JPH11287773A - Ｘ線回折分析方法及びｘ線回折分析装置 - Google Patents
Ｘ線回折分析方法及びｘ線回折分析装置Info
- Publication number
- JPH11287773A JPH11287773A JP10108574A JP10857498A JPH11287773A JP H11287773 A JPH11287773 A JP H11287773A JP 10108574 A JP10108574 A JP 10108574A JP 10857498 A JP10857498 A JP 10857498A JP H11287773 A JPH11287773 A JP H11287773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- sample
- axis
- rays
- turntable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 強度の強い平行Ｘ線ビームを簡単に作り出す
ことにより、大規模な設備を構築する必要なく、実験室
レベルでも信頼性の高いインプレーン回折測定を行うこ
とができるようにする。 【解決手段】 Ｘ線Ｒ１を試料７に微小入射角度δで入
射させたときに、試料表面に垂直な結晶面で回折するイ
ンプレーン回折線をＸ線カウンタ８によって検出するＸ
線回折分析方法において、Ｘ線源Ｆから発生したＸ線を
放物面多層膜モノクロメータ１で回折させた後に試料７
に入射する。放物面多層膜モノクロメータ１は重元素層
と軽元素層とを交互に複数回積層することによって形成
され、さらに放物面多層膜モノクロメータ１の表面であ
ってＸ線が入射する面は放物面に形成される。放物面多
層膜モノクロメータ１は、非常に強度が高い平行Ｘ線ビ
ームを形成できるので、信頼性の高いインプレーン回折
測定ができる。
ことにより、大規模な設備を構築する必要なく、実験室
レベルでも信頼性の高いインプレーン回折測定を行うこ
とができるようにする。 【解決手段】 Ｘ線Ｒ１を試料７に微小入射角度δで入
射させたときに、試料表面に垂直な結晶面で回折するイ
ンプレーン回折線をＸ線カウンタ８によって検出するＸ
線回折分析方法において、Ｘ線源Ｆから発生したＸ線を
放物面多層膜モノクロメータ１で回折させた後に試料７
に入射する。放物面多層膜モノクロメータ１は重元素層
と軽元素層とを交互に複数回積層することによって形成
され、さらに放物面多層膜モノクロメータ１の表面であ
ってＸ線が入射する面は放物面に形成される。放物面多
層膜モノクロメータ１は、非常に強度が高い平行Ｘ線ビ
ームを形成できるので、信頼性の高いインプレーン回折
測定ができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インプレーン回折
（ In-Plane 回折）を利用したＸ線回折分析方法及びそ
の分析に適したＸ線回折分析装置に関する。
（ In-Plane 回折）を利用したＸ線回折分析方法及びそ
の分析に適したＸ線回折分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】インプレーン回折とは、図１２に示すよ
うに、試料５７の表面に微小入射角度δでＸ線Ｒ１を入
射すると、試料表面に対して微小角度の所に回折線Ｒ３
が発生する現象である。これは、Ｘ線Ｒ１を微小入射角
度で試料５７に入射すると、試料５７の内部に試料表面
と平行に走るＸ線の成分が現れ、それが試料表面に垂直
な結晶面によって回折を起こし、その回折線が試料表面
すれすれに出て行くという現象に基づくものである。
うに、試料５７の表面に微小入射角度δでＸ線Ｒ１を入
射すると、試料表面に対して微小角度の所に回折線Ｒ３
が発生する現象である。これは、Ｘ線Ｒ１を微小入射角
度で試料５７に入射すると、試料５７の内部に試料表面
と平行に走るＸ線の成分が現れ、それが試料表面に垂直
な結晶面によって回折を起こし、その回折線が試料表面
すれすれに出て行くという現象に基づくものである。
【０００３】そして、このインプレーン回折は以下のよ
うな特徴を持っている。すなわち、 通常の方法では測定できない薄膜の表面に垂直な結
晶格子面からの回折を測定することができ、これによ
り、試料表面に平行な結晶格子の長さや結晶性を直接に
評価することが可能である。
うな特徴を持っている。すなわち、 通常の方法では測定できない薄膜の表面に垂直な結
晶格子面からの回折を測定することができ、これによ
り、試料表面に平行な結晶格子の長さや結晶性を直接に
評価することが可能である。
【０００４】 Ｘ線が試料表面すれすれに入射するた
め、試料内部に進入する深さは極めて薄く、およそ数十
〜数百Å程度である。従って、試料が載っている基板や
試料が多層構造である場合の下地層からのバックグラウ
ンドをほとんどなくすことができ、超薄膜からの回折線
を測定可能である。
め、試料内部に進入する深さは極めて薄く、およそ数十
〜数百Å程度である。従って、試料が載っている基板や
試料が多層構造である場合の下地層からのバックグラウ
ンドをほとんどなくすことができ、超薄膜からの回折線
を測定可能である。
【０００５】このようにインプレーン回折は薄膜評価に
適した方法であって、膜厚がますます薄くなるような試
料、あるいは基板との関係で面内の配向が現れるような
試料等の評価に関して非常に有用である。
適した方法であって、膜厚がますます薄くなるような試
料、あるいは基板との関係で面内の配向が現れるような
試料等の評価に関して非常に有用である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のようなインプレ
ーン回折を利用したＸ線回折分析方法は理論的には従来
から周知のものであるが、この方法を用いて信頼性の高
い測定結果を得るためには、単色化された強度の強い平
行Ｘ線ビームを試料に入射させなければならず、そのた
めにはそれ専用の大規模なＸ線発生源を用意しなければ
ならず、それ故、実験室レベルでは到底実現することが
できなかった。
ーン回折を利用したＸ線回折分析方法は理論的には従来
から周知のものであるが、この方法を用いて信頼性の高
い測定結果を得るためには、単色化された強度の強い平
行Ｘ線ビームを試料に入射させなければならず、そのた
めにはそれ専用の大規模なＸ線発生源を用意しなければ
ならず、それ故、実験室レベルでは到底実現することが
できなかった。
【０００７】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、強度の強い平行Ｘ線ビームを簡単に作り
出すことにより、大規模な設備を構築する必要なく、実
験室レベルでも信頼性の高いインプレーン回折測定を行
うことができるようにすることを目的とする。
ものであって、強度の強い平行Ｘ線ビームを簡単に作り
出すことにより、大規模な設備を構築する必要なく、実
験室レベルでも信頼性の高いインプレーン回折測定を行
うことができるようにすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】（１） 上記の目的を達
成するため、本発明に係るＸ線回折分析方法は、Ｘ線を
試料に微小入射角度で入射させたときに、試料表面に垂
直な結晶面で回折するインプレーン回折線をＸ線検出手
段によって検出するＸ線回折分析方法において、 Ｘ線源から発生したＸ線を放物面多層膜モノクロメー
タで回折させた後に前記試料に入射し、前記放物面多
層膜モノクロメータは重元素層と軽元素層とを交互に複
数回積層することによって形成され、さらに前記放物
面多層膜モノクロメータの表面であってＸ線が入射する
面は放物面に形成されることを特徴とする。
成するため、本発明に係るＸ線回折分析方法は、Ｘ線を
試料に微小入射角度で入射させたときに、試料表面に垂
直な結晶面で回折するインプレーン回折線をＸ線検出手
段によって検出するＸ線回折分析方法において、 Ｘ線源から発生したＸ線を放物面多層膜モノクロメー
タで回折させた後に前記試料に入射し、前記放物面多
層膜モノクロメータは重元素層と軽元素層とを交互に複
数回積層することによって形成され、さらに前記放物
面多層膜モノクロメータの表面であってＸ線が入射する
面は放物面に形成されることを特徴とする。
