JPH0680739B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0680739B2 JPH0680739B2 JP62123262A JP12326287A JPH0680739B2 JP H0680739 B2 JPH0680739 B2 JP H0680739B2 JP 62123262 A JP62123262 A JP 62123262A JP 12326287 A JP12326287 A JP 12326287A JP H0680739 B2 JPH0680739 B2 JP H0680739B2
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- JP
- Japan
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- aluminum
- insulating film
- aluminum wiring
- semiconductor device
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に多層アルミ
ニウム（Al）配線の形成方法に関する。
ニウム（Al）配線の形成方法に関する。
従来の技術を第２図（Ａ）乃至第２図（Ｄ）を用いて説
明する。
明する。
最初に、下層のアルミニウム配線層を形成するために、
第２図（Ａ）のシリコン基板24上、及び半導体素子上に
堆積された下層層間絶縁膜23上に、下層アルミニウム配
線とするためのアルミニウム膜22を付着する。さらに、
フォトリソグラフィープロセスでの露光時に問題となる
アルミ膜表面からの反射光を抑制するために、アルミニ
ウム膜22上に、反射光抑制用シリコン膜21を付着する。
第２図（Ａ）のシリコン基板24上、及び半導体素子上に
堆積された下層層間絶縁膜23上に、下層アルミニウム配
線とするためのアルミニウム膜22を付着する。さらに、
フォトリソグラフィープロセスでの露光時に問題となる
アルミ膜表面からの反射光を抑制するために、アルミニ
ウム膜22上に、反射光抑制用シリコン膜21を付着する。
次に、第２図（Ｂ）の様に、フォトリソグラフィープロ
セスにより、反射光抑制用シリコン膜21、及びアルニミ
ウム膜22を配線形状にパターニングする。次に、第２図
（Ｃ）の様に、反射光抑制用シリコン膜21を全面プラズ
マエッチングにより除去する。次に、第２図（Ｄ）の様
に、下層アルミニウム配線、及び下層層間絶縁膜23上
に、上層層間絶縁膜25を堆積する。
セスにより、反射光抑制用シリコン膜21、及びアルニミ
ウム膜22を配線形状にパターニングする。次に、第２図
（Ｃ）の様に、反射光抑制用シリコン膜21を全面プラズ
マエッチングにより除去する。次に、第２図（Ｄ）の様
に、下層アルミニウム配線、及び下層層間絶縁膜23上
に、上層層間絶縁膜25を堆積する。
上層層間絶縁膜25にコンタクトホール26を開孔し、この
上に、上層アルミニウム配線膜27を形成することによ
り、多層アルミニウム配線構造を形成する。
上に、上層アルミニウム配線膜27を形成することによ
り、多層アルミニウム配線構造を形成する。
前述した従来の多層アルミニウム配線構造の形成方法
は、アルミニウム配線膜上をプラズマエッチした後に、
アルミニウム配線膜上に、層間絶縁膜を堆積している。
アルミニウム膜22上をプラズマエッチすると、エッチン
グガスに用いているハロゲン元素等がアルミニウム膜22
の表面上に拡散したり、エッチングにより反応生成物が
このアルミニウム表面上に付着する。
は、アルミニウム配線膜上をプラズマエッチした後に、
アルミニウム配線膜上に、層間絶縁膜を堆積している。
アルミニウム膜22上をプラズマエッチすると、エッチン
グガスに用いているハロゲン元素等がアルミニウム膜22
の表面上に拡散したり、エッチングにより反応生成物が
このアルミニウム表面上に付着する。
このアルミニウム膜22上に層間絶縁膜25を堆積した場
合、アルミニウム膜22と層間絶縁膜25との密着力が弱
く、層間絶縁膜25の応力により、層間絶縁膜25が、アル
ミニウム膜22の表面から剥れるという欠点がある。
合、アルミニウム膜22と層間絶縁膜25との密着力が弱
く、層間絶縁膜25の応力により、層間絶縁膜25が、アル
ミニウム膜22の表面から剥れるという欠点がある。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、層間絶縁膜がア
