JPH0665215B2 - デバイスの製造における無転移スロット分離のための方法 - Google Patents
デバイスの製造における無転移スロット分離のための方法Info
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- JPH0665215B2 JPH0665215B2 JP59504001A JP50400184A JPH0665215B2 JP H0665215 B2 JPH0665215 B2 JP H0665215B2 JP 59504001 A JP59504001 A JP 59504001A JP 50400184 A JP50400184 A JP 50400184A JP H0665215 B2 JPH0665215 B2 JP H0665215B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の背景 この発明は一般的に半導体ウエハに電子回路のスロット
分離を設けることに関し、一層特別には反応性イオンエ
ッチング技術によりシリコンウエハに無転移のスロット
を形成するための方法に関する。
分離を設けることに関し、一層特別には反応性イオンエ
ッチング技術によりシリコンウエハに無転移のスロット
を形成するための方法に関する。
背景および従来技術論述 半導体ウエハには多数の回路構成が作り上げられる。或
る場合においては1つの構成要素から他の構成要素への
電子的分離を与えることが必要である。これを成し遂げ
るための1つの方法は近接する回路構成間に明確な分離
を形成する半導体ウエハに窪みを設けることである。そ
のような窪みまたはスロットは無定型シリコンのような
適当なフィラー物質によって通常満たされる。
る場合においては1つの構成要素から他の構成要素への
電子的分離を与えることが必要である。これを成し遂げ
るための1つの方法は近接する回路構成間に明確な分離
を形成する半導体ウエハに窪みを設けることである。そ
のような窪みまたはスロットは無定型シリコンのような
適当なフィラー物質によって通常満たされる。
半導体ウエハに設けられる窪みまたはスロットは、ウエ
ハの表面を保護層、一般的には酸化層により覆い、その
酸化層をフォトレジスト層により覆い、所望の窪みまた
はスロットの位置に対応する位置に一連の窪みを設ける
ためにそのフォトレジスト層を露光しかつ現像し、それ
からその下側に横たわるウエハを露出するためにその酸
化層のこのように露光された部分をエッチングすること
によって慣用的に形成される。その後、異方性の反応性
イオンエッチングの技術はそのウエハに所望の深さのス
ロットを切欠くことに用いられている。プラズマ内のイ
オンはそのウエハがその上に置かれている電極に印加さ
れるバイアス電圧によりウエハの表面方向に一般的に加
速される。
ハの表面を保護層、一般的には酸化層により覆い、その
酸化層をフォトレジスト層により覆い、所望の窪みまた
はスロットの位置に対応する位置に一連の窪みを設ける
ためにそのフォトレジスト層を露光しかつ現像し、それ
からその下側に横たわるウエハを露出するためにその酸
化層のこのように露光された部分をエッチングすること
によって慣用的に形成される。その後、異方性の反応性
イオンエッチングの技術はそのウエハに所望の深さのス
ロットを切欠くことに用いられている。プラズマ内のイ
オンはそのウエハがその上に置かれている電極に印加さ
れるバイアス電圧によりウエハの表面方向に一般的に加
速される。
従来技術のプラズマエッチング技術には多数の問題が存
在する。存在する問題の1つはイオンに高エネルギを与
える比較的高いバイアス電圧の使用によりそのようなス
ロットの底より下で不純物が半導体ウエハに導入される
ことである。そのような不純物はウエハに嵌め込まれた
回路の性能に有害に影響する。存在する他の問題はその
ようなスロットの底が1つの原点となったりまたは鋭い
頂点の連続となったりまたは先端となったりするような
ことにおいて極めて角が立つようになりがちであること
である。これが生じたとき、後の酸化サイクルはデバイ
スの破壊に通じるウエハにおける転移の発生をもたら
す。上述の問題のいかなる解決も半導体ウエハの製造に
おいて製造時間が過度に長くはないことが重要であると
いう事実を考慮に入れなければならない。
在する。存在する問題の1つはイオンに高エネルギを与
える比較的高いバイアス電圧の使用によりそのようなス
ロットの底より下で不純物が半導体ウエハに導入される
ことである。そのような不純物はウエハに嵌め込まれた
回路の性能に有害に影響する。存在する他の問題はその
ようなスロットの底が1つの原点となったりまたは鋭い
頂点の連続となったりまたは先端となったりするような
ことにおいて極めて角が立つようになりがちであること
である。これが生じたとき、後の酸化サイクルはデバイ
スの破壊に通じるウエハにおける転移の発生をもたら
す。上述の問題のいかなる解決も半導体ウエハの製造に
おいて製造時間が過度に長くはないことが重要であると
いう事実を考慮に入れなければならない。
発明の概要 そこに所望の深さの窪みを設けるために半導体ウエハを
エッチングする新規な方法を提供することがこの発明の
目的である。
エッチングする新規な方法を提供することがこの発明の
目的である。
この発明の他の目的はほぼ平行な壁を有しかつその底に
頂点や先端がほぼ存在しないで半導体ウエハに窪みを設
けることである。
頂点や先端がほぼ存在しないで半導体ウエハに窪みを設
けることである。
この発明の他の目的は従来技術の方法に匹敵する速度で
ありかつエッチングプロセスによってもたらされるダメ
ージを減じたウエハを製造する半導体ウエハのエッチン
グ方法を提供することである。
ありかつエッチングプロセスによってもたらされるダメ
ージを減じたウエハを製造する半導体ウエハのエッチン
グ方法を提供することである。
付加的な目的、利点およびこの発明の新規な特徴は以下
に明細書の中で幾分明らかにされかつ幾分下記の調査の
上で当業者に明らかになりまたはこの発明を実施するこ
とにより習得されるかもしれない。その目的およびこの
発明の利点は添付された請求の範囲において特に指摘さ
れた手段、方法および組合わせにより理解され達成され
るであろう。
に明細書の中で幾分明らかにされかつ幾分下記の調査の
上で当業者に明らかになりまたはこの発明を実施するこ
とにより習得されるかもしれない。その目的およびこの
発明の利点は添付された請求の範囲において特に指摘さ
れた手段、方法および組合わせにより理解され達成され
るであろう。
発明の陳述 この発明の上述および他の目的は、所望の深さの窪みを
形成するためにエッチングされるべきウエハの部分をそ
れを通じて露出する開口を有するマスキング層によりマ
スクされた半導体ウエハをエッチングすることより、実
施されかつここで概略述べられているように、この発明
の目的に従って遂行される。この方法はまず第1に、比
較的高いバイアス電圧−比較的高いエネルギのプラズマ
エッチング条件下で塩素と形状修正種とを含むプラズマ
を用い露出された部分を所望の深さよりも浅い第1の深
さにプラズマエッチングし、次に第2に、比較的低いバ
イアス電圧−比較的低エネルギのプラズマエッチング条
件の下で塩素を含みかつ形状修正種のほとんどないプラ
ズマを用い第1の深さから所望の深さまでその窪みをエ
ッチングすることを含む。
形成するためにエッチングされるべきウエハの部分をそ
れを通じて露出する開口を有するマスキング層によりマ
スクされた半導体ウエハをエッチングすることより、実
施されかつここで概略述べられているように、この発明
の目的に従って遂行される。この方法はまず第1に、比
較的高いバイアス電圧−比較的高いエネルギのプラズマ
エッチング条件下で塩素と形状修正種とを含むプラズマ
を用い露出された部分を所望の深さよりも浅い第1の深
さにプラズマエッチングし、次に第2に、比較的低いバ
イアス電圧−比較的低エネルギのプラズマエッチング条
件の下で塩素を含みかつ形状修正種のほとんどないプラ
ズマを用い第1の深さから所望の深さまでその窪みをエ
ッチングすることを含む。
この発明に従って操作したとき、スロットはほぼ平行な
側面の壁と特にスロットの底部においては顕著であるが
ほぼ円形の内側とを有して半導体ウエハに形成される。
不純物の量およびウエハにおけるダメージはスロットの
浅いまたは深い部分への低バイアス電圧−低エネルギプ
ラズマの使用により比較的低く維持される。
側面の壁と特にスロットの底部においては顕著であるが
ほぼ円形の内側とを有して半導体ウエハに形成される。
不純物の量およびウエハにおけるダメージはスロットの
浅いまたは深い部分への低バイアス電圧−低エネルギプ
ラズマの使用により比較的低く維持される。
