハーフミラー２０は、下記の（７），
（８）式により、その反射面２０ａの形状が決定され
る。
【００３２】
【数５】
【００３３】ところで、図４の人工多層膜格子１は、分
光結晶よりも格子面間隔の周期ｄが大きいので、前述の
ブラッグの式から分るように入射角θが小さくなる。そ
のため、人工多層膜格子の表面で、波長の長いＸ線Ｂ１
が全反射され、この全反射された連続Ｘ線が第１の回折
Ｘ線Ｂ２と共に試料２に入射する。この波長の長い連続
Ｘ線は、第２の回折Ｘ線Ｂ６のバックグラウンドとなっ
て、分解能(S/N比）を低下させ、したがって、極く微量
の不純物については正確に分析できないという欠点が生
じる。
光結晶よりも格子面間隔の周期ｄが大きいので、前述の
ブラッグの式から分るように入射角θが小さくなる。そ
のため、人工多層膜格子の表面で、波長の長いＸ線Ｂ１
が全反射され、この全反射された連続Ｘ線が第１の回折
Ｘ線Ｂ２と共に試料２に入射する。この波長の長い連続
Ｘ線は、第２の回折Ｘ線Ｂ６のバックグラウンドとなっ
て、分解能(S/N比）を低下させ、したがって、極く微量
の不純物については正確に分析できないという欠点が生
じる。
【００３４】これに対し、この第３実施例においては、
Ｘ線用ハーフミラー２０がＸ線源ＰからのＸ線Ｂ１のう
ち波長の長いＸ線Ｂ１１を一点鎖線のように全反射させ
て、波長の長いＸ線Ｂ１１の成分が減少ないし除去され
たＸ線Ｂ１が人工多層膜格子１に入射する。そのため、
波長の長いＸ線を全反射するおそれのある人工多層膜格
子１を用いていても、第２の回折Ｘ線Ｂ２には、波長の
長い成分が殆んど含まれていない。したがって、Ｘ線検
出器３にも、連続Ｘ線が殆ど入射しないので、分析精度
が著しく向上する。
Ｘ線用ハーフミラー２０がＸ線源ＰからのＸ線Ｂ１のう
ち波長の長いＸ線Ｂ１１を一点鎖線のように全反射させ
て、波長の長いＸ線Ｂ１１の成分が減少ないし除去され
たＸ線Ｂ１が人工多層膜格子１に入射する。そのため、
波長の長いＸ線を全反射するおそれのある人工多層膜格
子１を用いていても、第２の回折Ｘ線Ｂ２には、波長の
長い成分が殆んど含まれていない。したがって、Ｘ線検
出器３にも、連続Ｘ線が殆ど入射しないので、分析精度
が著しく向上する。
【００３５】ところで、上記実施例では、図４のＸ線用
ハーフミラー２０をＸ線源Ｐと人工多層膜格子１の間の
Ｘ線の光路に挿入した。しかし、この発明では、Ｘ線用
ハーフミラー２０を、たとえば、試料２とＸ線検出器３
との光路に挿入して、第２の回折Ｘ線Ｂ２のうちの波長
の長いＸ線の成分を全反射させて減少させてもよい。
ハーフミラー２０をＸ線源Ｐと人工多層膜格子１の間の
Ｘ線の光路に挿入した。しかし、この発明では、Ｘ線用
ハーフミラー２０を、たとえば、試料２とＸ線検出器３
との光路に挿入して、第２の回折Ｘ線Ｂ２のうちの波長
の長いＸ線の成分を全反射させて減少させてもよい。
【００３６】つぎに、上述の人工多層膜格子１の製造方
法の一例を図６を用いて説明する。まず、たとえばシリ
コンウエハのような平坦な面を有する基板１ｂを用意
し、その右端１Ｒの真下あたりに、タングステンからな
る蒸着用基材６ｗおよびシリコンからなる蒸着用基材６
siを設置する。つづいて、図６（ａ）のように、タング
ステンの蒸着用基材６ｗを真空中で蒸発させ、基材１ｂ
の表面にタングステン薄膜１ｗを形成させる。ついで、
図６（ｂ）のように、シリコンの蒸着用基材６siを真空
中で蒸発させ、タングステン膜１ｗの上にシリコン薄膜
１siを真空蒸着させる。このタングステンとシリコンの
蒸着を交互に繰り返すことにより、図６（ｃ）の人工多
層膜格子１が得られる。
法の一例を図６を用いて説明する。まず、たとえばシリ
コンウエハのような平坦な面を有する基板１ｂを用意
し、その右端１Ｒの真下あたりに、タングステンからな
る蒸着用基材６ｗおよびシリコンからなる蒸着用基材６
siを設置する。つづいて、図６（ａ）のように、タング
ステンの蒸着用基材６ｗを真空中で蒸発させ、基材１ｂ
の表面にタングステン薄膜１ｗを形成させる。ついで、
図６（ｂ）のように、シリコンの蒸着用基材６siを真空
中で蒸発させ、タングステン膜１ｗの上にシリコン薄膜
１siを真空蒸着させる。このタングステンとシリコンの
蒸着を交互に繰り返すことにより、図６（ｃ）の人工多
層膜格子１が得られる。
【００３７】ここで、図６（ａ），（ｂ）の蒸着用基材
６ｗ，６siは、共に、右端１Ｒの真下に設置してあるか
ら、各薄膜１ｗ，１siは、右端１Ｒにおいて厚くなり、
左端１Ｌにおいて薄くなる。したがって、図６（ｃ）の
ように、右側に行くに従い、格子面間隔の周期ｄN が反
射面１ａの表面に沿って連続的に大きくなる。なお、反
射面１ａは、若干凸面状になるが、人工多層膜格子１を
曲げることで凹面にする。
６ｗ，６siは、共に、右端１Ｒの真下に設置してあるか
ら、各薄膜１ｗ，１siは、右端１Ｒにおいて厚くなり、
左端１Ｌにおいて薄くなる。したがって、図６（ｃ）の
ように、右側に行くに従い、格子面間隔の周期ｄN が反
射面１ａの表面に沿って連続的に大きくなる。なお、反
射面１ａは、若干凸面状になるが、人工多層膜格子１を
曲げることで凹面にする。
【００３８】つぎに、人工多層膜格子１の製造方法の他
の例について図７を用いて説明する。この例は、ケミカ
ルベイパーディポジョンと呼ばれる方法を用いており、
その要点のみを説明する。図７において、シリコンウエ
ハからなる基板１ｂの下面に微小なスリット７ａを有す
るマスク７を水平方向に移動自在に設置する。マスク７
の下方にはガリウムＧａの化合物と、ひ素Ａｓの化合物
の混合気をガス室８内に密閉する。マスク７を左側へ徐
々に移動させるとともに、ガス室８から排気を行いつ
つ、インジウムＩｎの化合物をガス室８に供給する。こ
れにより、直径が互いに異なる原子から薄膜が形成され
るとともに、基板１ｂに付着するIn-Ga-As化合物のガリ
ウムとインジウムの割合が右端１Ｒから左端１Ｌに行く
に従い徐々に変化した状態 (InxGa1-XAs) となり、たと