ルミニウム膜から剥離する心配のないようにする半導体
装置の製造方法を提供することにある。
ルミニウム膜から剥離する心配のないようにする半導体
装置の製造方法を提供することにある。
本発明の構成は、第１の絶縁膜上の所定の部分に形成さ
れた第１のアルミニウム配線膜の表面と前記第１の絶縁
膜の他の部分の表面とに、第２の絶縁膜を形成し、この
上に第２のアルミニウム配線膜を形成する工程とを備え
た半導体装置の製造方法において、前記第１のアルミニ
ウム配線膜上に形成された反射光抑制膜をプラズマ・エ
ッチングした後でかつ前記第２の絶縁膜を堆積する前の
工程で、前記第１のアルミニウム配線膜の表面及び前記
第１の絶縁膜の表面を、アルゴン・ガスを用いたRFスパ
ッタ・エッチングの処理を行うことを特徴とする。
れた第１のアルミニウム配線膜の表面と前記第１の絶縁
膜の他の部分の表面とに、第２の絶縁膜を形成し、この
上に第２のアルミニウム配線膜を形成する工程とを備え
た半導体装置の製造方法において、前記第１のアルミニ
ウム配線膜上に形成された反射光抑制膜をプラズマ・エ
ッチングした後でかつ前記第２の絶縁膜を堆積する前の
工程で、前記第１のアルミニウム配線膜の表面及び前記
第１の絶縁膜の表面を、アルゴン・ガスを用いたRFスパ
ッタ・エッチングの処理を行うことを特徴とする。
次に本発明について図面を用いて詳細に説明する。
第１図（Ａ）乃至第１図（Ｅ）は本発明の一実施例の半
導体装置の製造方法の多層配線構造形成プロセスを工程
順に示した断面図である。
導体装置の製造方法の多層配線構造形成プロセスを工程
順に示した断面図である。
まず、第１図（Ａ）乃至第１図（Ｃ）では、第１図
（Ａ）乃至第１図（Ｃ）に示した従来の技術と同様の方
法により、下層のアルミニウム配線膜（5KÅ）12を形成
するプロセスである。
（Ａ）乃至第１図（Ｃ）に示した従来の技術と同様の方
法により、下層のアルミニウム配線膜（5KÅ）12を形成
するプロセスである。
次に、第１図（Ｄ）に示す様に、半導体ウェハの全主表
面をアルゴン（Ar）ガスを用いたRFスパッタエッチを行
うことにより、アルミニウム（配線）膜12と、リン添加
ガラス膜（7KÅ）からなる絶縁膜13のうちアルミニウム
膜12によりマスクされていない主表面を、RFスパッタエ
ッチングする。この後、第１図（Ｅ）の様に、下層アル
ミニウム膜12、及びリン添加ガラス膜からなる絶縁膜13
上に、プラズマ・シリコン窒化膜（10KÅ）15を堆積す
る。プラズマシリコン窒化膜に、コンタクトホール16を
開孔し、上層のアルミニウム配線膜（10KÅ）17を形成
して、多層配線構造を形成する。尚、本発明によれば、
アルミニウム配線膜として例えばシリコンを含有するア
ルミニウム合金が用いられることもあり、また層間絶縁
膜としては、シリコン窒化膜、又はリン添加ガラス膜、
又はシリコン酸化膜、或いは前記シリコン窒化膜と前記
リン添加ガラス膜と前記シリコン酸化膜との多層膜等が
用いられることが好ましい。
面をアルゴン（Ar）ガスを用いたRFスパッタエッチを行
うことにより、アルミニウム（配線）膜12と、リン添加
ガラス膜（7KÅ）からなる絶縁膜13のうちアルミニウム
膜12によりマスクされていない主表面を、RFスパッタエ
ッチングする。この後、第１図（Ｅ）の様に、下層アル
ミニウム膜12、及びリン添加ガラス膜からなる絶縁膜13
上に、プラズマ・シリコン窒化膜（10KÅ）15を堆積す
る。プラズマシリコン窒化膜に、コンタクトホール16を
開孔し、上層のアルミニウム配線膜（10KÅ）17を形成
して、多層配線構造を形成する。尚、本発明によれば、
アルミニウム配線膜として例えばシリコンを含有するア
ルミニウム合金が用いられることもあり、また層間絶縁
膜としては、シリコン窒化膜、又はリン添加ガラス膜、
又はシリコン酸化膜、或いは前記シリコン窒化膜と前記
リン添加ガラス膜と前記シリコン酸化膜との多層膜等が
用いられることが好ましい。
以上説明したように、本発明は、層間絶縁膜を堆積工程
前に、RFスパッタエッチ前処理工程を行うことにより、
特にアルミニウム膜中のハロゲン元素が、拡散した表面
層、及びアルミニウム膜表面上に付着したエッチング反
応生成物をエッチングして、除去することにより、アル
ミニウム膜とこのアルミニウム膜上とに堆積した層間絶
縁膜との密着力を強くし、アルミニウム膜上の層間絶縁
膜が剥れるのを防止できる効果がある。
前に、RFスパッタエッチ前処理工程を行うことにより、
特にアルミニウム膜中のハロゲン元素が、拡散した表面
