JPH0675379A - ポリイミドのパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】本発明は、（１）ポリイミド前駆体と、電子受
容性基およびアミノ基またはその４級化塩を含む化合物
とを含むポリマ溶液を基板上に塗布する工程、（２）該
基板をプリベークする工程、（３）上記基板上の所定の
部分に電子供与剤を塗布する工程、（４）溶剤により現
像する工程、および（５）上記基板に熱処理を行い、イ
ミド化する工程、とを含むことを特徴とするポリイミド
のパターン形成方法である。 【効果】本発明によれば、フォトリソグラフィーなどの
手法によることなくポリイミドのパターンを得ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミドのパターン
形成方法に関するものであり、さらに詳しくは、フォト
リソグラフィーなどの手法を用いずにポリイミドのパタ
ーン形成を行う方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポリイミドは優れた電気特性、耐熱性を
有するため、電気業界において、半導体素子やそれらを
実装する基板の表面保護膜、層間絶縁膜として、広く使
われている。このような用途に使用する場合、ポリイミ
ドをパターン加工して必要な電気配線を行えるようにす
るのが常である。

【０００３】このためのポリイミドのパターン形成方法
については、ネガレジストをマスクとしてポリイミドを
ヒドラジンなどの有機の強アルカリによりエッチングす
る方法（例えば、特開昭５３−４９７０１号公報）、ポ
ジレジストをマスクとして完全にポリイミドになってい
ない膜をポジレジストの現像と同時に弱い有機アルカリ
によりエッチングする方法（例えば、R.A.Dine-Hart,他
Br.Polym.J.3,222(1971) ）、ポリイミドに感光性を付
与してそれ自体に光照射を行いパターンを得る方法（例
えば、特公昭５９−５２８２２号公報）などが知られて
いる。

【０００４】しかしながら、従来のパターン形成方法に
おいては、高価なフォトリソグラフィーの装置が必要で
ある。したがって、微細なパターン加工を要求されてい
ない場合には不経済となるため、ポリイミドを適用する
範囲が限られ、ポリイミドの利用促進の妨げとなってい
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、上記欠点、すなわち、フォトリソグラフィーに
よる手法を必要とせず、容易にパターン加工を行うこと
の出来るポリイミドのパターン形成方法を提供すること
にある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
（１）一般式［１］で表される構造単位を有するポリマ
（Ａ）と、

【化３】 （ただし、Ｒ¹ は少なくとも２個以上の炭素原子を有す
る３価または４価の有機基、Ｒ² は少なくとも２個以上
の炭素原子を有する２価の有機基、Ｒ³ は水素、アルカ
リ金属イオンまたはアンモニウムイオンを表す。ｎは１
または２である。） 電子受容性基およびアミノ基またはその４級化塩を含む
化合物（Ｂ）とを含むポリマ溶液を基板上に塗布する工
程、（２）該基板をプリベークする工程、（３）上記基
板上の所定の部分に電子供与剤を塗布する工程、（４）
溶剤により現像する工程、および（５）上記基板に熱処
理を行い、イミド化する工程、とを含むことを特徴とす
るポリイミドのパターン形成方法により達成される。

【０００７】本発明における一般式［１］で表される構
造単位を有するポリマ（Ａ）としては、前記一般式
［１］で示される構造を有し、加熱あるいは適当な触媒
によりイミド環や、その他環状構造を有するポリマ（以
後、ポリイミド系ポリマと呼ぶ）となり得るものを挙げ
ることができる。

【０００８】上記一般式［１］中、Ｒ¹ は少なくとも２
個以上の炭素原子を有する３価または４価の有機基であ
る。ポリイミド系ポリマの耐熱性から、Ｒ¹ はポリマ主
鎖のカルボニル基との結合が芳香族複素環から直接行わ
れる構造を有するものが好ましい。したがって、Ｒ¹ と
しては、芳香環または芳香族複素環を含有し、かつ炭素
数６〜３０の３価または４価の基が好ましい。

【０００９】Ｒ¹ の好ましい具体的な例としては、ピロ
メリット酸残基、３，３´，４，４´−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸残基、３，３´，４，４´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸残基、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシルフェニル）ヘキサフルオロプロパン残基、
３，３´，４，４´−ジフェニルエーテルテトラカルボ
ン酸残基などが挙げられるが、これらに限定されない。

