JPH0650730B2 - 半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
半導体薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0650730B2 JPH0650730B2 JP21517385A JP21517385A JPH0650730B2 JP H0650730 B2 JPH0650730 B2 JP H0650730B2 JP 21517385 A JP21517385 A JP 21517385A JP 21517385 A JP21517385 A JP 21517385A JP H0650730 B2 JPH0650730 B2 JP H0650730B2
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- semiconductor thin
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体薄膜の製造方法に関し、特に配向性にす
ぐれた半導体薄膜の製造方法に関する。
ぐれた半導体薄膜の製造方法に関する。
半導体装置には結晶質や非晶質の半導体薄膜が利用され
ている。結晶質の半導体薄膜において、多結晶や微結晶
（たとえば微結晶シリコン）の薄膜が多数検討されてい
る。これらは、通常、基板上に形成されるが、基板が単
結晶でない場合には、その形成される薄膜は無配向とな
りやすい。
ている。結晶質の半導体薄膜において、多結晶や微結晶
（たとえば微結晶シリコン）の薄膜が多数検討されてい
る。これらは、通常、基板上に形成されるが、基板が単
結晶でない場合には、その形成される薄膜は無配向とな
りやすい。
しかして、もし、これらの薄膜に自由に配向性を付与す
ることができれば、電気的な性質や光学的性質に異方性
を与えることが可能となるから、新たな機能の発現を導
きうることになる。特に、従来ガラスや高分子フイルム
のような非単結晶の基板上に配向性を有する半導体薄膜
を形成する技術が要求されていた。
ることができれば、電気的な性質や光学的性質に異方性
を与えることが可能となるから、新たな機能の発現を導
きうることになる。特に、従来ガラスや高分子フイルム
のような非単結晶の基板上に配向性を有する半導体薄膜
を形成する技術が要求されていた。
本発明者らはフルオロシランの光分解（光ＣＶＤ法）に
より低抵抗の非晶質（水素及び又は弗素を含有する微結
晶化シリコン）薄膜を得ることを先に提案（特願昭６０
−４９２３１号、特願昭６０−４９２３２号）した。さ
らに、検討を進めた結果、驚くべきことに上記技術にお
いてシランを共存させることにより、ガラス基板上に配
向性のすぐれた半導体薄膜が形成されることを見出し本
発明を完成した。
より低抵抗の非晶質（水素及び又は弗素を含有する微結
晶化シリコン）薄膜を得ることを先に提案（特願昭６０
−４９２３１号、特願昭６０−４９２３２号）した。さ
らに、検討を進めた結果、驚くべきことに上記技術にお
いてシランを共存させることにより、ガラス基板上に配
向性のすぐれた半導体薄膜が形成されることを見出し本
発明を完成した。
本発明はフルオロシラン、シラン及び好ましくは水素か
らなる混合ガスを光分解（光ＣＶＤ）して単結晶又は非
単結晶基板上に配向性にすぐれた半導体薄膜を形成する
ものである。
らなる混合ガスを光分解（光ＣＶＤ）して単結晶又は非
単結晶基板上に配向性にすぐれた半導体薄膜を形成する
ものである。
本発明において使用するフルオロシランとしてはＳｉＨ
４−ｎＦｎ（ｎ＝１〜３の整数）又はＳｉ２Ｆ６が有用
である。シランとしてはＳｉｍＨ２ｍ＋２（ｍ＝１〜３
の整数）で表わされるモノシラン、ジシラン、トリシラ
ンが有効に用いられる。さらに、III族化合物としては
ジボラン（B2H6）、Ｖ族化合物としてはホスフイン（Ｐ
Ｈ３）やアルシン（ＡｓＨ３）が有用である。
４−ｎＦｎ（ｎ＝１〜３の整数）又はＳｉ２Ｆ６が有用
である。シランとしてはＳｉｍＨ２ｍ＋２（ｍ＝１〜３
の整数）で表わされるモノシラン、ジシラン、トリシラ
ンが有効に用いられる。さらに、III族化合物としては
ジボラン（B2H6）、Ｖ族化合物としてはホスフイン（Ｐ
Ｈ３）やアルシン（ＡｓＨ３）が有用である。
本発明において基板としては、単結晶又は非単結晶、い