【０００９】「放物面多層膜モノクロメータ」は、例え
ば図３に示すように、重元素層２と軽元素層３とを交互
に複数回積層すること及びＸ線源Ｆから発生して発散す
るＸ線Ｒが入射する表面１ａが放物面とされることを要
件として形成されている。重元素層２と軽元素層３との
積層構造を周期的に複数層繰り返すことにより、特定Ｘ
線、例えばＣｕＫα線を効率良く回折でき、その結果、
出射側に強度の強いＸ線を得ることができる。さらに、
モノクロメータの表面１ａを放物面とすることにより、
その表面１ａの全面において入射Ｘ線を平行方向に反射
できるようになり、正確な平行ビームを得ることができ
る。つまり、放物面多層膜モノクロメータを用いれば、
単色化された平行Ｘ線ビームを非常に強度が高い状態で
得ることができる。
ば図３に示すように、重元素層２と軽元素層３とを交互
に複数回積層すること及びＸ線源Ｆから発生して発散す
るＸ線Ｒが入射する表面１ａが放物面とされることを要
件として形成されている。重元素層２と軽元素層３との
積層構造を周期的に複数層繰り返すことにより、特定Ｘ
線、例えばＣｕＫα線を効率良く回折でき、その結果、
出射側に強度の強いＸ線を得ることができる。さらに、
モノクロメータの表面１ａを放物面とすることにより、
その表面１ａの全面において入射Ｘ線を平行方向に反射
できるようになり、正確な平行ビームを得ることができ
る。つまり、放物面多層膜モノクロメータを用いれば、
単色化された平行Ｘ線ビームを非常に強度が高い状態で
得ることができる。
【００１０】なお、各層においてＸ線を回折できるよう
にするため、一対の重元素層２及び軽元素層３の積層厚
さ、すなわち１周期分の積層厚さに関しては、Ｘ線出射
側の積層厚さＴ２がＸ線入射側の積層厚さＴ１よりも大
きくなっている。例えばＴ１≒３０Å、Ｔ２≒４０Å程
度に設定する。また、重元素としては、例えばＷ（タン
グステン）等が考えられ、軽元素としては、例えば、Ｓ
ｉ（シリコン）、Ｃ（炭素）、Ｂ4Ｃ 等が考えられる。
なお、積層構造としては、２種類の元素を用いた２層構
造や、３種類以上の元素を用いた複数層構造が考えられ
る。
にするため、一対の重元素層２及び軽元素層３の積層厚
さ、すなわち１周期分の積層厚さに関しては、Ｘ線出射
側の積層厚さＴ２がＸ線入射側の積層厚さＴ１よりも大
きくなっている。例えばＴ１≒３０Å、Ｔ２≒４０Å程
度に設定する。また、重元素としては、例えばＷ（タン
グステン）等が考えられ、軽元素としては、例えば、Ｓ
ｉ（シリコン）、Ｃ（炭素）、Ｂ4Ｃ 等が考えられる。
なお、積層構造としては、２種類の元素を用いた２層構
造や、３種類以上の元素を用いた複数層構造が考えられ
る。
【００１１】本発明に係るＸ線回折分析方法によれば、
モノクロメータとして上記のような放物面多層膜モノク
ロメータを用いることにより、強度の強い平行Ｘ線ビー
ムを形成できるので、実験室レベルの簡易な構成により
信頼性の高いインプレーン回折測定を行うことができ
る。
モノクロメータとして上記のような放物面多層膜モノク
ロメータを用いることにより、強度の強い平行Ｘ線ビー
ムを形成できるので、実験室レベルの簡易な構成により
信頼性の高いインプレーン回折測定を行うことができ
る。
【００１２】（２） 上記構成のＸ線回折分析方法にお
いて、前記Ｘ線検出手段は点領域Ｘ線検出手段とするこ
とができ、その場合には、その点領域Ｘ線検出手段は試
料表面に直交する軸線である２θφ軸線を中心として試
料の回りを回転しながら前記インプレーン回折線を検出
する。「点領域Ｘ線検出手段」というのは、Ｘ線ビーム
を点状に取り込んでそのＸ線強度を検出する構造のＸ線
検出手段のことであり、例えば、比例計数管（Proporti
onal Counter）やシンチレーションカウンタ（ Scintil
lation Counter）等を使用できる。この点領域Ｘ線検出
手段は、２θφ軸線のまわりに回転移動することによ
り、各２θφ角度位置におけるインプレーン回折線を検
出する。
いて、前記Ｘ線検出手段は点領域Ｘ線検出手段とするこ
とができ、その場合には、その点領域Ｘ線検出手段は試
料表面に直交する軸線である２θφ軸線を中心として試
料の回りを回転しながら前記インプレーン回折線を検出
する。「点領域Ｘ線検出手段」というのは、Ｘ線ビーム
を点状に取り込んでそのＸ線強度を検出する構造のＸ線
検出手段のことであり、例えば、比例計数管（Proporti
onal Counter）やシンチレーションカウンタ（ Scintil
lation Counter）等を使用できる。この点領域Ｘ線検出
手段は、２θφ軸線のまわりに回転移動することによ
り、各２θφ角度位置におけるインプレーン回折線を検
出する。
【００１３】（３） 上記（１）記載のＸ線回折分析方
法において、前記Ｘ線検出手段は線領域Ｘ線検出手段と
することができ、その場合には、その線領域Ｘ線検出手
段による線状Ｘ線検出領域は試料表面に直交する軸線で
ある２θφ軸線を中心として試料の回りに設定される。
「線領域Ｘ線検出手段」というのは、Ｘ線ビームを少な
くとも線状に取り込んでその線状領域内の個々の点にお
けるＸ線強度を検出する構造のＸ線検出手段のことであ
り、例えば、Ｘ線ビームを線状にとり込む構造のＰＳ
ＰＣ（PositionSensitive Proportional Counter：位置
感応形Ｘ線検出手段）、Ｘ線を平面的に受け取って感
光するＸ線フィルム、Ｘ線が当たった所にエネルギ潜
像を蓄積できレーザ光等の照射によってそのエネルギ潜
像を光として放出できる構造の平面状蓄積性蛍光体等を
使用することができる。
法において、前記Ｘ線検出手段は線領域Ｘ線検出手段と
することができ、その場合には、その線領域Ｘ線検出手
段による線状Ｘ線検出領域は試料表面に直交する軸線で
ある２θφ軸線を中心として試料の回りに設定される。
「線領域Ｘ線検出手段」というのは、Ｘ線ビームを少な
くとも線状に取り込んでその線状領域内の個々の点にお
けるＸ線強度を検出する構造のＸ線検出手段のことであ
り、例えば、Ｘ線ビームを線状にとり込む構造のＰＳ
ＰＣ（PositionSensitive Proportional Counter：位置
感応形Ｘ線検出手段）、Ｘ線を平面的に受け取って感
光するＸ線フィルム、Ｘ線が当たった所にエネルギ潜
像を蓄積できレーザ光等の照射によってそのエネルギ潜
像を光として放出できる構造の平面状蓄積性蛍光体等を
使用することができる。
【００１４】本実施態様によれば、Ｘ線検出手段を走査
移動させることなく固定状態のままで、各２θφ角度位
置におけるインプレーン回折線を検出できる。この実施
態様によれば、Ｘ線検出手段を走査移動させない分だ
け、上記点領域Ｘ線検出手段を用いる場合に比べて回転
光学系が１つ少なくて済む。
移動させることなく固定状態のままで、各２θφ角度位
置におけるインプレーン回折線を検出できる。この実施
態様によれば、Ｘ線検出手段を走査移動させない分だ
け、上記点領域Ｘ線検出手段を用いる場合に比べて回転
光学系が１つ少なくて済む。
【００１５】（４） 次に、本発明に係るＸ線回折分析
装置は、Ｘ線を発生するＸ線源と、そのＸ線を単色化す
るモノクロメータと、そのモノクロメータから出るＸ線
が入射するように試料を支持する４軸ゴニオメータとを
有するＸ線回折分析装置において、前記モノクロメー
タは、重元素層と軽元素層とを交互に複数回積層するこ
とによって形成され、前記モノクロメータの表面であ
ってＸ線が入射する面は放物面に形成され、そして前
記４軸ゴニオメータは、（ａ）ω軸線を中心として回転
するω回転台と、（ｂ）そのω回転台上に設けられてい
て前記ω軸線が試料表面を通るようにその試料を支持し
且つω軸線に直交するφ軸線を中心としてその試料を面
内回転させるφ回転台と、（ｃ）前記ω軸線を中心とし
て前記ω回転台から独立して回転する２θ回転台と、
（ｄ）その２θ回転台上に設けられていて前記ω軸線に
直交する２θφ軸線を中心として回転し、さらにＸ線検
出手段を支持する２θφ回転台とを有することを特徴と
する。
装置は、Ｘ線を発生するＸ線源と、そのＸ線を単色化す
るモノクロメータと、そのモノクロメータから出るＸ線
が入射するように試料を支持する４軸ゴニオメータとを
有するＸ線回折分析装置において、前記モノクロメー
タは、重元素層と軽元素層とを交互に複数回積層するこ