【００１０】ポリマ（Ａ）は、Ｒ¹ がこれらのうちの１
種から構成されていても良いし、２種以上から構成され
る共重合体であっても構わない。

【００１１】上記一般式［１］中、Ｒ² は少なくとも２
個以上の炭素原子を有する２価の有機基である。Ｒ¹ と
同様、ポリイミド系ポリマの耐熱性から、Ｒ² はポリマ
主鎖のカルボニル基との結合が芳香族環から直接行われ
る構造を有するものが好ましい。したがって、Ｒ² とし
ては芳香族環または芳香族複素環を含有し、かつ炭素数
６〜３０の２価の基が好ましい。

【００１２】Ｒ² の好ましい具体的な例としては、４，
４´−ジアミノジフェニルエーテル残基、４，４´−ジ
アミノジフェニルメタン残基、４，４´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド残基、４，４´−ジアミノジフェニル
スルホン残基、パラフェニレンジアミン残基、メタフェ
ニレンジアミン残基、ベンチジン残基などが挙げられる
が、これらに限定されない。

【００１３】ポリマ（Ａ）は、Ｒ² がこれらのうちの１
種から構成されていても良いし、２種以上から構成され
る共重合体であっても構わない。

【００１４】さらに、ポリイミド系ポリマの接着性を向
上させるために、耐熱性を低下させない範囲でＲ² とし
て、シロキサン結合を有する脂肪族性の基を共重合する
ことも可能である。好ましい具体例としては、１，３−
ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン
残基が挙げられる。

【００１５】上記一般式［１］中、Ｒ³ は水素、アルカ
リ金属イオンまたはアンモニウムイオンであり、ｎは１
または２である。

【００１６】ポリマ（Ａ）は、一般式［１］で表される
構造単位のみから成るものであっても良いし、他の構造
単位との共重合体あるいはブレンド体であっても良い。
その際、一般式［１］で表される構造単位を９０モル％
以上含有していることが好ましい。共重合に用いられる
構造単位の種類、量としては、最終加熱処理によって得
られるポリイミド系ポリマの耐熱性を著しく損なわない
範囲で選択するのが望ましい。

【００１７】ポリマ（Ａ）の具体的な例として、ピロメ
リット酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエー
テル、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエ−テ
ル、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸
２無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、ピ
ロメリット酸２無水物と３，３´−（または４，４´）
ジアミノジフェニルスルホン、ピロメリット酸２無水物
および３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸２無水物と３，３´−（または４，４´）ジアミ
ノジフェニルスルホン、３，３´，４，４´−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸２無水物と３，３´−（または
４，４´）ジアミノジフェニルスルホン、３，３´，
４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸２無水物と３，
３´−（または４，４´）ジアミノジフェニルスルホ
ン、ピロメリット酸２無水物と４，４´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、３，３´，４，４´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、３，３´，４，４´−ビフェニルテ
トラカルボン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸２無水物とパラフェニレンジアミン、
３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸２無
水物とパラフェニレンジアミン、ピロメリット酸２無水
物および３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸２無水物とパラフェニレンジアミン、ピロメリ
ット酸２無水物および３，３´，４，４´−ビフェニル
テトラカルボン酸２無水物とパラフェニレンジアミン、
３，３´，４，４´−ジフェニルエーテルテトラカルボ
ン酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，３´，４，４´−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸２無水物とパラフェニレンジアミン、ピロメリ
ット酸２無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエーテ
ルおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン、などから合成されたポリアミド酸が好ましく
用いられる。

【００１８】電子受容性基およびアミノ基またはその４
級化塩を含む化合物（Ｂ）としては、１分子中に電子受
容性基とアミノ基または４級化したアミノ基を含む化合
物が用いられる。

【００１９】電子受容性基としては、炭素−炭素２重結
合、ポリエン、ベンゼン環、ピリジン環、キノリン環、
ナフタレン環のようなπ電子のつながりで形成された基
に、ニトロ基やカルボキシル基、アルコキシカルボキシ
ル基、スルホン酸基、アルデヒド基、アシル基、シアノ
基などの電子吸引性基が少なくとも１つ以上結合したも
のが好ましく、さらにこれらのπ電子のつながりで形成
された基に弱い電子供与性基であるアルコキシ基、アル
キル基、ハロゲン原子、ハロゲン化メチル基などが１個
以上結合してπ電子の共役状態を大きくしたものがさら
に好ましく用いられる。このような電子受容性基に加え
アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、ピリジン環、
キノリン環、トリアルキルアミノ基の水酸塩、アルキル
ピリジウム基のトシル塩などのアミノ基またはその４級
化塩が化合物中に存在することで、本発明の目的を達成
することができる。