得られる利点および特徴の陳述 半導体ウエハに不純物が少なくかつダメージが少なくか
つほぼ平行な壁とほぼ滑らかな底部を有するスロットを
設けることにより、近接の回路構成からウエハ内におけ
る回路構成を良好に分離することが成し遂げられる。さ
らに、上述のことはウエハの中にスロットをエッチング
するために必要とされる時間を大して増大しないで行な
われる。
つほぼ平行な壁とほぼ滑らかな底部を有するスロットを
設けることにより、近接の回路構成からウエハ内におけ
る回路構成を良好に分離することが成し遂げられる。さ
らに、上述のことはウエハの中にスロットをエッチング
するために必要とされる時間を大して増大しないで行な
われる。
図面の簡単な説明 この発明の明細書に組み入れられかつ明細書の一部を構
成する、添付図面は、この発明の一実施例を示し、明細
書とともにこの発明の原理を説明するのに役立つ。図に
おいて: 第1図はそれについてエッチングを開始する前における
半導体ウエハの側面図である。
成する、添付図面は、この発明の一実施例を示し、明細
書とともにこの発明の原理を説明するのに役立つ。図に
おいて: 第1図はそれについてエッチングを開始する前における
半導体ウエハの側面図である。
第2図はこの発明の第1のプラズマエッチングのステッ
プの完了後における半導体ウエハを示す第1図と同様の
図である。
プの完了後における半導体ウエハを示す第1図と同様の
図である。
第3図はこの発明による第2のプラズマエッチングステ
ップの完了に伴う半導体ウエハを示す、第1図および第
2図に同様な図である。
ップの完了に伴う半導体ウエハを示す、第1図および第
2図に同様な図である。
発明の詳細な説明 その一例が添付図面に示されているこの発明の好ましい
一実施例について詳細に言及が今やなされるであろう。
一実施例について詳細に言及が今やなされるであろう。
第1図はマスキング層14を介して露出されたその表面の
部分12を有するシリコンウエハ10を示す。マスキング層
14は3つの部分からなる。下部16はウエハ10の表面18に
接する。下部16は一般的にフィールド酸化層として通常
知られている二酸化珪素層の性質を帯びている。フィー
ルド酸化層は酸化剤として酸素および/または蒸気を用
いて基板を酸化することにより慣用的に設けられ得る。
フィールド酸化層16の頂部には窒化珪素の性質を有する
中間層20がある。窒化珪素層は一般的に化学堆積法(ch
emical vapor deposition)により慣用的に設けられ
る。窒化珪素層の頂部には堆積酸化層として一般的に知
られている上部二酸化珪素層22が存在する。堆積酸化層
は一般的に化学堆積法により慣用的に形成される。
部分12を有するシリコンウエハ10を示す。マスキング層
14は3つの部分からなる。下部16はウエハ10の表面18に
接する。下部16は一般的にフィールド酸化層として通常
知られている二酸化珪素層の性質を帯びている。フィー
ルド酸化層は酸化剤として酸素および/または蒸気を用
いて基板を酸化することにより慣用的に設けられ得る。
フィールド酸化層16の頂部には窒化珪素の性質を有する
中間層20がある。窒化珪素層は一般的に化学堆積法(ch
emical vapor deposition)により慣用的に設けられ
る。窒化珪素層の頂部には堆積酸化層として一般的に知
られている上部二酸化珪素層22が存在する。堆積酸化層
は一般的に化学堆積法により慣用的に形成される。
堆積酸化層22に設けられている開孔23は反応性イオンに
より異方的にエッチングされるべきウエハ10の部分12を
露出する。この開孔23は堆積酸化層22の頂上に(図示し
ない)フォトレジスト層を設け、ウエハ10の部分12上の
領域において堆積酸化層を露出するためにフォトレジス
ト層を現像しそしてウエハ10の部分12を露出するために
堆積酸化層22、窒化層20およびフィールド酸化層16を通
じてエッチングすることにより通常形成される。このよ
うなエッチングは、たとえば、フッ化水素水またはこの
発明の部分を形成しないフッ素を含むプラズマを用いて
プラズマエッチングするような他の慣用的な技術を用い
て成し遂げられ得る。
より異方的にエッチングされるべきウエハ10の部分12を
露出する。この開孔23は堆積酸化層22の頂上に(図示し
ない)フォトレジスト層を設け、ウエハ10の部分12上の