えば、右端１Ｒの格子面間隔の周期ｄ2 が左端１Ｌの周
期ｄ1 よりも大きくなる。
の例について図７を用いて説明する。この例は、ケミカ
ルベイパーディポジョンと呼ばれる方法を用いており、
その要点のみを説明する。図７において、シリコンウエ
ハからなる基板１ｂの下面に微小なスリット７ａを有す
るマスク７を水平方向に移動自在に設置する。マスク７
の下方にはガリウムＧａの化合物と、ひ素Ａｓの化合物
の混合気をガス室８内に密閉する。マスク７を左側へ徐
々に移動させるとともに、ガス室８から排気を行いつ
つ、インジウムＩｎの化合物をガス室８に供給する。こ
れにより、直径が互いに異なる原子から薄膜が形成され
るとともに、基板１ｂに付着するIn-Ga-As化合物のガリ
ウムとインジウムの割合が右端１Ｒから左端１Ｌに行く
に従い徐々に変化した状態 (InxGa1-XAs) となり、たと
えば、右端１Ｒの格子面間隔の周期ｄ2 が左端１Ｌの周
期ｄ1 よりも大きくなる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、各請求項の発明に
よれば、人工多層膜格子の格子面間隔の周期が反射面の
表面に沿ってＸ線源から遠ざかるに従い連続的に大きく
なるように設定されており、かつ、この人工多層膜格子
により、ほぼ平行に近い発散した状態の第１の回折Ｘ線
を試料に入射させるので、分析の精度が向上する。
よれば、人工多層膜格子の格子面間隔の周期が反射面の
表面に沿ってＸ線源から遠ざかるに従い連続的に大きく
なるように設定されており、かつ、この人工多層膜格子
により、ほぼ平行に近い発散した状態の第１の回折Ｘ線
を試料に入射させるので、分析の精度が向上する。
【００４０】また、請求項２の発明によれば、人工多層
膜格子の格子面間隔の周期をリニアに変化させればよい
から、人工多層膜格子の製造が容易になる。
膜格子の格子面間隔の周期をリニアに変化させればよい
から、人工多層膜格子の製造が容易になる。
【００４１】一方、請求項３の発明によれば、人工多層
膜格子の他に分光結晶を挿入したので、分解能の低い人
工多層膜格子の欠点を補って、分析精度をより一層向上
させることができる。
膜格子の他に分光結晶を挿入したので、分解能の低い人
工多層膜格子の欠点を補って、分析精度をより一層向上
させることができる。
【図１】この発明の第１の実施例を示すＸ線回折分析装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【図２】人工多層膜格子の反射面の形状を示す側面図で
ある。
ある。
【図３】同第２実施例を示すＸ線回折分析装置の概略構
成図である。
成図である。
【図４】同第３実施例を示すＸ線回折分析装置の概略構
成図である。
成図である。
【図５】ハーフミラーの形状を示す側面図である。
【図６】人工多層膜格子の製造方法の一例を示す工程図
である。
である。
【図７】同他の例を示す正面図である。
【図８】一般的な分光器を示す概略構成図である。
１…人工多層膜格子、１ａ…反射面、２…試料、３…Ｘ
線検出器、６…ゴニオメータ、９…分光結晶、Ｂ１…Ｘ
線、Ｂ２…第１の回折Ｘ線、Ｂ６…第２の回折Ｘ線、ｄ
N …周期、Ｐ…Ｘ線源。
線検出器、６…ゴニオメータ、９…分光結晶、Ｂ１…Ｘ
線、Ｂ２…第１の回折Ｘ線、Ｂ６…第２の回折Ｘ線、ｄ
N …周期、Ｐ…Ｘ線源。
Claims (3)
- 【請求項１】 格子面間隔の周期が反射面の表面に沿っ
てＸ線源から遠ざかるに従い連続的に大きくなるように
設定されて、上記Ｘ線源からのＸ線を回折させて単色化
するとともに、発散した状態のままで、かつ、発散角を
小さくして第１の回折Ｘ線を試料に入射させる人工多層
膜格子と、 上記試料で回折された第２の回折Ｘ線が入射するＸ線検
出器と、 上記試料およびＸ線検出器を１：２の角速比で回転させ
るゴニオメータとを備えたＸ線回折分析装置。 - 【請求項２】 請求項１において、人工多層膜格子にお
ける反射面の縦断面の形状が、下記の（１）式で表され
る極座標により設定されているＸ線回折分析装置。 【数１】 - 【請求項３】 請求項１において、上記Ｘ線源からＸ線
検出器までの光路には、Ｘ線を単色化する分光結晶が挿
入されているＸ線回折分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3756993A JP2940757B2 (ja) | 1992-04-09 | 1993-02-01 | Ｘ線回折分析装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11793492 | 1992-04-09 | ||
| JP4-117934 | 1992-04-09 | ||
| JP3756993A JP2940757B2 (ja) | 1992-04-09 | 1993-02-01 | Ｘ線回折分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0682398A true JPH0682398A (ja) | 1994-03-22 |
| JP2940757B2 JP2940757B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=26376694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3756993A Expired - Fee Related JP2940757B2 (ja) | 1992-04-09 | 1993-02-01 | Ｘ線回折分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940757B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11287773A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Rigaku Denki Kk | Ｘ線回折分析方法及びｘ線回折分析装置 |