【００２０】化合物（Ｂ）において、アミノ基が４級化
されていない場合は一般式［１］のＲ³ が水素のポリマ
（Ａ）と組合わせるのが好ましい。アミノ基が４級化さ
れている場合は一般式［１］のＲ³ がアルカリ金属イオ
ンまたはアンモニウムイオンのポリマ（Ａ）と組合わせ
るのが好ましい。

【００２１】このような化合物（Ｂ）として、例えば、
以下の一般式［２］で表される化合物を挙げることがで
きる。

【００２２】

【化４】 上記一般式［２］中、Ｒ⁴ は、フェニル基、ナフチル
基、アンスリル基、ピリジル基またはキノリル基であ
る。これらのうちで、特に好ましいものは、フェニル
基、ナフチル基、アンスリル基である。

【００２３】Ｐは、水酸基、−ＯＲ⁵ （ただし、Ｒ⁵ は
炭素数１から３までの有機基）、アミノ基、ハロゲン原
子またはハロゲン化メチル基である。具体的には、メト
キシ基、エトキシ基、ジメチルアミノ基、フッ素原子、
塩素原子、トリフルオロメチル基などが挙げられ、これ
らの中で特に好ましいものは、メトキシ基、エトキシ基
などのアルコキシ基である。ｐは０から５までの整数
で、ｐが２以上の場合、Ｐは互いに同一であっても異な
っていても構わない。

【００２４】Ｑは、ニトロ基、カルボニル基、アルデヒ
ド基、カルボキシル基、−ＣＯＯＲ⁶ （ただし、Ｒ⁶ は
炭素数１から１０までの有機基）、スルホン酸基、−Ｓ
Ｏ₂Ｒ⁷ （ただし、Ｒ⁷ は炭素数１から１０までの有機
基）またはシアノ基である。具体的には、ニトロ基、ベ
ンゾフェノン基、メチルケトン基、エチルケトン基、ア
ルデヒド基、カルボキシル基、メチルカルボキシル基、
エチルカルボキシル基、フェニルカルボキシル基、スル
ホン酸基、メチルスルホン酸基、ｐ−トルエンスルホン
酸基、シアノ基などが挙げられ、これらの中で特に好ま
しいものは、ニトロ基、シアノ基、ベンゾフェノン基で
ある。ｑは０から５までの整数であるが、上記ｐとｑの
和が６より小さくなくてはならない。Ｐの場合と同様、
ｑが２以上の場合には、Ｑは互いに同一であっても異な
っていても構わない。

【００２５】Ｘは、−ＣＯＯ−、−Ｏ−、−ＣＨ₂ −、
−ＳＯ₂ −、−ＳＯ−または−ＣＯ−である。これらの
中で特に好ましいものは、−ＣＯＯ−、−Ｏ−である。

【００２６】Ｔは、炭素数１から６までのアルキルアミ
ノ基、ジアルキルアミノ基、ピリジン環またはキノリン
環である。具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、ピリジル基、メチルピリジル
基、キノリル基などが挙げられ、これらの中で特に好ま
しいものは、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ピ
リジル基である。

【００２７】また、ｕは０から６までの整数、ｒは１か
ら１０までの整数、ｓは０から６までの整数である。

【００２８】上記一般式［２］で表される化合物の具体
的な例としては、ジメチルアミノエチルベンゾエート、
ジメチルアミノエチル−ニトロベンゾエート、ジメチル
アミノエチル−ジニトロベンゾエート、ジエチルアミノ
エチル−メトキシベンゾエート、ジプロピルアミノヘキ
シル−メトキシベンゾエート、ジメチルアミノエチル−
シアノベンゾエート、ジブチルアミノブチル−シアノベ
ンゾエート、ジエチルアミノエチル−トリニトロベンゾ
エート、ジメチルアミノエチル−トリメトキシベンゾエ
ート、ジメチルアミノエチル−ニトロメトキシベンゾエ
ート、ジメチルアミノエチル−フェニルアセテート、ジ
メチルアミノエチル−メトキシフェニルアセテート、ジ
メチルアミノエチル−ナフタレート、ジメチルアミノエ
チル−ジメトキシベンゾエート、ジメチルアミノエチル
−ニトロフェニルアセテート、ジメチルアミノエチル−
シアノフェニルアセテート、ジエチルアミノプロピル−
ニトロベンゾエート、ジエチルアミノプロピル−メトキ
シベンゾエート、ジメチルアミノエチルベンジルエーテ
ル、ジメチルアミノエチルフェニルスルホン、クロロア
ントラセンカルボン酸ジメチルアミノエチル、ニトロピ
リジンカルボン酸ジメチルアミノエチル、フルオロキノ
リンカルボン酸ジエチルアミノプロピル、クロロメチル
ピリジンスルホン酸ジメチルアミノブチル、ニトロフェ
ニルジメチルアミノエチルケトン、シアノナフチルスル
ホン酸ジメチルアミノエチル、１−ジニトロフェニル−
２−ピリジルエタン、１−メトキシベンズアルデヒド−
２−キノリルエタン、ジメチルアミノエチルスルホンメ
チルベンゾフェノンなどが挙げられるが、これらに限定
されない。

【００２９】化合物（Ｂ）は、ポリマ（Ａ）の全カルボ
キシル基（またはその塩）の０．０５倍当量以上でポリ
マ（Ａ）と混合されていることが好ましく、より好まし
くは、０．３〜２倍当量である。化合物（Ｂ）が少なす
ぎると、パターンの保持特性が悪くなりやすく、多すぎ
ると、現像時間、温度などの現像条件の許容幅が狭くな
ることなどの恐れがある。

【００３０】本発明におけるポリマ溶液は、上記のポリ
マ（Ａ）と化合物（Ｂ）とを含むものであり、さらにジ
メチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエ
チルアクリレート、アクリロイルモルホリン、ジメチル
アリルアミン、ジメチルアミノアクリルアミド、Ｎ−メ
チロールアクリルアミド、ジメチルアミノプロピルアク
リルアミドなどのような化合物を添加することができ
る。その添加量としては、化合物（Ｂ）に対して１０〜
９０重量％が好ましい。

【００３１】ポリマ溶液に使用される溶媒としては、ポ
リマの溶解性の面から極性溶媒が好ましく、特に非プロ
トン性極性溶媒が好ましい。非プロトン性極性溶媒とし
ては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ
−ブチロラクトン、ジメチルアミノアクリルアミドなど
が好ましく用いられる。

【００３２】また、本発明のポリマ（Ａ）と化合物
（Ｂ）を混合することで感光性ポリイミド前駆体の溶液
となるので、本発明の作業は、暗所あるいは黄色灯、赤
色灯のもとで行うのが好ましい。

【００３３】本発明においては、まず上記ポリマ溶液を
基板上に塗布する。基板としては、シリコンウェハーな
どの半導体基板、アルミナなどのセラミックス基板、ア
ルミニウム、鉄、クロムなどの金属基板、ガラス基板、
プラスチック基板などが用いられる。

【００３４】塗布方法としては、スピンナーを用いた回
転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印
刷、ロールコーティングなどの手段が可能である。塗布
膜厚は、塗布手段、溶液の固形分濃度、粘度などによっ
て調節することができるが、通常、乾燥後の膜厚が、１
〜１００μｍの範囲になるように塗布される。

【００３５】次に、上記ポリマ溶液を塗布した基板に、
プリベークを行い、溶剤を乾燥させる。このプリベーク
は、循環式オーブンあるいはホットプレートなどを用い
る公知の方法によって行うことができる。本工程の温度
範囲としては、５０〜１２０℃が好ましく、循環式オー
ブンの場合は５０〜１００℃で１０分〜３時間の範囲、
ホットプレートの場合は６０〜１２０℃で１〜３０分の
範囲で行うのがより好ましい。この範囲を外れると現像
処理の際に、全てが溶解、あるいは全てが溶解しない恐
れがある。

【００３６】次に、上記の乾燥後の基板上の所定部分に
電子供与剤の溶液を塗布する。所定の部分とは、最終的
にポリイミドとして残存させるべき部分のことであり、
例えば、基板、半導体素子などの電子部品の絶縁、保護
を行う必要がある部分である。この該所定部分の解像度
は、１０μｍより大きな線幅の直線、曲線、三角形、四
角形、円などのパターンあるいはこれらの組み合わせに
より構成されることが好ましい。線幅が、これより狭い
場合、それぞれが解像できないなどの問題が起こり好ま
しくない。本発明では、最低の線幅は１０μｍであるこ
とが好ましく、より好ましくは５０μｍ、さらに好まし
くは１００μｍ以上のサイズであるものが良い。

