KR101315167B1 - 난소결성 부정형 탄화규소와 저융점 금속성분이 함유된 히터용 조성물 및 히터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물 및 히터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 부정형 탄화규소 분말 또는 분쇄체와, 전도성을 위한 금속분말 또는 분쇄체와, 무기 바인더 및 유기 바인더를 포함하여 구성되는 히터용 조성물 및 히터를 제공한다. 이와 같은 히터용 조성물은 액상의 유기 바인더에 분말을 침잠시킨 페이스트 형태이거나, 또는 고상의 유기 바인더와 함께 분말형태로 혼합되되, 추후에 유기 바인더를 용해하여 페이스트로 하여 사용되는 형태가 될 수 있으며, 이로부터, 탄화규소 분말의 고저항성과 금속분말의 도전성이 결합하여 히터로서의 구동을 위한 패턴화된 히터로서 사용될 수 있고, 우수한 내구성과 기판에 대한 코팅성능을 보유할 수 있다.
Description
본 발명은 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물 및 히터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 부정형 탄화규소 분말 또는 분쇄체와, 전도성을 위한 금속분말 또는 분쇄체와, 무기 바인더 및 유기 바인더를 포함하여 구성되는 히터용 조성물 및 히터를 제공한다. 이와 같은 히터용 조성물은 액상의 유기 바인더에 분말을 침잠시킨 페이스트 형태이거나, 또는 고상의 유기 바인더와 함께 분말형태로 혼합되되, 추후에 유기 바인더를 용해하여 페이스트로 하여 사용되는 형태가 될 수 있으며, 이로부터, 탄화규소 분말의 고저항성과 금속분말의 도전성이 결합하여 히터로서의 구동을 위한 패턴화된 히터로서 사용될 수 있고, 우수한 내구성과 기판에 대한 코팅성능을 보유할 수 있다.
반도체 산업은 반도체 제조공정이 제조설비에 크게 의존하기 때문에 대표적인 장치산업으로 알려져 있다. 최근에는 반도체 산업에서 반도체의 고집적화 및 반도체 Si 웨이퍼의 대형화에 따라 높은 공정 수율 및 가격 경쟁력을 달성하기 위한 설비 개발 및 부품 소재의 개발이 활발히 이루어지고 있다.
반도체 제조 공정은 개략적으로 Si 웨이퍼를 제조하는 단계, Si 웨이퍼 표면에 반도체 용도에 따른 회로 형성 단계 및 제품화 단계의 3단계로 구성된다. 이들 제조공정 중 반도체 회로 제조공정에서는 Si 웨이퍼의 산화 및 확산공정 및 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정 등 고온 공정 및 에칭 공정 등이 포함된다. 이들 고온 제조공정 및 에칭 공정에서 사용되는 부품으로는 Si 웨이퍼 열처리시 외부로부터 불순물의 혼입을 방지하고 열처리로 내부의 균일한 온도분포를 보장하기 위하여 process tube, liner tube, 웨이퍼 이송을 위한 웨이퍼 carrier 등의 보트(boat)류, 더피기판(dummy wafer), 에지링(edge ring), 포크(fork)와 캔틸레버(cantilever)와 같은 로딩 부품, 서셉터(susceptor), 히터(heater) 등에 세라믹스 재료사 사용되고 있다. 반도체 공정에서 사용되고 있는 세라믹스 부품의 주요 소재는 석영(quartz), 탄화규소(SiC), 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN) 등이 사용되고 있다.
이제까지는 반도체 공정용 고온 세라믹 부품 소재로 석영이 차지한 비중이 높았으나, 최근 반도체 공정이 고집적화 및 사용하는 Si 웨이퍼가 대형화됨에 따라 석영유리가 갖는 취약점을 보완할 수 있는 열, 기계적 특성, 내화학 특성, 전기적 특성, 내구성 및 내입자오염 특성이 우수한 탄화규소가 반도체 공정용 부품 소재로 석영을 대체하여 사용되고 있다. 앞으로 반도체 제조공정에서 300mm Si 웨이퍼의 점유율이 높아지고 초고집적화가 요구됨에 따라 반도체 공정 장비에서 차지하는 탄화규소 적용 기술 개발이 활발히 이루어질 것으로 예상된다.
