JPH0653511A - 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構造 - Google Patents
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構造Info
- Publication number
- JPH0653511A JPH0653511A JP4200884A JP20088492A JPH0653511A JP H0653511 A JPH0653511 A JP H0653511A JP 4200884 A JP4200884 A JP 4200884A JP 20088492 A JP20088492 A JP 20088492A JP H0653511 A JPH0653511 A JP H0653511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- anode
- insulated gate
- cathode
- gate bipolar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】交流使用時に必要な逆並列ダイオードを別チッ
プで供給する必要がない絶縁ゲート型バイポーラトラン
ジスタの構造を提供するにある。 【構成】アノード電極Ａ側のｎ型基板は逆特性の不純
物、つまりｐ型の不純物をメッシュ状に拡散させ、この
拡散によりチップ内に等価的にダイオードＤを形成して
いる。
プで供給する必要がない絶縁ゲート型バイポーラトラン
ジスタの構造を提供するにある。 【構成】アノード電極Ａ側のｎ型基板は逆特性の不純
物、つまりｐ型の不純物をメッシュ状に拡散させ、この
拡散によりチップ内に等価的にダイオードＤを形成して
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁ゲート型バイポー
ラトランジスタの構造に関する。
ラトランジスタの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は一般的な絶縁ゲート型バイポーラ
トランジスタの構造を示しているが、このような構造を
持つ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＱ1 、Ｑ2 を
図６に示すように逆直列に接続して、交互にスイッチン
グさせることにより、交流負荷を駆動する場合、夫々の
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＱ1 、Ｑ2 のアノ
ードＡ・カソードＫ間には逆並列にダイオードＤ1 、Ｄ
2 を夫々接続する必要がある。尚図５中Ｇは絶縁された
ゲートを示す。
トランジスタの構造を示しているが、このような構造を
持つ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＱ1 、Ｑ2 を
図６に示すように逆直列に接続して、交互にスイッチン
グさせることにより、交流負荷を駆動する場合、夫々の
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＱ1 、Ｑ2 のアノ
ードＡ・カソードＫ間には逆並列にダイオードＤ1 、Ｄ
2 を夫々接続する必要がある。尚図５中Ｇは絶縁された
ゲートを示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにダイオー
ドを絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに並列接続し
て図７のように１パッケージ化する場合、絶縁ゲート型
バイポーラトランジスタＱのチップよりやや小さいダイ
オードＤのチップをアノード用のリード電極ＡＴ上に設
置するため、全体としてのチップの面積が大きくなると
いう問題があった。尚ＫＴはカソード用のリード電極、
ＧＴはゲート用のリード電極を示す。
ドを絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに並列接続し
て図７のように１パッケージ化する場合、絶縁ゲート型
バイポーラトランジスタＱのチップよりやや小さいダイ
オードＤのチップをアノード用のリード電極ＡＴ上に設
置するため、全体としてのチップの面積が大きくなると
いう問題があった。尚ＫＴはカソード用のリード電極、
ＧＴはゲート用のリード電極を示す。
【０００４】本発明は、上述の問題点に鑑みて為された
もので、その目的とするところは交流使用時に必要な逆
並列ダイオードを別チップで供給する必要がない絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタの構造を提供するにあ
る。
もので、その目的とするところは交流使用時に必要な逆
並列ダイオードを別チップで供給する必要がない絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタの構造を提供するにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために基板の裏面に基板と逆特性の不純物をメ
ッシュ状に拡散させてカソードとアノードとの間に逆並
列的に接続される等価的なダイオードを形成したもので
ある。
達成するために基板の裏面に基板と逆特性の不純物をメ
ッシュ状に拡散させてカソードとアノードとの間に逆並
列的に接続される等価的なダイオードを形成したもので
ある。
【０００６】
【作用】而して、本発明によればアノードと、カソード
との間に逆並列接続したダイオードを等価的に形成する
ことができるため、交流使用時に逆並列に接続するダイ
オードを別チップで供給する必要がなくなり、パッケー
ジ化の際のコスト、実装面積の低減が可能となる。
との間に逆並列接続したダイオードを等価的に形成する
ことができるため、交流使用時に逆並列に接続するダイ
オードを別チップで供給する必要がなくなり、パッケー
ジ化の際のコスト、実装面積の低減が可能となる。
【０００７】
【実施例】以下本発明を実施例により説明する。図１は
本発明の一実施例の断面構造を示しており、アノード電
極Ａ側のｎ型基板の裏面にｎ型基板と逆特性の不純物、
つまりｐ型の不純物を図２に示すようにメッシュ状に拡
散させ、この拡散によりチップ内に等価的にダイオード
Ｄを形成する。 このダイオードＤは絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタのアノードＡ・カソードＫ間に図３
に示すように逆並列接続された形となる。尚メッシュ状
の拡散は図４に示すように逆メッシュ状となるようにし
ても良い。またｐ型基板の場合にはｎ型の不純物をメッ
シュ状に拡散させれば良い。
本発明の一実施例の断面構造を示しており、アノード電
極Ａ側のｎ型基板の裏面にｎ型基板と逆特性の不純物、
つまりｐ型の不純物を図２に示すようにメッシュ状に拡
散させ、この拡散によりチップ内に等価的にダイオード
Ｄを形成する。 このダイオードＤは絶縁ゲート型バイ
