JPH0649633A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH0649633A JPH0649633A JP20926192A JP20926192A JPH0649633A JP H0649633 A JPH0649633 A JP H0649633A JP 20926192 A JP20926192 A JP 20926192A JP 20926192 A JP20926192 A JP 20926192A JP H0649633 A JPH0649633 A JP H0649633A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ成膜された薄膜の酸化層の厚さを均
一にでき、再現性が良く、ターゲットの酸化による膜質
劣化のないスパッタリング装置を提供すること 【構成】 ターゲットを備えたスパッタリング室１の側
方に、仕切バルブ１１を介して酸化ガス導入管１３を備
え且つ内部に被酸化物のない独立した酸化室１２を設け
た。該酸化ガス導入管にガス圧測定室１６ａ，１６ｂと
ガス混合室１７を備えたガス導入系１８を接続して酸素
ガス濃度を精密に制御した酸化ガスを酸化室に送込む 【効果】 スパッタ成膜された薄膜を均一の厚さの酸化
層で再現性よく酸化処理することができ、薄膜の品質が
向上する
一にでき、再現性が良く、ターゲットの酸化による膜質
劣化のないスパッタリング装置を提供すること 【構成】 ターゲットを備えたスパッタリング室１の側
方に、仕切バルブ１１を介して酸化ガス導入管１３を備
え且つ内部に被酸化物のない独立した酸化室１２を設け
た。該酸化ガス導入管にガス圧測定室１６ａ，１６ｂと
ガス混合室１７を備えたガス導入系１８を接続して酸素
ガス濃度を精密に制御した酸化ガスを酸化室に送込む 【効果】 スパッタ成膜された薄膜を均一の厚さの酸化
層で再現性よく酸化処理することができ、薄膜の品質が
向上する
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｎｂ−Ａｌ系のジョセ
フソン素子等の酸化膜を有する基板を作成するスパッタ
リング装置に関する。
フソン素子等の酸化膜を有する基板を作成するスパッタ
リング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の酸化膜を有する基板を作
成する場合、例えば図１及び図２に示すように真空ポン
プに連なる排気口ａを有するスパッタリング室ｂ内に、
上面にＮｂとＡｌのターゲットを夫々備えたスパッタ源
ｃ、ｃと、回転する基板移動装置ｅに取り付けられて回
転する基板ｄとを設けたスパッタリング装置を使用して
いる。この従来の装置では、基板搬送装置ｆを備えたロ
ードロック室ｇに於いて基板ｄに前処理を施した後、仕
切バルブｈを介して基板ｄを真空のスパッタリング室ｂ
内へと基板移動装置ｅで搬入し、ガス導入系ｉからスパ
ッタガスを導入して適当な真空圧に調整する。そして基
板移動装置ｅによりまずＮｂのスパッタ源ｃの上方へ基
板ｄを位置させ、これにＮｂ薄膜をスパッタリングによ
り形成し、続いてもう一方のＡｌのスパッタ源ｃの上方
へ基板ｄを移動させてＡｌ薄膜をスパッタリングにより
成膜する。このＡｌ薄膜を酸化させてＡｌ2Ｏ3にするた
めに、該スパッタリング室ｂに於いて或いはロードロッ
ク室ｇに於いて、基板ｄをガス導入系ｉから導入した酸
素ガスにより酸化処理し、場合により再びスパッタリン
グ室ｂに於いてＮｂ薄膜を該基板ｄに成膜する。
成する場合、例えば図１及び図２に示すように真空ポン
プに連なる排気口ａを有するスパッタリング室ｂ内に、
上面にＮｂとＡｌのターゲットを夫々備えたスパッタ源
ｃ、ｃと、回転する基板移動装置ｅに取り付けられて回
転する基板ｄとを設けたスパッタリング装置を使用して
いる。この従来の装置では、基板搬送装置ｆを備えたロ
ードロック室ｇに於いて基板ｄに前処理を施した後、仕
切バルブｈを介して基板ｄを真空のスパッタリング室ｂ
内へと基板移動装置ｅで搬入し、ガス導入系ｉからスパ
ッタガスを導入して適当な真空圧に調整する。そして基
板移動装置ｅによりまずＮｂのスパッタ源ｃの上方へ基
板ｄを位置させ、これにＮｂ薄膜をスパッタリングによ
り形成し、続いてもう一方のＡｌのスパッタ源ｃの上方
へ基板ｄを移動させてＡｌ薄膜をスパッタリングにより
成膜する。このＡｌ薄膜を酸化させてＡｌ2Ｏ3にするた
めに、該スパッタリング室ｂに於いて或いはロードロッ
ク室ｇに於いて、基板ｄをガス導入系ｉから導入した酸
素ガスにより酸化処理し、場合により再びスパッタリン
グ室ｂに於いてＮｂ薄膜を該基板ｄに成膜する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のスパッタリング
装置では、上記のようにスパッタリング室内或いはロー
ドロック室内で成膜したＡｌ薄膜の酸化処理を行なって
いたため、Ａｌ薄膜の酸化層の厚さが不均一になり、ま
た再現性が悪い欠点があった。即ち、スパッタリング室
内で酸化処理を行なう場合、この室内にはスパッタされ
たＡｌ等の酸化する物質が存在するので、Ａｌ薄膜の酸
化処理のために該室内に酸素ガス濃度を調整した酸素ガ
スを導入しても、これらの物質に酸素ガス分子が吸着さ
れて目的のＡｌ薄膜を酸化させるための酸素ガスの濃度
が変化し、Ｎｂ，Ａｌターゲットも酸化して薄膜の膜質
劣化が発生するようになり、酸化層の厚さの不均一や再
現性を悪くする原因となっていた。また、ロードロック
室内で酸化処理を行なう場合、この室内の壁面に基板を
出し入れするときに進入する大気中の水や酸素が付着す
るため、予め濃度を調節した酸化ガスを導入しても付着
した水や酸素が原因で、所定の濃度で所定の厚さの酸化
層を形成することが難しく、薄膜に水の分子等が付着す
ると均質な薄膜が得られず、更に、付着した水等を完全
に排除するには長時間の真空排気を要して処理能率が悪
くなる問題があった。
装置では、上記のようにスパッタリング室内或いはロー
ドロック室内で成膜したＡｌ薄膜の酸化処理を行なって
いたため、Ａｌ薄膜の酸化層の厚さが不均一になり、ま
た再現性が悪い欠点があった。即ち、スパッタリング室
内で酸化処理を行なう場合、この室内にはスパッタされ
たＡｌ等の酸化する物質が存在するので、Ａｌ薄膜の酸
化処理のために該室内に酸素ガス濃度を調整した酸素ガ
スを導入しても、これらの物質に酸素ガス分子が吸着さ
れて目的のＡｌ薄膜を酸化させるための酸素ガスの濃度
が変化し、Ｎｂ，Ａｌターゲットも酸化して薄膜の膜質
劣化が発生するようになり、酸化層の厚さの不均一や再
現性を悪くする原因となっていた。また、ロードロック
室内で酸化処理を行なう場合、この室内の壁面に基板を
出し入れするときに進入する大気中の水や酸素が付着す
るため、予め濃度を調節した酸化ガスを導入しても付着
した水や酸素が原因で、所定の濃度で所定の厚さの酸化
層を形成することが難しく、薄膜に水の分子等が付着す
ると均質な薄膜が得られず、更に、付着した水等を完全
に排除するには長時間の真空排気を要して処理能率が悪
くなる問題があった。
【０００４】本発明は、薄膜の酸化処理に伴う上記の欠
点、問題等を解決することを目的とするものである。
点、問題等を解決することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記の目的
を達成するために、ターゲットを備えたスパッタリング
室の側方に、仕切バルブを介して酸化ガス導入管を備え
且つ内部に被酸化物のない独立した酸化室を設けるよう
にした。該酸化室内には基板の温度を所定の温度に調整
する基板冷却装置を設け、更には該酸化室の酸化ガス導
入管に、ガス圧測定室とガス混合室とを順次設けたガス
導入系を接続して精密に導入ガスを制御する構成とする
ことができる。
を達成するために、ターゲットを備えたスパッタリング
室の側方に、仕切バルブを介して酸化ガス導入管を備え
且つ内部に被酸化物のない独立した酸化室を設けるよう
にした。該酸化室内には基板の温度を所定の温度に調整
する基板冷却装置を設け、更には該酸化室の酸化ガス導
入管に、ガス圧測定室とガス混合室とを順次設けたガス
導入系を接続して精密に導入ガスを制御する構成とする
ことができる。
【０００６】
【作用】真空に排気したスパッタリング室内に、ロード
ロック室で前処理した基板を送り込み、これに例えばジ
ョセフソン素子の場合には上面にＮｂ薄膜とＡｌ薄膜を
スパッタ源により順次に形成し、該Ａｌ薄膜を酸化させ
てＡｌ2Ｏ3にするが、この酸化処理を行なうときには上
記薄膜形成を終えた基板を仕切バルブを介して酸化室内
に送込んで行なう。該酸化室内には、例えば酸素ガスと
アルゴンガスとの混合ガスから成る酸化ガスがガス導入
管から導入され、該基板の表面のＡｌ薄膜が酸化される
が、該酸化室内には基板以外に酸化されるような被酸化
物がないので、そこで所定の時間だけ基板を存在させれ
ば所定の酸化層の厚さでＡｌ薄膜を酸化処理することが
できる。また、導入される酸化ガスの酸素分圧を正確に
制御すれば、該酸化室内には被酸化物や不純物がないの
で繰り返し酸化層の厚さの同じ基板を作成できる。
ロック室で前処理した基板を送り込み、これに例えばジ
ョセフソン素子の場合には上面にＮｂ薄膜とＡｌ薄膜を
スパッタ源により順次に形成し、該Ａｌ薄膜を酸化させ
てＡｌ2Ｏ3にするが、この酸化処理を行なうときには上
記薄膜形成を終えた基板を仕切バルブを介して酸化室内
に送込んで行なう。該酸化室内には、例えば酸素ガスと
アルゴンガスとの混合ガスから成る酸化ガスがガス導入
管から導入され、該基板の表面のＡｌ薄膜が酸化される
が、該酸化室内には基板以外に酸化されるような被酸化
物がないので、そこで所定の時間だけ基板を存在させれ
ば所定の酸化層の厚さでＡｌ薄膜を酸化処理することが
できる。また、導入される酸化ガスの酸素分圧を正確に
制御すれば、該酸化室内には被酸化物や不純物がないの
で繰り返し酸化層の厚さの同じ基板を作成できる。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づき説明すると、
図３及び図４はシリコン基板にＮｂ−Ａｌ系のジョセフ
ソン素子を作成するためのスパッタリング装置の実施例
を示し、これらの図に於いて、符号１は真空ポンプに接
続された真空排気口２とスパッタガス源に接続されたガ
ス導入口３を有する円筒形のスパッタリング室を示し、
該室１の内部には、モーター４により回転される円板状
の基板移動装置５と、Ｎｂのターゲットを備えたスパッ
タ源６ａ及びＡｌのターゲットを備えたスパッタ源６ｂ
とが設けられる。該基板移動装置５は幾つかの円形の基
板７を取り付けて回転し、基板７は仕切バルブ８を介し
て側方に設けたロードロック室９の基板搬送装置１０に
より該ロードロック室９内から運び込まれて該基板移動
装置５に自動的に取り付けられる。基板搬送装置１０は
公知のものであり、ロードロック室９内に外部から運び
込まれクリーニングや脱ガス等の前処理が施された基板
７を持ち上げ、該仕切バルブ８が開かれるとスパッタリ
ング室１内に運び込んで基板移動装置５の所定の位置に
取り付ける作動を行なう。
図３及び図４はシリコン基板にＮｂ−Ａｌ系のジョセフ
ソン素子を作成するためのスパッタリング装置の実施例
を示し、これらの図に於いて、符号１は真空ポンプに接
続された真空排気口２とスパッタガス源に接続されたガ
ス導入口３を有する円筒形のスパッタリング室を示し、
該室１の内部には、モーター４により回転される円板状
の基板移動装置５と、Ｎｂのターゲットを備えたスパッ
タ源６ａ及びＡｌのターゲットを備えたスパッタ源６ｂ
とが設けられる。該基板移動装置５は幾つかの円形の基
板７を取り付けて回転し、基板７は仕切バルブ８を介し
て側方に設けたロードロック室９の基板搬送装置１０に
より該ロードロック室９内から運び込まれて該基板移動
装置５に自動的に取り付けられる。基板搬送装置１０は
公知のものであり、ロードロック室９内に外部から運び
込まれクリーニングや脱ガス等の前処理が施された基板
７を持ち上げ、該仕切バルブ８が開かれるとスパッタリ
ング室１内に運び込んで基板移動装置５の所定の位置に
取り付ける作動を行なう。
【０００８】以上の構成は従来のスパッタリング装置と
略同様であるが、本発明では該スパッタリング室１の側
方に更に仕切バルブ１１を介して独立した酸化室１２を
設けるようにし、この酸化室１２内で基板７に形成した
薄膜の酸化処理を行なうようにした。これを更に詳述す
ると、該酸化室１２は酸化しない材料例えばＳＵＳで円
筒形に独立して構成し、その内部には酸化する材料の構
造物等の被酸化物を一切設けず、酸化ガスを導入するた
めの酸化ガス導入管１３を開口させるようにした。ま
た、薄膜の酸化の度合いは薄膜の温度により変化するの
で、酸化の程度を一定にするために基板冷却装置１４を
該酸化室１２内に設け、一定の温度で酸化処理を行なえ
るようにした。該酸化ガス導入管１３に、ガス源１５
ａ，１５ｂからのガス圧を精密に測定するガス圧測定室
１６ａ，１６ｂとこれらの室１６ａ，１６ｂからのガス
を充分に混合するためのガス混合室１７とを順次設けた
ガス導入系１８を接続し、酸化室１２へ精密に分量を制
御した酸化ガスの導入が得られるようにした。該ガス源
１５ａ，１５ｂのガスの種類は、Ｎｂ−Ａｌ系ジョセフ
ソン素子の場合、酸素ガスとアルゴンガスであり、これ
らが一定の割合、例えば酸素ガス１０％、アルゴンガス
９０％を混合した混合ガスが酸化室１２内に導入され
る。この際、ガス圧測定室１６ａ，１６ｂに取付けられ
た真空計と、既知の各ガス圧測定室１６の体積とから、
酸化室１２内へ導入されるガス圧力濃度が精密に制御で
きる。該基板冷却装置１４は、例えば冷却水や冷媒で冷
却された容器で構成され、これに基板７を接触させてそ
の温度を所定の温度に制御しながら酸化処理を行なえる
ようにした。１９は酸化室１２に設けた基板搬送装置
で、スパッタリング室１からスパッタ処理を終えた基板
７を酸化室１２内へ取り出して基板冷却装置１４に接触
させ、酸化処理後に該基板７をスパッタリング室１内へ
戻す作動を行なう。２０及び２１はロードロック室９及
び酸化室１２に設けた真空排気口である。
略同様であるが、本発明では該スパッタリング室１の側
方に更に仕切バルブ１１を介して独立した酸化室１２を
設けるようにし、この酸化室１２内で基板７に形成した
薄膜の酸化処理を行なうようにした。これを更に詳述す
ると、該酸化室１２は酸化しない材料例えばＳＵＳで円
筒形に独立して構成し、その内部には酸化する材料の構
造物等の被酸化物を一切設けず、酸化ガスを導入するた
めの酸化ガス導入管１３を開口させるようにした。ま
た、薄膜の酸化の度合いは薄膜の温度により変化するの
で、酸化の程度を一定にするために基板冷却装置１４を
該酸化室１２内に設け、一定の温度で酸化処理を行なえ
るようにした。該酸化ガス導入管１３に、ガス源１５
ａ，１５ｂからのガス圧を精密に測定するガス圧測定室
１６ａ，１６ｂとこれらの室１６ａ，１６ｂからのガス
を充分に混合するためのガス混合室１７とを順次設けた
ガス導入系１８を接続し、酸化室１２へ精密に分量を制