ずれの材料も用いることができる。本発明の薄膜形成条
件のうち基板温度は約２００℃と低いので、この温度条
件に耐える多数の各種材料が有効に用いられる。単結晶
材料、特に表面を清浄にしたシリコン基板を用いると半
導体薄膜は該清浄表面からエピタキシャル成長したもの
となる。一方非単結晶材料を用いる場合には、本発明の
原料ガス構成において＜１１０＞方向に配向した半導体
薄膜を得ることができる。
ずれの材料も用いることができる。本発明の薄膜形成条
件のうち基板温度は約２００℃と低いので、この温度条
件に耐える多数の各種材料が有効に用いられる。単結晶
材料、特に表面を清浄にしたシリコン基板を用いると半
導体薄膜は該清浄表面からエピタキシャル成長したもの
となる。一方非単結晶材料を用いる場合には、本発明の
原料ガス構成において＜１１０＞方向に配向した半導体
薄膜を得ることができる。
本発明において光分解は紫外線によるものが好ましく、
光分解の増減反応を利用することもできる。
光分解の増減反応を利用することもできる。
即ち本発明は、フルオロシラン、シラン及び好ましくは
水素からなる混合ガスを好ましくは紫外線の照射により
光分解し、低温に加熱された単結晶又は非単結晶基板上
に高配向性の半導体薄膜を形成する方法である。
水素からなる混合ガスを好ましくは紫外線の照射により
光分解し、低温に加熱された単結晶又は非単結晶基板上
に高配向性の半導体薄膜を形成する方法である。
本発明においては、フルオロシランとシランが共存した
状態で光ＣＶＤすることが不可欠であり、さらに好まし
くは、水素を混合したガスに紫外線を照射するものであ
る。該混合ガスにIII族化合物又はＶ族化合物を添加し
て薄膜形成を行うことにより得られる薄膜はそれぞれｐ
型およびｎ型半導体の特性が与えられる。混合ガス比に
ついては半導体薄膜を形成する薄膜形成装置への原料ガ
ス供給流量（容量）比で表わすことができる。好ましい
範囲はつぎの通りである。フルオロシラン／シラン比＝
0.5〜５０、特に好ましくは１〜２０であり、さらに、
非単結晶基板上に高配向性の薄膜を形成するためにはこ
の比の範囲は１〜１５である。水素／フルオロシランは
２倍以上、特に好ましくは５倍以上である。水素添加量
を多くしすぎると、単結晶の成長速度が低下するので好
ましい水素／フルオロシラン混合比は２〜２０倍であ
り、特に好ましくは５〜１５倍である。III族化合物又
はＶ族化合物／シランの比は半導体薄膜の抵抗率により
適宜決定される。この比は１×１０−７〜５×１０−２
の範囲で充分であり、エピタキシヤル成長の場合にはこ
の値は小さくなる。
状態で光ＣＶＤすることが不可欠であり、さらに好まし
くは、水素を混合したガスに紫外線を照射するものであ
る。該混合ガスにIII族化合物又はＶ族化合物を添加し
て薄膜形成を行うことにより得られる薄膜はそれぞれｐ
型およびｎ型半導体の特性が与えられる。混合ガス比に
ついては半導体薄膜を形成する薄膜形成装置への原料ガ
ス供給流量（容量）比で表わすことができる。好ましい
範囲はつぎの通りである。フルオロシラン／シラン比＝
0.5〜５０、特に好ましくは１〜２０であり、さらに、
非単結晶基板上に高配向性の薄膜を形成するためにはこ
の比の範囲は１〜１５である。水素／フルオロシランは
２倍以上、特に好ましくは５倍以上である。水素添加量
を多くしすぎると、単結晶の成長速度が低下するので好
ましい水素／フルオロシラン混合比は２〜２０倍であ
り、特に好ましくは５〜１５倍である。III族化合物又
はＶ族化合物／シランの比は半導体薄膜の抵抗率により
適宜決定される。この比は１×１０−７〜５×１０−２
の範囲で充分であり、エピタキシヤル成長の場合にはこ
の値は小さくなる。
混合ガスの形成方法は、特に限定されるものではない。
たとえば、該形成装置外であらかじめ混合したガスを導
入することや、該形成装置内で、上記の希釈度合を満足
すべく水素を混合することのいずれも有用である。III
族化合物やＶ族化合物は分解しやすいとか極めて有毒で
ある等の理由により通常希釈された状態で使用される。
水素で希釈したIII族又はＶ族化合物、フルオロシラ
ン、シラン等を使用することは取扱い上便利である。
たとえば、該形成装置外であらかじめ混合したガスを導
入することや、該形成装置内で、上記の希釈度合を満足
すべく水素を混合することのいずれも有用である。III
