JPH0669282A - 基板上でのバンプ電極の形成方法 - Google Patents

基板上でのバンプ電極の形成方法

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JPH0669282A
JPH0669282A JP24270992A JP24270992A JPH0669282A JP H0669282 A JPH0669282 A JP H0669282A JP 24270992 A JP24270992 A JP 24270992A JP 24270992 A JP24270992 A JP 24270992A JP H0669282 A JPH0669282 A JP H0669282A
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JP24270992A
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Harufumi Bandai
治文 萬代
Shintaro Karaki
信太郎 唐木
Hiroshi Matsui
博志 松井
Kimihide Sugo
公英 須郷
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof

Abstract

(57)【要約】 【目的】 セラミック基板上の電極パッドにバンプ電極
を簡単にしかも確実に形成することができるようにす
る。 【構成】 表面に電極パッドを設けたセラミック基板1
1上に重ねる凹版13に、両者の端面11a,13aを
基準にして電極パッドの位置と対応する凹孔14を形成
し、凹孔14に半田ペーストを充填した凹版13を裏返
しにしてセラミック基板11上に端面11a,13aを
合わせて重ね合わせ、この状態で半田ペーストを加熱溶
融させた後、凹版13とセラミック基板11を分離すれ
ば、セラミック基板11の電極パッド上にバンプ電極1
6を形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、集積回路や各種電子
部品を接続するため、プリント配線基板や多層基板のよ
うな基板上に設けるバンプ電極の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路や各種電子部品の接続におい
て、接続に用いる基板、主としてセラミック基板のプリ
ント配線上に半田等のバンプ電極を設け、このバンプ電
極を加熱溶融して接続することが行なわれている。
【0003】図7乃至図11は従来のバンプ電極形成方
法を示しており、先ず図7のように導電性材料からなる
複数の電極パッド2が形成されたセラミック基板1を用
意するとともに、図8の如く電極パッド2と等しい配置
の貫通孔3を設けたメタルマスク4を用意する。
【0004】次に図8の如く、セラミック基板1上にメ
タルマスク4を重ね、電極パッド2に貫通孔3を位置合
せし、この状態でメタルマスク4上から半田ペーストA
を各貫通孔3に充填し、この後セラミック基板1とメタ
ルマスク4を重ねたままリフロー炉に入れて加熱する。
【0005】加熱処理により、図9の如く、貫通孔3内
の半田ペーストAは溶融して半円球状になり、電極パッ
ド2上に接合することになり、図10のように洗浄後に
メタルマスク4をセラミック基板1から取外すと、セラ
ミック基板1の各電極パッド2上に半円球状のバンプ電
極5が形成される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来の形成方法は、セラミック基板1の電極パッド2
とメタルマスク4の貫通孔3を個々にセンタリングして
正確に位置合せする必要があり、位置合せに手間と時間
がかかるという問題がある。
【0007】また、メタルマスク4の貫通孔3を用いて
バンプ電極5を形成する場合、図11のように、セラミ
ック基板1にうねりや反りがあると、貫通孔3内に貯留
した半田ペーストAが電極パッド2上に接地できない場
合が生じ、半田ペーストAが溶融しても結果としてバン
プ電極が形成できないという問題がある。
【0008】そこでこの発明の目的は、上記のような問
題点を解決するため、バンプ電極の形成が簡単に能率よ
く行なえると共に、基板にうねりや反りがあっても電極
パッド上に確実にバンプ電極を形成することができる基
板上でのバンプ電極の形成方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
するため、この発明は、表面に電極パッドを設けた基板
に重ねるために用意された凹版に、両者の端面を基準に
して電極パッドの位置と対応する凹孔を形成し、この凹
版の凹孔内にバンプ電極形成材料を充填し、次に凹版を
裏返して凹版と基板の端面を合わせ、基板を下にして凹
版と基板を重ね合わせ、バンプ電極形成材料を加熱溶融
させた後、凹版と基板を分離することにより電極パッド
上にバンプ電極を形成する構成を採用したものである。
【0010】
【作用】凹版に形成した凹孔内にバンプ電極形成材料を
充填し、この凹版を裏返して、この凹版と基板の端面を
合わせ、基板を下にして凹版と基板を重ね合わせ、これ
を加熱処理してバンプ電極形成材料を加熱溶融させれ
ば、半円球状になって確実に電極パッド上に接合し、凹
版と基板を分離すれば電極パッド上にバンプ電極を形成
することができる。
【0011】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面の図1乃
至図6に基づいて説明する。
【0012】図1のように、セラミック基板11(この
実施例では基板としてセラミックが用いられているがこ
れに限らない)の表面に導電性材料を用いて複数の電極
パッド12を設けると共に、この電極パッド12上にバ