이러한 탄화규소는 공유결합성이 높은 세라믹스이고 구조재료로서 대표적으로 사용되는 알루미나보다도 강한 경도 특성을 가지고 있다. 특히 고온강도가 우수하며 내식성이 뛰어나고, 경도가 높기 때문에 접동마모(Fretting corrosion, 마찰 부식)에 강하다는 특성도 겸비하고 있다. 또한, 열전도율이 높고, 일정 정도 도전성이 있어서 히터소재에도 매우 적합하다.
다만, 탄화규소는 소결온도가 2000℃ 이상으로 매우 높은 난소결성 물질일 뿐만 아니라 특히 반도체 공정중에서 사용되는 탄화규소는 반도체 웨이퍼에 이물질이나 불순물이 혼입되어서는 아니되는 특성상 역시 고순도로 제조되어야 하며, 따라서, 소결특성을 향상시키기 위한 소결조제의 사용에 일정정도 한계가 존재하므로 난소결성의 문제는 좀처럼 해소되기 어려운 실정이다.
한편, 매우 높은 온도로 소결된 고순도의 탄화규소는 매우 고가에 판매되고 있어 고온 공정용으로 사용될 때에는 적합하나, 저온용으로 사용되는 경우에는 타 재료로 제조되는 히터를 사용하여도 충분한 경우가 있어, 제조 단가 대비 용도에 적합하지 않은 문제점도 있다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 통상적으로 폐기되는 탄화규소 잉곳의 분쇄물을 완벽히 재활용하여 반도체 공정 등에서 히터 재료로 사용되는 고순도의 탄화규소 히터로 재구성되도록 함으로써 탄화규소의 재활용도를 높일 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 탄화규소 잉곳의 분쇄물은 물론, 저렴하게 생산되는 연마재용 탄화규소를 활용하여 상용화 가능한 탄화규소 히터를 제작함으로써 탄화규소 히터의 제작단가를 낮출 수 있도록 하는 것을 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 탄화규소를 소성하지 않고 무기 바인더 및 유기 바인더를 활용하여 페이스트화하고 이를 기판상에 패턴화하는 것만으로도 실용화될 수 있는 탄화규소 히터를 제작하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여, 부정형 탄화규소 분말 또는 분쇄체와, 전도성을 위한 금속분말 또는 분쇄체와, 무기 바인더 및 유기 바인더를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물을 제공한다.
상기 부정형 탄화규소 분말 또는 분쇄체는 탄화규소 잉곳을 분쇄한 것이거나, 연마용 탄화규소 분말인 것이 바람직하다.
상기 부정형 탄화규소 분말 또는 분쇄체는 30 ~ 40㎛의 평균 입도 범위를 갖는 것이 바람직하다.
상기 금속분말 또는 분쇄체는 Au, Ag, Cu 또는 Al를 포함하여 융점이 적어도 500℃인 물질인 것이 바람직하다.
상기 Au, Ag, Cu 또는 Al은 0.1 ~ 1㎛의 평균 입도 범위인 것이 바람직하다.
탄화규소 분말 또는 분쇄체와, 금속분말 또는 분쇄체는 그 크기비에 있어서, 금속분말 또는 분쇄체는 탄화규소 분말 또는 분쇄체의 평균크기의 1/10보다 더 작은 크기인 것이 바람직하다.
상기 무기 바인더는 알코올을 용매로 하는 실레인과 고체 SiO2의 혼합물인 것이 바람직하다.
여기서, 무기 바인더로서, ITO(In-Sn-O화합물) 또는 AZO(Al doped ZnO 화합물) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나가 더 첨가되는 것이 바람직하다.
상기 무기 바인더는 고체 SiO2의 함량이 65 ~ 85%의 범위가 되도록 농축된 것이 바람직하다.
상기 유기 바인더는 셀룰로오스, 또는 수계 또는 알코올계 바인더인 것이 바람직하다.
또한 본 발명은 상기 조성물을 이용하되, 상기 조성물을 상기 유기 바인더를 액상으로 하여 페이스트 형태로 마련한 다음 히터용 기판에 도포하여 건조 또는 열처리하여 제조되는 것을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 조성물을 이용한 히터를 제공한다.