とによって形成され、前記モノクロメータの表面であ
ってＸ線が入射する面は放物面に形成され、そして前
記４軸ゴニオメータは、（ａ）ω軸線を中心として回転
するω回転台と、（ｂ）そのω回転台上に設けられてい
て前記ω軸線が試料表面を通るようにその試料を支持し
且つω軸線に直交するφ軸線を中心としてその試料を面
内回転させるφ回転台と、（ｃ）前記ω軸線を中心とし
て前記ω回転台から独立して回転する２θ回転台と、
（ｄ）その２θ回転台上に設けられていて前記ω軸線に
直交する２θφ軸線を中心として回転し、さらにＸ線検
出手段を支持する２θφ回転台とを有することを特徴と
する。
【００１６】このＸ線回折分析装置によれば、モノクロ
メータとして上記のような放物面多層膜モノクロメータ
を用いることにより、強度の強い平行Ｘ線ビームを形成
できるので、実験室レベルの簡易な構成により十分な信
頼性をもってインプレーン回折測定を行うことができ
る。また、本Ｘ線回折分析装置によれば、インプレーン
回折測定に限らず、強度の強い平行Ｘ線ビームを試料に
照射する必要があると共に、試料を独立した４軸線のま
わりに回転移動させる必要がある各種の測定、例えば、
逆格子空間内の任意の点近傍のＸ線回折強度測定を容易
に実行することができる。
メータとして上記のような放物面多層膜モノクロメータ
を用いることにより、強度の強い平行Ｘ線ビームを形成
できるので、実験室レベルの簡易な構成により十分な信
頼性をもってインプレーン回折測定を行うことができ
る。また、本Ｘ線回折分析装置によれば、インプレーン
回折測定に限らず、強度の強い平行Ｘ線ビームを試料に
照射する必要があると共に、試料を独立した４軸線のま
わりに回転移動させる必要がある各種の測定、例えば、
逆格子空間内の任意の点近傍のＸ線回折強度測定を容易
に実行することができる。
【００１７】（５） 上記構成のＸ線回折分析装置にお
いて、前記φ回転台と前記ω回転台との間に、試料をω
軸線に対して進退移動させるためのスライドステージを
設けることができる。こうすれば、ω軸線に対する試料
の前後位置を調節でき、試料を正確にω軸線に一致させ
ることができる。
いて、前記φ回転台と前記ω回転台との間に、試料をω
軸線に対して進退移動させるためのスライドステージを
設けることができる。こうすれば、ω軸線に対する試料
の前後位置を調節でき、試料を正確にω軸線に一致させ
ることができる。
【００１８】（６） 上記（４）又は（５）記載のＸ線
回折分析装置において、前記試料を傾斜移動させるため
の傾斜移動手段を設けることができる。特に、縦方向及
び横方向のそれぞれに傾斜移動させることのできる傾斜
移動手段を設けることが望ましい。こうすれば、試料表
面の法線を前記φ軸線に正確に一致させることができ
る。
回折分析装置において、前記試料を傾斜移動させるため
の傾斜移動手段を設けることができる。特に、縦方向及
び横方向のそれぞれに傾斜移動させることのできる傾斜
移動手段を設けることが望ましい。こうすれば、試料表
面の法線を前記φ軸線に正確に一致させることができ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係るＸ線回折分
析装置の一実施形態を示している。このＸ線回折分析装
置は、Ｘ線焦点すなわちＸ線源ＦからＸ線を発生するＸ
線管４と、入射側光学ユニット６と、試料７及び点領域
Ｘ線カウンタ８に対して測角を行う４軸ゴニオメータ９
とを含んで構成される。
析装置の一実施形態を示している。このＸ線回折分析装
置は、Ｘ線焦点すなわちＸ線源ＦからＸ線を発生するＸ
線管４と、入射側光学ユニット６と、試料７及び点領域
Ｘ線カウンタ８に対して測角を行う４軸ゴニオメータ９
とを含んで構成される。
【００２０】Ｘ線源Ｆは、例えば熱電子を放出するフィ
ラメントと、そのフィラメントに対向して配設されるタ
ーゲットとによって構成でき、その場合には、フィラメ
ントから放出される熱電子がターゲットに高速度で衝突
することによりそのターゲットからＸ線が放射される。
ラメントと、そのフィラメントに対向して配設されるタ
ーゲットとによって構成でき、その場合には、フィラメ
ントから放出される熱電子がターゲットに高速度で衝突
することによりそのターゲットからＸ線が放射される。
【００２１】入射側光学ユニット６の内部には、図２に
示すように、Ｘ線源Ｆから出て発散するＸ線Ｒの進行路
に沿って、放物面多層膜モノクロメータ１及び横方向へ
のＸ線の発散を規制するソーラスリット１１が配設され
る。放物面多層膜モノクロメータ１は、図３のように重
元素層２と軽元素層３とを交互に複数回積層し、さらに
その表面１ａを放物面とすることによって形成される。
重元素層２は、例えばＷ（タングステン）によって形成
され、軽元素層３は、例えばＳｉ（シリコン）、Ｃ（炭
素）、Ｂ4Ｃ 等によって形成される。
示すように、Ｘ線源Ｆから出て発散するＸ線Ｒの進行路
に沿って、放物面多層膜モノクロメータ１及び横方向へ
のＸ線の発散を規制するソーラスリット１１が配設され
る。放物面多層膜モノクロメータ１は、図３のように重
元素層２と軽元素層３とを交互に複数回積層し、さらに
その表面１ａを放物面とすることによって形成される。
重元素層２は、例えばＷ（タングステン）によって形成
され、軽元素層３は、例えばＳｉ（シリコン）、Ｃ（炭
素）、Ｂ4Ｃ 等によって形成される。
【００２２】図１において、４軸ゴニオメータ９は、Ｘ
線ビームＲに対して所定位置に設定されるω軸線を中心
として回転するω回転台１２と、そのω回転台１２を取
り囲むように配設されていて同じくω軸線を中心として
回転する２θ回転台１３と、その２θ回転台１３の上に
設けられた２θφ回転台１４とを有する。また、ω回転
台１２の上には、スライドステージ１６、φ回転台１７
及び試料台１８が設けられる。試料７は、接着剤による
接着、空気吸引による吸着、その他必要に応じた各種の
方法によって試料台１８に装着される。なお、試料台１
８には、試料７をω軸線及び水平軸線を中心として傾斜
移動させるためのチルト機構が内蔵されている。
線ビームＲに対して所定位置に設定されるω軸線を中心
として回転するω回転台１２と、そのω回転台１２を取
り囲むように配設されていて同じくω軸線を中心として
回転する２θ回転台１３と、その２θ回転台１３の上に
設けられた２θφ回転台１４とを有する。また、ω回転
台１２の上には、スライドステージ１６、φ回転台１７
及び試料台１８が設けられる。試料７は、接着剤による
接着、空気吸引による吸着、その他必要に応じた各種の
方法によって試料台１８に装着される。なお、試料台１
８には、試料７をω軸線及び水平軸線を中心として傾斜
移動させるためのチルト機構が内蔵されている。
【００２３】Ｘ線カウンタ８及びその前に配設される出
射側光学ユニット１０は２θφ回転台１４から延びるカ
ウンタアーム１９によって支持される。出射側光学ユニ
ット１０の内部には、Ｘ線の横方向への発散を規制する
ソーラスリットや受光スリット等が格納される。
射側光学ユニット１０は２θφ回転台１４から延びるカ
ウンタアーム１９によって支持される。出射側光学ユニ
ット１０の内部には、Ｘ線の横方向への発散を規制する
ソーラスリットや受光スリット等が格納される。
【００２４】ω回転台１２はω回転駆動装置２１によっ
て駆動されてω軸線を中心として回転する。２θ回転台
１３は２θ回転駆動装置２２によって駆動されてω軸線
を中心として回転する。この回転はω回転台１２とは別
個独立に行うことができる。２θφ回転台１４には２θ
φ回転駆動装置２３が付設され、この２θφ回転駆動装
置２３は２θφ回転台１４を２θφ軸線を中心として回
転移動させる。２θφ軸線は２θ回転台１３の２θ回転
に従ってω軸線を中心として回転移動するが、その移動
の際、２θφ軸線は常にω軸線に対して直角の位置関係
を維持する。
て駆動されてω軸線を中心として回転する。２θ回転台
１３は２θ回転駆動装置２２によって駆動されてω軸線
を中心として回転する。この回転はω回転台１２とは別
個独立に行うことができる。２θφ回転台１４には２θ
φ回転駆動装置２３が付設され、この２θφ回転駆動装
置２３は２θφ回転台１４を２θφ軸線を中心として回
転移動させる。２θφ軸線は２θ回転台１３の２θ回転
に従ってω軸線を中心として回転移動するが、その移動
