JPH0650731B2 - エピタキシヤル成長用サセプタ− - Google Patents
エピタキシヤル成長用サセプタ−Info
- Publication number
- JPH0650731B2 JPH0650731B2 JP60287074A JP28707485A JPH0650731B2 JP H0650731 B2 JPH0650731 B2 JP H0650731B2 JP 60287074 A JP60287074 A JP 60287074A JP 28707485 A JP28707485 A JP 28707485A JP H0650731 B2 JPH0650731 B2 JP H0650731B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- epitaxial growth
- base material
- buoyancy
- graphite base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は，半導体製造においてエピタキシヤル成長を行
なう際に使用されるサセプターに関するものである。
なう際に使用されるサセプターに関するものである。
（従来の技術） サセプターは室温から１２００℃までの急熱・急冷，高
温のHClガスエツチングなどの条件に充分耐えうること
が要求されるが，さらに重要な特性してサセプターは、
高純度のシリコンウエハー等の製品に接触するため製品
を汚染しないことが要求される。以上の特性を満足させ
るものとして従来から黒鉛基材表面に高純度のSiCをコ
ーテイングしたSiC被覆黒鉛材が使用されている。
温のHClガスエツチングなどの条件に充分耐えうること
が要求されるが，さらに重要な特性してサセプターは、
高純度のシリコンウエハー等の製品に接触するため製品
を汚染しないことが要求される。以上の特性を満足させ
るものとして従来から黒鉛基材表面に高純度のSiCをコ
ーテイングしたSiC被覆黒鉛材が使用されている。
（発明が解決しようとする問題点） 従来のサセプターを用いて実際のエピタキシヤル成長を
行なうと，高周波誘導によつてサセプターに電磁力によ
る浮力が作用して揺れが起こりそれが徐々に増幅され，
更にはサセプターが高周波誘導のワークコイルカバーに
接触するという不具合がしばしば発生した。サセプター
に浮力が作用するメカニズムは，ワークコイルからの高
周波の磁界によつてサセプターにうず電流が発生し、そ
のジユール熱で加熱されるが、それと同時にうず電流に
よる磁界が発生し，それが反発力となつて浮力が作用す
るのである。
行なうと，高周波誘導によつてサセプターに電磁力によ
る浮力が作用して揺れが起こりそれが徐々に増幅され，
更にはサセプターが高周波誘導のワークコイルカバーに
接触するという不具合がしばしば発生した。サセプター
に浮力が作用するメカニズムは，ワークコイルからの高
周波の磁界によつてサセプターにうず電流が発生し、そ
のジユール熱で加熱されるが、それと同時にうず電流に
よる磁界が発生し，それが反発力となつて浮力が作用す
るのである。
この対策としてサセプターの厚さを大きくして重量増加
を図り，高周波誘導による浮力に対して安全性を保つよ
うにしている。ところが最近のサセプター径の大型化に
よつて単にサセプターを厚くして重量増加を図るのは取
扱いの困難性から限界があり，また加熱効率の低下を招
くという問題がある。
を図り，高周波誘導による浮力に対して安全性を保つよ
うにしている。ところが最近のサセプター径の大型化に
よつて単にサセプターを厚くして重量増加を図るのは取
扱いの困難性から限界があり，また加熱効率の低下を招
くという問題がある。
本発明は上記した問題点を解消するエピタキシヤル成長
用サセプターを提供することを目的とする。
用サセプターを提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らは，従来のサセプターが持つ欠点を改良する
ため鋭意研究した結果，サセプターに生じる浮力が黒鉛
基材の電気比抵抗の大きさと相関があること，および加
熱に必要な容量の高周波誘導を受けても浮力の影響が出
ない電気比抵抗の範囲を見い出した。
ため鋭意研究した結果，サセプターに生じる浮力が黒鉛
基材の電気比抵抗の大きさと相関があること，および加
熱に必要な容量の高周波誘導を受けても浮力の影響が出
ない電気比抵抗の範囲を見い出した。
本発明は，黒鉛基材とその表面がSiCで被覆されたコー
テイング層からなり，かつ高周波誘導によつて加熱され
るエピタキシヤル成長用サセプターにおいて，黒鉛基材
の電気比抵抗が１３００〜２０００μΩ−cmであるエピ
タキシヤル成長用サセプターに関するものである。
テイング層からなり，かつ高周波誘導によつて加熱され
るエピタキシヤル成長用サセプターにおいて，黒鉛基材
の電気比抵抗が１３００〜２０００μΩ−cmであるエピ
タキシヤル成長用サセプターに関するものである。
本発明において，黒鉛基材の電気比抵抗が１３００μΩ
−cm未満では高周波誘導による浮力の影響が大きくサセ
プターの姿勢が不安定になり，また２０００μΩ−cmを
越えると加熱効率が著しく落ちるため，高周波電力を増
加せざるをえなくなり，浮力もそれに伴つて大きくな
り，更にはサセプターの不安定を生じることになる。
−cm未満では高周波誘導による浮力の影響が大きくサセ
プターの姿勢が不安定になり，また２０００μΩ−cmを
越えると加熱効率が著しく落ちるため，高周波電力を増
加せざるをえなくなり，浮力もそれに伴つて大きくな
り，更にはサセプターの不安定を生じることになる。
本発明に用いられる黒鉛基材は，例えば骨材にピツチコ
ークス粉と油煙とを適量配合することによつて電気比抵
抗が１３００〜２０００μΩ−cmのものが得られるが，
特にこの骨材の種類，配合割合等に制限はない。黒鉛基
材の製造法及びSiCの被覆法は公知の方法による。
ークス粉と油煙とを適量配合することによつて電気比抵
抗が１３００〜２０００μΩ−cmのものが得られるが，
特にこの骨材の種類，配合割合等に制限はない。黒鉛基
材の製造法及びSiCの被覆法は公知の方法による。
（実施例） 以下に実施例及び比較例について述べる。
ピツチコークス粉（平均粒径５０μｍ）と油煙（平均粒
径５０μｍ）とを第１表に示す割合で配合した骨材に結
合材としてタールピツチ（軟化点８５℃）を加え，捏和
機で２００℃に加熱混練後，１５０μｍ以下に粉砕し，
ラバープレスで成形し，１０００℃で焼成し，２８００
℃で黒鉛化したブロツクを外径６００mm，内径１００mm
及び厚さ１０mmに加工し，更に電気炉中でCCl2F2ガスで
精製して黒鉛基材を得た。この黒鉛基材をＣＶＤ炉に入
れCH3SiCl3ガスをキヤリヤの窒素ガスにより導入し，基
