JPH0680672A - 新規電子受容体及びこれを成分とする導電性移動錯体 - Google Patents
新規電子受容体及びこれを成分とする導電性移動錯体Info
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- JPH0680672A JPH0680672A JP23568392A JP23568392A JPH0680672A JP H0680672 A JPH0680672 A JP H0680672A JP 23568392 A JP23568392 A JP 23568392A JP 23568392 A JP23568392 A JP 23568392A JP H0680672 A JPH0680672 A JP H0680672A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記式（Ｉ）で表わされる化合物、
【化１】
及び該化合物を電子受容体とし他成分の電子供与体とか
らなる導電性電荷移動錯体。 【効果】 式（Ｉ）化合物はＴＣＮＱと同程度の電子親
和力を有する電子受容体であり、電子供与体と組合せる
ことにより高導電性の電荷移動錯体が得られる。
らなる導電性電荷移動錯体。 【効果】 式（Ｉ）化合物はＴＣＮＱと同程度の電子親
和力を有する電子受容体であり、電子供与体と組合せる
ことにより高導電性の電荷移動錯体が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子受容体となる新規な
化合物及び該化合物を１成分とした高導電性の電荷移動
錯体に関する。
化合物及び該化合物を１成分とした高導電性の電荷移動
錯体に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機高導電性物質は、銅やアルミニウム
等の金属材料に比べて軽量である事、腐食性がない事等
の優れた利点を持っているので最近注目されている。有
機高導電性物質はまた、金属材料に比べて豊富に存在す
る有機資源を原料にして製造できる点でも優れている。
等の金属材料に比べて軽量である事、腐食性がない事等
の優れた利点を持っているので最近注目されている。有
機高導電性物質はまた、金属材料に比べて豊富に存在す
る有機資源を原料にして製造できる点でも優れている。
【０００３】一般の有機化合物は電気絶縁体としての性
質を有しており、これに導電性を付与するには、電荷移
動錯体を形成させる方法が通例である。従来種々の電子
供与体及び電子受容体が合成され、これらの組合せから
多数の導電性電荷移動錯体が提案されている〔例えば B
ull. Chem. Soc. Jpn., ６４，２０９１，（１９９
１），特開平１−２４２５８３号，有機合成化学協会
誌，４６, ６３８（１９８８）〕。
質を有しており、これに導電性を付与するには、電荷移
動錯体を形成させる方法が通例である。従来種々の電子
供与体及び電子受容体が合成され、これらの組合せから
多数の導電性電荷移動錯体が提案されている〔例えば B
ull. Chem. Soc. Jpn., ６４，２０９１，（１９９
１），特開平１−２４２５８３号，有機合成化学協会
誌，４６, ６３８（１９８８）〕。
【０００４】しかしながら今まで報告されている電子受
容体は、その基本的物性である電子親和力(electron af
finity) が代表的な電子受容体であるテトラシアノキノ
ジメタン（以下ＴＣＮＱという）より低いものが多い。
即ちサイクリックボルタンメトリーで半波還元電位(har
f-wave reduction potential) を調べると、多くの既知
電子受容体はＴＣＮＱの１／２〜１／５程度の電位しか
示さない。上記欠点を克服するためにハロゲン原子（特
に臭素原子）やアミノ基を共役部位に導入して電子親和
力を高める試みもされているが、合成径路が複雑になる
うえ熱及び光安定性に乏しくなるという欠点を有してい
る。以上の如く簡単な構造でしかもＴＣＮＱに匹敵する
ほどの強い電子親和性を有する電子受容体は、多環芳香
族系キノジメタン誘導体しか知られていない。
容体は、その基本的物性である電子親和力(electron af
finity) が代表的な電子受容体であるテトラシアノキノ
ジメタン（以下ＴＣＮＱという）より低いものが多い。
即ちサイクリックボルタンメトリーで半波還元電位(har
f-wave reduction potential) を調べると、多くの既知
電子受容体はＴＣＮＱの１／２〜１／５程度の電位しか