族化合物やＶ族化合物は分解しやすいとか極めて有毒で
ある等の理由により通常希釈された状態で使用される。
水素で希釈したIII族又はＶ族化合物、フルオロシラ
ン、シラン等を使用することは取扱い上便利である。
本発明において光分解に用いる紫外線を発生する光源と
しては、臨界的な条件でなく特に限定されるものではな
い。具体的示例としては、水銀灯、希ガスランプ、水銀
−希ガスランプ、水素放電管等が用いられる。これらの
光源において、水銀灯の一種である低圧水銀灯を用いる
ことが実用上便利である。光分解は直接的に、または所
望により増感剤を介して間接的に行うことができる。実
用的な観点から水銀を増感剤とする水銀増感法が効果的
に用いられる。シランとして一般式においてｍ＝１のモ
ノシランを用いる時には、水銀増感法のみが有効であ
る。ｍ＝２及びｍ＝３のジシラン及びトリシランは直接
及び間接のいずれの方法も有用である。トリシランは沸
点が５３℃と高く、室温では液体で存在するため何らか
の段でガス化せねばならない。それ故、混合ガスの光分
解反応の観点からはシランしてはジシランン（ｍ＝２）
が好ましい原料である。
しては、臨界的な条件でなく特に限定されるものではな
い。具体的示例としては、水銀灯、希ガスランプ、水銀
−希ガスランプ、水素放電管等が用いられる。これらの
光源において、水銀灯の一種である低圧水銀灯を用いる
ことが実用上便利である。光分解は直接的に、または所
望により増感剤を介して間接的に行うことができる。実
用的な観点から水銀を増感剤とする水銀増感法が効果的
に用いられる。シランとして一般式においてｍ＝１のモ
ノシランを用いる時には、水銀増感法のみが有効であ
る。ｍ＝２及びｍ＝３のジシラン及びトリシランは直接
及び間接のいずれの方法も有用である。トリシランは沸
点が５３℃と高く、室温では液体で存在するため何らか
の段でガス化せねばならない。それ故、混合ガスの光分
解反応の観点からはシランしてはジシランン（ｍ＝２）
が好ましい原料である。
さらに本発明のすぐれた特徴の一つとして半導体薄膜を
形成する温度は３００℃以下の低温でよいことである。
単結晶基板を用いた場合には２００℃の基板温度でエピ
タキシャル成長ができる。成長温度はさらに低下させる
ことができるがこの場合には、それに応じて成長速度を
低下させる必要がある。成長速度が約0.1Å／sec以上の
実用的な値の場合には基板温度は約１００℃以上であれ
ばよい。
形成する温度は３００℃以下の低温でよいことである。
単結晶基板を用いた場合には２００℃の基板温度でエピ
タキシャル成長ができる。成長温度はさらに低下させる
ことができるがこの場合には、それに応じて成長速度を
低下させる必要がある。成長速度が約0.1Å／sec以上の
実用的な値の場合には基板温度は約１００℃以上であれ
ばよい。
光分解時の混合ガス圧力や照射光強度は特に限定される
条件はない。また水銀を増感剤として用いる場合には水
銀溜の温度や水銀蒸気を薄膜形成装置に移送するキヤリ
ヤーガスの流量等も特に限定されるものではない。これ
らの条件は薄膜の成長速度に影響を与えるものであり、
前述の如く成長速度に応じて基板温度を適宜変更するこ
とで効果的に半導体薄膜を生長させることができる。
条件はない。また水銀を増感剤として用いる場合には水
銀溜の温度や水銀蒸気を薄膜形成装置に移送するキヤリ
ヤーガスの流量等も特に限定されるものではない。これ
らの条件は薄膜の成長速度に影響を与えるものであり、
前述の如く成長速度に応じて基板温度を適宜変更するこ
とで効果的に半導体薄膜を生長させることができる。
つぎに本発明の実施の態様についてしるす。光透過窓、
基板導入手段、基板保持手段、基板加熱手段、ガス導入
手段、真空排気手段を少なくとも有する薄膜形成装置内
に洗浄及び又はエッチングにより表面を清浄にした単結
晶又は非単結晶の基板を設置し、真空排気下、該基板を
１００〜４００℃に加熱する。原料ガスの導入にあた
り、必要に応じてその一部を水銀溜を経由させて該装置
に導入する。原料ガススは、シランに対するフルオロシ
ランの流量比を0.5〜５０とし、かつフルオロシランに
対する水素の流量比を２倍以上として該装置に供給され
る。さらにｐ型およびｎ型のドーピングを行なう場合に
は、それぞれIII族及びＶ族化合物をシランに対して１
×１０−７〜５×１０−２の割合で該装置に導入すれば