の際、２θφ軸線は常にω軸線に対して直角の位置関係
を維持する。
【００２５】スライドステージ１６にはスライド駆動装
置２４が付設され、スライドステージ１６はそのスライ
ド駆動装置２４によって駆動されて矢印Ａで示すように
ω軸線に近づき又は遠ざかる方向へ進退移動する。φ回
転台１７にはφ回転駆動装置２６が付設される。このφ
回転駆動装置２６の働きにより、試料７がφ軸線を中心
として回転、いわゆる面内回転する。φ軸線はω軸線に
直角な平面にあってω軸とともに回転する。試料台１８
内のチルト機構にはチルト駆動装置２７が付設される。
チルト駆動装置２７に駆動されて上記チルト機構が動作
するとき、試料７が矢印Ｂのようにω軸線を中心として
傾斜移動するか、又は矢印Ｃのように水平軸線を中心と
して傾斜移動する。
置２４が付設され、スライドステージ１６はそのスライ
ド駆動装置２４によって駆動されて矢印Ａで示すように
ω軸線に近づき又は遠ざかる方向へ進退移動する。φ回
転台１７にはφ回転駆動装置２６が付設される。このφ
回転駆動装置２６の働きにより、試料７がφ軸線を中心
として回転、いわゆる面内回転する。φ軸線はω軸線に
直角な平面にあってω軸とともに回転する。試料台１８
内のチルト機構にはチルト駆動装置２７が付設される。
チルト駆動装置２７に駆動されて上記チルト機構が動作
するとき、試料７が矢印Ｂのようにω軸線を中心として
傾斜移動するか、又は矢印Ｃのように水平軸線を中心と
して傾斜移動する。
【００２６】ω回転駆動装置２１、２θ回転駆動装置２
２、２θφ回転駆動装置２３、スライド駆動装置２４、
φ回転駆動装置２６及びチルト駆動装置２７は、いずれ
も、電動モータ等といった駆動源や、ウオームとウオー
ムホイール等といった動力伝達装置等を用いて構成でき
る。そしてこれらの駆動装置は図６に示すように、ＣＰ
Ｕ２８及びメモリ２９を含む制御回路３１によってそれ
らの動作が制御される。メモリ２９はＲＯＭ（Read Onl
y Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といっ
た内部メモリ及びハードディスク等といった外部メモリ
を含む概念である。本Ｘ線回折分析装置によって実行さ
れるＸ線回折分析方法のための一連の動作を実現するた
めのプログラムソフトは、例えばメモリ２９内のＲＯＭ
内に格納される。
２、２θφ回転駆動装置２３、スライド駆動装置２４、
φ回転駆動装置２６及びチルト駆動装置２７は、いずれ
も、電動モータ等といった駆動源や、ウオームとウオー
ムホイール等といった動力伝達装置等を用いて構成でき
る。そしてこれらの駆動装置は図６に示すように、ＣＰ
Ｕ２８及びメモリ２９を含む制御回路３１によってそれ
らの動作が制御される。メモリ２９はＲＯＭ（Read Onl
y Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といっ
た内部メモリ及びハードディスク等といった外部メモリ
を含む概念である。本Ｘ線回折分析装置によって実行さ
れるＸ線回折分析方法のための一連の動作を実現するた
めのプログラムソフトは、例えばメモリ２９内のＲＯＭ
内に格納される。
【００２７】制御回路３１の入力ポートには、オペレー
タによって操作される入力装置としてのキーボード３２
や、Ｘ線カウンタ８（図１参照）の出力端子に接続され
たＸ線強度演算回路３３が接続される。Ｘ線強度演算回
路３３はＸ線カウンタ８の出力信号に基づいてＸ線強度
を演算する。演算されたＸ線強度は信号の形でＣＰＵ２
８へ伝送されてそのＣＰＵ２８による演算処理に供され
る。そして、必要に応じてその演算されたＸ線強度がグ
ラフ等の形でディスプレイ３４に映像として表示され
る。
タによって操作される入力装置としてのキーボード３２
や、Ｘ線カウンタ８（図１参照）の出力端子に接続され
たＸ線強度演算回路３３が接続される。Ｘ線強度演算回
路３３はＸ線カウンタ８の出力信号に基づいてＸ線強度
を演算する。演算されたＸ線強度は信号の形でＣＰＵ２
８へ伝送されてそのＣＰＵ２８による演算処理に供され
る。そして、必要に応じてその演算されたＸ線強度がグ
ラフ等の形でディスプレイ３４に映像として表示され
る。
【００２８】本実施形態のＸ線回折分析装置は以上のよ
うに構成されているので、この装置を用いてＸ線回折測
定、例えばインプレーン回折測定を行う場合には、図１
において試料台１８の所定位置に試料７を装着し、図４
に示すように試料７に対するＸ線入射角度δを試料表面
にすれすれの微小角度に設定し、試料７に対するＸ線カ
ウンタ８の角度２θをＸ線入射角度δに対応した所定値
に設定する。そして、Ｘ線源Ｆから発生するＸ線を放物
面多層膜モノクロメータ１によって単色化、例えばＣｕ
Ｋα線に単色化し、同時に発散Ｘ線ビームを平行Ｘ線ビ
ームに形成する。さらに、ソーラスリット１１によって
横方向の発散を規制しながら平行Ｘ線ビームを微小入射
角度δで試料７に入射する。この状態で、図５において
２θφ回転台１４を２θφ軸線を中心として回転させて
Ｘ線カウンタ８を試料７まわりに走査回転移動させ、そ
の走査回転中にＸ線カウンタ８によってインプレーン回
折線を検出する。
うに構成されているので、この装置を用いてＸ線回折測
定、例えばインプレーン回折測定を行う場合には、図１
において試料台１８の所定位置に試料７を装着し、図４
に示すように試料７に対するＸ線入射角度δを試料表面
にすれすれの微小角度に設定し、試料７に対するＸ線カ
ウンタ８の角度２θをＸ線入射角度δに対応した所定値
に設定する。そして、Ｘ線源Ｆから発生するＸ線を放物
面多層膜モノクロメータ１によって単色化、例えばＣｕ
Ｋα線に単色化し、同時に発散Ｘ線ビームを平行Ｘ線ビ
ームに形成する。さらに、ソーラスリット１１によって
横方向の発散を規制しながら平行Ｘ線ビームを微小入射
角度δで試料７に入射する。この状態で、図５において
２θφ回転台１４を２θφ軸線を中心として回転させて
Ｘ線カウンタ８を試料７まわりに走査回転移動させ、そ
の走査回転中にＸ線カウンタ８によってインプレーン回
折線を検出する。
【００２９】このＸ線回折分析装置によれば、モノクロ
メータとして上記のような放物面多層膜モノクロメータ
１を用いたので、強度の強い平行Ｘ線ビームを形成で
き、それ故、大規模で特別なＸ線源を構築する必要な
く、実験室レベルの簡易な構成により信頼性の高いイン
プレーン回折測定を行うことができる。
メータとして上記のような放物面多層膜モノクロメータ
１を用いたので、強度の強い平行Ｘ線ビームを形成で
き、それ故、大規模で特別なＸ線源を構築する必要な
く、実験室レベルの簡易な構成により信頼性の高いイン
プレーン回折測定を行うことができる。
【００３０】
【実施例】以下、図１の装置を用いて行ったインプレー
ン回折測定について説明する。まず、インプレーン測定
光学系を図７に示すように配置した。Ｘ線源Ｆの容量は
５０ＫＶ、４０ｍＡとした。インプレーン回折を十分な
強度と分解能で測定するため、入射側に放物面多層膜モ
ノクロメータ１を設置してＣｕＫαの特性線を取り出す
ようにした。このとき、モノクロメータ１によって平行
化される方向はＸ線入射角δを制御する方向として配置
した。入射角δはδ＝０〜０．３５°に設定した。Ｘ線
カウンタ８としては、シンチレーションカウンタ（Ｓ
Ｃ）を用いた。
ン回折測定について説明する。まず、インプレーン測定
光学系を図７に示すように配置した。Ｘ線源Ｆの容量は
５０ＫＶ、４０ｍＡとした。インプレーン回折を十分な
強度と分解能で測定するため、入射側に放物面多層膜モ
ノクロメータ１を設置してＣｕＫαの特性線を取り出す
ようにした。このとき、モノクロメータ１によって平行
化される方向はＸ線入射角δを制御する方向として配置
した。入射角δはδ＝０〜０．３５°に設定した。Ｘ線
カウンタ８としては、シンチレーションカウンタ（Ｓ
Ｃ）を用いた。
【００３１】試料７の表面に平行なインプレーン方向の
分解能を出すために、入射側と受光側にそれぞれソーラ
スリット１１を挿入した。本実施例では、入射側ソーラ
スリット１１として発散特性ｄｉｖ．＝１．０°のもの
を用い、受光側ソーラスリット１１として発散特性ｄｉ
ｖ．＝０．１７°のものを用いた。
分解能を出すために、入射側と受光側にそれぞれソーラ
スリット１１を挿入した。本実施例では、入射側ソーラ
スリット１１として発散特性ｄｉｖ．＝１．０°のもの
を用い、受光側ソーラスリット１１として発散特性ｄｉ
ｖ．＝０．１７°のものを用いた。
【００３２】今回、試料７として選んだのはコンピュー
タの記憶媒体であるハードディスクであって、Ｃｏ（コ
バルト）磁性層を含んだハードディスクである。そし
て、そのＣｏ磁性層の配向や結晶軸の長さをインプレー
ン回折によって測定することが主な目的である。Ｃｏ磁
性層とその下地であるＣｒ層の結晶の配向関係は基本的
には図８のようになっていると考えられる。つまり、試
料表面に垂直にＣｒの <001> 軸とＣｏの <11-20> 軸が
向くように配向しており、ｃ軸が試料表面に平行に延び
る形になっている。これらの配向性は、Ｃｒ(001)面と
Ｃｏ(11-20)面の回折線で極点測定をすれば確認でき
る。
タの記憶媒体であるハードディスクであって、Ｃｏ（コ
バルト）磁性層を含んだハードディスクである。そし
て、そのＣｏ磁性層の配向や結晶軸の長さをインプレー
ン回折によって測定することが主な目的である。Ｃｏ磁
性層とその下地であるＣｒ層の結晶の配向関係は基本的
には図８のようになっていると考えられる。つまり、試
料表面に垂直にＣｒの <001> 軸とＣｏの <11-20> 軸が
向くように配向しており、ｃ軸が試料表面に平行に延び
る形になっている。これらの配向性は、Ｃｒ(001)面と
Ｃｏ(11-20)面の回折線で極点測定をすれば確認でき
る。
【００３３】しかし、ハードディスクの磁化特性と構造
との関連を調べようとしたとき、磁化軸であるＣｏのｃ
軸についての情報が重要であると考えられる。そのため
には、Ｃｏ(0002)面からの回折によってｃ軸の長さや面
内での配向を測定するのが最も効率が良い。インプレー
ン回折は、この目的のために最も適した測定方法だとい
える。以上の点からＣｏ(0002)反射を捉えるために２θ
φ＝４５°付近を中心にインプレーン回折測定を行っ
た。測定手順と得られた結果は以下の通りである。
との関連を調べようとしたとき、磁化軸であるＣｏのｃ
軸についての情報が重要であると考えられる。そのため
には、Ｃｏ(0002)面からの回折によってｃ軸の長さや面
内での配向を測定するのが最も効率が良い。インプレー
ン回折は、この目的のために最も適した測定方法だとい
える。以上の点からＣｏ(0002)反射を捉えるために２θ
φ＝４５°付近を中心にインプレーン回折測定を行っ
た。測定手順と得られた結果は以下の通りである。
【００３４】（１） 図１のスライドステージ１６を用
いて試料７の前後位置の調節を行う。 （２） Ｘ線の試料７への入射角δ（図４参照）を決め
るため、δ角を変化させてＸ線反射率を測定する。その
結果の例を図９に示す。Ｘ線反射率が全反射から徐々に
減少していく様子が良く分かる。今回は、特に深さ方向
の分布を測定することが目的ではないので、最も強いイ
ンプレーン回折強度が得られる角度位置（すなわち、図
に矢印Ｄで示す位置）にδ角の値を設定した。
いて試料７の前後位置の調節を行う。 （２） Ｘ線の試料７への入射角δ（図４参照）を決め
るため、δ角を変化させてＸ線反射率を測定する。その
結果の例を図９に示す。Ｘ線反射率が全反射から徐々に
減少していく様子が良く分かる。今回は、特に深さ方向
の分布を測定することが目的ではないので、最も強いイ
ンプレーン回折強度が得られる角度位置（すなわち、図
に矢印Ｄで示す位置）にδ角の値を設定した。
【００３５】（３） Ｘ線カウンタ８をＣｏ(0002)反射
が出てくると考えられる２θφ＝４４〜４５°付近を中
心にスキャンする。このとき、面内に配向があると考え
られるので、試料７の自転（すなわち、φ角回転）も行
い、最も強いＣｏ(0002)反射が得られる位置と最も強度
が弱い位置を探す。それをφMAX，φMINとする。
が出てくると考えられる２θφ＝４４〜４５°付近を中
心にスキャンする。このとき、面内に配向があると考え
られるので、試料７の自転（すなわち、φ角回転）も行
い、最も強いＣｏ(0002)反射が得られる位置と最も強度
が弱い位置を探す。それをφMAX，φMINとする。
【００３６】（４） φMAX，φMINにおいて、２θφス
キャンした結果を図１０に示す。なお、試料としては市
販されている比較的新しい５００ＭＢ／diskのものと少
し古い８０ＭＢ／diskの記憶容量のものを用いた。但
し、φ＝０は円周方向に平行にＸ線が入射する位置を選
んだ。図１０によれば、通常の方法では測定できない、
表面に垂直な結晶面からの回折が、良好なＳ／Ｎ比で測
定できていることが分かる。
キャンした結果を図１０に示す。なお、試料としては市
販されている比較的新しい５００ＭＢ／diskのものと少
し古い８０ＭＢ／diskの記憶容量のものを用いた。但
し、φ＝０は円周方向に平行にＸ線が入射する位置を選
んだ。図１０によれば、通常の方法では測定できない、
表面に垂直な結晶面からの回折が、良好なＳ／Ｎ比で測
定できていることが分かる。
【００３７】さらに、面内の配向に関する情報も明確に
得られ、５００ＭＢ／diskの試料においては強い配向が
あり、また８０ＭＢ／diskには、ほとんど面内配向がな
ことがわかる。また、前者の場合φMAX＝１１２°、φ
MIN＝２２°である。回折角２θφが約４４°であるこ
とを考慮すると、Ｃｏのｃ軸は主に円周方向に配向して
いると結論される。
得られ、５００ＭＢ／diskの試料においては強い配向が
あり、また８０ＭＢ／diskには、ほとんど面内配向がな
ことがわかる。また、前者の場合φMAX＝１１２°、φ
MIN＝２２°である。回折角２θφが約４４°であるこ
とを考慮すると、Ｃｏのｃ軸は主に円周方向に配向して
いると結論される。
【００３８】図１０には、Ｃｏ(0002)反射以外に、ａ軸
の関係するＣｏ(10-10)，Ｃｏ(10-11)反射と考えられる
ピークもみられる。このような反射を用いれば、ａ軸の
表面に平行な成分に関する情報も得られる。以上のよう
に、インプレーン回折によれば、非常に薄い膜からの回
折をＳ／Ｎ比良く測定できる。但し、今回のＣｏ試料の
場合、入射しているＣｕＫα線によって蛍光Ｘ線が励起
され、４０〜５０ｃｐｓ程度のバックグラウンドを作っ
ており、散乱線はほとんど来ていないことが確認され
た。従って、蛍光Ｘ線を励起しない条件であれば、イン
プレーン回折のバックグラウンドは非常に低いものにな
る。
の関係するＣｏ(10-10)，Ｃｏ(10-11)反射と考えられる
ピークもみられる。このような反射を用いれば、ａ軸の
表面に平行な成分に関する情報も得られる。以上のよう
に、インプレーン回折によれば、非常に薄い膜からの回
折をＳ／Ｎ比良く測定できる。但し、今回のＣｏ試料の
場合、入射しているＣｕＫα線によって蛍光Ｘ線が励起
され、４０〜５０ｃｐｓ程度のバックグラウンドを作っ
ており、散乱線はほとんど来ていないことが確認され
た。従って、蛍光Ｘ線を励起しない条件であれば、イン
プレーン回折のバックグラウンドは非常に低いものにな
る。
【００３９】次に、ｃ軸配向の様子を知るため、Ｃｏ(0
002)反射のピークトップに２θφ位置を固定して試料７
を自転（すなわち、φ回転）して測定した結果を図１１
に示す。このデータからｃ軸が円周方向にどの程度向い
ているかという点が良く分かる。
002)反射のピークトップに２θφ位置を固定して試料７
を自転（すなわち、φ回転）して測定した結果を図１１
に示す。このデータからｃ軸が円周方向にどの程度向い
ているかという点が良く分かる。
【００４０】今回の測定で得られた各ピークの情報をま
とめると次の表１の通りである。
とめると次の表１の通りである。
【表１】
【００４１】以上の実験から次のことが分かった。すな
わち、インプレーン回折は薄膜の結晶評価に有用であ
り、このインプレーン回折を利用することにより、Ｓ／
Ｎ比に優れたデータを得ることができる。また、放物面
多層膜モノクロメータを用いることにより、封入管のよ
うに極一般的に用いられるＸ線発生装置であっても実用
上支障のない強度で測定を行うことができる。
わち、インプレーン回折は薄膜の結晶評価に有用であ
り、このインプレーン回折を利用することにより、Ｓ／
Ｎ比に優れたデータを得ることができる。また、放物面
多層膜モノクロメータを用いることにより、封入管のよ
うに極一般的に用いられるＸ線発生装置であっても実用