示さない。上記欠点を克服するためにハロゲン原子（特
に臭素原子）やアミノ基を共役部位に導入して電子親和
力を高める試みもされているが、合成径路が複雑になる
うえ熱及び光安定性に乏しくなるという欠点を有してい
る。以上の如く簡単な構造でしかもＴＣＮＱに匹敵する
ほどの強い電子親和性を有する電子受容体は、多環芳香
族系キノジメタン誘導体しか知られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは上記の現
状に鑑み、簡単な構造でしかもＴＣＮＱと同程度の強い
電子親和力を有し、電荷移動錯体を形成するのに有利な
要素を含んだ構造を有する電子受容体を鋭意検討した。
状に鑑み、簡単な構造でしかもＴＣＮＱと同程度の強い
電子親和力を有し、電荷移動錯体を形成するのに有利な
要素を含んだ構造を有する電子受容体を鋭意検討した。
【０００６】特に本発明者らの留意した点は次の２つで
ある。 （１）分子骨格内にヘテロ原子を導入する。 （２）分子のπ−共役を十分大きくすると同時に、錯体
中に出来るラジカルアニオンの構造に十分の安定性を与
える。 （１）についてはヘテロ原子の大きい分極率よりラジカ
ル種を安定化させ、さらに導電性に有利な結晶構造をと
りやすくするのが目的である。（２）については１電子
移動で生じるラジカルアニオンの構造で新たに芳香環が
生成する様にすると、ラジカルアニオンが安定になって
電子親和力が増すこと、及び２電子移動で生じるジアニ
オンのクーロン反発がπ−共役の拡張により小さくなり
ジアニオンも安定化できると予想されるためである。
ある。 （１）分子骨格内にヘテロ原子を導入する。 （２）分子のπ−共役を十分大きくすると同時に、錯体
中に出来るラジカルアニオンの構造に十分の安定性を与
える。 （１）についてはヘテロ原子の大きい分極率よりラジカ
ル種を安定化させ、さらに導電性に有利な結晶構造をと
りやすくするのが目的である。（２）については１電子
移動で生じるラジカルアニオンの構造で新たに芳香環が
生成する様にすると、ラジカルアニオンが安定になって
電子親和力が増すこと、及び２電子移動で生じるジアニ
オンのクーロン反発がπ−共役の拡張により小さくなり
ジアニオンも安定化できると予想されるためである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はすなわち下記式
（Ｉ）で表わされる化合物、
（Ｉ）で表わされる化合物、
【０００８】
【化２】
【０００９】及び式（Ｉ）で表わされる化合物を電子受
容体とし、他成分の電子供与体とからなる導電性電荷移
動錯体である。
容体とし、他成分の電子供与体とからなる導電性電荷移
動錯体である。
【００１０】本発明化合物（Ｉ）の合成径路はいくつか
あるが、例えば下記に示す径路で容易に合成することが
できる。
あるが、例えば下記に示す径路で容易に合成することが
できる。
【００１１】
【化３】
【００１２】上記式（Ａ）の反応は公知化合物であるベ
ンゾチオフエン（II）(P. Beimling, et, al., Chem. B
er., １１９，３１９８（１９８６））のα位に選択的
に沃素原子を導入する反応である。本反応では収率及び
α位の選択性を高めるため、アルキルリチウムでチオフ
エン環のα位をリチオ化した後、沃素と反応させるのが
好ましい。反応は常法どおりエーテル系溶媒（例えばテ
トラヒドロフラン）中、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラメ
チルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）を加え、−７０℃
前後の低温で行うのが好ましい。なお導入するハロゲン
原子としては沃素が不可欠であり、臭素原子や塩素原子
では式（Ｂ）の反応が進行しないか極めて低収率であ
る。
ンゾチオフエン（II）(P. Beimling, et, al., Chem. B
er., １１９，３１９８（１９８６））のα位に選択的
に沃素原子を導入する反応である。本反応では収率及び
α位の選択性を高めるため、アルキルリチウムでチオフ
エン環のα位をリチオ化した後、沃素と反応させるのが
好ましい。反応は常法どおりエーテル系溶媒（例えばテ
トラヒドロフラン）中、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラメ
チルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）を加え、−７０℃