이상과 같은 본 발명에 따르면, 실질적으로 재활용되기 용이하지 않아 폐기되는 탄화규소 잉곳의 분쇄물의 재활용 방안을 제시하여 상기 분쇄물이 반도체 공정 등에서 히터 재료로 사용되는 고순도의 탄화규소 히터로 재구성되도록 할 수 있는 작용효과가 기대된다.
또한, 본 발명은 탄화규소 잉곳의 분쇄물은 물론, 저렴하게 생산되는 연마재용 탄화규소를 활용하여 상용화 가능한 탄화규소 히터를 제작함으로써 탄화규소 히터의 제작단가를 낮출 수 있는 작용효과가 기대된다.
또한, 본 발명은 탄화규소를 소성하지 않고 무기 바인더 및 유기 바인더를 활용하여 페이스트화 하고 이를 기판상에 패턴화하는 것만으로도 탄화규소 히터의 실용화가 가능한 작용효과가 기대된다.
또한, 본 발명은 금속분말을 페이스트에 도입함으로써 금속분말의 부분적 가교에 의해 일정 정도 통전성이 확보되도록 할 수 있고, 따라서 탄화규소의 소결공정 없이도 히터로서 실용화되도록 하여 공정을 단순화할 수 있도록 하는 작용효과가 기대된다.
또한, 본 발명은 무기 바인더의 도전 특성을 더 부여함으로써 히터의 저항값 조절을 용이하게 할 수 있으므로, 탄화규소를 소결하지 않고도 저온용 히터로의 상용화가 가능한 작용효과가 기대된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 탄화규소와 Ag 분말의 전자현미경 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 탄화규소와 Ag 분말의 혼합체를 페이스트화하고 이를 유리 기판에 도포한 것을 탄화규소만으로 페이스트를 제조하고 이를 유리 기판에 도포한 것과 비교하여 나타낸 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 탄화규소와 Ag 분말의 혼합체를 저온 열처리하고 이를 Ag 분말이 혼합되지 아니한 탄화규소를 저온 열처리한 것과 비교하여 나타낸 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 탄화규소와 Ag 분말의 혼합체를 페이스트화하고 이를 유리 기판에 도포한 것을 탄화규소만으로 페이스트를 제조하고 이를 유리 기판에 도포한 것과 비교하여 나타낸 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 탄화규소와 Ag 분말의 혼합체를 저온 열처리하고 이를 Ag 분말이 혼합되지 아니한 탄화규소를 저온 열처리한 것과 비교하여 나타낸 사진이다.
이하에서는 본 발명을 바람직한 실시예를 기초로 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명은 저온에서 사용가능한 탄화규소계 히터로서, 난소결성의 탄화규소를 소결하지 않고, 무기 바인더에 의해 탄화규소를 금속분말과 함께 가교시킴으로써 탄화규소 사이에 분포되는 금속분말에 의해 어느 정도 전기 전도성을 갖도록 하는 한편, 탄화규소에 의한 저항성능과 열전도도를 이용하도록 하여 탄화규소 재질의 저온형 히터로 바로 사용할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 것이다.
특히 탄화규소 잉곳의 가공과정에서 부산물로 발생되는 부정형의 탄화규소 분말 또는 분쇄체를 이용하도록 함으로써 통상 폐기되는 탄화규소 분말 또는 분쇄체를 자원으로 재활용할 수 있도록 하는 것 또한 특징으로 하는 것이다.
본 발명은 페이스트형으로서 프린트되어 사용되며, 탄화규소의 소결없이 히터로 기능하도록 한 것을 발명의 핵심사상으로 한다. 또한, 이러한 발명의 핵심사상에 촛점을 두고 각 구성요소는 서로 유기적으로 결합한다.
<제조예>
본 발명에서는 페이스트를 제조하기 위한 출발물질로서, 고체상의 SiO2와 메틸트리에톡시실레인이 28중량% 함유된 알콜베이스 용액을 무기 바인더로 사용하였으며, 상기 무기 바인더는 고체함량이 75%가 되도록 오븐에서 36~48시간 동안 알코올을 증발시켜 농축하여 사용하였다. 바람직하게는 65 ~ 85%의 범위로 농축하여 사용하는 것이 좋다. 이와 같은 농축범위 중 하한을 벗어나는 경우에는 농도가 너무 낮고, 상한을 벗어나는 경우에는 농도가 너무 높아 기판상에 코팅을 하기에 적합하지 않으므로, 위 범위에 그 의의가 있다.