材表面に１００μｍの厚さでSiC被膜をコーテイングし
た。
径５０μｍ）とを第１表に示す割合で配合した骨材に結
合材としてタールピツチ（軟化点８５℃）を加え，捏和
機で２００℃に加熱混練後，１５０μｍ以下に粉砕し，
ラバープレスで成形し，１０００℃で焼成し，２８００
℃で黒鉛化したブロツクを外径６００mm，内径１００mm
及び厚さ１０mmに加工し，更に電気炉中でCCl2F2ガスで
精製して黒鉛基材を得た。この黒鉛基材をＣＶＤ炉に入
れCH3SiCl3ガスをキヤリヤの窒素ガスにより導入し，基
材表面に１００μｍの厚さでSiC被膜をコーテイングし
た。
実施例および比較例より得られたサセプターを用い，エ
ピタキシヤル成長炉において加熱試験を行なつた。試験
条件は昇温速度５７．５℃／分，最高温度１２００℃，
最大高周波電力２３０KWである。その結果を第１表に示
す。
ピタキシヤル成長炉において加熱試験を行なつた。試験
条件は昇温速度５７．５℃／分，最高温度１２００℃，
最大高周波電力２３０KWである。その結果を第１表に示
す。
第１表より明らかなように本発明の範囲の黒鉛基材を用
いたサセプターは高周波加熱による浮力に対して不安定
になることはなかつた。それに対し本発明の範囲外の黒
鉛基材を用いたサセプターは浮力による揺れが生じ不安
定となつた。
いたサセプターは高周波加熱による浮力に対して不安定
になることはなかつた。それに対し本発明の範囲外の黒
鉛基材を用いたサセプターは浮力による揺れが生じ不安
定となつた。
（発明の効果） 本発明になるエピタキシヤル成長用サセプターは，その
厚さを大きくしなくても高周波加熱における浮力による
揺れなどの不安定を生じない。
厚さを大きくしなくても高周波加熱における浮力による
揺れなどの不安定を生じない。
Claims (1)
- 【請求項１】黒鉛基材とその表面がＳｉＣで被覆された
コーテイング層からなり，かつ高周波誘導によつて加熱
されるエピタキシヤル成長用サセプターにおいて，黒鉛
基材の電気比抵抗が１３００〜２０００μΩ−cmである
エピタキシヤル成長用サセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60287074A JPH0650731B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | エピタキシヤル成長用サセプタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60287074A JPH0650731B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | エピタキシヤル成長用サセプタ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145726A JPS62145726A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0650731B2 true JPH0650731B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=17712716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60287074A Expired - Lifetime JPH0650731B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | エピタキシヤル成長用サセプタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650731B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2671914B2 (ja) * | 1986-01-30 | 1997-11-05 | 東芝セラミックス 株式会社 | サセプタ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983706A (ja) * | 1972-11-24 | 1974-08-12 | ||
| JPS58182818A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Kokusai Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS59182213A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-17 | Toyo Tanso Kk | 等方性炭素材 |
| JPS6058613A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Hitachi Ltd | エピタキシャル装置 |
| JPS60163428A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 気相成長用基板サセプタ− |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60287074A patent/JPH0650731B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4983706A (ja) * | 1972-11-24 | 1974-08-12 | ||
| JPS58182818A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Kokusai Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS59182213A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-17 | Toyo Tanso Kk | 等方性炭素材 |
| JPS6058613A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Hitachi Ltd | エピタキシャル装置 |
| JPS60163428A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 気相成長用基板サセプタ− |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62145726A (ja) | 1987-06-29 |
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