ンプ電極を形成するため、図2に示す凹版13が用意さ
れる。
【0013】この凹版13にはその一面側に凹孔14が
セラミック基板11の端面11aと凹版13の端面13
aを基準にして、電極パッド12の位置と対応する位置
に設けられている。
【0014】上記凹版13の形成材料は、セラミック基
板11と同じ材料のセラミックやメタル、耐熱性の合成
樹脂等を用いることができ、セラミックを用いると耐熱
性にすぐれ、凹版13のライフサイクルを長くできると
いう利点がある。
【0015】この凹版13を用い、セラミック基板11
の電極パッド12上にバンプ電極を形成するには、先ず
図2のように、凹版13の各凹孔14内にバンプ電極形
成材料となる例えば半田ペーストAを例えばスキージ1
5を用いて充填する。
【0016】次に、凹版13を図3の如く、裏返しにし
て凹版13の端面13aとセラミック基板11の端面1
1aを合わせ、セラミック基板11を下にして凹版13
とセラミック基板11を重ね合わせる。
【0017】凹版13の半田ペーストAが充填された凹
孔14は、凹版13の端面13aとセラミック基板11
の端面11aを基準にして電極パッド12と等しい位置
に形成されているため、凹版13とセラミック基板11
を両者の端面11aと13aを合わせて重ね合わせるこ
とにより、凹孔14は電極パッド12の上に正確に位置
決めされることになる。
【0018】図3のように、凹版13とセラミック基板
11を重ね合わせると、これをそのままリフロー炉に送
り込み、凹孔14内の半田ペーストを加熱溶融させる。
加熱によって溶融した半田ペーストは表面張力によって
半円球状のバンプ電極16になり、電極パッド12に接
合する。
【0019】上記加熱溶融によって形成されるバンプ電
極16は、図5のように凹版13の下面側に突出するよ
うな形状になろうとするため、図6の如く、セラミック
基板11にうねりや反りがある場合でもバンプ電極16
は確実に電極パッド12上に接合することになる。
【0020】リフロー炉から出した凹版13とセラミッ
ク基板11は、洗浄後に超音波振動で分離させ、図4の
如く凹版13をセラミック基板11上より取り外せば、
セラミック基板11の各電極パッド12上に半円球状の
バンプ電極16が形成されることになる。
【0021】このようにして形成されたバンプ電極16
は、セラミック基板11を用いて集積回路や各種電子部
品を接続するときに、回路や端子を接続するために使用
されることになる。
【0022】
【発明の効果】以上のように、この発明によると、基板
の電極パッド上に対するバンプ電極の形成が凹版と基板
の端面を基準とする位置合せによって行なえ、電極パッ
ドと凹孔の位置合せが極めて簡単になり、バンプ電極の
形成が正確に能率よく行なうことができるようになる。
【0023】また、基板にうねりや反りがある場合でも
バンプ電極は確実に電極パッドに接合し、バンプ電極の
形成が欠落するようなことがなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】セラミック基板の斜視図。
【図2】この発明の形成方法に用いる凹版の斜視図。
【図3】凹版とセラミック基板を重ね合わせた斜視図。
【図4】凹版をセラミック基板より取り外し、バンプ電
極を形成した状態を示す分解斜視図。
【図5】凹版の凹孔内に形成されるバンプ電極の形状を
示す斜視図。
【図6】セラミック基板にうねりがある場合のバンプ電
極の形成状態を示す正面図。
【図7】従来のバンプ電極の形成に用いるセラミック基
板の斜視図。
【図8】従来のバンプ電極の形成方法を示す半田ペース
ト充填時の斜視図。
【図9】同上の加熱処理の状態を示す斜視図。
【図10】メタルマスクを取り外したバンプ電極形成状
態を示す分解斜視図。
【符号の説明】
11 セラミック基板 12 電極パッド 13 凹版 14 貫通孔 16 バンプ電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年3月11日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】追加
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図11】従来の方法によるバンプ電極の形成状態を示
す部分断面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 須郷 公英 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面に電極パッドを設けた基板に重ねる
    ために用意された凹版に両者の端面を基準にして電極パ
    ッドの位置と対応する凹孔を形成し、この凹版の凹孔内
    にバンプ電極形成材料を充填し、次に凹版を裏返して凹
    版と基板の端面を合わせ、基板を下にして凹版と基板を
    重ね合わせ、バンプ電極形成材料を加熱溶融させた後、
    凹版と基板を分離することにより電極パッド上にバンプ
    電極を形成することを特徴とする基板上でのバンプ電極
    の形成方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH104127A (ja) * 1996-04-16 1998-01-06 Ngk Spark Plug Co Ltd 半田バンプを有する基板の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH104127A (ja) * 1996-04-16 1998-01-06 Ngk Spark Plug Co Ltd 半田バンプを有する基板の製造方法

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