よい。
基板導入手段、基板保持手段、基板加熱手段、ガス導入
手段、真空排気手段を少なくとも有する薄膜形成装置内
に洗浄及び又はエッチングにより表面を清浄にした単結
晶又は非単結晶の基板を設置し、真空排気下、該基板を
１００〜４００℃に加熱する。原料ガスの導入にあた
り、必要に応じてその一部を水銀溜を経由させて該装置
に導入する。原料ガススは、シランに対するフルオロシ
ランの流量比を0.5〜５０とし、かつフルオロシランに
対する水素の流量比を２倍以上として該装置に供給され
る。さらにｐ型およびｎ型のドーピングを行なう場合に
は、それぞれIII族及びＶ族化合物をシランに対して１
×１０−７〜５×１０−２の割合で該装置に導入すれば
よい。
真空排気手段で該装置内の圧力を１０Torr以下として、
低圧水銀ランプを点灯し成膜を開始する。同ランプ点灯
と共に薄膜の形成がはじまるので成膜速度を考慮にいれ
て必要膜厚になる時間において同ランプを消灯する。ま
た、膜厚モニターによつて膜厚を計測しつつ成膜時間を
決めることもできる。該装置の光透過窓として合成英が
適しているが、この窓に高沸点油を塗布しておくことに
より、光透過窓への膜形成を抑えることができる。
低圧水銀ランプを点灯し成膜を開始する。同ランプ点灯
と共に薄膜の形成がはじまるので成膜速度を考慮にいれ
て必要膜厚になる時間において同ランプを消灯する。ま
た、膜厚モニターによつて膜厚を計測しつつ成膜時間を
決めることもできる。該装置の光透過窓として合成英が
適しているが、この窓に高沸点油を塗布しておくことに
より、光透過窓への膜形成を抑えることができる。
本発明は、単結晶薄膜を含む高配向性の半導体薄膜を基
板の温度が３００℃以下さらには２００℃以下の低温に
おいて与えるものである。それ故、高集積化のために、
半導体薄膜や半導体装置の低温形成技術が熱望されてい
る半導体装置の製造分野に対して、本発明は極めて有用
な技術を提供するものである。
板の温度が３００℃以下さらには２００℃以下の低温に
おいて与えるものである。それ故、高集積化のために、
半導体薄膜や半導体装置の低温形成技術が熱望されてい
る半導体装置の製造分野に対して、本発明は極めて有用
な技術を提供するものである。
以下実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１ 第１図に示すところの紫外光透過窓１、基板導入手段
２、基板保持手段３、基板加熱手段４、ガス導入手段
５、真空排気手段６を有す薄膜形成装置７を用いる。基
板導入手段２を用いて膜付のための基板８であるところ
のｐ型シリコンウエハーを基板保持手段に設置する。真
空排気手段で真空排気しつつ基板加熱手段により洗浄剤
の基板を２００℃に加熱した。なお、６１、９１は基板
導入取出室１５の排気手段である。ついてジシラン／ジ
フルオロシラン／水素を１／１０／１５０の流量比で導
入し、真空排気手段に設備されている調節弁９で２Torr
の圧力に保持する。導管１０より導入されるジフルオロ
シランの内の一部を約４０℃に加熱された水銀溜１１の
上を通過させて導入する。なお、１３，１４，１６はジ
シララン、水素、ジボラン、ホスフイン等の導入管であ
る。基体の温度および薄膜形成装置内の圧力が一定とな
つた時低圧水銀ランプ１２を点灯し、膜厚が約６０００
Åになつた時に消灯する。平均の成膜速度は0.8Å／Ｓ
であつた。
２、基板保持手段３、基板加熱手段４、ガス導入手段
５、真空排気手段６を有す薄膜形成装置７を用いる。基
板導入手段２を用いて膜付のための基板８であるところ
のｐ型シリコンウエハーを基板保持手段に設置する。真
空排気手段で真空排気しつつ基板加熱手段により洗浄剤
の基板を２００℃に加熱した。なお、６１、９１は基板
導入取出室１５の排気手段である。ついてジシラン／ジ
フルオロシラン／水素を１／１０／１５０の流量比で導
入し、真空排気手段に設備されている調節弁９で２Torr
の圧力に保持する。導管１０より導入されるジフルオロ
シランの内の一部を約４０℃に加熱された水銀溜１１の
上を通過させて導入する。なお、１３，１４，１６はジ
シララン、水素、ジボラン、ホスフイン等の導入管であ
る。基体の温度および薄膜形成装置内の圧力が一定とな
つた時低圧水銀ランプ１２を点灯し、膜厚が約６０００
Åになつた時に消灯する。平均の成膜速度は0.8Å／Ｓ
であつた。
冷却後基板を取りだして観察したところ、基体面は曇り
の全くない鏡面であつた。表面を反射電子線回折装置で
観察して、基板と同一のラウエ斑点を得て、該基板面か
ら単結晶薄膜がエピタキシャル成長していることを確認
した。本単結晶薄膜は極めて弱いｎ型であり、その比抵
抗は５０〜７０Ω・cmであつた。
の全くない鏡面であつた。表面を反射電子線回折装置で
観察して、基板と同一のラウエ斑点を得て、該基板面か
ら単結晶薄膜がエピタキシャル成長していることを確認
した。本単結晶薄膜は極めて弱いｎ型であり、その比抵
抗は５０〜７０Ω・cmであつた。
実施例２ 基板として、ガラス板（コーニング７０５９）を用い、
かつＰＨ３をジシランに対し４０００ppm（容量比）添
加したことを除いて、実施例１に準じて行つた。成膜速
度は0.95Å／Ｓであり、反射電子線回折の観察結果は＜
１１０＞方向に配向していることが確認された。導電率
は1.3S／cmであり、充分低抵抗化できた。
かつＰＨ３をジシランに対し４０００ppm（容量比）添
加したことを除いて、実施例１に準じて行つた。成膜速
度は0.95Å／Ｓであり、反射電子線回折の観察結果は＜
１１０＞方向に配向していることが確認された。導電率
は1.3S／cmであり、充分低抵抗化できた。
実施例３〜１０、比較例１，２ フルオロシランの種類と量を変更した他は実施例１に準
じて実施した。条件及び結果を第１表に記した。第１表
には比較のための例もあわせて示した。
じて実施した。条件及び結果を第１表に記した。第１表
には比較のための例もあわせて示した。
実施例１１〜１７ 実施例３〜５、７〜１０において基板をシリコンウエハ
ーの代りに、ガラス板（コーニング７０５９）を用い
た。比較のための例として、フルオロシランの流量比を
変更して薄膜を形成した。結果を第２表に示した。
ーの代りに、ガラス板（コーニング７０５９）を用い
た。比較のための例として、フルオロシランの流量比を
変更して薄膜を形成した。結果を第２表に示した。
ジフルオロシラン／シランの流量比を大きくし、２０と
したところ、得られた薄膜の電子線回折像はリング状で
あり、無配向状態であることがわかつた。
したところ、得られた薄膜の電子線回折像はリング状で
あり、無配向状態であることがわかつた。
実施例１８ 実施例１においてジシランのかわりにモノシラン（Ｓｉ
Ｈ４）を用いて行つた。成膜速度は0.15Å／Ｓと低下し
たが電子線回折からエピタキシヤル成長を確認した。抵
抗率は９０〜１２０Ω・cmであつた。
Ｈ４）を用いて行つた。成膜速度は0.15Å／Ｓと低下し
たが電子線回折からエピタキシヤル成長を確認した。抵
抗率は９０〜１２０Ω・cmであつた。
実施例１９ 基板としてガラス板を用いた他は実施例１８に準じて行
つた。成膜速度は0.18Å／Ｓであり、電子線回折からは
＜１１０＞方向への配向を確認した。
つた。成膜速度は0.18Å／Ｓであり、電子線回折からは
＜１１０＞方向への配向を確認した。
以上のごとくたとえば実施例にも示されたように２００
℃と低い基板温度で単結晶又は高配向性薄膜を成長させ
ることのできる本本発明は半導体装置の製造の低温化に
極めて有効な発明である。
℃と低い基板温度で単結晶又は高配向性薄膜を成長させ
ることのできる本本発明は半導体装置の製造の低温化に
極めて有効な発明である。
第１図は本発明を実施するために有用な薄膜形成装置の
縦断面を示す模式図である。
縦断面を示す模式図である。
Claims (7)
- 【請求項１】フルオロシラン、及びシランからなる混合
ガスを光分解して基板上に形成することを特徴とする半
導体薄膜の製造方法。 - 【請求項２】フルオロシランがＳｉＨ４−ｎＦｎ（ｎ＝
１〜３）又はＳｉ２Ｆ６である特許請求の範囲第(1)項
記載の半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】シランはＳｉｍＨ２ｍ＋２（ｍ＝１〜３）
である特許請求の範囲第(1)項記載の半導体薄膜の製造
方法。 - 【請求項４】III族化合物又はＶ族化合物を添加された
混合ガスを用いる特許請求の範囲第(1)項記載の半導体
薄膜の製造方法。 - 【請求項５】基板が単結晶又は非単結晶材料である特許
請求の範囲第(1)項記載の半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項６】光分解が紫外線の照射により行われる特許