한편, 탄화규소만으로 구성되는 페이스트의 높은 전기 저항성을 무기 바인더의 전기적 특성 부여에 의해 완충할 수 있으며, 이와 같이 무기 바인더의 전기적 특성 향상을 위해 ITO(In-Sn-O화합물), AZO(Al doped ZnO 화합물) 등 전기 저항성이 낮은 다양한 반도성 무기물의 졸을 첨가가 가능하다.
또한, 유기 바인더로서 5% 농도를 갖는 셀룰로오스를 사용하였는데, 상기 셀룰로오스는 테르핀올(terpineol)에 5%의 함량이 되도록 용해시킨 것이다. 상기 유기 바인더는 위 셀룰로오스 이외에도, PVA, PVB, 페놀 등 수계 또는 알코올계 바인더를 사용할 수 있다.
여기서, 유기 바인더를 첨가하는 것은 통상 무기물 자체 만의 페이스트 제조시 점도가 낮기 때문에 점도향상을 위해 저온에서 분해가 용이한 유기 바인더를 첨가하며, 특히 셀룰로오스는 아크릴계, 비닐계에 비해 점성 특성이 우수하고 기판에 코팅시 도포면의 도막 강도를 증진시켜주는 특징이 있다. 실제 페이스트 중의 중량비는 3% 미만으로 하는 것이 좋으며, 이로부터 점성의 부여와 도막의 강도에 기여할 수 있다.
또한 금속분말로서 Ag를 사용하였으며, 입자의 크기는 0.5 ~ 1㎛의 평균입도가 되도록 조정하였다. 상기 금속분말은 Ag 이외에도 Al, Cu, Au 등 융점이 비교적 낮은 금속분말로 대체하는 것도 가능하다. 그리고, 이러한 금속은 저온용 탄화규소 히터의 구동온도가 500℃ 정도 되므로 500℃를 전후로 하는 온도 미만의 온도를 융점으로 하는 금속 분말 또는 분쇄체를 제외한다면 위 열거된 금속 이외에도 선택적으로 적용이 가능하다.
또한 탄화규소 분말은 탄화규소 잉곳의 분쇄물을 사용하였으며, 이를 평균입도범위가 30 ~ 40㎛가 되도록 조정하였다. 이 때, 탄화규소 잉곳의 분쇄물 대신, 연마용 탄화규소를 사용하여도 무방하다.
여기서, 탄화규소 분말 또는 분쇄체 사이에 존재하는 공극의 크기 및 양은 입자의 크기에 따라 변화하기 때문에 분쇄체의 크기에 따라 상응하는 전기 전도성의 무기 바인더와 첨가 금속분말 또는 분쇄체의 크기가 결정된다. 따라서 탄화규소 분말 또는 분쇄체의 평균 크기와 금속분말 또는 분쇄체의 평균 크기간의 비는 금속분말 또는 분쇄체의 크기가 탄화규소 분말 또는 분쇄체의 크기의 1/10 또는 그보다 더 작아야 적합하며, 금속분말 또는 분쇄체의 크기가 1/10 보다 큰 경우에는 전기 전도성을 위한 금속분말 또는 분쇄체에 의한 가교효과가 떨어지므로 전기 전도성의 제어에 난점이 있다. 즉, 금속분말 또는 분쇄체는 탄화규소간 공극내에 고르게 분포될 수 있어야 하는 것이다.
즉, 탄화규소 분말 또는 분쇄체의 크기와 금속 분말 또는 분쇄체의 크기 자체가 의미를 갖는다기 보다는 양 분말 또는 분쇄체간의 크기의 비가 의의가 있는 것이다.
이와 같은 출발물질인 탄화규소, 금속분말, 무기 바인더, 유기 바인더를 혼합하여 페이스트화 하고, 이를 기판에 도포하며, 필요에 따라서는 소정의 패턴이 형성되도록 기판에 도포함으로써, 저온용 탄화규소 히터를 제조하였다.