前後の低温で行うのが好ましい。なお導入するハロゲン
原子としては沃素が不可欠であり、臭素原子や塩素原子
では式（Ｂ）の反応が進行しないか極めて低収率であ
る。
【００１３】式（Ｂ）の反応は化合物(III) の沃素原子
をマロノニトリルアニオンで求核置換反応して化合物
（IV）とする反応である。反応の溶媒としては例えばテ
トラヒドロフランが用いられる。本反応では零価のパラ
ジウム化合物、例えばパラジウム（テトラキストリフェ
ニルホスフィン）を触媒量加えるのが好ましく、反応速
度及び収率が格段に向上する。本反応は好ましくは還流
下に行われるが、化合物（IV）が空気及び酸素に対して
不安定であるため十分の注意が必要である。反応終了
後、化合物（IV）は対応するナトリウム塩の形で存在し
ているので、酸で中和して化合物（IV）を単離するのが
好ましい。ここに用いる酸としては、例えば５〜２０％
の塩酸が挙げられる。
をマロノニトリルアニオンで求核置換反応して化合物
（IV）とする反応である。反応の溶媒としては例えばテ
トラヒドロフランが用いられる。本反応では零価のパラ
ジウム化合物、例えばパラジウム（テトラキストリフェ
ニルホスフィン）を触媒量加えるのが好ましく、反応速
度及び収率が格段に向上する。本反応は好ましくは還流
下に行われるが、化合物（IV）が空気及び酸素に対して
不安定であるため十分の注意が必要である。反応終了
後、化合物（IV）は対応するナトリウム塩の形で存在し
ているので、酸で中和して化合物（IV）を単離するのが
好ましい。ここに用いる酸としては、例えば５〜２０％
の塩酸が挙げられる。
【００１４】式（Ｃ）の反応は化合物（IV）を酸化（脱
水素）して目的とする化合物（Ｉ）を得る反応である。
本反応の酸化剤としては四酢酸鉛が特に優れている。反
応は通常窒素気流下に塩化メチレン等のハロゲン化炭化
水素系溶媒中で−１０〜０℃の低温で行うのが好まし
い。化合物（Ｉ）は、粗結晶を窒素気流下、塩化メチレ
ンでソックスレー抽出し、濃縮，冷却することにより容
易に高純度で得られる。
水素）して目的とする化合物（Ｉ）を得る反応である。
本反応の酸化剤としては四酢酸鉛が特に優れている。反
応は通常窒素気流下に塩化メチレン等のハロゲン化炭化
水素系溶媒中で−１０〜０℃の低温で行うのが好まし
い。化合物（Ｉ）は、粗結晶を窒素気流下、塩化メチレ
ンでソックスレー抽出し、濃縮，冷却することにより容
易に高純度で得られる。
【００１５】化合物（Ｉ）と組合わされる電子供与体と
しては、通常このような電荷移動錯体を形成する際に用
いられるものであれば特に制限はなく、テトラチオテト
ラセン，ヘキサメチレンテトラフルバレン，２，３−ジ
メチル−１，４，９，１０−テトラテルロアントラセ
ン，テトラフェニルビピラニリデン，テトラチアテトラ
セン，２，３−ジメチル−４，５，１０，１１−テトラ
ゼレノテトラセン，ナフタセノ〔５，６−ｃｄ；１１，
１２−ｃ´ｄ´〕ビス〔１，２〕−ジチオール，テトラ
チアフルバレン等が例示される。
しては、通常このような電荷移動錯体を形成する際に用
いられるものであれば特に制限はなく、テトラチオテト
ラセン，ヘキサメチレンテトラフルバレン，２，３−ジ
メチル−１，４，９，１０−テトラテルロアントラセ
ン，テトラフェニルビピラニリデン，テトラチアテトラ
セン，２，３−ジメチル−４，５，１０，１１−テトラ
ゼレノテトラセン，ナフタセノ〔５，６−ｃｄ；１１，
１２−ｃ´ｄ´〕ビス〔１，２〕−ジチオール，テトラ
チアフルバレン等が例示される。
【００１６】上記電荷移動錯体を合成するには、有機溶
媒中で化合物（Ｉ）と電子供与体とを混合する方法が一
般的である。この方法により固体の電荷移動錯体が得ら
れる。この際、用いられる有機溶媒としては、トルエ
ン，ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ジエチル
エーテル等のエーテル類、酢酸エチル等のエステル類、
アセトニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン等のハ
ロゲン化炭化水素類等が用いられる。この電荷移動錯体
の合成法としては上記方法のほか、有機溶媒を用いずに
相当量の化合物（Ｉ）と電子供与体とを乳鉢等でよく混
合する方法も可能である。このようにして得られた電荷
移動錯体としては化合物（Ｉ）と電子供与体のモル比が
１：１〜２：１であるのが通例である。
媒中で化合物（Ｉ）と電子供与体とを混合する方法が一
般的である。この方法により固体の電荷移動錯体が得ら