【００３７】電子供与剤としては、電子供与体として作
用するものであれば、公知のものが使用しうる。例え
ば、ビス（エチレンジチオ）テトラチアフルバレン、テ
トラキス（ジメチルアミノ）エチレン、テトラキス（メ
チルチオ）テトラチアフルバレン、テトラチアフルバレ
ンなどが好ましく使用される。本発明では、上記電子供
与剤をテトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル
系溶媒あるいはメタノール、エタノールなどのアルコー
ル系溶媒、クロロホルム、塩化メチレンなどの含ハロゲ
ン炭化水素溶媒などの溶媒に溶解して使用することが好
ましい。電子供与剤の溶液の塗布方法としては、所定の
部分に印刷、刷毛塗りなどの方法で塗布、あるいはマス
クで必要な部分を露出させスプレー噴霧するなどの方法
が挙げられる。

【００３８】この電子供与剤による処理の後に必要に応
じて、熱処理を行い、電子供与剤の効果をさらに高める
こともできる。このときの温度範囲としては、５０〜１
２０℃が好ましい。

【００３９】この後、溶剤によって、現像を行い、不必
要な部分を洗い流す。溶剤としては、ポリマの良溶剤で
あるＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの溶媒
を単独であるいはメタノール、エタノール、イソプロパ
ノール、酢酸ブチル、酢酸エチル、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、アセトニトリルなどの溶媒と混合したも
のを好ましく使用することができる。このような溶剤と
しては、感光性ポリイミドの現像液として一般に市販さ
れているものも使用できる。具体的には、東レ（株）製
ＤＶ−１４５、ＤＶ−５０５、ＤＶ−６０５、旭化成
（株）製Ａ−１４５など挙げられる。

【００４０】不必要な部分を洗い流す現像工程は、上記
溶液の中に浸漬する、超音波を加えながら浸漬する、ス
プレーで噴霧するなどの方法により行える。以上で、必
要なポリイミド前駆体のパターンを得ることができる。

【００４１】この後に、基板に熱処理を行い、ポリイミ
ド前駆体を完全なポリイミドに変換し、ポリイミドのパ
ターンを得る。本工程は通常、オーブン、ホットプレー
ト、炉中などで行われる。温度範囲としては、２００〜
５００℃が好ましい。

【００４２】本発明のポリイミドのパターン形成方法
は、半導体素子、実装基板、液晶表示素子、ラインセン
サーの表面保護膜、絶縁膜、航空機、自動車などの保護
構造体など、ポリイミドを使用する公知の用途に使用す
ることができる。

【００４３】

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。

【００４４】実施例１〜９、比較例１、２ ＜ポリマの重合＞温度計、窒素流入管を取り付けた４つ
口フラスコに４、４´−ジアミノジフェニルエーテル２
０．０ｇを入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１５０ｇ
に溶解させる。ここに無水ピロメリット酸２１．０ｇを
Ｎ−メチル−２−ピロリドン３０ｇとともに一度に加
え、氷浴中で激しく１時間攪拌した。その後、５０℃に
浴の温度を上昇し３時間反応を行いポリイミド前駆体
（ａ）の溶液を得た。

【００４５】温度計、窒素流入管を取り付けた４つ口フ
ラスコに４、４´−ジアミノジフェニルスルフィド２
１．６ｇを入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１８０ｇ
に溶解させる。ここにベンゾフェノンテトラカルボン酸
２無水物３２．０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン５０
ｇとともに一度に加え、氷浴中で激しく１時間攪拌し
た。その後、５０℃に浴の温度を上昇し３時間反応を行
いポリイミド前駆体（ｂ）の溶液を得た。

【００４６】＜パターン加工溶液の作成＞ポリイミド前
駆体（ａ）または（ｂ）の溶液１００ｇに、ポリイミド
前駆体のカルボキシル基と当量の電子受容性基およびア
ミノ基を有する化合物を添加し、パターン加工溶液を得
た。使用したアミノ化合物を表１に示す。

【００４７】＜パターン加工＞上記パターン加工溶液を
４インチシリコンウエハー上に大日本スクリーン製造
（株）製ＳＣＷ−６３６型を用いてスピン塗布した。こ
れを８０℃のオーブン中に１時間入れ、乾燥を行った。
この時の膜厚は１０μｍであった。

【００４８】これに、アルミ箔で作成した線幅１００μ
ｍの直線のパターンを貼り付け、その上から、電子供与
剤の３％イソプロパノール溶液を霧吹きを用いて噴霧処
理した。使用した電子供与剤を表２に示す。この後、８
０℃のオーブンで１０分間処理を行った。

【００４９】処理終了後、東レ（株）製感光性ポリイミ
ド用現像液ＤＶ−６０５を用いて未処理部分を溶解させ
た。この後の処理部分の膜厚を測定し、初期の膜厚で割
ることで残膜率を算出した。この残膜率が高いほど性能
がよい。また同時にパターンの線幅を測定した。この値
は１００μｍに近いほど良い。

【００５０】次に、２００℃、４００℃で各１時間づつ
処理を行いポリイミドのパターンを得た。結果を表３に
示す。

【００５１】

【表１】

【表２】

【表３】 実施例１０ ポリイミド前駆体溶液（ｂ）１００ｇにジメチルアミノ
エチル−３、５−ジニトロベンゾエート２０ｇを加えよ
く攪拌し、パターン加工溶液を得た。

【００５２】上記パターン加工溶液を４インチシリコン
ウエハー上に大日本スクリーン（株）製ＳＣＷ−６３６
型を用いてスピン塗布した。これを８０℃のオーブン中
に１時間入れ、乾燥を行った。この時の膜厚は１０μｍ
であった。

【００５３】つづいて、テトラチアフルバレンの３％イ
ソプロパノール溶液を線幅１ｍｍの直線状に筆を用いて
塗布した。

【００５４】塗布後、東レ（株）製感光性ポリイミド用
現像液ＤＶ−６０５に３分間浸漬し、未処理部分を溶解
させた。この後の処理部分の膜厚を測定し、初期の膜厚
で割ることで残膜率を算出したところ、７３％であっ
た。また線幅は、１ｍｍであった。

【００５５】次に、２００℃、４００℃で各１時間づつ
処理を行いポリイミドのパターンを得た。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（１）一般式［１］で表される構造単位を
   有するポリマ（Ａ）と、 【化１】 （ただし、Ｒ¹ は少なくとも２個以上の炭素原子を有す
   る３価または４価の有機基、Ｒ² は少なくとも２個以上
   の炭素原子を有する２価の有機基、Ｒ³ は水素、アルカ
   リ金属イオンまたはアンモニウムイオンを表す。ｎは１
   または２である。） 電子受容性基およびアミノ基またはその４級化塩を含む
   化合物（Ｂ）とを含むポリマ溶液を基板上に塗布する工
   程、（２）該基板をプリベークする工程、（３）上記基
   板上の所定の部分に電子供与剤を塗布する工程、（４）
   溶剤により現像する工程、および（５）上記基板に熱処
   理を行い、イミド化する工程、とを含むことを特徴とす
   るポリイミドのパターン形成方法。
2. 【請求項２】電子受容性基およびアミノ基またはその４
   級化塩を含む化合物（Ｂ）が、一般式［２］で表される
   ことを特徴とする請求項１記載のポリイミドのパターン
   形成方法。 【化２】 （ただし、Ｒ⁴ は、フェニル基、ナフチル基、アンスリ
   ル基、ピリジル基またはキノリル基、Ｐは、水酸基、−
   ＯＲ⁵ （ただし、Ｒ⁵ は炭素数１から３までの有機
   基）、アミノ基、ハロゲン原子またはハロゲン化メチル
   基、Ｑは、ニトロ基、カルボニル基、アルデヒド基、カ
   ルボキシル基、−ＣＯＯＲ⁶ （ただし、Ｒ⁶ は炭素数１
   から１０までの有機基）、スルホン酸基、−ＳＯ₂ Ｒ⁷
   （ただし、Ｒ⁷は炭素数１から１０までの有機基）また
   はシアノ基、Ｘは、−ＣＯＯ−、−Ｏ−、−ＣＨ₂ −、
   −ＳＯ₂ −、−ＳＯ−または−ＣＯ−、Ｔは、炭素数１
   から６までのアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、
   ピリジン環またはキノリン環を表す。ｐは０から５まで
   の整数、ｑは０から５までの整数、ｐ＋ｑ＜６、ｕは０
   から６までの整数、ｒは１から１０までの整数、ｓは１
   から５までの整数である。）