領域において堆積酸化層を露出するためにフォトレジス
ト層を現像しそしてウエハ10の部分12を露出するために
堆積酸化層22、窒化層20およびフィールド酸化層16を通
じてエッチングすることにより通常形成される。このよ
うなエッチングは、たとえば、フッ化水素水またはこの
発明の部分を形成しないフッ素を含むプラズマを用いて
プラズマエッチングするような他の慣用的な技術を用い
て成し遂げられ得る。
第2図はこの発明の第1ステップの後に現われるシリコ
ンウエハ10を示す。このステップは塩素と形状修正種と
を含むプラズマを用いて比較的高いバイアス電圧と比較
的高いエネルギのプラズマエッチング条件の下でウエハ
10の部分12を反応性イオンによりエッチングすることを
含む。この形状修正種はウエハ10に形成されている窪み
またはスロット26の側壁24をほぼ垂直にかつ平行に維持
する目的に役立つ。塩素および形状修正種の両者はスロ
ット26に望まれるかつ好都合な形状を供給するために必
要である。
ンウエハ10を示す。このステップは塩素と形状修正種と
を含むプラズマを用いて比較的高いバイアス電圧と比較
的高いエネルギのプラズマエッチング条件の下でウエハ
10の部分12を反応性イオンによりエッチングすることを
含む。この形状修正種はウエハ10に形成されている窪み
またはスロット26の側壁24をほぼ垂直にかつ平行に維持
する目的に役立つ。塩素および形状修正種の両者はスロ
ット26に望まれるかつ好都合な形状を供給するために必
要である。
このステップのプラズマエッチングが行なわれている
間、シリコン基板は衝突するイオンによりダメージを受
けかつまた不純物がスロット26の底部29の真下でシリコ
ンウエハ10の領域28に導入される。この損傷領域28は間
もなく明らかになるであろう理由により問題を構成しな
い。発明の第1のプラズマエッチングのステップは、比
較的高バイアス−比較的高エネルギの条件の下にありし
かもなお壁部24に対して望まれる形状を維持するのでこ
のように速いエッチングを付与する。
間、シリコン基板は衝突するイオンによりダメージを受
けかつまた不純物がスロット26の底部29の真下でシリコ
ンウエハ10の領域28に導入される。この損傷領域28は間
もなく明らかになるであろう理由により問題を構成しな
い。発明の第1のプラズマエッチングのステップは、比
較的高バイアス−比較的高エネルギの条件の下にありし
かもなお壁部24に対して望まれる形状を維持するのでこ
のように速いエッチングを付与する。
塩素は塩素自体として付加されてよい。代わりに、三塩
化硼素、四塩化珪素、六塩化硫黄または四塩化炭素のよ
うな塩素を生ずる化合物が、単独で、互いに組合わせて
または塩素と組合わせて必要とされる塩素を供給するの
に役立ち得る。後者の場合には、塩素を生ずる化合物は
また形状修正種として役立ち得る。
化硼素、四塩化珪素、六塩化硫黄または四塩化炭素のよ
うな塩素を生ずる化合物が、単独で、互いに組合わせて
または塩素と組合わせて必要とされる塩素を供給するの
に役立ち得る。後者の場合には、塩素を生ずる化合物は
また形状修正種として役立ち得る。
第3図はこの発明の第2のプラズマエッチングのステッ
プに伴うスロット26を示す。スロットは今や大体その所
望の深さまで孔があけられている。第1のプラズマエッ
チングステップによる不純物と損傷とが包含されたシリ
コンウエハ10の(第2図に示す)部分28は今これ自体が
除去される。第2のプラズマエッチングのステップの状
態は第1のプラズマエッチングのステップの状態よりも
十分穏やかである。特に、第2のプラズマエッチングの
ステップは比較的低バイアス電圧および対応する比較的
低エネルギを用いて遂行される。さらに、プラズマは、
それがなお塩素を含んでいる間、上述した形状修正種が
ほとんど存在しないようにしなければならない;たとえ
ば、塩素は塩素分子(Cl2)から生ずるに違いない。こ
れらの比較的穏やかな条件の下で、ウエハ10における領
域30には有効な不純物はほとんどまたは全く供給されな
い。この領域30は第2図に示される領域28の下部領域で
ある。第2のプラズマエッチングのステップの間におい
て32により示された領域に示されているようにスロット
26の壁部24は内側に幾分先細になっているがこのことは
比較的重要ではなく、スロット26の底部29にはいかなる
先端または頂点も形成されない。