上支障のない強度で測定を行うことができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明に係るＸ線回折分析方法によれ
ば、インプレーン回折測定においてモノクロメータとし
て放物面多層膜モノクロメータを用いることにより、強
度の強い平行Ｘ線ビームを形成できるので、実験室レベ
ルの簡易な構成により十分な信頼性を持ってインプレー
ン回折測定を行うことができるようになった。
ば、インプレーン回折測定においてモノクロメータとし
て放物面多層膜モノクロメータを用いることにより、強
度の強い平行Ｘ線ビームを形成できるので、実験室レベ
ルの簡易な構成により十分な信頼性を持ってインプレー
ン回折測定を行うことができるようになった。
【００４３】また、本発明に係るＸ線回折分析装置によ
れば、放物面多層膜モノクロメータを４軸ゴニオメータ
と組み合わせて用いるようにしたので、インプレーン回
折測定あるいはその他のＸ線回折測定を極めて簡単に行
うことができるようになった。
れば、放物面多層膜モノクロメータを４軸ゴニオメータ
と組み合わせて用いるようにしたので、インプレーン回
折測定あるいはその他のＸ線回折測定を極めて簡単に行
うことができるようになった。
【００４４】
【図１】本発明に係るＸ線回折分析装置の一実施形態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】図１のＸ線回折分析装置の要部を示す斜視図で
ある。
ある。
【図３】放物面多層膜モノクロメータの一実施形態を模
式的に示す断面図である。
式的に示す断面図である。
【図４】図１のＸ線回折分析装置の平面図である。
【図５】図１のＸ線回折分析装置の正面図である。
【図６】図１のＸ線回折分析装置で用いられる電気制御
系の一実施形態を示すブロック図である。
系の一実施形態を示すブロック図である。
【図７】図１のＸ線回折分析装置を用いる場合の光学的
要素の配置形態の一例を示す図である。
要素の配置形態の一例を示す図である。
【図８】図７の測定系によって測定できる試料の結晶方
位関係を示す図である。
位関係を示す図である。
【図９】図７の測定系を用いて行われた測定の測定結果
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図１０】図７の測定系を用いて行われた他の測定の測
定結果を示すグラフである。
定結果を示すグラフである。
【図１１】図７の測定系を用いて行われたさらに他の測
定の測定結果を示すグラフである。
定の測定結果を示すグラフである。
【図１２】一般的なインプレーン回折測定を説明するた
めの模式図である。
めの模式図である。
１ 放物面多層膜モノクロメータ １ａ 放物面多層膜モノクロメータの表面 ２ 重元素層 ３ 軽元素層 ４ Ｘ線管 ６ 入射側光学ユニット ７ 試料 ８ 点領域Ｘ線カウンタ ９ ４軸ゴニオメータ １２ ω回転台 １３ ２θ回転台 １４ ２θφ回転台 １６ スライドステージ １７ チルト機構 １８ 試料台 １９ カウンタアーム Ｆ Ｘ線源 Ｒ Ｘ線
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｘ線を試料に微小入射角度で入射させた
ときに、試料表面に垂直な結晶面で回折するインプレー
ン回折線をＸ線検出手段によって検出するＸ線回折分析
方法において、 Ｘ線源から発生したＸ線を放物面多層膜モノクロメータ
で回折させた後に前記試料に入射し、 前記放物面多層膜モノクロメータは重元素層と軽元素層
とを交互に複数回積層することによって形成され、さら
に前記放物面多層膜モノクロメータの表面であってＸ線
が入射する面は放物面に形成されることを特徴とするＸ
線回折分析方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のＸ線回折分析方法におい
て、前記Ｘ線検出手段は点領域Ｘ線検出手段であり、そ
の点領域Ｘ線検出手段は試料表面に直交する軸線である
２θφ軸線を中心として試料の回りを回転しながら前記
インプレーン回折線を検出することを特徴とするＸ線回
折分析方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のＸ線回折分析方法におい
て、前記Ｘ線検出手段は線領域Ｘ線検出手段であり、そ
の線領域Ｘ線検出手段による線状Ｘ線検出領域は試料表
面に直交する軸線である２θφ軸線を中心として試料の
回りに設定されることを特徴とするＸ線回折分析方法。 - 【請求項４】 Ｘ線を発生するＸ線源と、そのＸ線を単
色化するモノクロメータと、そのモノクロメータから出
るＸ線が入射するように試料を支持する４軸ゴニオメー
タとを有するＸ線回折分析装置において、 前記モノクロメータは重元素層と軽元素層とを交互に複
数回積層することによって形成され、 前記モノクロメータの表面であってＸ線が入射する面は
放物面に形成され、そして前記４軸ゴニオメータは、 ω軸線を中心として回転するω回転台と、 そのω回転台上に設けられていて前記ω軸線が試料表面
を通るようにその試料を支持し且つω軸線に直交するφ
軸線を中心としてその試料を面内回転させるφ回転台
と、 前記ω軸線を中心として前記ω回転台から独立して回転
する２θ回転台と、 その２θ回転台上に設けられていて前記ω軸線に直交す
る２θφ軸線を中心として回転し、さらにＸ線検出手段
を支持する２θφ回転台とを有することを特徴とするＸ
線回折分析装置。 - 【請求項５】 請求項４記載のＸ線回折分析装置におい
て、前記φ回転台と前記ω回転台との間に、試料をω軸
線に対して進退移動させるためのスライドステージを設
けたことを特徴とするＸ線回折分析装置。 - 【請求項６】 請求項４又は請求項５記載のＸ線回折分
析装置において、前記試料を傾斜移動させるための傾斜
移動手段を設けたことを特徴とするＸ線回折分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10857498A JP3821414B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | Ｘ線回折分析方法及びｘ線回折分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10857498A JP3821414B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | Ｘ線回折分析方法及びｘ線回折分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11287773A true JPH11287773A (ja) | 1999-10-19 |
| JP3821414B2 JP3821414B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=14488277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10857498A Expired - Lifetime JP3821414B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | Ｘ線回折分析方法及びｘ線回折分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3821414B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003014894A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Rigaku Corp | Ｘ線分光方法及びｘ線分光装置 |
| EP1396716A2 (en) | 2002-09-03 | 2004-03-10 | Rigaku Corporation | X-ray optical system for small angle scattering measurements |
| US6807251B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-10-19 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction apparatus |