상용화되는 히터로 제조하기 위해서는 고온 건조하거나, 예를 들어 200℃의 온도에서 열처리하는 것이 더 필요하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 탄화규소와 Ag 분말의 전자현미경 사진이다. 도시된 바와 같이, 탄화규소는 불규칙한 형상, 즉 부정형을 나타내고 있고, Ag 분말을 대체로 구형을 나타내고 있음을 알 수 있다.
상기와 같이 불규칙 형상인 탄화규소는 정상적으로 가압성형 및 소결공정을 거치는 경우에도 그 소결성이 매우 낮아 소결이 어려운 문제점이 있다. 그러므로, 소결공정을 배제하였으며, 대신 탄화규소 입자간 가교가 일어나지 않으므로, 전원 인가시 저항이 무한대로 커질 수 있으며, 따라서 일정 정도의 전기 전도도가 필요하므로 금속분말을 첨가한 것이다. 또한 무기 바인더도 일정정도 도전성을 부여하기 위하여 전술한 바와 같이, ITO 또는 AZO를 첨가할 수도 있다.
금속 분말의 첨가량은 소망하는 전기전도도를 확보하기 위하여 그 양을 조절하여 첨가될 수 있으며, 예시된 Au, Ag, Cu, Al 등 금속 분말은 저융점을 갖기 때문에 구동온도 500℃ 이하의 저온용 히터로 사용될 수 있다.
도 2에서는 본 발명의 일 실시예에 의한 탄화규소와 Ag 분말의 혼합체를 페이스트화하고 이를 유리 기판에 도포한 것을 탄화규소만으로 페이스트를 제조하고 이를 유리 기판에 도포한 것과 비교하여 나타낸 사진을, 도 3에서는 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 탄화규소와 Ag 분말의 혼합체를 저온 열처리하고 이를 Ag 분말이 혼합되지 아니한 탄화규소를 저온 열처리한 것과 비교한 사진을 각각 나타내었다.
도 2에서 도시된 바와 같이, 탄화규소만으로 제조되는 페이스트는 표면 조도가 높아 불규칙한 표면을 가지며, 이는 페이스트내 탄화규소 분말의 분산이 원활치 못하거나, 일부 응집 현상이 일어났음을 의미하며, 이에 반하여 본 발명에 의한 탄화규소와 Ag 분말의 혼합 페이스트는 대체로 규칙적인 코팅층 두께를 갖고 있어서 표면 조도가 낮아 매끄럽다. 그리고, 본 실시예에서는 본 발명에 의한 페이스트를 유리 기판의 표면에 도포하였는데, 유리 기판에 매끄럽게 도포되어 우수한 특성이 있었다.
이를 미세하게 관찰하면, 충전의 문제임을 알 수 있었다. 페이스트를 도포하고 관찰한 표면은 기공의 유무에 있어서 차이가 있었으며, 이러한 사실로부터 표면 조도의 차이가 발생되는 것임을 알 수 있었다. 즉, 탄화규소와 금속 분말의 입자 크기비가 잘 조절된 본 발명에 의한 탄화규소 히터의 표면은 기공의 비율이 탄화규소만으로 제조된 탄화규소 히터의 기공의 비율보다 낮으므로, 그만큼 표면 조도의 향상을 꾀할 수 있다. 한편 이러한 기공으로 인해 탄화규소 히터로서의 고유의 물성에 부정적인 영향을 미치므로, 이러한 기공이 최대한 배제되도록 하는 본 발명은 그 특징이 있는 것이다.
또한, 도 3에서 도시되고, 전술한 바와 같이, 탄화규소 입자만으로 구성되는 페이스트를 열처리하는 경우, 무기 바인더에 탄화규소가 분산되어 있고 무기 바인더만이 연속상을 구성할 뿐, 탄화규소가 균일하게 가교되어 있는 것은 아니므로 전기에 대한 저항값이 매우 크며, 따라서 히터로서는 적합하지 않음을 알 수 있다. 그러나, 본 발명에 의하여 탄화규소와 Ag 분말을 혼합하고 이를 페이스트화한 다음 열처리한 경우, 탄화규소의 소결구조가 아닌 만큼 이를 Ag 분말 가교역할을 하면서 이와 같은 단점을 보완하고 있어 전기 전도성이 일정정도 부여되고, 금속분말 또는, 탄화규소 분말과 금속분말을 양적으로 조절함으로써 히터로서 기능하도록 할 수 있다.