プに伴うスロット26を示す。スロットは今や大体その所
望の深さまで孔があけられている。第1のプラズマエッ
チングステップによる不純物と損傷とが包含されたシリ
コンウエハ10の(第2図に示す)部分28は今これ自体が
除去される。第2のプラズマエッチングのステップの状
態は第1のプラズマエッチングのステップの状態よりも
十分穏やかである。特に、第2のプラズマエッチングの
ステップは比較的低バイアス電圧および対応する比較的
低エネルギを用いて遂行される。さらに、プラズマは、
それがなお塩素を含んでいる間、上述した形状修正種が
ほとんど存在しないようにしなければならない;たとえ
ば、塩素は塩素分子(Cl2)から生ずるに違いない。こ
れらの比較的穏やかな条件の下で、ウエハ10における領
域30には有効な不純物はほとんどまたは全く供給されな
い。この領域30は第2図に示される領域28の下部領域で
ある。第2のプラズマエッチングのステップの間におい
て32により示された領域に示されているようにスロット
26の壁部24は内側に幾分先細になっているがこのことは
比較的重要ではなく、スロット26の底部29にはいかなる
先端または頂点も形成されない。
比較的高いバイアス電圧−比較的高いエネルギおよび比
較的低いバイアス電圧−比較的低いエネルギという用語
はここにおいて反応性イオンエッチングの条件を説明す
るために用いられている。比較的高いバイアス電圧−比
較的高いエネルギという用語は少なくとも約180ボルト
のバイアス電圧を示すために用いられている。比較的低
いバイアス電圧−比較的低いエネルギという用語は180
ボルトよりも高くないバイアス電圧を示すために用いら
れている。トクダ(Tokuda)TRIE−303平行板バッチ反
応器はここで説明されたプラズマエッチングを遂行する
のに用いられている。このような装置においてはウエハ
10は相対する接地された電極に関して負のバイアスを有
する電極上に位置する。他の商業的に有益なバッチ反応
器を用いて同様な結果が得られている。
較的低いバイアス電圧−比較的低いエネルギという用語
はここにおいて反応性イオンエッチングの条件を説明す
るために用いられている。比較的高いバイアス電圧−比
較的高いエネルギという用語は少なくとも約180ボルト
のバイアス電圧を示すために用いられている。比較的低
いバイアス電圧−比較的低いエネルギという用語は180
ボルトよりも高くないバイアス電圧を示すために用いら
れている。トクダ(Tokuda)TRIE−303平行板バッチ反
応器はここで説明されたプラズマエッチングを遂行する
のに用いられている。このような装置においてはウエハ
10は相対する接地された電極に関して負のバイアスを有
する電極上に位置する。他の商業的に有益なバッチ反応
器を用いて同様な結果が得られている。
損傷されたシリコンの薄い層を取り除くために湿式ケミ
カルエッチング処理を用いて第2のプラズマエッチング
のステップに続くことが有利である。特に、第3図にお
いて32で指示された領域に見られるシリコンはスロット
26からエッチングされることが好ましい。このような湿
式ケミカルエッチングはそれから一般的にスロット26か
らいかなる望まれない化学物質を除去するために洗浄す
るステップに続く。
カルエッチング処理を用いて第2のプラズマエッチング
のステップに続くことが有利である。特に、第3図にお
いて32で指示された領域に見られるシリコンはスロット
26からエッチングされることが好ましい。このような湿
式ケミカルエッチングはそれから一般的にスロット26か
らいかなる望まれない化学物質を除去するために洗浄す
るステップに続く。
この発明の第1のプラズマエッチングのステップに利用
された形状修正種は多数の化学種のどれでもよい。たと
えばアルゴンが極めて有用であることが見い出されてい
る。他の有用な形状修正種は水素、窒素およびフッ化物
を含まない三ハロゲン化硼素,四ハロゲン化珪素,四ハ
ロゲン化炭素および六ハロゲン化硫黄,アルゴン以外の
他の不活性ガスおよび類似するものを含む。この形状修
正種はプラズマに対して希釈剤として作用しかつスロッ
ト26内のコーナ部に丸みをつけるようにかつ壁24を垂直
に維持するように作用する。もし、塩素がこの発明の第
1のプラズマエッチングのステップについて用いられて
いるように同じ高いバイアスの電圧−高エネルギ状態の
下で単独で用いられると、その結果はスロット26の底部