ポーラトランジスタのアノードＡ・カソードＫ間に図３
に示すように逆並列接続された形となる。尚メッシュ状
の拡散は図４に示すように逆メッシュ状となるようにし
ても良い。またｐ型基板の場合にはｎ型の不純物をメッ
シュ状に拡散させれば良い。
【０００８】また上記のような構造をとる場合、Ｓｉウ
ェハの表面両面ともパターンを形成しなければならな
い。そして一般的に両面でのマスク合わせは困難である
が、本発明の場合、チップサイズに対して不純物を拡散
させて形成するメッシュのサイズを十分に小さくすれば
確率的に均等が取れ、表面のパターンと裏面のパターン
とを合わせる必要がなくなり、簡単に供給することが可
能である。
ェハの表面両面ともパターンを形成しなければならな
い。そして一般的に両面でのマスク合わせは困難である
が、本発明の場合、チップサイズに対して不純物を拡散
させて形成するメッシュのサイズを十分に小さくすれば
確率的に均等が取れ、表面のパターンと裏面のパターン
とを合わせる必要がなくなり、簡単に供給することが可
能である。
【０００９】
【発明の効果】本発明は、基板の裏面に基板と逆特性の
不純物をメッシュ状に拡散させてカソードとアノードと
の間に逆並列的に接続される等価的なダイオードを形成
したものであるから、交流使用時に逆並列に接続するダ
イオードをトランジスタのチップ上に形成でき、そのた
めダイオードを別チップで供給する必要がなくなり、パ
ッケージ化の際のコスト、実装面積の低減が可能となる
という効果がある。
不純物をメッシュ状に拡散させてカソードとアノードと
の間に逆並列的に接続される等価的なダイオードを形成
したものであるから、交流使用時に逆並列に接続するダ
イオードをトランジスタのチップ上に形成でき、そのた
めダイオードを別チップで供給する必要がなくなり、パ
ッケージ化の際のコスト、実装面積の低減が可能となる
という効果がある。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】同上のメッシュ状拡散の一例の説明図である。
【図３】同上の等価回路図である。
【図４】同上のメッシュ状拡散の他例の説明図である。
【図５】従来例の断面図である。
【図６】同上の使用例の回路図である。
【図７】従来例のチップ実装状態説明図である。
Ａ アノード Ｋ カソード Ｇ ゲート Ｄ ダイオード
Claims (1)
- 【請求項１】基板の裏面に基板と逆特性の不純物をメッ
シュ状に拡散させてカソードとアノードとの間に逆並列
的に接続される等価的なダイオードを形成して成ること
を特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4200884A JPH0653511A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4200884A JPH0653511A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653511A true JPH0653511A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16431848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4200884A Withdrawn JPH0653511A (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653511A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734497B2 (en) | 2001-02-02 | 2004-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate bipolar transistor, semiconductor device, method of manufacturing insulated-gate bipolar transistor, and method of manufacturing semiconductor device |
| US7154145B2 (en) | 2003-08-27 | 2006-12-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate transistor incorporating diode |
| CN100336229C (zh) * | 2003-07-24 | 2007-09-05 | 三菱电机株式会社 | 绝缘栅型双极晶体管及其制造方法以及变流电路 |
-
1992
- 1992-07-28 JP JP4200884A patent/JPH0653511A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6734497B2 (en) | 2001-02-02 | 2004-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate bipolar transistor, semiconductor device, method of manufacturing insulated-gate bipolar transistor, and method of manufacturing semiconductor device |
| CN100336229C (zh) * | 2003-07-24 | 2007-09-05 | 三菱电机株式会社 | 绝缘栅型双极晶体管及其制造方法以及变流电路 |
| US7750365B2 (en) | 2003-07-24 | 2010-07-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate bipolar transistor with built-in freewheeling diode |
| US7154145B2 (en) | 2003-08-27 | 2006-12-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate transistor incorporating diode |
| DE102004064116B4 (de) * | 2003-08-27 | 2011-03-03 | Mitsubishi Denki K.K. | Isolierschichttransistor mit eingebauter Diode und Inverterschaltung |
| US8008711B2 (en) | 2003-08-27 | 2011-08-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate transistor incorporating diode |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |