JPH06504045A - 新規なメチレンビスホスホン酸誘導体 - Google Patents
新規なメチレンビスホスホン酸誘導体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
新規なメチレンビスホスホン酸誘導体
本発明は新規なメチレンビスホスホン酸誘導体、特にアルキル基またはアミノア
ルキル基で置換された新規なメチレンビスホスホン酸エステル酸およびエステル
塩に関し、またこれらの新規な化合物を製造する方法および、これらの新規な化
合物を含有する医薬組成物に関するものである。
いくつかの報告がメチレンビスホスホン酸、それらの塩類あるいはそれらのテト
ラエステル類について開示しているが、対応する部分エステルであるトリー、ジ
ーおよびモノエステルに関してはごくわずかの開示があるのみである。
メチレンビスホスホン酸のテトラエステル類の製造は以下の刊行物に記述されて
いる。EP 0221 611; J。
Am、Chem、Soc、78. (1956) 445o; J、Chem、
Sac、(1959) 2266and 2272; J、Am、Chem、S
oc、84(1962) 1876; J、Org、Chem、35゜(197
0) 3149; J、Org、Chem、36゜(1971) 3843;
Phosphorus、5ulfur and 5ilicon 42+ (1
989)73゜本発明により、置換されたメチレンビスホスホン酸の新規な部分
エステルおよびそれらの塩が、多くの場合、その優れた薬効学的挙動および有効
性の故に、対応するビスホスホン酸およびそれらの塩に比較してより好ましい特
性を示し、しかも、生体の代謝の調節において錯体形成剤として関与する能力を
維持することが発見された。
本発明の化合物は、カルシウムおよびその他の金属、特に2価の金属、の代謝異
常の治療にきわめて有効である。これらの化合物は、骨粗髭症およびベージェッ
ト病のような、特に骨形成異常および吸収異常に代表される骨格系疾病、及び、
更に沈着化や無機化状態ならびに骨形成異常のような軟骨組織における疾恋の治
療に用いることができる。
他方、ピロホスフェート〔ビロリン酸エステル(p7tophosphsee)
3類似体である本発明の新規な置換されたメチレンビスホスホン酸誘導体も、生
物体の(ピロ)ホスフェート機能における異常の治療に好適である。このような
機能には、活性だが障害を引き起こしたり或いは異常活性の難質部分が(ピロ)
ホスフェートに結合するとか、或いは金属錯体または最後に言及したものの組合
せとして作用するような諸機能が含まれる。
本発明の新規なビスホスホネートは、直接にあるいは間接的メカニズムを通して
、組織に結合して、組織中で活性のありそしてまた組織から脱離してくるカチオ
ンのレベルを制御するとともに体液中に遊離して存在するカチオンおよび/また
はピロリン酸化合物の質とレベルを調節する。したがって、これらの化合物は細
胞の代謝、成長、破壊を調節することができる。この結果、これらは、例えば骨
の癌、およびその転移、逸所性カルシウム沈着症、尿石症、慢性関節リウマチ、
骨感染症および骨分解の治療に有用である。
新規な置換されたメチレンビスホスホネートの代表的な特性は、選択的に望まし
く制御された作用であり、より良好な治療指標を提供することができる。
本発明は、式1
で表される、幾何異性体および光学異性体に代表される立体異性体を含む、新規
なビスホスホン酸誘導体、あるいはその薬理学的に許容される塩に関する。
式1において、
Rt、Rt、R3およびR4は独立的に直鎖状または分枝状の、飽和または不飽
和の炭素数1〜10のアルキル基、飽和または不飽和の炭素数3〜10のシクロ
アルキル基、アリール基、アラルキル基、シリル基S i Rs、または水素原
子であって、式Iにおいて、R1、R2、R8およびR4のうちの少なくとも1
つは水素原子であり、Rl 、 R1、R8およびR4のうちの少なくとも1つ
は水素原子ではなく、
Q’は水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アミノ基NH,、またはOR’ (R
’は炭素数1〜4の低級アルキル基またはアシル基)であり、
Q!は直鎖状または分枝状の、飽和または不飽和の炭素数1〜10のアルキル基
、ヒドロキシアルキル基、或いはアミノアルキル基〔ここで、酸素原子は置換基
として1つの基を含むことができ、また窒素原子は置換基として1つまたは2つ
の基を含むことができる(これらの基は炭素数1〜4の低級アルキル基またはア
シル基であり、或いは窒素原子の2つの置換基はその窒素原子とともに飽和複素
環、部分的飽和複素環、或いは芳香族複素環を形成することができる)〕である
か、或いはQ2は非置換または置換され且つ部分飽和または不飽和の炭素数3〜
10のシクロアルキル基(これは炭素数1〜4の直鎖状または分枝状アルキレン
基を介して式Iの分子に結合することもできる)である。
R1,R2、R3およびR4は、独立的に直鎖状または分枝状のアルキル基、ア
ルケニル基またはアルキニル基であり、アルキル基の炭素数は1〜10、好まし
くは1〜7、より好ましくは1〜4であり、アルケニル基またはアルキニル基の
炭素数はそれぞれ2〜10、好ましくは2〜7、より好ましくは2〜4である。
飽和または不飽和のシクロアルキル基は、炭素数3〜10のシクロアルキル基ま
たはシクロアルケニル基であるが、好ましくはシクロプロピル基、シクロブチル
基、シクロペンチル基またはシクロヘキシル基である。
アリール基またはアラルキル基は、炭素数1〜4の低級アルキル基、低級アルコ
キシ基またはハロゲン原子で置換された壜環アリール基またはアラルキル基、た
とえばフェニル基およびベンジル基であるが、好ましくは非置換のフェニル基ま
たはベンジル基である。
シリル基5iR3において、Rは炭素数1〜4の低級アルキル基、特にメチル基
、エチル基、イソプロピル基、ブチル基、t−ブチル基、またはフェニル基ある
いは上記のRが置換しているフェニル基であり、更に、シリル基としては、低級
アルキル基またはフェニル基が組合わされた種々の基、例えばジメチルt−ブチ
ル基、メチルジイソプロピル基、ジメチルフェニル基、ジエチルフェニル基、メ
チルt−ブチルフェニル基、ジイソプロピル(2,6−シメチルフエニル)基、
を有するシリル基も含まれる。
Q2としての、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基、ヒドロキシアル
キル基またはアミノアルキル基、ヒドロキシアルケニル基またはアミノアルケニ
ル基またはヒドロキシアルキニル基またはアミノアルキニル基の炭素数は、アル
キル基又はその誘導基については1〜10個、好ましくは1〜4個であり、アル
ケニル基およびアルキニル基ならびにそれらの誘導基については、2〜10個、
好ましくは2〜4個である。水酸基の酸素原子への置換基として1つの、アミノ
基の窒素原子への置換基として1つまたは2つの炭素数1〜4の低級アルキル基
またはアシル基が存在でき、或いは2つの置換置はその窒素原子とともに複素環
、非置換または置換(例えば炭素数1〜4のアルキル基)の複素環、飽和の複素
環または芳香族複素環を形成しうる。これは、たとえば、モルホリニル基、チオ
モルホリニル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基、アゼチジニル基、ピロリジ
ニル基であり、芳香族基または部分水素化された基として、ピロリル基、イミダ
ゾリル基、トリアゾリル基、オキサシリル基、チアゾリル基、また部分水素化さ
れた基として、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基また
はアゼピニル基である。好ましくは、3〜6員の原子を含むものであり、特には
ピロリジノ基またはピペリジノ基、またはフタルイミド基である。
アシル基は、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアリールアル
キルカルボニル基だけでなく、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボ
ニル基またはアラルコキシカルボニル基である(アルキル基は1〜4個の炭素原
子を含み、アリール基は上記で定義した通りである)。ハロゲン原子は、塩素原
子、臭素原子、フッ素原子またはヨウ素原子である。
Q2としてのシクロアルキル基とシクロアルケニル基は、3〜10個の炭素原子
を含むものであって、好ましくは、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへブチル基であるが、より好ましくはシ
クロペンチル基またはシクロヘキシル基であり、これらの基は炭素数1〜4のア
ルキル基で置換されていても非置換でもよい。それは二環式であって、好ましく
は、ビシクロ[3゜2.0]−またはビシクロ[2,2,11ヘプチル基、ビシ
クロ[4,2,0]−またはビシクロ[3,2,1コオクチル基、またはビシク
ロ[3,3,11ノニル基、または対応するスピロ系炭化水素基であり、あるい
は対応するシクロアルケニル基または不飽和スピロ構造の基であってもよい、ま
た、アダマンチル基のような多環式のものでもよい。
式Iで表わされる化合物の塩は、特に、医薬として許容される塩基との塩、例え
ば金属塩、特に、リチウム、ナトリウム、カリウム塩のようなアルカリ金属塩、
カルシウムやマグネシウム塩のようなアルカリ土類金属塩、銅、アルミニウムや
亜鉛塩又はアンモニア及び脂肪族、脂環式、芳香族の第一アミン、第三アミン、
第三アミンとのアンモニウム塩、ならびに例えば第四級アンモニウムハライド塩
、第四級アンモニウム硫酸塩、第四級アンモニウム水酸化物塩のような第四級ア
ンモニウム塩、またはエタノールアミン、ジェタノールアミン、トリエタノール
アミン、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン、1−及び2−メチルならび
に1.1−、 1.2−。
2.2−ジメチルアミノエタノール、N−モノ及びN、N−ジアルキルアミノエ
タノール、N−(ヒドロキシメチル−及びヒドロキシエチル)−N、N−エタン
ジアミンのようなアミノアルコールとの塩および、アミンクラウンエーテルやク
リプテートとの塩ならびにアゼチジニルム、ピロリジニウム、ピペリジニウム、
ピペラジニウム、モルホリニウム、ビロリウム、イミダゾリウム、ピリジニウム
、ピリミジニウム、キノリニウム等との塩である複素環式アンモニウム塩である
。
特に良好な結果は、以下の千ノーまたはジメチル−、モノ−またはジエチル−、
モノ−またはジイソプロピルエステル、または対応する混合ジエステルで得られ
ている(Q’は水酸基であり、Q2は低級アルキル基、たとえばメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、2.2−ジメチルプロピル基、またはブチ
ル基またはシクロヘキシル基、または2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシ
プロピル基、2−アミノエチル基、3−アミノプロピル基、(3−ジメチルアミ
ノ)プロピル基、[3−メチル(ペンチル)アミノコプロピル基、5−アミノペ
ンチル基である。
このような化合物の例は以下のものである。
(I−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸モノメチルおよびモノエチルエス
テル、
(l−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸モノメチルエステル、
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸ジメチルおよびジエチルエステル
、
(2,2−ジメチル−1−ヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸モノメチル
エステル、
[ヒドロキシ(シクロヘキシル)メチリデンコビスホスホン酸モノメチルエステ
ル、
(l、2−ジヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸ジメチルエステル、
(1,3−ジヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸モノエチルエステル、
(3−アミノ−1−ヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸モノメチルおよび
モノエチルエステル、
(4−アミノ−1−ヒドロキシブチリデン)ビスホスホン酸モノメチルおよびモ
ノエチルエステル、
(6−アミノ−1−ヒドロキシへキシリデン)ビスホスホン酸モノメチルおよび
モノイソプロピルエステル、(3−アミノ−1−ヒドロキシプロピリデン)ビス
ホスホン酸P、 P’−ジメチルおよびP、P’−ジエチルエステル、(4−ア
ミノ−1−ヒドロキシブチリデン)ビスホスホン酸P、P’−ジメチルおよびP
、 P’−ジエチルエステル、[(4−ジメチルアミノ)−1−ヒドロキシブチ
リデン]ビスホスホン酸モノエチルエステル、及び
[[3−メチル(ペンチル)アミノ]−1−ヒドロキシブロピリデンコビスホス
ホン酸モノメチルエステル。
本発明はまた、式Iの化合物の製造方法に関し、a)式■
のメチレンビスホスホン酸テトラエステル(Q’およびQ2は請求項1で定義し
た通りであり、R1、R2、R3およびR4は水素原子を除いて請求項1で定義
した通りである)を選択的に加水分解して、
式Iに対応するトリエステル(R1,R1、R3およびR4のうちの1つが水素
原子である)とし、またはその塩とするか、或いは、
式Iに対応するジエステル(R1,R2、R3およびR4のうちの2つが水素原
子である)とし、またはその塩とするか、或いは、
式Iに対応するモノエステル(RI、R2、R3およびR4のうちの3つが水素
原子である)とし、またはその塩とするか;或いは
b)式■
のビスホスホン酸(Q’およびQ2は上記で定義した通りである)またはその金
属塩またはそのアンモニウム塩、或いは対応する酸四塩化物を、所望の基R1、
R2、R1およびR4に対応するエステル化剤と反応させることにより選択的に
エステル化して、
式Iに対応するモノエステル(R’、R″、R3およびR4のうちの3つが水素
原子である)とし、または式Iに対応するジエステル(R1,R1、R3および
R4のうちの2つが水素原子である)とし、または式Iに対応するトリエステル
(Rl、R2、R3およびR4のうちの1つが水素原子である)とし、
または上記した各部分エステルの対応するエステル塩とするか;或いは
C)式■
のホスホネート〔ホスホン酸エステル(phosphonale)]を、式(こ
れらの上記の式において、Yは水素原子、水酸基、ハロゲン原子またはその他の
残基であり、Zは水素原子、ハロゲン原子、アシルオキシ基、スルホニルオキシ
基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基であり、R1−R4およびQlおよ
びQ2は上記で定義した通りであるか、またはQlおよびQ2は二重結合された
酸素原子またはイミノ基を形成する)に対応する活性化ホスフェート〔リン酸エ
ステル(PhosPhale))または水素ホスホネートと反応させる、または
式Xに対応するホスファイト〔亜リン酸エステル(phosphite))と反
応させるか:或いは
d)式Iに対応するビスホスホネート(但し、Q2の代わりにカルボアニオン部
位を有するもの)をω−残基で置換したQ2と反応させるか、または式Iに対応
するビスホスホネート(これはQ2の代わりに1つの残基を含む)をQ2に対応
するω−カルボアニオンと反応させるか、または(Q”−CI)−ω−カルボア
ニオンをマイケル付加によりアルキリデンビスホスホネートに付加するか:或い
は
e)弐X
のビスホスホナイト化合物(Rl、R2、R3およびR4、ならびにQlおよび
Q2は式Iで定義した通りである)、または対応する水素ホスホネート化合物を
、酸化して式Iの化合物とする方法であり、
更に、もし望まれるならば、a)〜e)のいずれかの方法により得られる部分エ
ステル酸を部分エステル塩に転換するか、或いは得られる部分エステル塩を部分
エステル酸に転換し、および/または、もし望まれるならば、得られる式■の化
合物を加水分解、エステル化またはエステル交換により式■の別の化合物に転換
し、および/または、式Iの化合物において、Q’基を定義範囲内の別のQ’基
に転換する、ことを特徴とする。
本発明の製造方法の一つの態様によれば、本発明の化合物は、式1に対応するテ
トラエステルの選択的加水分解により製造される。R1−R4ならびにQ’およ
びQ2が式Iに定義した通りであるところのテトラエステル■を出発物質として
用い、スキーム1に示したように段階的に加水分解を行うことにより、トリエス
テル■、ジエステル■およびVとモノエステル■が得られる。所望ならば、部分
エステル■から■またはその塩を抽出、分別結晶化、またはクロマトグラフィー
により単離、精製することができる。更に所望ならば、遊離酸この反応をスキー
ム1に示す(反応は上の矢印の方向で起こる)。
式■で表わされるテトラエステルの加水分解は、酸や塩基の存在下での処理、加
熱分解、またある場合には水、アルコールまたは他の中性または非中性アルキル
交換剤、シリル基交換剤やアリール基交換剤を用いて実施することができる。
加水分解は好ましくは10〜150℃の温度範囲で実施される。酸としては、好
ましくは塩酸、硫酸、リン酸のような通常の無機酸、トリフルオロエーテル硼素
、四塩化チタン等のルイス酸、およびシュウ酸、ギ酸、酢酸および他のカルボン
酸のような多くの有機酸、メタンスルホン酸および例えばトシル酸のような他の
スルホン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の塩素やフッ素
により置換されたカルボン酸やスルホン酸、ならびにそれらの水溶液が用いられ
る。
塩基としては、好ましくは水酸化アルカリ、水酸化アンモニウム、アンモニアや
それらの水溶液、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルアミン、
トリブチルアミン、アニリン、N−およびN、N−アルキル置換アニリンのよう
な第一、第二、第三アミン等の多くのアミン、ピリジン、モルホリン、ピペリジ
ン、ピペラジン等の複素環式アミン、およびN、N−ジメチルヒドラジンのよう
なヒドラジンを挙げることができる。
更に、アンバーライトのような固体状物質に固定された酸や塩基を、有機溶媒、
水及びこれらの混合溶媒の存在下または不存在下で用いることができる。
また更に、ナトリウムやリチウムのようなある種のアルカリ金属で処理するか、
または相間移動触媒(PTC)の存在下にヨウ化ナトリウム、臭化リチウム、塩
化アンモニウムまたは臭化ナトリウムのような好適な無機塩で処理することによ
り、エステル基をホスホン酸ナトリウム、ホスホン酸アンモニウムやホスホン酸
リチウムのような対応する塩に転換することができる。
加熱による切断反応は約100〜400℃の温度で起きるが、通常は250℃以
下の温度で起きる。酸や酸水溶液、または第4級アンモニウム塩のような適切な
触媒が存在すると、切断反応をより速くより低温で行うことが可能となる。ベン
ジル基やアリル基のような幾つかの活性型置換基は、接触還元反応によるか、ま
たは電気化学的に除去できる。
溶解性を改良したり、また反応中の反応温度を制御する目的で、炭化水素、低級
アルコール、安定なケトンやエステル、クロロホルム、ジクロロメタンおよびジ
クロロエタンのようなハロゲン化アルキル、ジオキサン、ジメトキシエタン、ジ
グライム、アセトニトリルのようなエーテルに代表される不活性な有機溶媒を共
溶媒として使用することができる。
式■で表わされるテトラエステルのR1−R4が全て同じであると、加水分解は
スキーム1に従って段階的に起こり、所望の部分エステルの濃度が最大のところ
で反応を停止する。
特定の部分エステル構造を有する化合物を製造するためには、式■においてエス
テル基が異なっており又それらの異なったエステル基の加水分解速度が異なるよ
うなテトラエステルを用いるのが好ましい。例えばアルキルエステルやシリルエ
ステルの加水分解速度は次に示すように構造に依存することが発見された:
シリル基〉第3級基〉第2級基〉第1級基。
加水分解速度を制御するのに、電子的因子とともにアルキル基やシリル基の大き
さや形状を利用することも可能である。
異なったエステル部位の段階的加水分解反応を変化させる目的で、エステル交換
を行うことが屡々有効である。特にメチルエステルはシリルエステル以上に対応
する酸に転換できる。
純粋な部分エステルは、加水分解の容易さから考えて有利なエステル基を用いて
製造した式Iで表わされる混合エステルを選択的に加水分解することにより製造
できる。
リン酸エステル化学及びモノホスホン酸エステル化学で既知の選択的加水分解反
応も利用することが出来る。
加水分解の進行度は例えばクロマトグラフィーや”P−NMRを用いる方法で追
跡でき、所望の部分エステルの量が最大の所で反応は停止でき、反応生成物は、
反応混合物から沈澱、抽出またはクロマトグラフィーにより遊離酸あるいは対応
する塩の形で単離が可能であり、そして、塩は遊離酸に、また遊離酸はその塩に
転換することが可能である。
本発明に基づ(化合物は、上記の反応スキーム1(反応は下側の矢印の方向に従
って起こる)に従いビスホスホン酸の選択的エステル化によっても製造可能であ
る。
出発物質としては、式■で表わされるテトラ酸を用いるが、それらは遊離の酸、
または金属塩やアンモニウム塩のような塩の形で良く、あるいは対応するホスホ
ン酸四塩化物が用いられる。そして所望の最終生成物に依存して、反応物質とし
ては、所望の脂肪族アルコールまたは芳香族アルコール;それに対応するオルト
エステル、ケテンアセタールのような活性化アルキル化剤、シリル化剤またはア
リール化剤;あるいは他の適切なアルキル基、シリル基、アリール基転移剤(例
えばジアゾ化合物、活性カルボン酸エステル、硫酸エステル等)を用いることが
でき、その量は1〜4当量である。反応は通常無水条件下で、好ましくは0℃〜
150℃の温度範囲で実施でき、あるいは不活性な共溶媒を併用するときには、
その沸点において実施できる。
エステル■から■はまた、しばしばビスホスホン酸のアンモニウム塩であるとこ
ろのビスホスホン酸アニオンと有機ハロゲン化物や有機スルホン酸塩との間の核
的置換反応により、あるいは、ホスホン酸と好適なアルコールまたはフェノール
との間での縮合反応をカルボジイミドのような脱水剤を併用することで製造でき
る。
純粋な部分エステル、また混合エステルは、式■で表わされるテトラ酸の選択的
エステル化、その際所望ならば段階的エステル化により製造することができる。
また、リン酸エステル化学とモノホスホン酸エステル化学において既知の他の選
択的エステル化反応も利用することができる。
エステル化反応の進行度は、例えばクロマトグラフィーや”P−NMRを用いる
方法により追跡可能であり、反応は所望の部分エステルの量が最大になった時点
で停止する。生成物は反応混合物から沈澱、抽出、クロマトグラフィーを用いて
単離できる。所望ならば、得られた塩を遊離酸へ、または得られた遊離酸をその
塩へ転換することができる。
本発明によるビスホスホン酸の部分エステルは、次式によりその部分からP−C
−P骨格を形成することにより製造することもできる。
(式中、Yは水素原子、水酸基、ハロゲン原子または他の脱離基であり、Zはハ
ロゲン原子、アシルオキシ基、スルホニルオキシ基、アルコキシ基、またはアリ
ールオキシ基であり、R1−R4ならびにQlおよびQ2は上記で定義した通り
であるか、QlおよびQ2は二重結合の酸素原子またはイミノ基である。塩基は
、例えば水素化ナトリウム、ブチルリチウムまたはリチウムジイソプロピルアミ
ドである。出発物質中に場合により存在する遊離酸部位(R’〜R4の1つが水
素原子である部位)はカップリング反応の前に充分量の塩基を用いて中和してお
く必要がある。またQlおよびQ2の活性部位は中和されなければならない、あ
るいは該活性部位は保護基で保護されなければならない。
また、ミカエリス−アルブーシフ反応を利用することができ、その場合、第2の
反応化合物はホスファイトであり、或いは、ミカエリス−ベラカー反応を利用す
ることができ、その場合、Zは水素原子である。
場合によっては、Q1基は、交換反応、或いは酸化または還元反応によって導入
してもよく、その場合、水酸基は水素原子、ハロゲン原子またはアミノ基から得
ることができ、アミノ基はハロゲン原子または水酸基から得ることができ、水素
原子はハロゲン原子から得ることができ、且つ、ハロゲン原子は水素原子から得
ることができる。
ビスホスホネートカルボアニオンの反応或いはC−ハロゲン原子またはその他の
遊離残基の関与する対応の反応によって、Q2をこの分子に導入することができ
、その場合、Q!反応物は遊離残基でω−置換されているか、または、対応する
ω−カルボアニオンである。
本発明による化合物は、欧州特許出願第0221611号に記載のアルキリデン
ホスホン酸エステルへのマイケル付加を適応することにJ:って製造することも
できる。
本発明によるエステルは、酸化程度の低いP−C−P構造体から、酸化反応
(XII)
(R’〜R4およびQlとQ2は、上記で定義した通りであり、ホスホナイト構
造が水素ホスホン酸エステル構造との平衡状態で存在することができる)によっ
て製造することもできる。
過酸化水素、過ハロゲン化合物、過酸、過マンガン酸塩などに代表される、あら
ゆる通常の酸化剤やその溶液を使用することができる。
本発明によるビスホスホン酸の部分エステルは、分子内または分子間交換反応を
行うことにより他の部分エステルから製造することもできる。
上記の反応において出発物質どして用いられるテトラエステル類■および対応の
テトラ酸類■は、P−C−P骨格をその部分構造化合物から形成するような、既
知の方法により、例えば、ミカエリス−ベラカー反応やミカエリス−アルブーシ
フ反応やカルボアニオン反応を段階的に利用して製造することができ(この場合
、R1〜R4は、所望の部分エステルの構造を考慮してビスホスホネートの構成
部分として選択し、有利に導入することができる)、更に、この骨格またはそれ
から得られるアニオンを、例えば、アルキル化反応或いは付加反応によって、好
適に置換することによって製造することができる。
所望の部分エステルの製造を考慮にいれると、製造されるテトラエステル類は、
もし望まれるならば、交換反応を用いて他の好適なテトラエステル類に転換する
ことができる。それにより基OR’〜OR’は直接または対応するホスホノクロ
リドを経由して交換され、あるいは、既知の他の工程を適用することにより交換
される。
光学活性な部分エステルは、上記の出発物質、中間体、最終生成物の製造におい
て、あるいは上記の交換反応において、光学活性アルコールのような既知の光学
活性化合物を用いることにより最も好ましく製造することができる。
本発明による化合物の性質を以下の試験方法で測定した。
最初に、本発明による化合物の物理化学的効果を、リン酸カルシウムの結晶形成
および沈殿の阻害活性度に関して測定した[ジッダ(Shinoda)等(Ca
fe Ti5s Inl 1983年:3587)、およびユング(Jung)
等(Cafe Ti5s Res 1973年;11:269)コ (表])。
更に、in vil+oでのマウスの頭蓋上の副甲状腺ホルモンで刺激した骨成
分の再吸収を阻害する活性度を、in vivoで甲状腺上皮小体切除したラッ
トの類網膜を誘導した骨成分の再吸収の障害度と共に測定した[レイノルズおよ
びディンゲル(Reynolds & Dingle) (Cafe Ti5s
Res 1970年;4:339)、おにびトレヒセル(7+echsel)
等(J Cl1n Invest1987年; so : 1679)] (表
2)。
表1=ビスホスホネート類およびその誘導体の水酸化リン灰石への効果化合物
結合、Ki pm 成長の障害度クロードロネート(clodrona+e)
1.3 +++エティドロネート(elidronale) Q、9 ++十(
1−ヒドロキシペンチリデン)
ビスホスホネート 2.5 +++
モノイソプロピルー(1−ヒドロキシ
エチリデン)ビスホスホネート 7.3 +++モノモノプロピル=(l−ヒド
ロキシ
ペンチリデン)ヒ゛スホスホネート 15.4 ++モモノチルー(l−ヒドロ
キシ
ペンチリデン)ビスホスホネート 11.8++÷+++ = 1100Fで完
全に阻害
++ = 1100Pでほぼ完全に阻害+ = 1100Fで僅かに阻害
表2′耐再吸収性活性度
再吸収の阻害度(%)″
100μm l(100pm !50pmol/kgin vil+o in
viv。
クロードロネート(clod+onate) 43 ND 64(l−ヒドロキ
シペンチリデン)
ビスホスホネート 56NDND
千ツメチル−(l−ヒドロキシ
ペンチリデン)ビスホスホネート747 52上記の2つの表から、本発明の化
合物の優れた点、特に、優れた相対的なin vivoでの耐再吸収性活性度が
明白である。
式Iの置換されたビスホスホン酸類の部分エステル類は、医薬品として、或いは
、アルカリ塩またはアンモニウム塩などに代表される、薬理的に好適なそれらの
塩類として使用できる。その様な塩類は、そのエステル酸類と、対応する無機ま
たは有機塩基類とを反応させることによって製造できる。
反応条件によって、エステル塩類は、上記の反応で直接生成することもできる。
本発明による新規な式Iの化合物は、経口的にまたは非経口的に投与できる。錠
剤、カプセル剤、顆粒剤、シロップ剤、液剤、移植剤、懸濁剤のような全ての従
来の投与形態を用いることができる。製剤の製造、溶解および投与のために従来
用いられている全てのアジュバントおよび安定剤、粘度調節剤、分散剤および緩
衝液を使用することができる。
このようなアジュバントとしては、中でも、酒石酸塩とクエン酸塩の緩衝液、ア
ルコール類、EDTA及び他の無毒の錯体試薬、固体および液体ポリマー、他の
無菌物質、澱粉、乳糖、マンニラ1−、メチルセルロース、タルク、ケイ酸、脂
肪酸、ゼラチン、寒天、リン酸カルシウム、ステアリン酸マグネシウム、動物性
および植物性脂肪、および、もし望まれるならば、芳香剤や甘味料を挙げること
ができる。
投与量は幾つかの要因、例えば、投与方法、種類、年令および個々の疾病状態に
よって左右される。−日当たりの投与量は1人当たり約0.1〜1000mg、
通常は1〜100mgであり、−回で投与してもよいし、また数回に分けて投与
してもよい。
次に、典型的なカプセル剤および錠剤の例を示す:カブ七ル ■/1カブセ上
活性成分 10.Orng
澱粉 20.0■
ステアリン酸マグネシウム 1.0[
錠 剤 mg/1錠剤
活性成分 40.0mg
微結晶性セルロース 20.0m
乳糖 67.0■
澱粉 10.0mg
タルク 4. 0mg
ステアリ〉酸マグネシウム 1.0mg医療の用途に、点滴濃縮液または注射剤
のような筋肉内投与製剤または非経口的投与製剤も製造できる。点滴濃縮液の場
合は、アジュバントとして、例えば、滅菌水、リン酸緩衝液、NaCl、NaO
HまたはHCl、或いは、他の公知の製薬的に好適なアジュバントも使用できる
。
本発明によるエステル酸型化合物の形態は、液状或いはろう状物質であり、通常
は有機溶媒に溶解し、また幾つかの化合物は水に溶ける。エステル塩は、固体状
、結晶状または典型的には粉状物質であり、通常はよく水に溶解し、ある場合に
は有機溶媒にもよく溶解するが、少しの例においては、全ての溶媒に殆ど溶解し
ない構造を有するものもある。この化合物は室温で大変安定性がよく、また中性
溶液でも安定性を示す。
本発明の化合物の構造は、IH−113C−1”P−NMR−分光法およびFA
B−質量分析法により、またシリル基が導入された場合はEI−質量分析法によ
り容易に確認される。
濃度と純度の測定には”P−NMR−分光法を用いると便利である(85%H,
PO,、δ=0)。極性化合物には、イオン交換法や排除HPLC法を使用でき
、またテトラエステルやシリル化されたエステル酸誘導体には、GLCまたはG
C/MSを使用できる。本発明の化合物から、結晶水のある場合はその含量、お
よびナトリウムや他の金属の含有量も別々に測定した。アミン塩からは窒素を測
定した。
次に、本発明を実施例によって更に詳細に説明するが、本発明の範囲を限定する
ものではない。
出発物質の製造
X産匠Δ
(1−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸テトラメチルエステルの製造
ジイソプロピルエーテルに亜リン酸ジメチル(0,047モル)とジブチルアミ
ン(0,0026モル)とを溶解し、その溶液に0℃でアセチルホスホン酸ジメ
チル(0,047モル)を加えた。得られた溶液を0℃で4時間撹拌し、更に室
温で1日間撹拌した。生成物を濾過した後、ジインプロピルエーテルで洗浄し、
乾燥した。収量は8.3g (67%、31 P NMR22,95ppm、C
DCl5)であった。
原料として用いたアセチルホスホン酸ジメチルは、次の方法で得られる。
0℃で塩化アセチル(0,31モル)に亜リン酸トリメチル(0,3モル)を徐
々に加えた。得られた混合物を0℃で5時間撹拌した後、室温で一夜放置した。
生成物を減圧蒸留した(沸点:96〜100℃/ 9 mmHg ) 、収量は
39g(86%)であった。
同様な方法で、以下の物質が製造できる。
アセチルホスホン酸ジメチルと亜リン酸ジエチルとから(1−ヒドロキシエチリ
デン)ビスホスホン酸P、P−ジメチルP’ 、 P’−ジエチルエステル(3
1−P NMR20,54/23.32ppm、J−39,4Hz、CDCl5
)。
アセチルホスホン酸ジメチルと亜リン酸ビス(トリメチルシリル)とから(l−
ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P、P−ジメチルP’、P’−ビス(ト
リメチルシリル)エステル(31−P NMR2,89/12.93ppm、J
=44.1Hz、CDCIs)。
アセチルホスホン酸メチル(トリメチルシリル)と亜リン酸メチル(トリメチル
シリル)とから(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P、 P’−ジメ
チルP、 ?’−ビス(トリメチルシリル)エステル(31−P NMR−0,
50ppm。
CD C1s)。
ペンタノイルホスホン酸ジメチルと亜リン酸ジエチルとから(l−ヒドロキシペ
ンチリデン)ビスホスホン酸P、P−ジメチルP’、P’−ジエチルエステル(
31−P NMR20゜9/23.39ppm% J=37.0Hz%CDC1
,)。
ペンタノイルホスホン酸ジメチルと亜リン酸ジイソプロピルとから(l−ヒドロ
キシペンチリデン)ビスホスホン酸P、P−ジメチルP’、P’−ジイソプロピ
ルエステル(31−PNMR16,63/21.56ppm、J=41.0Hz
、CDCl5)。
ペンタノイルホスホン酸ジメチルと亜リン酸ジメチルとから(l−ヒドロキシペ
ンチリデン)ビスホスホン酸テトラメチルエステル(31−P NMR20,6
2ppm、CDC13) 。
ピバロイルホスホン酸ジメチルと亜リン酸ジメチルとから(l−ヒドロキシ−2
,2−ジメチルプロピリデン)ビスホスホン酸テトラメチルエステル(31−P
NMR23,801)p rn 、CD CI 3 >。
ピバロイルホスホン酸ジメチルと亜リン酸ジエチルとから(]−]ヒドロキシー
2,2−ジメチルプロピリデンビスホスホン酸P、P−ジメチルP’、P’−ジ
エチルエステル(31−PNMR20,57/23.46ppm、J=31.3
Hz、CDCl5)。
シクロヘキサノイルホスホン酸ジメチルと亜リン酸ジメチルとから[ヒドロキシ
(シクロヘキシル)メチリデン]ビスホスホン酸テトラメチルエステル(31−
P NMR23゜13 p pm、CDCIt)。
更に、同様な方法で以下の物質を製造できる。
アセチルホスホン酸ジイソプロピルと亜リン酸ジメチルとから(l−ヒドロキシ
エチリデン)ビスホスホン酸P、P−ジメチルP’、P’−ジイソプロピルエス
テル(31−P NMR18,69/23.73ppm、J=40.4Hz、C
DCl、)。
アセチルホスホン酸ジイソプロピルと亜リン酸ジエチルとから(l−ヒドロキシ
エチリデン)ビスホスホン酸P、P−ジエチルP’ 、 P’−ジイソプロピル
エステル(31−P NMR16,55/18.95ppm、J=41.7Hz
、CDC1、)。
ペンタノイルホスホン酸ジイソプロピルと亜リン酸ジメチルとから(l−ヒドロ
キシペンチリデン)ビスホスホン酸P、P−ジメチルP’ 、 P’−ジイソプ
ロピルエステル(31−PNMR16,63/21.seppm、J=41.0
Hz%CDCl5)。
アセチルホスホン酸ジブチルと亜リン酸ジメチルとから(1−ヒドロキシエチリ
デン)ビスホスホン酸P、P−ジメチルP’、P’−ジブチルエステル(31−
P NMR20,40/23.33ppm、J=40.1Hz、CDCl5)。
ペンタノイルホスホン酸ジイソプロピルと亜リン酸ジエチルとから(1−ヒドロ
キシペンチリデン)ビスホスホン酸P、P−ジエチルP’ 、 P’−ジイソプ
ロピルエステル。
(4−ジメチルアミノ)ブタノイルホスホン酸ビス(トリメチルシリル)と亜リ
ン酸エチル(トリメチルシリル)とから[(4−ジメチルアミノ)−1−ヒドロ
キシブチリデン]ビスホスホン酸P−エチル[P、P’、P’−)リス(トリメ
チルシリル)]エステル。
[3−メチル(ペンチル)アミノコプロパノイルホスホン酸メチル(トリメチル
シリル)と亜リン酸ビス(トリメチルシリル)とから[[3−メチル(ペンチル
)アミノ]−1−ヒドロキシプロビリデンコビスホスホン酸P−メチル[P、P
’、P’−トリス(トリメチルシリル)コニステル。
実施例B
(1−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸テトラメチルエステルの製造
(1−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸(0,1モル)とオルト蟻酸ト
リメチル(0,5モル)との混合物を100℃で6時間加熱した。その後、反応
生成物のメタノールと未反応のオルト蟻酸エステルを留去した。残留物は上記の
テトラメチルエステルで、収量は25g(82%、31−PNMR20,62p
pm、CDC13)であった。
同様の方法で、以下の物質が製造できる。
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸テトラメチルエステル(31−P
NMR22,95ppm、CDCl、)。
(1−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピリデン)ビスホスホン酸テトラメチ
ルエステル(31−P NMR23,80p pm、CDCI3)。
(4−アミノ−1−ヒドロキシブチリデン)ビスホスホン酸テトラメチルエステ
ル。
(3−アミノ−1−ヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸テトラメチルエス
テル。
(3−アミノ−1−ヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸テトラエチルエス
テル。
[3−(ジメチルアミノ)−1−ヒドロキシブロピリデンコビスホスホン酸テト
ラメチルエステル。
(6−アミノ−1−ヒドロキシへキシリデン)ビスホスホン酸テトラエチルエス
テル(31−P NMR23,lppm、CD C13)。
(6−アミノ−1−ヒドロキシへキシリデン)ビスホスホン酸テトラメチルエス
テル。
[3−(ジメチルアミノ)−1−ヒドロキシブロビリデンコビスホスホン酸テト
ラエチルエステル。
[(3−ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシプロピリデン]ビ
スホスホン酸テトラメチルエステル。
[(4−ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシブチリデンコビス
ホスホン酸テトラエチルエステル。
実施例C
(l−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピリデン)ビスホスホン酸テトラメチ
ルエステルの製造
亜リン酸トリメチル(0,1モル)と亜リン酸ジメチル(0,1モル)のクロロ
ホルム溶液に、塩化ピバロイル(0゜1モル)をクロロホルムに溶かした溶液を
0℃で徐々に加えた。混合液を80℃で10時間加熱した。溶媒を減圧下で蒸発
させた後、ジイソプロピルエーテルを加えることによって生成物を沈澱させた。
収量は24g(80%、31−P NMR23,80ppm、CDC13)であ
った。
同様な方法で、以下の物質が製造できる。
[4−(N−フタルイミジル)−1−ヒドロキシブチリデンコビスホスホン酸テ
トラメチルエステル(31−P NMR19゜90 p pm、CDCI3)。
[3−(N−フタルイミジル)−1−ヒドロキシプロピリデン]ビスホスホン酸
テトラエチルエステル。
[3−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシプロピリデン]ビ
スホスホン酸テトラメチルエステル。
実施例1
(1−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P’、P’−ジイソプロピルエス
テル及びその二ナトリウム塩の製造(1−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン
酸P、P−ジメチルP’、P’−ジイソプロピルエステル(0,02モル)とヨ
ウ化ナトリウム(0,04モル)のアセトニトリル溶液に、クロロトリメチルシ
ラン(0,042モル)を室温で徐々に加えた。溶液を2時間撹拌した後、溶媒
を減圧下で蒸発させた。
残留物を少量の温水に溶解した後、その溶液を薄い水酸化ナトリウム溶液でアル
カリ性とした。エタノールを加えることによって生成物を沈澱させた(31−P
NMR16,80/ 23 、 24 pP m 、J = 37 、 6
Hz 、D 20 )。
同様の方法で、以下のエステル及びそのナトリウム塩が製造できる。
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P、P−ジメチルエステル(31
−P NMR13,25/32.20ppm 、J = 29 、0 Hz 、
D t O)を対応するテトラメチルエステルから。
(!−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P’ 、 P’−ジブチルエステ
ル(31−P NMR27,95/28.97P pm、J=31.2Hz、D
tO)を対応するP、P−ジメチルp’、p’−ジブチルエステルから。
(1−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P’、P”−ジエチルエステル(
31−P NMR13,41/29.68ppm、J”29.9Hz、DtO)
を対応するP、P−ジメチルP′、P′−ジエチルエステルから。
(4−アミ7−1−ヒドロキシブチリデン)ビスホスホン酸P。
P−ジメチルエステルを対応するテトラメチルエステルから。
(6−アミノ−1−ヒドロキシへキシリデン)ビスホスホン酸P、P−ジメチル
エステルを対応するテトラメチルエステルから。
[4−(N−フタルイミジル)−1−ヒドロキシブチリデン]ビスホスホン酸P
、P−ジメチルエステル(31−P NMR15,76/23.8ppm、J=
23.7Hz、D−0)を対応するテトラメチルエステルから。
(3−アミノ−1−ヒドロキシプロピリデン) ビスホスポン酸P、P−ジエチ
ルエステルを対応するテトラエチルエステルから。
(3−アミノ−1−ヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸P、P−ジメチル
エステルを対応するテトラメチルエステルから。
(1−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸P’ 、 P’−ジイソプロピ
ルxスfk (31−P NMR14,60/26.80ppm、J=31.7
Hz 、 DtO)を対応するP。
P−ジメチルP’ 、 P’−ジイソプロピルエステルから。
(]−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸P、P−ジメチルエステル(3
1−P NMR15,72/27.62ppm、J=31.0Hz、DtO)を
対応するテトラメチルエステルから。
(l−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸P’、P′−ジエチルエステル
(31−P NMR12,30/28.70ppm、J=27.1Hz、DzO
)を対応するP、P−ジメチルP’ 、 P’−ジエチルエステルから。
(l−ヒドロキシ−1−シクロへキシルメチリデン)ビスホスホン酸P、P−ジ
メチルエステルを対応するテトラメチルエステルから。
実施例2
(1−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸モノイソプロピルエステルの製
造
(l−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸のP、P−ジメチルP’ 、
P’−ジイソプロピルエステル(0,02モル)をジクロロメタンに溶解した後
、その溶液にブロモトリメチルシラン(0,062モル)を室温で徐々に加えた
。その溶液を室温で3時間混合した後、溶媒を減圧下で蒸発させた。残留物を少
量のメタノールに溶解し、その溶液を蒸発させた(31−P NMR17,72
/22.76ppm、J=27 、 1 Hz 、 DzO)。
同様な方法で、以下の物質が製造できる。
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸モノイソプロピルエステル(31
−P NMR18,36/23.O4ppm 、J = 28 、 8 Hz
、 D x O)を対応するP、P−ジメチルP’、P’−ジイソプロピルエス
テルから。
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸モノイソプロピルエステルを対応
するテトライソプロピルエステルから。
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸モツプチルエステル(31−P
NMR1B、17/22.80ppm、J = 29 、 6 Hz 、 Dt
O)を対応するP、P−ジメチルP’ 、 P’−ジブチルエステルから。
(4−アミノ−1−ヒドロキシブチリデン)ビスホスホン酸モノメチルエステル
を対応するテトラメチルエステルから。
[4−(N−フタルイミジル)−1−ヒドロキシブチリデンコビスホスホン酸モ
ノメチルエステルを対応するテトラメチルエステルから。
(1−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸モノメチルエステル(31−P
NMR16,36/24.0ppm、J=24.5Hz、D20)を対応する
テトラメチルエステルから。
[ヒドロキシ(シクロヘキシル)メチリデン]ビスホスホン酸モノメチルエステ
ル(31−P NMR15,84/23.40ppm、J=27.0Hz、Dz
O>を対応するテトラメチルエステルから。
(l−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸モノエチルエステル(31−P
NMR18,73/20.61PI)m、J = 32 、 3 Hz 、
DtO)を対応するP、P−ジメチルP′、P″−ジエチルエステルから。
(l−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピリデン)ビスホスホン酸モノメチル
エステル(31−P NMR16,55/24.18 Ppm、J=23.3H
2,D20)を対応するテトラメチルエステルから。
[3−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシプロビリデンコビ
スホスホン酸モノエチルエステルを対応するテトラエチルエステルから。
[3−(N−フタルイミジル)−1−ヒドロキシプロピリデンコビスホスホン酸
モノメチルエステルを対応するテトラメチルエステルから。
実施例3
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸トリメチルエステル及びそのナト
リウム塩の製造
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸のテトラメチルエステル(0,0
2モル)をアセトニトリルに溶解した後、その溶液にアセトニトリルに溶解した
クロロ(t−ブチル)(ジメチル)シラン(0,022モル)を徐々に加えた。
得られた溶液を60℃で4時間混合した。溶媒を蒸発させ、残留物を少量の水に
溶解した。この水溶液を薄い水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性とした後、エタ
ノールを加えることによって生成物を沈澱させた(31−P NMR16,89
/28.41 ppm、J=34−8Hz、DtO)。
同様な方法で、以下の物質が製造できる。
(l−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸トリメチルエステル(31−P
NMR12,12/31.38ppm、 J −26、0Hz 、 DtO)
を対応するテトラメチルエステルから。
(l−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピリデン)ビスホスホン酸トリメチル
エステルを対応するテトラメチルエステルか[3−(N−フタルイミジル)−1
−ヒドロキシプロピリデン]ビスホスホン酸トリメチルエステルを対応するテト
ラメチルエステルから。
[4−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシブチリデン]ビス
ホスホン酸トリメチルエステルを対応するテトラメチルエステルから。
2倍量のクロロ(1−ブチル)(ジメチル)シラン(0,044モル)を用いる
ことにより、以下の物質が製造できる。
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P、 P’−ジメチルエステル(
31P NMR21,19PI)m、DzO)を対応するテトラメチルエステル
から。
(l−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸P、P’−ジメチルエステル(
31P NMR20,70ppm、DsO)を対応するテトラメチルエステルか
ら。
[4−(N−フタルイミジル)−1−ヒドロキシブチリデン]ビスホスホン酸P
、P’−ジメチルエステル(31−P NMR18、78pprn、 DsO)
を対応するテトラメチルエステルから。
[3−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシプロピリデンコビ
スホスホン酸P、 P’−ジエチルエステルを対応するテトラエチルエステルか
ら。
更に、上記の実施例と同様の方法で、クロロ(ヒブチル)(ジメチル)シランの
代わりに、例えばブロモ(トリメチル)シラン(1当量)を用いることによって
、以下の化合物が製造できる。
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P−メチルP′。
P′−ジブチルエステル(31−P NMR17,19/25.79ppm、J
=34.7Hz、DsO)を対応するP。
P−ジメチルP’ 、 P’−ジプチルエステルから。
(1−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P−メチルpl。
P′−ジエチルエステル(31−P NMR17,47/26.0ippm、J
=35.1Hz、DtO)を対応するP。
P−ジメチルP’ 、 P’−ジエチルエステルから。
(1−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P−メチルP′。
P′−ジイソプロピルエステル(31−P NMR19,10/22.44pp
m、J=37.3Hz、DtO)を対応するP、P−ジメチルp’、p’−ジイ
ソプロピルエステルから。
(1−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸P−メチルP”、P′−ジエチ
ルエステルを対応するP、P−ジメチルP“、P′−ジエチルエステルから。
[4−(N−フタルイミジル)−1−ヒドロキシブチリデン]ビスホスホン酸ト
リメチルエステル(31−P NMR12゜01/30.89ppm、J=25
.3Hz、DtO)を対応するテトラメチルエステルから。
(6−アミノ−1−ヒドロキシへキシリデン)ビスホスホン酸トリメチルエステ
ルを対応するテトラメチルエステルから。
実施例4
(1−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸モノメチルエステルおよびその三
ナトリウム塩の製造
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸(0,02モル)とオルト蟻酸ト
リメチル(0,04モル)のトルエン溶液を100℃で4時間混合した。溶媒お
よび未反応のオルト蟻酸トリメチルを減圧下で蒸発させた。残留物をエタノール
に溶解した。このエタノール溶液に計算量(0,06モル)の40%水酸化ナト
リウム溶液を加え、生成物を三ナトリウム塩として沈澱させた(31−P NM
R17,25/24.86 ppm、J=27.3Hz、DsO)。
同様な方法で、以下の物質が製造できる。
(3−アミノ−1−ヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸モノエチルエステ
ル。
(6−アミノ−1−ヒドロキシへキシリデン)ビスホスホン酸モノメチルエステ
ル。
実施例5
(l−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸モノメチルエステル及びその三
ナトリウム塩の製造
(1−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸のテトラメチルエステル(0,
01モル)をトルエン(70ml)に溶解し、その溶液にメタンスルホン酸(0
,06モル)を加えた。得られた溶液を加熱しながら撹拌し、加水分解の進行を
”P NMR測定によって追跡した。撹拌した混合物を冷却した後、溶媒を減圧
下で蒸発させた。残留物を薄い水酸化ナトリウム溶液に溶解した。その溶液に2
倍容量のエタノールを加え、冷却した。沈澱した生成物を濾過し、乾燥した(収
量:52%、31−P NMR16,36/24.00ppm、J=24.5H
z、DtO)。
実施例6
(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P、P’−ジメチルエステルの製
造
(1−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸P、 P’−ジメチルP、 P’
−ビス−トリメチルシリルエステル(0,01モル)をメタノールに溶解し、得
られた溶液を室温で2時間混合した。溶媒を蒸発させ、残留物を薄い水酸化ナト
リウム溶液に溶解した。その溶液に2倍容量のエタノールを加えることにより、
生成物の二ナトリウム塩を沈澱させた(収量=72%、31 P NMR21、
19P prn、 Dzo)。
実施例7
(1−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸P、P’−ジメチルエステルの
製造
(l−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸のテトラメチルエステル(0,
01モル)をアセトンに溶解し、その溶液にヨウ化ナトリウム(0,023モル
)を加えた。得られた溶液を室温で8時間混合した後、濾過した。溶媒を蒸発さ
せた。上記の実施例に記載されたように、残留物から生成物を二ナトリウム塩と
して琳離した(収量:59%、31−PNMR19、06p p m、 DxO
)。
同様な方法で、以下の物質が製造できる。
(l−ヒドロキシ−2,2−ジメチルプロピリデン)ビスホスホン酸P、 P’
−ジメチルエステル(31−P NMR20,33P pm、Dye)を対応す
るテトラメチルエステルから。
[ヒドロキシ(シクロヘキシル)メチリデンコビスホスホン酸P、P’−ジメチ
ルエステル(31−P NMR1B、79ppm、DtO)を対応するテトラメ
チルエステルから。
(1−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸P−メチルp”−エチルエステ
ル(31−P NMR19,06ppm、DtO)を対応するP、P−ジメチル
P’、P’−ジエチルエステルから。
[4−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシブチリデンコビス
ホスホン酸P、P”−ジエチルエステルを対応するテトラエチルエステルから。
[4−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシブチリデン]ビス
ホスホン酸P、 !”−ジメチルエステルを対応するテトラメチルエステルから
。
[3−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシブロビリデンコビ
スホスホン酸P、 P’−ジエチルエステルを対応するテトラエチルエステルか
ら。
[3−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシブロビリデンコビ
スホスホン酸p、 p’−ジメチルエステルを対応するテトラメチルエステルか
ら。
実施例8
(1−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸モノメチルエステルの製造
微細に粉砕した(l−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸(0,005モル
)を100 m lのクロロホルムと混合し、得られた混合物にジアゾメタン約
2%のエーテル溶液25m1を室温で徐々に加えた後、1時間混合した後、溶媒
を減圧下で蒸発させた(収量=42%、31−P NMR17゜25/24.8
4 pprn、J=27.3Hz、DtO)。
同様の方法で、他のモノエステルおよびジエステル、例えば、ジメチルエステル
、モノおよびジエチルエステルおよびベンジルエステルを、好適なジアゾ化合物
を用いることによって製造できる。
m亀
(l−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸モノメチルエステル及びその三
ナトリウム塩の製造
(1−1: )’ロキシベンチリデン)ビスホスホン酸のテトラメチルエステル
(0,01モル)を10%塩酸でスラリー状にし、70℃で混合した。反応の進
行を”P NMR測定によって追跡した。反応後、混合物を蒸発によって乾燥し
、残留物を水酸化ナトリウム溶液に溶解し、エタノールを加えることによって、
生成物を沈澱させた。沈澱した生成物を濾過し、乾燥した(収量:55%、31
−P NMR16,36/24.00ppm、J””24.5Hz、DtO)。
同様の方法で、[3−(ジメチルアミノ)−1−ヒドロキシプロピリデン]ビス
ホスホン酸モノメチルエステルが製造できる。
実施例10
(4−アミノ−1−ヒドロキシブチリデン) ビスホスホン酸P、P−ジエチル
エステル二ナトリウム塩の製造[4−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1
−ヒドロキシブチリデン]ビスホスホン酸P、P−ジエチルエステル(1g)を
エタノール(30m l )に溶解し、触媒として5%パラジウム−炭素(0,
1g)を用いて35psiの圧力下で水素化した。触媒を濾別除去し、濾液のp
Hを薄い水酸化ナトリウム溶液で7〜7.5に調整した。この溶液を蒸発させ、
残留物をアセトンで処理した。生成物を濾過し、乾燥した(収量=65%)。
同様な方法で、以下の物質が製造できる。
(3−アミノ−1−ヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸P、 P’−ジメ
チルエステルを[3−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシプ
ロピリデン]ビスホスホン酸P、 P’−ジメチルエステルから。
(3−アミノ−1−ヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸P、 P’−ジエ
チルエステルを[3−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒドロキシプ
ロピリデン]ビスホスホン酸P、 P’−ジエチルエステルから。
(4−アミノ−1−ヒドロキシブチリデン)ビスホスホン酸P。
P′−ジメチルエステルを[4−(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−ヒ
ドロキシブチリデン]ビスホスホン酸P、 P’−ジメチルエステルから。
実施例11
[(4−ジメチルアミノ)−1−ヒドロキシブチリデン]ビスホスホン酸モノエ