請求の範囲第(1)項記載の半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項７】フルオロシラン、シラン及び水素からなる
混合ガスを紫外線の照射により光分解し、低温に加熱さ
れた単結晶又は非単結晶基板上に形成する特許請求の範
囲第(1)項記載の半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21517385A JPH0650730B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21517385A JPH0650730B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276612A JPS6276612A (ja) | 1987-04-08 |
| JPH0650730B2 true JPH0650730B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=16667868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21517385A Expired - Fee Related JPH0650730B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650730B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62221109A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜作製方法 |
| KR101050377B1 (ko) | 2001-02-12 | 2011-07-20 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 반도체 박막 증착을 위한 개선된 공정 |
| US7026219B2 (en) | 2001-02-12 | 2006-04-11 | Asm America, Inc. | Integration of high k gate dielectric |
| US6815007B1 (en) | 2002-03-04 | 2004-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to solve IMD-FSG particle and increase Cp yield by using a new tougher UFUN season film |
| JP5005170B2 (ja) | 2002-07-19 | 2012-08-22 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 超高品質シリコン含有化合物層の形成方法 |
| US7294582B2 (en) | 2002-07-19 | 2007-11-13 | Asm International, N.V. | Low temperature silicon compound deposition |
| US7186630B2 (en) | 2002-08-14 | 2007-03-06 | Asm America, Inc. | Deposition of amorphous silicon-containing films |
| US7092287B2 (en) | 2002-12-18 | 2006-08-15 | Asm International N.V. | Method of fabricating silicon nitride nanodots |
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-
1985
- 1985-09-30 JP JP21517385A patent/JPH0650730B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6276612A (ja) | 1987-04-08 |
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