| US6917667B2 (en) | 2002-09-03 | 2005-07-12 | Rigaku Corporation | Method and apparatus for making parallel X-ray beam and X-ray diffraction apparatus |
| JP2007285993A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Rigaku Corp | 結晶方位測定方法及びその装置 |
| US7542548B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-06-02 | Rigaku Corp. | X-ray optical system |
| JP2010117369A (ja) * | 2010-02-21 | 2010-05-27 | Rigaku Corp | Ｘ線分光方法及びｘ線分光装置 |
| CN104777179A (zh) * | 2014-01-15 | 2015-07-15 | 帕纳科有限公司 | X射线装置 |
| US20150355116A1 (en) * | 2014-06-09 | 2015-12-10 | Fenno-Aurum Oy | Wavelength dispersive crystal spectrometer, a xray fluorescence device and a method therein |
| EP3258254A1 (en) | 2016-06-15 | 2017-12-20 | Rigaku Corporation | X-ray diffractometer |
| DE102018125974A1 (de) | 2017-10-25 | 2019-04-25 | Rigaku Corporation | Sollerspalt, Röntgenstrahlenbeugungsvorrichtung und Verfahren |
| EP3835767A1 (en) | 2019-12-13 | 2021-06-16 | Rigaku Corporation | Control apparatus, system, method, and program |
| CN113056669A (zh) * | 2018-11-21 | 2021-06-29 | 株式会社理学 | 单晶x射线构造解析装置和方法及用于其的试料保持器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05296946A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Fujitsu Ltd | Ｘ線回折装置 |
| JPH0682398A (ja) * | 1992-04-09 | 1994-03-22 | Rigaku Denki Kogyo Kk | Ｘ線回折分析装置 |
| JPH07190962A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｘ線照射装置 |
| JPH1048159A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Nippon Steel Corp | 構造解析方法及び構造解析装置 |
-
1998
- 1998-04-03 JP JP10857498A patent/JP3821414B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682398A (ja) * | 1992-04-09 | 1994-03-22 | Rigaku Denki Kogyo Kk | Ｘ線回折分析装置 |
| JPH05296946A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Fujitsu Ltd | Ｘ線回折装置 |
| JPH07190962A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｘ線照射装置 |
| JPH1048159A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Nippon Steel Corp | 構造解析方法及び構造解析装置 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| W.C.MARRA ET AL: "X-ray total-external-reflection-Bragg diffraction:A structural study of the GaAs-Al interface", J.APPL.PHYS., vol. 50, no. 11, JPNX006025624, November 1979 (1979-11-01), pages 6927 - 6933, ISSN: 0000746079 * |
| YOSHIZAKU FUJII, KENJI YOSHIDA, TAKESHI NAKAMURA AND KENTAROH YOSHIDA: "A compact ultrahigh vacuum x-ray diffractometer for surface glancing scattering using a rotating-ano", REV.SCI.INSTRUM., vol. 68, no. 5, JPN4006004844, May 1997 (1997-05-01), pages 1975 - 1979, XP000723504, ISSN: 0000722568, DOI: 10.1063/1.1148085 * |
| YOSHIZAKU FUJII, KENJI YOSHIDA, TAKESHI NAKAMURA AND KENTAROH YOSHIDA: "A compact ultrahigh vacuum x-ray diffractometer for surface glancing scattering using a rotating-ano", REV.SCI.INSTRUM., vol. 68, no. 5, JPNX006025625, May 1997 (1997-05-01), pages 1975 - 1979, XP000723504, ISSN: 0000746080, DOI: 10.1063/1.1148085 * |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003014894A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Rigaku Corp | Ｘ線分光方法及びｘ線分光装置 |
| JP4657506B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2011-03-23 | 株式会社リガク | Ｘ線分光方法及びｘ線分光装置 |
| US6807251B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-10-19 | Rigaku Corporation | X-ray diffraction apparatus |
| EP1396716A2 (en) | 2002-09-03 | 2004-03-10 | Rigaku Corporation | X-ray optical system for small angle scattering measurements |
| EP1396716A3 (en) * | 2002-09-03 | 2004-06-23 | Rigaku Corporation | X-ray optical system for small angle scattering measurements |
| US6917667B2 (en) | 2002-09-03 | 2005-07-12 | Rigaku Corporation | Method and apparatus for making parallel X-ray beam and X-ray diffraction apparatus |
| US6990177B2 (en) | 2002-09-03 | 2006-01-24 | Rigaku Corporation | X-ray optical system for small angle scattering |
| JP2007285993A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Rigaku Corp | 結晶方位測定方法及びその装置 |
| US7542548B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-06-02 | Rigaku Corp. | X-ray optical system |
| JP2010117369A (ja) * | 2010-02-21 | 2010-05-27 | Rigaku Corp | Ｘ線分光方法及びｘ線分光装置 |
| CN104777179A (zh) * | 2014-01-15 | 2015-07-15 | 帕纳科有限公司 | X射线装置 |
| CN104777179B (zh) * | 2014-01-15 | 2019-01-08 | 马尔文帕纳科公司 | X射线装置 |
| US20150355116A1 (en) * | 2014-06-09 | 2015-12-10 | Fenno-Aurum Oy | Wavelength dispersive crystal spectrometer, a xray fluorescence device and a method therein |
| EP3258254A1 (en) | 2016-06-15 | 2017-12-20 | Rigaku Corporation | X-ray diffractometer |
| US10585053B2 (en) | 2016-06-15 | 2020-03-10 | Rigaku Corporation | X-ray diffractometer |
| DE102018125974A1 (de) | 2017-10-25 | 2019-04-25 | Rigaku Corporation | Sollerspalt, Röntgenstrahlenbeugungsvorrichtung und Verfahren |
| US10964439B2 (en) | 2017-10-25 | 2021-03-30 | Rigaku Corporation | Soller slit, X-ray diffraction apparatus, and method |
| CN113056669A (zh) * | 2018-11-21 | 2021-06-29 | 株式会社理学 | 单晶x射线构造解析装置和方法及用于其的试料保持器 |
| EP3835767A1 (en) | 2019-12-13 | 2021-06-16 | Rigaku Corporation | Control apparatus, system, method, and program |
| US11788974B2 (en) | 2019-12-13 | 2023-10-17 | Rigaku Corporation | Control apparatus, system, method, and program |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3821414B2 (ja) | 2006-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Dura et al. | AND/R: Advanced neutron diffractometer/reflectometer for investigation of thin films and multilayers for the life sciences | |
| US5619548A (en) | X-ray thickness gauge | |
| TWI414752B (zh) | 用於分析樣本之裝置及方法 | |
| JP3821414B2 (ja) | Ｘ線回折分析方法及びｘ線回折分析装置 | |
| CN110398506A (zh) | 用于小角x射线散射测量的x射线检测光学器件 | |
| CN109709118B (zh) | 索勒狭缝、x射线衍射装置以及方法 | |
| JP2017223539A (ja) | Ｘ線回折装置 | |
| WO2013108876A1 (ja) | Ｘ線回折装置 | |
| JP2004045369A (ja) | 多結晶材料の配向性の評価方法 | |
| US7860217B2 (en) | X-ray diffraction measuring apparatus having debye-scherrer optical system therein, and an X-ray diffraction measuring method for the same | |
| JP2013137297A (ja) | Ｘ線分析装置 | |
| JP2821585B2 (ja) | 面内分布測定方法及び装置 | |
| US7035375B2 (en) | X-ray scattering with a polychromatic source | |
| CN101271024B (zh) | 同步辐射x射线多层膜综合偏振测量装置 | |
| JP3982732B2 (ja) | 蛍光ｘ線測定装置 | |
| JP4492779B2 (ja) | Ｘ線回折方法および中性子線回折方法 | |
| US3344274A (en) | Ray analysis apparatus having both diffraction amd spectrometer tubes mounted on a common housing | |
| JP2000146872A (ja) | Ｘ線回折装置 | |
| JP2002286658A (ja) | Ｘ線反射率測定装置およびその方法 | |
| JP2921597B2 (ja) | 全反射スペクトル測定装置 | |
| CN219737335U (zh) | 一种弧形探测器机构及x射线衍射-荧光谱仪 | |
| JPH06160312A (ja) | Ｘ線評価装置 | |
| JP2507484B2 (ja) | 偏光全反射蛍光ｘ線構造解析装置 | |
| JPH05296946A (ja) | Ｘ線回折装置 | |
| JP2006133000A (ja) | 微小部積層構造検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041022 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050111 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050720 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050920 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060322 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060519 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060614 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060616 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090630 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130630 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |