JP2675737B2 - 全反射蛍光ｘ線分析方法および分析装置 - Google Patents
全反射蛍光ｘ線分析方法および分析装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、試料表面に一次Ｘ線
を微小な入射角度で照射して、試料の表面層からの蛍光
Ｘ線を分析する全反射蛍光Ｘ線分析方法および分析装置
に関するものである。
を微小な入射角度で照射して、試料の表面層からの蛍光
Ｘ線を分析する全反射蛍光Ｘ線分析方法および分析装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、全反射蛍光Ｘ線分析装置は、
試料表面層に付着した不純物を検出する装置として用い
られている（たとえば、特開昭63-78056号公報参照）。
この種の装置の一例を図８に示す。
試料表面層に付着した不純物を検出する装置として用い
られている（たとえば、特開昭63-78056号公報参照）。
この種の装置の一例を図８に示す。
【０００３】図８において、Ｘ線管球のようなＸ線源５
３の光源５３ａから出たＸ線B1は、スリット52を介し
て、湾曲型の分光結晶（分光素子）５４で回折され、回
折Ｘ線（一次Ｘ線）B2が試料５０の表面５１に微小な入
射角度α (たとえば、0.05°〜0.10°程度) で照射され
る。入射した回折Ｘ線B2は、その一部が全反射されて反
射Ｘ線B3となり、他の一部が一次Ｘ線として試料５０を
励起して、試料５０を構成する元素固有の蛍光Ｘ線B4を
発生させる。蛍光Ｘ線B4は、試料表面５１に対向して配
置したＸ線検出器60に入射する。この入射した蛍光Ｘ線
B4は、Ｘ線検出器60において、そのＸ線強度が検出され
た後、Ｘ線検出器60からの検出信号ａに基づき、多重波
高分析器61によって目的とするＸ線スペクトルが得られ
る。
３の光源５３ａから出たＸ線B1は、スリット52を介し
て、湾曲型の分光結晶（分光素子）５４で回折され、回
折Ｘ線（一次Ｘ線）B2が試料５０の表面５１に微小な入
射角度α (たとえば、0.05°〜0.10°程度) で照射され
る。入射した回折Ｘ線B2は、その一部が全反射されて反
射Ｘ線B3となり、他の一部が一次Ｘ線として試料５０を
励起して、試料５０を構成する元素固有の蛍光Ｘ線B4を
発生させる。蛍光Ｘ線B4は、試料表面５１に対向して配
置したＸ線検出器60に入射する。この入射した蛍光Ｘ線
B4は、Ｘ線検出器60において、そのＸ線強度が検出され
た後、Ｘ線検出器60からの検出信号ａに基づき、多重波
高分析器61によって目的とするＸ線スペクトルが得られ
る。
【０００４】この種の全反射蛍光Ｘ線分析装置は、回折
Ｘ線( 一次Ｘ線) B2の入射角度αが微小であることか
ら、反射Ｘ線B3および散乱Ｘ線がＸ線検出器60に入射し
にくく、Ｘ線検出器60により検出される蛍光Ｘ線B4の出
力レベルに比べてノイズが小さいという利点がある。つ
まり、大きなS/N 比が得られ、そのため、分析精度が良
く、たとえば、微量の不純物でも検出できるという利点
がある。このようなことから、この分析方法は、シリコ
ンウェハの表面汚染の分析方法として有効であり、広く
採用されている。
Ｘ線( 一次Ｘ線) B2の入射角度αが微小であることか
ら、反射Ｘ線B3および散乱Ｘ線がＸ線検出器60に入射し
にくく、Ｘ線検出器60により検出される蛍光Ｘ線B4の出
力レベルに比べてノイズが小さいという利点がある。つ
まり、大きなS/N 比が得られ、そのため、分析精度が良
く、たとえば、微量の不純物でも検出できるという利点
がある。このようなことから、この分析方法は、シリコ
ンウェハの表面汚染の分析方法として有効であり、広く
採用されている。
【０００５】また、この従来技術では、分光結晶５４を
用いて一次Ｘ線B1を単色化しており、更に、湾曲型の分
光結晶５４を用いていることから、回折Ｘ線B2が試料表
面５１に集光されて、励起Ｘ線の強度が大きくなり、そ
のため、分析精度がより一層向上するという利点もあ
る。
用いて一次Ｘ線B1を単色化しており、更に、湾曲型の分
光結晶５４を用いていることから、回折Ｘ線B2が試料表
面５１に集光されて、励起Ｘ線の強度が大きくなり、そ
のため、分析精度がより一層向上するという利点もあ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、Ｘ線Ｂ１を
単色化すると、回折Ｘ線Ｂ２の強度が低下することか
ら、Ｘ線源５３から出射する立体角φを大きくして、試
料５０に入射する回折Ｘ線Ｂ２の強度を大きくしたい。
しかし、回折Ｘ線Ｂ２は、異なる入射角度αで集光して
いることから、入射する回折Ｘ線Ｂ２の光路の傾が若干
異なるので、立体角φを大きくするに従い入射角度αの
変化Δαも大きくなる。ここで、上記入射角度αは前述
のように0.05°〜0.10°程度の小さな角度に設定する必
要があり、そのため、立体角φを大きくすることはでき
ない。そこで、従来は、回折Ｘ線B2の強度を大きくすべ
く高輝度のＸ線源５３を用いて分析を行っている場合が
ある。
単色化すると、回折Ｘ線Ｂ２の強度が低下することか
ら、Ｘ線源５３から出射する立体角φを大きくして、試
料５０に入射する回折Ｘ線Ｂ２の強度を大きくしたい。
しかし、回折Ｘ線Ｂ２は、異なる入射角度αで集光して
いることから、入射する回折Ｘ線Ｂ２の光路の傾が若干
異なるので、立体角φを大きくするに従い入射角度αの
変化Δαも大きくなる。ここで、上記入射角度αは前述
のように0.05°〜0.10°程度の小さな角度に設定する必
要があり、そのため、立体角φを大きくすることはでき
ない。そこで、従来は、回折Ｘ線B2の強度を大きくすべ
く高輝度のＸ線源５３を用いて分析を行っている場合が
ある。
【０００７】この発明は上記従来の問題に鑑みてなされ
たもので、高輝度のＸ線源を用いなくても、より精度の
高い分析を行い得る全反射蛍光Ｘ線分析方法および分析
装置を提供することを目的とする。
たもので、高輝度のＸ線源を用いなくても、より精度の
高い分析を行い得る全反射蛍光Ｘ線分析方法および分析
装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するための本発明の分析方法および分析装置の原理を
図１を用いて説明する。まず、請求項１の分析方法の原
理について説明する。図１において、平面ＡＢＣＤは試
料表面５１を含む平面であり、この平面ＡＢＣＤに対
し、平面ＧＨＩＪが辺ＧＨにおいて、微小な角度αで交
差している。今、上記平面ＧＨＩＪに沿って、一次Ｘ線
Ｂ２0 ，Ｂ２1 を異なる光路から、試料表面５１上であ
って辺ＧＨ上の一点Ｏに集光させる。一次Ｘ線Ｂ２0 が
入射角度αで試料表面５１に入射すると、上記一次Ｘ線
Ｂ２0 と平面的な角度βをなす一次Ｘ線Ｂ２1 の入射角
度α１は、下記の（１）式で表わされる。 sinα１＝ sinα・ cosβ …（１） ここで、角度βが小さい、２０°以下の範囲では cosβ
が１に近い値となるから、入射角度α１は入射角度αに
近似した微小な値となる。したがって、角度βが小さい
範囲でＯ点に一次Ｘ線Ｂ２n を集光させれば、入射角度
αｎを小さな、たとえば0.05°〜0.10°程度の範囲に設
定することができる。
成するための本発明の分析方法および分析装置の原理を
図１を用いて説明する。まず、請求項１の分析方法の原
理について説明する。図１において、平面ＡＢＣＤは試
料表面５１を含む平面であり、この平面ＡＢＣＤに対
し、平面ＧＨＩＪが辺ＧＨにおいて、微小な角度αで交
差している。今、上記平面ＧＨＩＪに沿って、一次Ｘ線
Ｂ２0 ，Ｂ２1 を異なる光路から、試料表面５１上であ
って辺ＧＨ上の一点Ｏに集光させる。一次Ｘ線Ｂ２0 が
入射角度αで試料表面５１に入射すると、上記一次Ｘ線
Ｂ２0 と平面的な角度βをなす一次Ｘ線Ｂ２1 の入射角
度α１は、下記の（１）式で表わされる。 sinα１＝ sinα・ cosβ …（１） ここで、角度βが小さい、２０°以下の範囲では cosβ
が１に近い値となるから、入射角度α１は入射角度αに
近似した微小な値となる。したがって、角度βが小さい
範囲でＯ点に一次Ｘ線Ｂ２n を集光させれば、入射角度
αｎを小さな、たとえば0.05°〜0.10°程度の範囲に設
定することができる。
【０００９】なお、各一次Ｘ線Ｂ２n は、一次Ｘ線Ｂ２
01またはＢ２11のように、平面ＧＨＩＪに対し微小な角
度の広がりΔφを有していてもよい。また、集光点Ｏは
必ずしも試料表面５１上に厳格に設定する必要はない。
01またはＢ２11のように、平面ＧＨＩＪに対し微小な角
度の広がりΔφを有していてもよい。また、集光点Ｏは
必ずしも試料表面５１上に厳格に設定する必要はない。
【００１０】請求項２〜５の分析装置は、上記原理を応
用したもので、その構成および作用は以下の実施例にお
いて説明する。
用したもので、その構成および作用は以下の実施例にお
いて説明する。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面にしたがって
説明する。図１〜図３は、この発明の第１実施例を示
す。図２において、Ｘ線管のようなＸ線Ｂ１を発生する
光源Ｆと、試料表面５１（図１）上に設定した集光点Ｏ
を通る１つのローランド円ＲO を、上記光源Ｆおよび集
光点Ｏを通る弦ＯＦのまわりに回転して、ラグビーボー
ル状の１つの回転面Ｑを形成する。上記集光点Ｏを通る
１つの平面ＧＨＩＪ（以下、この平面を「平面Ｐ」とい
う。）と、上記回転面Ｑとが交差してできる流線形状の
曲線Ｑｐ（破線で示す）上には、図３（ａ）の平面図の
ように、複数の分光結晶（分光素子）１n を配設する。
説明する。図１〜図３は、この発明の第１実施例を示
す。図２において、Ｘ線管のようなＸ線Ｂ１を発生する
光源Ｆと、試料表面５１（図１）上に設定した集光点Ｏ
を通る１つのローランド円ＲO を、上記光源Ｆおよび集
光点Ｏを通る弦ＯＦのまわりに回転して、ラグビーボー
ル状の１つの回転面Ｑを形成する。上記集光点Ｏを通る
１つの平面ＧＨＩＪ（以下、この平面を「平面Ｐ」とい
う。）と、上記回転面Ｑとが交差してできる流線形状の
曲線Ｑｐ（破線で示す）上には、図３（ａ）の平面図の
ように、複数の分光結晶（分光素子）１n を配設する。
【００１２】図３は分光器（照射装置）５を示す。各ロ
ーランド円Ｒn 上において、各分光結晶１n の反対側に
光源Ｆと集光点Ｏとの中点Ｎn をとる。各分光結晶１n
の反射面における一次Ｘ線Ｂ２n を出射する反射点１ａ
と、上記各中点Ｎn とを結んだ直線Ｌn が、当該分光結
晶１n の網面（図示せず）と直交するように、分光結晶
１n が配設されている。このように分光結晶１n を配設
することで、光源Ｆから出射されたＸ線Ｂ１は、各分光
結晶１n により回折されて一次Ｘ線（回折Ｘ線）Ｂ２n
として集光点Ｏに集まる。なお、網面とは、Ｘ線Ｂ１を
回折させる結晶の格子面をいう。その他の構成は、従来
例と同様であり、同一部分または相当部分に同一符号を
付して、その詳しい説明を省略する。
ーランド円Ｒn 上において、各分光結晶１n の反対側に