層、及びアルミニウム膜表面上に付着したエッチング反
応生成物をエッチングして、除去することにより、アル
ミニウム膜とこのアルミニウム膜上とに堆積した層間絶
縁膜との密着力を強くし、アルミニウム膜上の層間絶縁
膜が剥れるのを防止できる効果がある。
第１図（Ａ）乃至第１図（Ｅ）は本発明の一実施例の半
導体装置の製造方法を工程順に示した断面図、第２図
（Ａ）乃至第２図（Ｄ）は従来の半導体装置の製造方法
を工程順に示した断面図である。 11,21……反射光制御用シリコン膜、12,22……アルミニ
ウム膜、13,23……リン添加ガラス膜からなる絶縁膜、1
4,24……シリコン基板、15……プラズマシリコン窒化
膜、16……コンタクトホール、17……上層アルミニウム
配線膜、25……上層層間絶縁膜。
導体装置の製造方法を工程順に示した断面図、第２図
（Ａ）乃至第２図（Ｄ）は従来の半導体装置の製造方法
を工程順に示した断面図である。 11,21……反射光制御用シリコン膜、12,22……アルミニ
ウム膜、13,23……リン添加ガラス膜からなる絶縁膜、1
4,24……シリコン基板、15……プラズマシリコン窒化
膜、16……コンタクトホール、17……上層アルミニウム
配線膜、25……上層層間絶縁膜。
Claims (1)
- 【請求項１】第１の絶縁膜上の所定の部分に形成された
第１のアルミニウム配線膜の表面と前記第１の絶縁膜の
他の部分の表面とに、第２の絶縁膜を形成し、この上に
第２のアルミニウム配線膜を形成する工程を備えた半導
体装置の製造方法において、前記第１のアルミニウム配
線膜上に形成された反射光抑制膜をプラズマ・エッチン
グした後でかつ前記第２の絶縁膜を堆積する前の工程
で、前記第１のアルミニウム配線膜の表面及び前記第１
の絶縁膜の表面を、アルゴン・ガスを用いたRFスパッタ
・エッチングの処理を行うことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123262A JPH0680739B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123262A JPH0680739B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63287036A JPS63287036A (ja) | 1988-11-24 |
| JPH0680739B2 true JPH0680739B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=14856212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62123262A Expired - Lifetime JPH0680739B2 (ja) | 1987-05-19 | 1987-05-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680739B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3202657B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2001-08-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3475856D1 (en) * | 1983-08-12 | 1989-02-02 | Commissariat Energie Atomique | Method for aligning a connecting line above an electrical contact hole of an integrated circuit |
| JPH0671000B2 (ja) * | 1985-03-19 | 1994-09-07 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置の配線形成法 |
-
1987
- 1987-05-19 JP JP62123262A patent/JPH0680739B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63287036A (ja) | 1988-11-24 |
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