| JP2002195963A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Ours Tex Kk | Ｘ線分光装置およびｘ線分析装置 |
| JP2008170236A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | High Energy Accelerator Research Organization | Ｘ線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
| EP2042860A2 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-01 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction apparatus and x-ray diffraction method |
| EP2233918A1 (en) | 2009-03-25 | 2010-09-29 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction method and X-ray diffraction apparatus |
| JP2011255174A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Siemens Ag | Ｘ線装置およびラジオグラフィｘ線撮影システム |
| JP2013213720A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Rigaku Corp | Ｘ線トポグラフィ装置 |
| JP2015132608A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | パナリティカル ビー ヴィ | Ｘ線装置 |
-
1993
- 1993-02-01 JP JP3756993A patent/JP2940757B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11287773A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Rigaku Denki Kk | Ｘ線回折分析方法及びｘ線回折分析装置 |
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| JP2008170236A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | High Energy Accelerator Research Organization | Ｘ線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
| JP4521573B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2010-08-11 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
| EP2042860A2 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-01 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction apparatus and x-ray diffraction method |
| US7801272B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-09-21 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction apparatus and X-ray diffraction method |
| EP2306179A1 (en) | 2007-09-28 | 2011-04-06 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction apparatus and x-ray diffraction method |
| EP2233918A1 (en) | 2009-03-25 | 2010-09-29 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction method and X-ray diffraction apparatus |
| US8340248B2 (en) | 2009-03-25 | 2012-12-25 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction method and X-ray diffraction apparatus |
| JP2011255174A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Siemens Ag | Ｘ線装置およびラジオグラフィｘ線撮影システム |
| JP2013213720A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Rigaku Corp | Ｘ線トポグラフィ装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2940757B2 (ja) | 1999-08-25 |
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