光源Ｆと集光点Ｏとの中点Ｎn をとる。各分光結晶１n
の反射面における一次Ｘ線Ｂ２n を出射する反射点１ａ
と、上記各中点Ｎn とを結んだ直線Ｌn が、当該分光結
晶１n の網面（図示せず）と直交するように、分光結晶
１n が配設されている。このように分光結晶１n を配設
することで、光源Ｆから出射されたＸ線Ｂ１は、各分光
結晶１n により回折されて一次Ｘ線（回折Ｘ線）Ｂ２n
として集光点Ｏに集まる。なお、網面とは、Ｘ線Ｂ１を
回折させる結晶の格子面をいう。その他の構成は、従来
例と同様であり、同一部分または相当部分に同一符号を
付して、その詳しい説明を省略する。
【００１３】上記構成において、各分光結晶１n は、図
２のローランド円ＲO を回転した回転面Ｑ上に配設され
ており、そのため、図３（ｂ）の各ローランド円Ｒn の
直径は互いに等しいので、各分光結晶１n における回折
角が互いに等しくなる。したがって、集光点Ｏには、単
色化された一次Ｘ線Ｂ２n が集光する。
２のローランド円ＲO を回転した回転面Ｑ上に配設され
ており、そのため、図３（ｂ）の各ローランド円Ｒn の
直径は互いに等しいので、各分光結晶１n における回折
角が互いに等しくなる。したがって、集光点Ｏには、単
色化された一次Ｘ線Ｂ２n が集光する。
【００１４】一方、各分光結晶１n における反射点１ａ
が１つの平面Ｐ上に配設されているから、一次Ｘ線Ｂ２
n は、側面から見た入射角度αが等しくなる。そのた
め、図１のように、各一次Ｘ線Ｂ２n の真の入射角度
α，αｎは、平面的な広がりの角度βが小さい範囲で
は、微小な値（0.05°〜0.10°) になり得る。したがっ
て、微小な入射角度α，αｎを持つ一次Ｘ線Ｂ２n が集
光点Ｏに集まるので、高輝度のＸ線源を用いなくても、
一次Ｘ線Ｂ２n の強度が大きくなるから、より精度の高
い分析を行い得る。
が１つの平面Ｐ上に配設されているから、一次Ｘ線Ｂ２
n は、側面から見た入射角度αが等しくなる。そのた
め、図１のように、各一次Ｘ線Ｂ２n の真の入射角度
α，αｎは、平面的な広がりの角度βが小さい範囲で
は、微小な値（0.05°〜0.10°) になり得る。したがっ
て、微小な入射角度α，αｎを持つ一次Ｘ線Ｂ２n が集
光点Ｏに集まるので、高輝度のＸ線源を用いなくても、
一次Ｘ線Ｂ２n の強度が大きくなるから、より精度の高
い分析を行い得る。
【００１５】図４は、この発明の第２実施例を示す。こ
の第２実施例は、光源Ｆ１および集光点Ｏ１がライン状
である場合を示す。図４（ｂ）の光源Ｆ１は、図４
（ｃ）の弦Ｏ１Ｆ１に対して直交する方向に長いライン
状で、かつ、試料表面５１を含む平面上に設定されてい
る。各分光結晶１Ａn は、その反射面１ｂが上記ライン
状の光源Ｆ１に対して平行に設定されている。また、上
記各分光結晶１Ａn は、図４（ａ）の網面１ｃが図４
（ｃ）の各中点Ｎn に直交する方向に設定されており、
つまり、反射点１ａと中点Ｎn を結んだ直線に直交する
方向に網面１ｃが設定されており、これにより、図４
（ｂ）のライン状の光源Ｆ１から出射されたＸ線Ｂ１
が、各分光結晶１Ａn で回折され一次Ｘ線Ｂ２n とし
て、試料表面５１（図１）上にライン状に集光する。
の第２実施例は、光源Ｆ１および集光点Ｏ１がライン状
である場合を示す。図４（ｂ）の光源Ｆ１は、図４
（ｃ）の弦Ｏ１Ｆ１に対して直交する方向に長いライン
状で、かつ、試料表面５１を含む平面上に設定されてい
る。各分光結晶１Ａn は、その反射面１ｂが上記ライン
状の光源Ｆ１に対して平行に設定されている。また、上
記各分光結晶１Ａn は、図４（ａ）の網面１ｃが図４
（ｃ）の各中点Ｎn に直交する方向に設定されており、
つまり、反射点１ａと中点Ｎn を結んだ直線に直交する
方向に網面１ｃが設定されており、これにより、図４
（ｂ）のライン状の光源Ｆ１から出射されたＸ線Ｂ１
が、各分光結晶１Ａn で回折され一次Ｘ線Ｂ２n とし
て、試料表面５１（図１）上にライン状に集光する。
【００１６】なお、ライン状の集光点Ｏ１は、図４
（ｂ）では直線で示しているが、図４（ｃ）のように、
入射角度αが微小であることから、実際には一次Ｘ線Ｂ
２n が入射する方向にも長くなるので、集光点Ｏ１はほ
ぼ方形になる。その他の構成は第１実施例と同様であ
り、同一部分または相当部分に同一符号を付して、その
説明および図示を省略する。
（ｂ）では直線で示しているが、図４（ｃ）のように、
入射角度αが微小であることから、実際には一次Ｘ線Ｂ
２n が入射する方向にも長くなるので、集光点Ｏ１はほ
ぼ方形になる。その他の構成は第１実施例と同様であ
り、同一部分または相当部分に同一符号を付して、その
説明および図示を省略する。
【００１７】図５および図６は、この発明の第３実施例
を示す。図５の光源Ｆを通る平面ＩＪＫＬと、集光点Ｏ
を通る平面Ｐ（平面ＧＨＩＪ）とが交差してできる直線
ＩＪに沿って、図６（ｂ）の分光結晶１Ｂの反射線１ｄ
を配設する。この反射線１ｄ上の任意の点から、つま
り、上記図５の直線ＩＪの任意の点から、上記光源Ｆま
での距離と、上記集光点Ｏまでの距離とは、互いに等し
くなるように設定されている。たとえば、線分P0Ｆと線
分P0Ｏは長さが等しく、また、線分P1Ｆと線分P1Ｏは長
さが等しく、また、線分P2Ｆと線分P2Ｏは長さが等し
い。
を示す。図５の光源Ｆを通る平面ＩＪＫＬと、集光点Ｏ
を通る平面Ｐ（平面ＧＨＩＪ）とが交差してできる直線
ＩＪに沿って、図６（ｂ）の分光結晶１Ｂの反射線１ｄ
を配設する。この反射線１ｄ上の任意の点から、つま
り、上記図５の直線ＩＪの任意の点から、上記光源Ｆま
での距離と、上記集光点Ｏまでの距離とは、互いに等し
くなるように設定されている。たとえば、線分P0Ｆと線
分P0Ｏは長さが等しく、また、線分P1Ｆと線分P1Ｏは長
さが等しく、また、線分P2Ｆと線分P2Ｏは長さが等し
い。
【００１８】図６（ａ）の分光素子１Ｂの網面１ｃは、
図６（ｃ）のローランド円Ｒo の弦ＯＦの中点Ｍに向う
ように湾曲している。つまり、図６（ｂ）の反射線１ｄ
における図６（ａ）の網面１ｃの法線は、全て図６
（ｃ）の中点Ｍを通る。このように、分光素子１Ｂの網
面１ｃ（図６（ａ））を設定することにより、光源Ｆか
ら出射されたＸ線Ｂ１は、分光結晶１Ｂの反射線１ｄに
おいて回折されて、一次Ｘ線（回折Ｘ線）Ｂ２n として
集光点Ｏに集まる。なお、その他の構成は、上記第１実
施例と同様であり、同一部分または相当部分に同一符号
を付して、その詳しい説明を省略する。
図６（ｃ）のローランド円Ｒo の弦ＯＦの中点Ｍに向う
ように湾曲している。つまり、図６（ｂ）の反射線１ｄ
における図６（ａ）の網面１ｃの法線は、全て図６
（ｃ）の中点Ｍを通る。このように、分光素子１Ｂの網
面１ｃ（図６（ａ））を設定することにより、光源Ｆか
ら出射されたＸ線Ｂ１は、分光結晶１Ｂの反射線１ｄに
おいて回折されて、一次Ｘ線（回折Ｘ線）Ｂ２n として
集光点Ｏに集まる。なお、その他の構成は、上記第１実
施例と同様であり、同一部分または相当部分に同一符号
を付して、その詳しい説明を省略する。
【００１９】上記構成においては、分光結晶１Ｂの反射
線１ｄがＯ点を通る図５の平面Ｐ上にあるので、図１の
微小な入射角度αをなす平面Ｐ上において、異なる光路
から一次Ｘ線Ｂ２n がＯ点に集光する。したがって、一
次Ｘ線Ｂ２n の強度が大きくなって、分析精度が向上す
る。
線１ｄがＯ点を通る図５の平面Ｐ上にあるので、図１の
微小な入射角度αをなす平面Ｐ上において、異なる光路
から一次Ｘ線Ｂ２n がＯ点に集光する。したがって、一
次Ｘ線Ｂ２n の強度が大きくなって、分析精度が向上す
る。
【００２０】また、この実施例では、図６（ａ）の分光
素子１Ｂの網面１ｃが、図６（ｃ）の弦ＯＦの中点Ｍに
向うように湾曲させればよいから、所定の厚さの分光結
晶１Ｂを一定の曲率に曲げ、その表面を平滑に研磨する
ことにより、分光結晶１Ｂを容易に制作することができ
る。
素子１Ｂの網面１ｃが、図６（ｃ）の弦ＯＦの中点Ｍに
向うように湾曲させればよいから、所定の厚さの分光結
晶１Ｂを一定の曲率に曲げ、その表面を平滑に研磨する
ことにより、分光結晶１Ｂを容易に制作することができ
る。
【００２１】ここで、図５において、点Ｏ，Ｆを通る直
径の異なる無数のローランド円（図示せず）と、平面Ｐ
とが交差して、上記平面Ｐ上には無数の流線形状の曲線
Ｏｐn （破線で示す）が存在しているので、集光点Ｏに
集まる一次Ｘ線Ｂ２n は、たとえば、１２Kev 〜１８Ke
v 程度の連続Ｘ線を含んでおり、単色化されていない。
しかし、検出すべき蛍光Ｘ線Ｂ４（図１）のエネルギ
が、一次Ｘ線Ｂ２n のレベルよりも低くければ、図１の
多重波高分析器６１で波高分析できるから、分析精度は
低くならない。
径の異なる無数のローランド円（図示せず）と、平面Ｐ
とが交差して、上記平面Ｐ上には無数の流線形状の曲線
Ｏｐn （破線で示す）が存在しているので、集光点Ｏに
集まる一次Ｘ線Ｂ２n は、たとえば、１２Kev 〜１８Ke
v 程度の連続Ｘ線を含んでおり、単色化されていない。
しかし、検出すべき蛍光Ｘ線Ｂ４（図１）のエネルギ
が、一次Ｘ線Ｂ２n のレベルよりも低くければ、図１の
多重波高分析器６１で波高分析できるから、分析精度は
低くならない。
【００２２】図７は第４実施例を示す。図７（ｂ）のよ
うに、第４実施例は光源Ｆ１および集光点Ｏ１がライン
状である。３つの分光結晶１Ｃ0 ，１Ｃ1 ，１Ｃ2 は、
反射線１ｄに沿って設けられている。図７（ａ）の各分
光結晶１Ｃn の網面１ｃは、中点Ｍに向っており、その
法線が中点Ｍを通るようになっている。つまり、左右の
分光結晶１Ｃ1 ，１Ｃ2の網面１ｃは、中央の分光結晶
１Ｃ0 の網面１ｃに対して傾斜している。その他の構成
は、第３実施例と同様であり、同一部分または相当部分
に同一符号を付して、その説明および図示を省略する。
うに、第４実施例は光源Ｆ１および集光点Ｏ１がライン
状である。３つの分光結晶１Ｃ0 ，１Ｃ1 ，１Ｃ2 は、
反射線１ｄに沿って設けられている。図７（ａ）の各分
光結晶１Ｃn の網面１ｃは、中点Ｍに向っており、その
法線が中点Ｍを通るようになっている。つまり、左右の
分光結晶１Ｃ1 ，１Ｃ2の網面１ｃは、中央の分光結晶
１Ｃ0 の網面１ｃに対して傾斜している。その他の構成
は、第３実施例と同様であり、同一部分または相当部分
に同一符号を付して、その説明および図示を省略する。
【００２３】なお、上記各実施例では、説明を分かり易
くするために各分光結晶１n ，１Ａn ，１Ｂ，１Ｃn を
平板型の分光結晶としたが、分光結晶を図８のように湾
曲させて、図１のように立体角φを持たせてもよい。
くするために各分光結晶１n ，１Ａn ，１Ｂ，１Ｃn を
平板型の分光結晶としたが、分光結晶を図８のように湾
曲させて、図１のように立体角φを持たせてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、全反射蛍光Ｘ線分析において試料表面に対し微小な
入射角度をなす平面上において、２０°以下の角度をな
す異なる光路から一次Ｘ線を集光させて試料に照射する
ので、高輝度のＸ線源を用いなくても、より精度の高い
分析を行い得る。
ば、全反射蛍光Ｘ線分析において試料表面に対し微小な
入射角度をなす平面上において、２０°以下の角度をな
す異なる光路から一次Ｘ線を集光させて試料に照射する
ので、高輝度のＸ線源を用いなくても、より精度の高い
分析を行い得る。
【図１】この発明の原理を示す全反射蛍光Ｘ線分析装置
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】第１実施例の原理を示す斜視図である。
【図３】（ａ）は第１実施例の分光器の平面図、（ｂ）
は同側面図である。
は同側面図である。
【図４】図４は第２実施例の分光器を示し、（ａ）は図
４（ｂ）のＩＶａ−ＩＶａ線断面図、（ｂ）は平面図、
（ｃ）は側面図である。
４（ｂ）のＩＶａ−ＩＶａ線断面図、（ｂ）は平面図、
（ｃ）は側面図である。
【図５】第３実施例の原理を示す斜視図である。
【図６】図６は第３実施例の分光器を示し、（ａ）は図
６（ｂ）のＶＩａ−ＶＩａ線断面図、（ｂ）は平面図、
（ｃ）は側面図である。
６（ｂ）のＶＩａ−ＶＩａ線断面図、（ｂ）は平面図、
（ｃ）は側面図である。
【図７】図７は第４実施例の分光器を示し、（ａ）は図
７（ｂ）のＶIIａ−ＶIIａ線断面図、（ｂ）は平面図で
ある。
７（ｂ）のＶIIａ−ＶIIａ線断面図、（ｂ）は平面図で
ある。
【図８】従来の全反射蛍光Ｘ線分析装置の概略構成図で
ある。
ある。
１n ，１Ａn ，１Ｂ，１Ｃn …分光結晶、１ｃ…網面、
１ｄ…反射線、５…照射装置、５０…試料、５１…試料
表面、６０…Ｘ線検出器、α，αｎ…入射角度、Ｂ１…
Ｘ線、Ｂ２n …一次Ｘ線、Ｆ…光源、Ｆ１…ライン状の
光源、Ｏ…集光点、Ｏ１…ライン状の集光点、Ｐ…集光
点を通る平面、ＩＪＫＬ…光源を通る平面、ＩＪ…直
線、Ｒn …ローランド円、Ｑ…回転面、Ｑｐ…曲線。
１ｄ…反射線、５…照射装置、５０…試料、５１…試料
表面、６０…Ｘ線検出器、α，αｎ…入射角度、Ｂ１…
Ｘ線、Ｂ２n …一次Ｘ線、Ｆ…光源、Ｆ１…ライン状の
光源、Ｏ…集光点、Ｏ１…ライン状の集光点、Ｐ…集光
点を通る平面、ＩＪＫＬ…光源を通る平面、ＩＪ…直
線、Ｒn …ローランド円、Ｑ…回転面、Ｑｐ…曲線。
Claims (5)
- 【請求項１】 試料表面に向って集光する一次Ｘ線を微
小な入射角度で試料表面に照射し、上記試料表面に対向
するＸ線検出器により、上記一次Ｘ線を受けた試料から
の蛍光Ｘ線を検出して、上記Ｘ線検出器での検出結果に
基づいて上記蛍光Ｘ線を分析する全反射蛍光Ｘ線分析方
法であって、 上記試料表面に対し微小な入射角度をなす平面上におい
て、２０°以下の角度をなす異なる光路から上記一次Ｘ
線を集光させる全反射蛍光Ｘ線分析方法。 - 【請求項２】 光源からのＸ線を分光素子で回折させ一
次Ｘ線として試料表面に向って集光させるとともに上記
一次Ｘ線を微小な入射角度で試料表面に照射する照射装
置と、上記試料表面に対向し上記一次Ｘ線を受けた試料
からの蛍光Ｘ線を検出するＸ線検出器とを備え、このＸ
線検出器での検出結果に基づいて上記蛍光Ｘ線を分析す
る全反射蛍光Ｘ線分析装置において、 上記光源と集光点を通る１つのローランド円を、上記光
源および集光点を通る弦のまわりに回転して回転面を形
成し、上記集光点を通る１つの平面と上記回転面とが交
差してできる曲線上に、複数の分光素子が配設され、 上記光源から出射されたＸ線が、上記分光素子により回
折されて上記一次Ｘ線として上記集光点に集まるよう
に、上記分光素子の網面が設定され、 上記各分光素子から上記集光点に向かう複数のＸ線が、
上記平面上において、上記集光点を中心として２０°以
下の角度をなし ていることを特徴とする全反射蛍光Ｘ線
分析装置。 - 【請求項３】 請求項２において、上記光源および集光
点がライン状である全反射蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項４】 光源からのＸ線を分光素子で回折させ一
次Ｘ線として試料表面に向って集光させるとともに上記
一次Ｘ線を微小な入射角度で試料表面に照射する照射装
置と、上記試料表面に対向し上記一次Ｘ線を受けた試料
からの蛍光Ｘ線を検出するＸ線検出器とを備え、このＸ
線検出器での検出結果に基づいて上記蛍光Ｘ線を分析す
る全反射蛍光Ｘ線分析装置において、 上記光源を通る平面と集光点を通る平面とが交差してで
きる直線に沿って分光素子の反射線を配設し、上記反射
線上の任意の点から上記光源までの距離と上記集光点ま
での距離とが互いに等しく設定されており、 上記光源から出射されたＸ線が、上記分光素子により回
折されて上記一次Ｘ線として上記集光点に集まるよう
に、上記分光素子の網面が設定されていることを特徴と
する全反射蛍光Ｘ線分析装置。 - 【請求項５】 請求項４において、上記光源および集光
点がライン状で、分光素子が反射線に沿って複数個設け
られている全反射蛍光Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13137093A JP2675737B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 全反射蛍光ｘ線分析方法および分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13137093A JP2675737B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 全反射蛍光ｘ線分析方法および分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317546A JPH06317546A (ja) | 1994-11-15 |
| JP2675737B2 true JP2675737B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=15056355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13137093A Expired - Fee Related JP2675737B2 (ja) | 1993-05-06 | 1993-05-06 | 全反射蛍光ｘ線分析方法および分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2675737B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5159068B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2013-03-06 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
-
1993
- 1993-05-06 JP JP13137093A patent/JP2675737B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06317546A (ja) | 1994-11-15 |
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