29に1対の尖端または1つの頂上のどちらかである。こ
の形状修正種が利用されたときには尖端および/または
頂上の代わりに丸みを有するコーナが結果として生じ
る。塩素および利用された形状修正種の個々の量は広い
範囲内に変動してもよい。しかしながら一般的には塩素
はモルでプラズマの約30%から約90%を構成し、一方形
状修正種はプラズマの残余(10%〜70%)を構成する。
された形状修正種は多数の化学種のどれでもよい。たと
えばアルゴンが極めて有用であることが見い出されてい
る。他の有用な形状修正種は水素、窒素およびフッ化物
を含まない三ハロゲン化硼素,四ハロゲン化珪素,四ハ
ロゲン化炭素および六ハロゲン化硫黄,アルゴン以外の
他の不活性ガスおよび類似するものを含む。この形状修
正種はプラズマに対して希釈剤として作用しかつスロッ
ト26内のコーナ部に丸みをつけるようにかつ壁24を垂直
に維持するように作用する。もし、塩素がこの発明の第
1のプラズマエッチングのステップについて用いられて
いるように同じ高いバイアスの電圧−高エネルギ状態の
下で単独で用いられると、その結果はスロット26の底部
29に1対の尖端または1つの頂上のどちらかである。こ
の形状修正種が利用されたときには尖端および/または
頂上の代わりに丸みを有するコーナが結果として生じ
る。塩素および利用された形状修正種の個々の量は広い
範囲内に変動してもよい。しかしながら一般的には塩素
はモルでプラズマの約30%から約90%を構成し、一方形
状修正種はプラズマの残余(10%〜70%)を構成する。
この発明の第2のプラズマエッチングのステップに続い
て利用されるかもしれない湿式のケミカルエッチング流
体は多数の組成物のいずれのものでもよい。しかしなが
ら一般的には、湿式ケミカルエッチング流体はヨウ素の
存在するかまたは存在しない、酸フッ化物を含む溶液を
含む。この湿式ケミカルエッチングのステップは一般的
にスロット26の壁部24および底部29から少なくとも約25
0オングストロームの損傷されたシリコンを除去するた
めに利用され、さらに好ましくは約750オングストロー
ムまでの損傷されたシリコンを除去するために利用され
る。この湿式ケミカルエッチングのステップはまた底部
29に近接して窪みを拡げることによって窪み26の形状を
改良するために役立ちかつスロット26の側壁部24および
底部29からシリコンや望まれない不純物や損傷された領
域を除去するために役立つ。1つの有用なエッチング溶
液は酸化クロム,フッ化水素および水を含む。他の有用
な溶液はヨウ素,水,硝酸およびフッ化水素を含む。さ
らに他の湿式ケミカルエッチング流体は硝酸,酢酸およ
びフッ化アンモニウムを含む。下記に示す第1表は首尾
良く利用された4つの特別な組成を示す。その湿式ケミ
カルエッチング流体の厳密な化学構造は重要ではない。
重要なことは残留物を残さない比較的緩慢なエッチング
をするようにその流体が選択されることである。スロッ
ト26は湿式ミカルエッチングのステップの完了に続い
て、湿式ケミカル流体のすべての痕跡が取り除かれるこ
とが確実となるように徹底的に洗浄されかつ乾燥されな
ければならない。
て利用されるかもしれない湿式のケミカルエッチング流
体は多数の組成物のいずれのものでもよい。しかしなが
ら一般的には、湿式ケミカルエッチング流体はヨウ素の
存在するかまたは存在しない、酸フッ化物を含む溶液を
含む。この湿式ケミカルエッチングのステップは一般的
にスロット26の壁部24および底部29から少なくとも約25
0オングストロームの損傷されたシリコンを除去するた
めに利用され、さらに好ましくは約750オングストロー
ムまでの損傷されたシリコンを除去するために利用され
る。この湿式ケミカルエッチングのステップはまた底部
29に近接して窪みを拡げることによって窪み26の形状を
改良するために役立ちかつスロット26の側壁部24および
底部29からシリコンや望まれない不純物や損傷された領
域を除去するために役立つ。1つの有用なエッチング溶
液は酸化クロム,フッ化水素および水を含む。他の有用
な溶液はヨウ素,水,硝酸およびフッ化水素を含む。さ
らに他の湿式ケミカルエッチング流体は硝酸,酢酸およ
びフッ化アンモニウムを含む。下記に示す第1表は首尾
良く利用された4つの特別な組成を示す。その湿式ケミ
カルエッチング流体の厳密な化学構造は重要ではない。
重要なことは残留物を残さない比較的緩慢なエッチング
をするようにその流体が選択されることである。スロッ
ト26は湿式ミカルエッチングのステップの完了に続い
て、湿式ケミカル流体のすべての痕跡が取り除かれるこ
とが確実となるように徹底的に洗浄されかつ乾燥されな
ければならない。
このようにして、第1−3図に示されているように、こ
の発明の方法はシリコンウエハ10における最小の不純物
および最小の損傷でもってシリコンウエハ10に所望の形
状のスロット26を設けることである。さらに、そのよう
な方法は比較的短い処理時間内で成し遂げられる。
の発明の方法はシリコンウエハ10における最小の不純物
および最小の損傷でもってシリコンウエハ10に所望の形
状のスロット26を設けることである。さらに、そのよう
な方法は比較的短い処理時間内で成し遂げられる。
この発明の好ましい実施例の上述の説明は例証および説
明の目的のために示されている。開示されたまさにその
形態に徹底的であるべきことまた開示されたまさにその
形態にこの発明を制限するように意図されているのでは
なく、明らかに多くの修正と変更が上述の教示に照らし
て可能である。この実施例は期待される特別の使用に適
用するように様々な修正をもって他の当業者がこの発明
を最良に利用することができるように発明の原則とその
実際的な適用を最も良く説明するために選択されかつ説
明されている。この発明の範囲はここで添付されている
請求の範囲によって規定されるように意図される。
明の目的のために示されている。開示されたまさにその
形態に徹底的であるべきことまた開示されたまさにその
形態にこの発明を制限するように意図されているのでは
なく、明らかに多くの修正と変更が上述の教示に照らし
て可能である。この実施例は期待される特別の使用に適
用するように様々な修正をもって他の当業者がこの発明
を最良に利用することができるように発明の原則とその
実際的な適用を最も良く説明するために選択されかつ説
明されている。この発明の範囲はここで添付されている
請求の範囲によって規定されるように意図される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−169932(JP,A) 特開 昭55−119177(JP,A) 特開 昭58−168261(JP,A) 特開 昭58−168233(JP,A) 特開 昭59−150425(JP,A) 特公 昭57−3213(JP,B2)
Claims (6)
- 【請求項1】マスキング層によりマスクされたシリコン
ウエハをエッチングする方法であって、 前記マスキング層は所望の深さの窪みを形成するために
エッチングされるべき前記ウエハの部分をそれを通じて
露出する開孔を有し、 少なくとも180ボルトのバイアス電圧の下で、塩素と形
状修正種とを含むプラズマを用いて前記部分を前記所望
の深さよりも浅い第1の深さにプラズマエッチングする
第1のステップ、 180ボルト未満のバイアス電圧の下で、塩素を含みかつ
ほとんど形状修正種の存在しないプラズマを用いて前記
第1の深さから前記所望の深さに前記窪みをプラズマエ
ッチングする第2のステップおよび、 前記窪みに湿式ケミカルエッチング流体を接触する第3
のステップを含み、 前記流体は前記窪みから損傷されたシリコンの所望の厚
みをエッチングにより除去するように選択され、 前記接触は前記窪みからシリコンの前記所望の厚みをエ
ッチングにより除去することを成し遂げるために十分な
時間行なわれ、さらに 前記窪みから前記ケミカルエッチング流体を洗浄するス
テップを含むシリコンウエハをエッチングする方法。 - 【請求項2】前記塩素はプラズマエッチング条件の下で
塩素を生じる化合物からプラズマ中に生成される、請求
の範囲第1項記載のシリコンウエハをエッチングする方
法。 - 【請求項3】前記形状修正種は希ガス,水素,窒素およ
びフッ化物を含まない三ハロゲン化硼素,四ハロゲン化
珪素,六ハロゲン化硫黄および四ハロゲン化炭素を構成
するグループから選択される、請求の範囲第1項記載の
シリコンウエハをエッチングする方法。 - 【請求項4】前記湿式ケミカルエッチング流体は酸フッ
化物を含む溶液から構成される、請求の範囲第3項記載
のシリコンウエハをエッチングする方法。 - 【請求項5】前記湿式ケミカルエッチング流体はさらに
ヨウ素を含む、請求の範囲第4項記載のシリコンウエハ