れる。この際、用いられる有機溶媒としては、トルエ
ン，ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ジエチル
エーテル等のエーテル類、酢酸エチル等のエステル類、
アセトニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン等のハ
ロゲン化炭化水素類等が用いられる。この電荷移動錯体
の合成法としては上記方法のほか、有機溶媒を用いずに
相当量の化合物（Ｉ）と電子供与体とを乳鉢等でよく混
合する方法も可能である。このようにして得られた電荷
移動錯体としては化合物（Ｉ）と電子供与体のモル比が
１：１〜２：１であるのが通例である。
【００１７】
【作用】上記のようにして得られた化合物（Ｉ）はサイ
クリックボルタンメトリー測定においてＴＣＮＱに近い
第１半波還元電位（Ｅ1 1/2 ）を示し、また第１と第２
の半波還元電位（Ｅ2 1/2 ）の差（ΔＥ）はＴＣＮＱよ
りはるかに小さく、共役系を拡張した効果が表われると
共にジアニオン（下記（VI））が十分に安定化されてい
る事を示している。そして化合物（Ｉ）と代表的な電子
供与体とよりなる電荷移動錯体は高い導電率を示す。
クリックボルタンメトリー測定においてＴＣＮＱに近い
第１半波還元電位（Ｅ1 1/2 ）を示し、また第１と第２
の半波還元電位（Ｅ2 1/2 ）の差（ΔＥ）はＴＣＮＱよ
りはるかに小さく、共役系を拡張した効果が表われると
共にジアニオン（下記（VI））が十分に安定化されてい
る事を示している。そして化合物（Ｉ）と代表的な電子
供与体とよりなる電荷移動錯体は高い導電率を示す。
【００１８】この理由として化合物（Ｉ）の構造中に硫
黄原子が入っていること、分子が一方向のみに大きくて
完全な平面構造のため錯体分子を作り易いこと、ラジカ
ルアニオン及びジアニオンが下記の構造式（Ｖ）（VI）
をとって、中央のベンゼン環の安定化効果が得られると
共に陰イオンの中心が両端に位置しているためクーロン
反発力が小さいことが挙げられる。
黄原子が入っていること、分子が一方向のみに大きくて
完全な平面構造のため錯体分子を作り易いこと、ラジカ
ルアニオン及びジアニオンが下記の構造式（Ｖ）（VI）
をとって、中央のベンゼン環の安定化効果が得られると
共に陰イオンの中心が両端に位置しているためクーロン
反発力が小さいことが挙げられる。
【００１９】
【化４】
【００２０】
【化５】
【００２１】
【実施例】次に本発明の実施例を示して本発明を具体的
に説明する。なお機器分析には以下の機器を使用した。 融点：柳本製作所社製微量融点測定器1 Ｈ−ＮＭＲ：日本電子社製ＪＮＭ−ＰＭ×６０型（６
０ＭＨｚ，δ値ｐｐｍ，内部標準，ＴＭＳ） ＩＲ：日立製作所社製２６０−３０型赤外線分光光度計 ＭＳ：島津製作所社製ＧＣＭＳ−ＱＰ１０００質量分析
装置 元素分析：柳本製作所社製高速ＣＨＮコーダーＭＴ−Ｚ
型 サイクリックボルタンメトリー：北斗電工社製ポテンシ
オスタットＨＡ−３０１，ファンクションジェネレータ
ーＨＢ−１０４
に説明する。なお機器分析には以下の機器を使用した。 融点：柳本製作所社製微量融点測定器1 Ｈ−ＮＭＲ：日本電子社製ＪＮＭ−ＰＭ×６０型（６
０ＭＨｚ，δ値ｐｐｍ，内部標準，ＴＭＳ） ＩＲ：日立製作所社製２６０−３０型赤外線分光光度計 ＭＳ：島津製作所社製ＧＣＭＳ−ＱＰ１０００質量分析
装置 元素分析：柳本製作所社製高速ＣＨＮコーダーＭＴ−Ｚ
型 サイクリックボルタンメトリー：北斗電工社製ポテンシ
オスタットＨＡ−３０１，ファンクションジェネレータ
ーＨＢ−１０４
【００２２】実施例１ 窒素気流下、ｎ−ブチルリチウム（ヘキサン溶液，１．
４０Ｎ）１１．４ｍｌ（１６ｍｍｏｌ）を、−７０℃に
冷却したテトラヒドロフラン５０ｍｌとＮ，Ｎ，Ｎ´，
Ｎ´−テトラメチルエチレンジアミン７．９ｍｌ（８０
ｍｍｏｌ）の混合溶液に加え１０分攪拌した。続いてベ
ンゾ〔１，２−ｂ：４，５−ｂ´〕ジチオフエン（II）
１．３３ｇ（７ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液２
５ｍｌを−７０℃で加え、３０分攪拌した。その後ヨウ
素５．１ｇ（８０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液
２５ｍｌを加え、冷浴を外して室温で１晩攪拌した。反
応終了後、反応液を水１００ｍｌにあけ、析出した固体
を濾取しエタノールで洗浄後、乾燥した。得られた化合
物(III) はそのまま次の反応に用いたが、クロロベンゼ