한편, 히터로서 사용되기 위해서는 내구성도 중요한 바, 기판과 본 발명에 의한 페이스트의 접합력이 확보되어야 한다. 이는 박리 테스트를 통해서 알 수 있는 바, 본 발명에 의한 탄화규소 히터용 페이스트는 연필경도 3H 수준의 경도값을 나타냄을 실험적으로 알 수 있었으며, 이러한 경도는 탄화규소 히터로서 상용화되는데 있어 적합한 경도값인 것으로 판단된다.
본 발명에 의하여 제조되는 조성물은 분체가 혼합된 형태로 유통될 수도 있고, 아니면 용액상태의 바인더에 분말을 혼합하여 슬러리화한 다음 유통될 수도 있으므로, 본 발명은 양자를 포괄하는 개념으로 이해되어야 한다.
이상과 같이 본 발명을 바람직한 실시예를 기초로 설명하였으나, 위 실시예에 의해 본 발명의 보호범위가 한정되는 것으로 해석되어서는 아니되며, 바람직한 보호범위는 하기의 특허청구범위의 해석에 의하여야 할 것이다.
Claims (11)
- 부정형 탄화규소 분말 또는 분쇄체와, 전도성을 위한 금속분말 또는 분쇄체와, 무기 바인더 및 유기 바인더를 포함하여 구성되며, 탄화규소 성분에 의해 저항과 열전도성을 갖도록 하고, 금속성분에 의해 전기 전도성을 갖도록 하며, 탄화규소 소결온도에서 소결하지 않고 고온건조하여 무기 바인더의 결합력만을 이용하여 히터의 제조가 가능하고, 페이스트 형태로 기판에 도포되어 사용되는 것을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
상기 부정형 탄화규소 분말 또는 분쇄체는 탄화규소 잉곳을 분쇄한 것이거나, 연마용 탄화규소 분말인 것을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 부정형 탄화규소 분말 또는 분쇄체는 30 ~ 40㎛의 평균 입도 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속분말 또는 분쇄체는 Au, Ag, Cu 또는 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 융점이 적어도 500℃인 물질인 것을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물. - 제 4 항에 있어서,
상기 Au, Ag, Cu 또는 Al은 0.1 ~ 1㎛의 평균 입도 범위인 것을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물. - 제 1 항에 있어서,
탄화규소 분말 또는 분쇄체와, 금속분말 또는 분쇄체는 그 크기비에 있어서, 금속분말 또는 분쇄체는 탄화규소 분말 또는 분쇄체의 평균크기의 1/10보다 더 작은 크기인 것을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 고융점 전기 전도성 성분이 함유된 히터용 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 무기 바인더는 알코올을 용매로 하는 실레인과 고체 SiO2의 혼합물인 것을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물. - 제 7 항에 있어서,
무기 바인더로서, ITO(In-Sn-O화합물) 또는 AZO(Al doped ZnO 화합물) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나가 더 첨가되는 것을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물. - 제 7 항에 있어서,
상기 무기 바인더는 고체 SiO2의 함량이 65 ~ 85%의 범위가 되도록 농축된 것임을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 유기 바인더는 셀룰로오스, 또는 수계 또는 알코올계 바인더인 것을 특징으로 하는 난소결성 부정형 탄화규소와 금속성분이 함유된 히터용 조성물. - 삭제
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KR950031577A (ko) * | 1994-05-19 | 1995-12-18 | 정몽원 | 차량용 히터장치 |
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US20040033893A1 (en) * | 2001-03-30 | 2004-02-19 | Takahiro Tomita | Silicon carbide based porous article and method for preparation thereof |
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Patent Citations (4)
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---|---|---|---|---|
KR950031577A (ko) * | 1994-05-19 | 1995-12-18 | 정몽원 | 차량용 히터장치 |
JPH0912368A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-14 | Sharp Corp | 炭化ケイ素セラミックヒーターの製造方法 |
US20040033893A1 (en) * | 2001-03-30 | 2004-02-19 | Takahiro Tomita | Silicon carbide based porous article and method for preparation thereof |
KR20090036910A (ko) * | 2007-10-10 | 2009-04-15 | 주식회사 칸세라 | 허니컴 구조체 및 그 제조방법 |
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