をエッチングする方法。 - 【請求項6】前記湿式ケミカルエッチング流体はさらに
酸化クロムを含む、請求の範囲第4項記載のシリコンウ
エハをエッチングする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US564813 | 1983-12-22 | ||
US06/564,813 US4456501A (en) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | Process for dislocation-free slot isolations in device fabrication |
PCT/US1984/001717 WO1985002819A1 (en) | 1983-12-22 | 1984-10-22 | Process for dislocation-free slot isolations in device fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61500821A JPS61500821A (ja) | 1986-04-24 |
JPH0665215B2 true JPH0665215B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=24255998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP59504001A Expired - Fee Related JPH0665215B2 (ja) | 1983-12-22 | 1984-10-22 | デバイスの製造における無転移スロット分離のための方法 |
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---|---|
US (1) | US4456501A (ja) |
EP (1) | EP0166735A4 (ja) |
JP (1) | JPH0665215B2 (ja) |
WO (1) | WO1985002819A1 (ja) |
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JPS63100780A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | Fuji Electric Co Ltd | 圧力センサの製造方法 |
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JP2677577B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1997-11-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
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-
1984
- 1984-10-22 JP JP59504001A patent/JPH0665215B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1984-10-22 EP EP19840904045 patent/EP0166735A4/en not_active Withdrawn
- 1984-10-22 WO PCT/US1984/001717 patent/WO1985002819A1/en not_active Application Discontinuation
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WO1985002819A1 (en) | 1985-07-04 |
EP0166735A1 (en) | 1986-01-08 |
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JPS61500821A (ja) | 1986-04-24 |
EP0166735A4 (en) | 1987-03-09 |
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