ンから再結晶する事ができる。 収量 ２．８２ｇ（９１％） 融点：＞３００℃ ＭＳ：ｍ／ｅ ４４２（Ｍ+ ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ，ＴＭＳ）：δ ７．６５
（Ｓ，２Ｈ，３．７位） δ ８．２４（Ｓ，２Ｈ，４．８位）
４０Ｎ）１１．４ｍｌ（１６ｍｍｏｌ）を、−７０℃に
冷却したテトラヒドロフラン５０ｍｌとＮ，Ｎ，Ｎ´，
Ｎ´−テトラメチルエチレンジアミン７．９ｍｌ（８０
ｍｍｏｌ）の混合溶液に加え１０分攪拌した。続いてベ
ンゾ〔１，２−ｂ：４，５−ｂ´〕ジチオフエン（II）
１．３３ｇ（７ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液２
５ｍｌを−７０℃で加え、３０分攪拌した。その後ヨウ
素５．１ｇ（８０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液
２５ｍｌを加え、冷浴を外して室温で１晩攪拌した。反
応終了後、反応液を水１００ｍｌにあけ、析出した固体
を濾取しエタノールで洗浄後、乾燥した。得られた化合
物(III) はそのまま次の反応に用いたが、クロロベンゼ
ンから再結晶する事ができる。 収量 ２．８２ｇ（９１％） 融点：＞３００℃ ＭＳ：ｍ／ｅ ４４２（Ｍ+ ）1 Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ，ＴＭＳ）：δ ７．６５
（Ｓ，２Ｈ，３．７位） δ ８．２４（Ｓ，２Ｈ，４．８位）
【００２３】窒素気流中、マロノニトリル３９６ｍｇ
（６．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍｌに溶
かし、水素化ナトリウム（６０％ in oil）５６０ｍｇ
（１４ｍｍｏｌ）を加え１０分間攪拌した。続いて上記
化合物(III) ８８４ｍｇ（２．０ｍｍｏｌ），テトラキ
ストリフェニルホスフィンパラジウム５７８ｍｇ（０．
５ｍｍｏｌ）を加えて２．５時間還流下に加熱した。室
温まで冷却し、続いて水浴中１０％塩酸を少量加えた
後、テトラヒドロフランを留去した。再び１０％塩酸を
加えて強酸性にし、析出した固体を濾取し、エタノー
ル，四塩化炭素，クロロホルムで洗浄し乾燥した。得ら
れた化合物（IV）はそのまま次の反応に用いた。 収量 ５８３ｍｇ（９２％） 融点：２５０℃から徐々に分解 ＩＲ（ＫＢｒ）：νCN ２２２６ｃｍ-1 ＭＳ：ｍ／ｅ ３１７（Ｍ+ −１）
（６．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍｌに溶
かし、水素化ナトリウム（６０％ in oil）５６０ｍｇ
（１４ｍｍｏｌ）を加え１０分間攪拌した。続いて上記
化合物(III) ８８４ｍｇ（２．０ｍｍｏｌ），テトラキ
ストリフェニルホスフィンパラジウム５７８ｍｇ（０．
５ｍｍｏｌ）を加えて２．５時間還流下に加熱した。室
温まで冷却し、続いて水浴中１０％塩酸を少量加えた
後、テトラヒドロフランを留去した。再び１０％塩酸を
加えて強酸性にし、析出した固体を濾取し、エタノー
ル，四塩化炭素，クロロホルムで洗浄し乾燥した。得ら
れた化合物（IV）はそのまま次の反応に用いた。 収量 ５８３ｍｇ（９２％） 融点：２５０℃から徐々に分解 ＩＲ（ＫＢｒ）：νCN ２２２６ｃｍ-1 ＭＳ：ｍ／ｅ ３１７（Ｍ+ −１）
【００２４】窒素気流下、上記化合物（IV）５００ｍｇ
（１．５７ｍｍｏｌ）を塩化メチレン２０ｍｌに懸濁
し、四酢酸鉛１．７７ｍｇ（４ｍｍｏｌ）を加えて−１
０℃で３０分攪拌した。反応終了後水１００ｍｌを加
え、析出した固体をハイフロースーパーセルを用いて濾
取した。固体を窒素下塩化メチレンでソックスレー抽出
を行い、さらに窒素下で塩化メチレンをある程度留去
し、放冷して出てくる固体を濾過し、洗浄後乾燥した。
得られた化合物（Ｉ）は十分の純度を有していた。 収量 ５０ｍｇ（１０％），深紫色微細結晶 融点：ｍｐ＞３００℃ ＩＲ（ＫＢｒ）：νCN ２２２２ｃｍ-1 ＭＳ：ｍ／ｅ ３１６（Ｍ+ ） 元素分析：Ｃ＝６０．６９％，Ｈ＝１．２２％，Ｎ＝１
７．６１％ （Ｃ16Ｈ4 Ｎ4 Ｓ2 としての計算値：Ｃ＝６０．７４
％，Ｈ＝１．２７％，Ｎ＝１７．７１％） サイクリックボルタンメトリー：Ｅ1 1/2 ＝＋０．２０
Ｖ Ｅ2 1/2 ＝−０．０５Ｖ ΔＥ＝０．２５Ｖ 測定条件：陽極，陰極…白金 スキャン速度：１００ｍＶ／ｓｅｃ，電流：１ｍＡ 参照電極：Ａｇ／ＡｇＣｌ 溶液：１０-3Ｍジメチルホルムアミド溶液 （０．１Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムパークロレー
ト添加） なお同条件でＴＣＮＱの半波還元電位は次のとおりであ
った。 ＴＣＮＱ：Ｅ1 1/2 ＝＋０．２６Ｖ，Ｅ2 1/2 ＝−０．
３２Ｖ， ΔＥ＝０．５８Ｖ
（１．５７ｍｍｏｌ）を塩化メチレン２０ｍｌに懸濁
し、四酢酸鉛１．７７ｍｇ（４ｍｍｏｌ）を加えて−１
０℃で３０分攪拌した。反応終了後水１００ｍｌを加
え、析出した固体をハイフロースーパーセルを用いて濾
取した。固体を窒素下塩化メチレンでソックスレー抽出
を行い、さらに窒素下で塩化メチレンをある程度留去
し、放冷して出てくる固体を濾過し、洗浄後乾燥した。
得られた化合物（Ｉ）は十分の純度を有していた。 収量 ５０ｍｇ（１０％），深紫色微細結晶 融点：ｍｐ＞３００℃ ＩＲ（ＫＢｒ）：νCN ２２２２ｃｍ-1 ＭＳ：ｍ／ｅ ３１６（Ｍ+ ） 元素分析：Ｃ＝６０．６９％，Ｈ＝１．２２％，Ｎ＝１
７．６１％ （Ｃ16Ｈ4 Ｎ4 Ｓ2 としての計算値：Ｃ＝６０．７４
％，Ｈ＝１．２７％，Ｎ＝１７．７１％） サイクリックボルタンメトリー：Ｅ1 1/2 ＝＋０．２０
Ｖ Ｅ2 1/2 ＝−０．０５Ｖ ΔＥ＝０．２５Ｖ 測定条件：陽極，陰極…白金 スキャン速度：１００ｍＶ／ｓｅｃ，電流：１ｍＡ 参照電極：Ａｇ／ＡｇＣｌ 溶液：１０-3Ｍジメチルホルムアミド溶液 （０．１Ｍテトラｎ−ブチルアンモニウムパークロレー
ト添加） なお同条件でＴＣＮＱの半波還元電位は次のとおりであ
った。 ＴＣＮＱ：Ｅ1 1/2 ＝＋０．２６Ｖ，Ｅ2 1/2 ＝−０．
３２Ｖ， ΔＥ＝０．５８Ｖ
【００２５】実施例２（電荷移動錯体の調整） 等モルの電子供与体と電子受容体（本発明品）とを各々
ｏ−ジクロロベンゼン溶媒に加熱溶解し、直接混合し
た。室温で放置後、析出した固体を濾取し、塩化メチレ
ンで洗浄し乾燥した。得られた錯体の諸物性を表１に示
す。
ｏ−ジクロロベンゼン溶媒に加熱溶解し、直接混合し
た。室温で放置後、析出した固体を濾取し、塩化メチレ
ンで洗浄し乾燥した。得られた錯体の諸物性を表１に示
す。
【００２６】
【表１】
【００２７】注…ＴＴＮ：５，６，１１，１２−テトラ
チアテトラセン ＨＭＴＴｅＦ：ヘキサメチレンテトラテルラフルバレン ＤＭＴＴｅＡ：２，３−ジメチル−１，４，５，１０−
テトラテルラアントラセン
チアテトラセン ＨＭＴＴｅＦ：ヘキサメチレンテトラテルラフルバレン ＤＭＴＴｅＡ：２，３−ジメチル−１，４，５，１０−
テトラテルラアントラセン
【００２８】
【発明の効果】本発明の式（Ｉ）で示される化合物およ
びこの化合物を電子受容体とする電荷移動錯体はいずれ
も新規物質であり、上記化合物はテトラシアノキノジメ
タン（ＴＣＮＱ）と同程度の高い電子親和力を有し、他
の電子供与体と組合わせることにより高導電性の有機電
荷移動錯体が得られる。
びこの化合物を電子受容体とする電荷移動錯体はいずれ
も新規物質であり、上記化合物はテトラシアノキノジメ
タン（ＴＣＮＱ）と同程度の高い電子親和力を有し、他
の電子供与体と組合わせることにより高導電性の有機電
荷移動錯体が得られる。
Claims (4)
- 【請求項１】 下記式（Ｉ）で表わされる化合物。 【化１】
- 【請求項２】 式（Ｉ）で表わされる化合物を電子受容
体とし、他の成分の電子供与体とからなる導電性電荷移
動錯体。 - 【請求項３】 電子供与体成分がテトラチオテトラセ
ン，ヘキサメチレンテトラテルラフルバレン，２，３−
ジメチル−１，４，９，１０−テトラテルロアントラセ
ン，テトラフェニルビピラニリデン，テトラチアテトラ
セン，２，３−ジメチル−４，５，１０，１１−テトラ
ゼレノテトラセン，ナフタセノ〔５，６−ｃｄ；１１，
１２−ｃ´ｄ´〕ビス〔１，２〕−ジチオール，テトラ
チアフルバレンより選ばれる請求項２記載の導電性電荷
移動錯体。 - 【請求項４】 電子受容体と電子供与体のモル比が１：
１〜２：１である請求項２又は３記載の導電性電荷移動