チルエステル及びその三ナトリウム塩の製造[(4−ジメチルアミノ)−1−ヒ
ドロキシブチリデン]ビスホスホン酸P−エチル[P、P’、P’−トリス(ト
リメチルシリル)]エステル(0,01モル)と希塩酸との混合物を0℃で0゜
5時間撹拌した。撹拌終了後、濾過した溶液に、薄い水酸化ナトリウム溶液を(
0,02モル過剰に)加え、生成物をエタノールで沈澱させた。
同様の方法で、[[3−メチル(ペンチル)アミノコ−1−ヒドロキモノロピリ
デン]ビスホスホン酸モノメチルエステルを製造できる。
国際調査報告
1mw*−m &工面−1.1訂/Fl 917003%+++m+v+mmm
Awllemmlla PCT/Fl 91100394国際調査報告
国際調査報告
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(72)発明者 ハンヒイエルヴイ、ハンヌフィンランド国、ニスエフ−206
00ツルク、パロケルイエン力トウ 1 エイニス、2
(72)発明者 ラウレン、レーナ
フィンランド国、ニスエフ−20700ツルク、シルカランカトウ 31 エイ
ニス。
Claims (5)
- 1.式I ▲数式、化学式、表等があります▼(I)で表される、幾何異性体および光学異 性体に代表される立体異性体を含む、新規なビスホスホン酸誘導体、あるいはそ の薬理学的に許容される塩。 式Iにおいて、 R1、R2、R3およびR4は独立的に直鎖状または分校状の、飽和または不飽 和の炭素数1〜10のアルキル基、飽和または不飽和の炭素数3〜10のシクロ アルキル基、アリール基、アラルキル基、シリル基SiR3、または水素原子で あって、式1において、R1、R2、R3およびR4のうちの少なくとも1つは 水素原子であり、R1、R2、R3およびR4のうちの少なくとも1つは水素原 子ではなく、 Q1は水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アミノ基NH2、またはOR′(R′ は炭素数1〜4の低級アルキル基またはアシル基)であり、 Q2は直鎖状または分枝状の、飽和または不飽和の炭素数1〜10のアルキル基 、ヒドロキシアルキル基、或いはアミノアルキル基〔ここで、酸素原子は置換基 として1つの基を含むことができ、また窒素原子は置換差として1つまたは2つ の基を含むことができる(これらの基は炭素数1〜4の低級アルキル基またはア シル基であり、或いは窒素原子の2つの置換基はその窒素原子とともに飽和複素 環、部分的飽和複素環、或いは芳香族複素環を形成することができる)〕である か、或いはQ2は非置換または置換され且つ部分飽和または不飽和の炭素数3〜 10のシクロアルキル基(これは炭素数1〜4の直鎖状または分枝状アルキレン 基を介して式Iの分子に結合することもできる)である。
- 2.Q1が水酸基であり、Q2がメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ ル基、2,2−ジメチルプロピル基またはブチル基に代表される低級アルキル基 、或いはシクロヘキシル基、或いは2−ヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプ ロピル基、2−アミノエチル基、3−アミノプロピル基、(3−ジメチルアミノ )プロピル基、[3−メチル(ペンチル)アミノ]プロピル基、5−アミノペン チル基である請求項1に記載の式Iで表されるメチレンビスホスホン酸のモノま たはジメチル、モノまたはジエチル、モノまたはジイソプロピルエステル、或い は対応する混合エステル。
- 3.(1−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸モノメチルおよびモノエチル エステル、 (1−ヒドロキシペンチリデン)ビスホスホン酸モノメチルエステル、 (1−ヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸ジメチル及びジエチルエステル、 (2,2−ジメチル−1−ヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸モノメチル エステル、 [ヒドロキシ(シクロヘキシル)メチリデン]ビスホスホン酸モノメチルエステ ル、 (1,2−ジヒドロキシエチリデン)ビスホスホン酸ジメチルエステル、 (1,3−ジヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸モノエチルエステル、 (3−アミノ−1−ヒドロキシプロピリデン)ビスホスホン酸モノメチルおよび モノエチルエステル、 (4−アミノ−1−ヒドロキシブチリデン)ビスホスホン酸モノメチルおよびモ ノエチルエステル、 (6−アミノ−1−ヒドロキシヘキシリデン)ビスホスホン酸モノメチルおよび モノイソプロピルエステル、(3−アミノ−1−ヒドロキシプロピリデン)ビス ホスホン酸P,p′−ジメチルおよびP,P′−ジエチルエステル、(4−アミ ノ−1−ヒドロキシブチリデン)ビスホスホン酸p,P′−ジメチルおよびP, P′−ジエチルエステル、[(4−ジメチルアミノ)−1−ヒドロキシブチリデ ン]ビスホスホン酸モノエチルエステル、および [[3−メチル(ペンチル)アミノ]−ジヒドロキシプロピリデン]ビスホスホ ン酸モノメチルエステルよりなる群から選ばれるエステルであることを特徴とす る請求項1に記載の化合物。
- 4.請求項1に記載の化合物の製造方法であって、a)式II ▲数式、化学式、表等があります▼ のメチレンビスホスホン酸テトラエステル(Q1およびQ2は請求項1での定義 と同じであり、R1、R2、R3およびR4は水素原子を除いて請求項1で定義 した通りである)を選択的に加水分解して、 式Iに対応するトリエステル(R1、R2,R3およびR4のうちの1つが水素 原子である)とし、またはその塩とするか、或いは、 式Iに対応するジェステル(R1、R2、R3およびR4のうちの2つが水素原 子である)とし、またはその塩とするか、或いは、 式Iに対応するモノエステル(R1、R2、R3およびR4のうちの3つが水素 原子である)とし、またはその塩とするか;或いは b)式VII ▲数式、化学式、表等があります▼(VII)のビスホスホン酸(Q1およびQ 2は上記で定義した通りである)またはその金属塩またはそのアンモニウム塩、 或いは対応する酸四塩化物を、所望の基R1、R2、R3およびR4に対応する エステル化剤と反応させることにより選択的にエステル化して、 式Iに対応するモノエステル(R1、R2、R3およびR4のうちの3つが水素 原子である)とし、または式Iに対応するジエステル(R1、R2、R3および R4のうちの2つが水素原子である)とし、または式Iに対応するトリエステル (R1、R2、R3およびR4のうちの1つが水素原子である)とし、 または上記した各部分エステルの対応するエステル塩とするか;或いは c)式IX ▲数式、化学式、表等があります▼(IX)のホスホネートを、式X ▲数式、化学式、表等があります▼(X)(これらの式において、Yは水素原子 、水酸基、ハロゲン原子またはその他の残基であり、Zは水素原子、ハロゲン原 子、アシルオキシ基、スルホニルオキシ基、アルコキシ基、またはアリールオキ シ基であり、R1〜R4およびQ1およびQ2は上記で定義した通りであるか、 またはQ1およびQ2は二重結合された酸素原子またはイミノ基を形成する)に 対応する活性化ホスフェートまたは水素ホスホネートと反応させる、または式X に対応するホスファイトと反応させるか;或いはd)式Iに対応するビスホスホ ネート(但し、Q2の代わりにカルボアニオン部位を有するもの)をω−残基で 置換したQ2と反応させるか、または式Iに対応するビスホスホネート(これは Q2の代わりに1つの残基を含む)をQ2に対応するω−カルボアニオンと反応 させるか、または(Q2−C1)−ω−カルボアニオンをマイケル付加によりア ルキリデンビスホスホネートに付加するか;或いは e)式XI ▲数式、化学式、表等があります▼(XI)のビスホスホナイト化合物(R1、 R2、R3およびR4、ならびにQ1およびQ2は式Iで定義した通りである) 、または対応する水素ホスホネード化合物を、酸化して式Iの化合物とする方法 であり、 更に、もし望まれるならば、a)〜e)のいずれかの方法により得られる部分エ ステル酸を部分エステル塩に転換するか、或いは得られる部分エステル塩を部分 エステル酸に転換し、および/または、もし望まれるならば、得られる式Iの化 合物を加水分解、エステル化またはエステル交換により式Iの別の化合物に転換 し、および/または、式Iの化合物において、Q1基を定義範囲内の別のQ1基 に転換する、ことを特徴とする製造方法。
- 5.活性成分として請求項1に記載の式Iで表わされる化合物を含有することを 特徴とする医薬組成物。
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