錯体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23568392A JPH0680672A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 新規電子受容体及びこれを成分とする導電性移動錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23568392A JPH0680672A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 新規電子受容体及びこれを成分とする導電性移動錯体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0680672A true JPH0680672A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=16989665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23568392A Pending JPH0680672A (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 新規電子受容体及びこれを成分とする導電性移動錯体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680672A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004002407A (ja) * | 2002-04-24 | 2004-01-08 | Merck Patent Gmbh | 反応性メソゲニックベンゾジチオフェン |
| WO2008123504A1 (ja) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujifilm Corporation | 紫外線吸収剤組成物 |
| JP2008258592A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Hiroshima Univ | 電界効果トランジスタ |
| WO2009022736A1 (ja) | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Fujifilm Corporation | ヘテロ環化合物、紫外線吸収剤及びこれを含む組成物 |
| WO2010024441A1 (ja) | 2008-09-01 | 2010-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 紫外線吸収剤組成物 |
| US11349080B2 (en) | 2017-12-13 | 2022-05-31 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11466009B2 (en) | 2017-12-13 | 2022-10-11 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11466026B2 (en) | 2017-12-13 | 2022-10-11 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
| US11897896B2 (en) | 2017-12-13 | 2024-02-13 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP23568392A patent/JPH0680672A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2008258592A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Hiroshima Univ | 電界効果トランジスタ |
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| WO2009022736A1 (ja) | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Fujifilm Corporation | ヘテロ環化合物、紫外線吸収剤及びこれを含む組成物 |
| WO2010024441A1 (ja) | 2008-09-01 | 2010-03-04 | 富士フイルム株式会社 | 紫外線吸収剤組成物 |
| US11349080B2 (en) | 2017-12-13 | 2022-05-31 | Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent materials and devices |
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