御した酸化ガスの導入が得られるようにした。該ガス源
１５ａ，１５ｂのガスの種類は、Ｎｂ−Ａｌ系ジョセフ
ソン素子の場合、酸素ガスとアルゴンガスであり、これ
らが一定の割合、例えば酸素ガス１０％、アルゴンガス
９０％を混合した混合ガスが酸化室１２内に導入され
る。この際、ガス圧測定室１６ａ，１６ｂに取付けられ
た真空計と、既知の各ガス圧測定室１６の体積とから、
酸化室１２内へ導入されるガス圧力濃度が精密に制御で
きる。該基板冷却装置１４は、例えば冷却水や冷媒で冷
却された容器で構成され、これに基板７を接触させてそ
の温度を所定の温度に制御しながら酸化処理を行なえる
ようにした。１９は酸化室１２に設けた基板搬送装置
で、スパッタリング室１からスパッタ処理を終えた基板
７を酸化室１２内へ取り出して基板冷却装置１４に接触
させ、酸化処理後に該基板７をスパッタリング室１内へ
戻す作動を行なう。２０及び２１はロードロック室９及
び酸化室１２に設けた真空排気口である。
【０００９】この実施例に於いて、基板７をロードロッ
ク室９内に用意し、そこで該基板７に脱ガス等の前処理
を施した後仕切バルブ８を開いて予めアルゴンガス圧を
調節しておいたスパッタリング室１内に基板搬送装置１
０により運び込み、基板移動装置５に取り付ける。そし
て、通電されたスパッタ源６ａの上方に基板７を位置さ
せてＮｂの薄膜を形成し、続いてスパッタ源６ｂの上方
に基板７を位置させてＡｌの薄膜を形成したのち、仕切
バルブ１１を開閉して該基板７を酸化室１２内へ基板搬
送装置１９で搬入し、基板冷却装置１４で基板７を所定
の温度に制御したところで酸化ガス導入管１３から濃度
を精密に調整した酸化ガスを導入する。該酸化室１２は
独立しており、その内部には基板７以外に酸化されるよ
うな被酸化物が存在しないので、酸化ガスは調整された
濃度の状態で基板７のＡｌ薄膜を酸化させ、酸化の進行
を基板７の滞在時間により正確に制御でき、Ａｌ薄膜に
一定の厚さの酸化層を形成することができる。酸化室１
２の真空排気口２１から酸化ガスを排除することにより
酸化処理は終了し、基板７は図示実施例の場合スパッタ
リング室１に送り出され、必要なときには該基板７に更
にＮｂの薄膜をスパッタで形成したのち外部へ取り出さ
れる。Ａｌ薄膜の厚さは数１０００オングストローム
で、その表層の数１０〜数１００オングストロームが酸
化層になるように酸化処理される。
ク室９内に用意し、そこで該基板７に脱ガス等の前処理
を施した後仕切バルブ８を開いて予めアルゴンガス圧を
調節しておいたスパッタリング室１内に基板搬送装置１
０により運び込み、基板移動装置５に取り付ける。そし
て、通電されたスパッタ源６ａの上方に基板７を位置さ
せてＮｂの薄膜を形成し、続いてスパッタ源６ｂの上方
に基板７を位置させてＡｌの薄膜を形成したのち、仕切
バルブ１１を開閉して該基板７を酸化室１２内へ基板搬
送装置１９で搬入し、基板冷却装置１４で基板７を所定
の温度に制御したところで酸化ガス導入管１３から濃度
を精密に調整した酸化ガスを導入する。該酸化室１２は
独立しており、その内部には基板７以外に酸化されるよ
うな被酸化物が存在しないので、酸化ガスは調整された
濃度の状態で基板７のＡｌ薄膜を酸化させ、酸化の進行
を基板７の滞在時間により正確に制御でき、Ａｌ薄膜に
一定の厚さの酸化層を形成することができる。酸化室１
２の真空排気口２１から酸化ガスを排除することにより
酸化処理は終了し、基板７は図示実施例の場合スパッタ
リング室１に送り出され、必要なときには該基板７に更
にＮｂの薄膜をスパッタで形成したのち外部へ取り出さ
れる。Ａｌ薄膜の厚さは数１０００オングストローム
で、その表層の数１０〜数１００オングストロームが酸
化層になるように酸化処理される。
【００１０】尚、酸化室１２は図５のようにロードロッ
ク室９と交叉する方向に設置することも可能である。ま
た、ジョセフソン素子に限らずスパッタで形成した薄膜
を酸化処理する場合に本発明装置を適用できる。この実
施例に於いて、基板冷却装置１４を加熱装置に変更し、
酸化室１２に酸化ガスを導入すれば、高温超伝導体を作
成することが可能である。
ク室９と交叉する方向に設置することも可能である。ま
た、ジョセフソン素子に限らずスパッタで形成した薄膜
を酸化処理する場合に本発明装置を適用できる。この実
施例に於いて、基板冷却装置１４を加熱装置に変更し、
酸化室１２に酸化ガスを導入すれば、高温超伝導体を作
成することが可能である。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、スパッタ
リング室の側方に、仕切バルブを介して酸化ガス導入管
を備え且つ内部に被酸化物のない独立した酸化室を設け
たので、多数の基板のスパッタ成膜された薄膜を均一の
厚さの酸化層で再現性よく酸化処理することができ、薄
膜の品質が向上する等の効果がある。
リング室の側方に、仕切バルブを介して酸化ガス導入管
を備え且つ内部に被酸化物のない独立した酸化室を設け
たので、多数の基板のスパッタ成膜された薄膜を均一の
厚さの酸化層で再現性よく酸化処理することができ、薄
膜の品質が向上する等の効果がある。
【図１】 従来例の１部截断側面図
【図２】 図１の平面図
【図３】 本発明の実施例の１部截断側面図
【図４】 図３の平面図
【図５】 本発明の他の実施例の平面図
１ スパッタリング室 ６ａ，６ｂ スパッタ
源 ７ 基板 １１ 仕切バル
ブ １２ 酸化室 １３ 酸化ガ
ス導入管 １４ 基板冷却装置 １６ａ，１６ｂ ガス圧
測定室 １７ ガス混合室 １８ ガス導
入系
源 ７ 基板 １１ 仕切バル
ブ １２ 酸化室 １３ 酸化ガ
ス導入管 １４ 基板冷却装置 １６ａ，１６ｂ ガス圧
測定室 １７ ガス混合室 １８ ガス導
入系
Claims (3)
- 【請求項１】 ターゲットを備えたスパッタリング室の
側方に、仕切バルブを介して酸化ガス導入管を備え且つ
内部に被酸化物のない独立した酸化室を設けたことを特
徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 上記酸化室内に基板冷却装置を設けたこ
とを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。 - 【請求項３】 上記酸化室の酸化ガス導入管に、ガス圧
測定室とガス混合室とを順次設けたガス導入系を接続し
たことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20926192A JPH0649633A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20926192A JPH0649633A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0649633A true JPH0649633A (ja) | 1994-02-22 |
Family
ID=16570025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20926192A Pending JPH0649633A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0649633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9790590B2 (en) | 2012-05-31 | 2017-10-17 | Tokyo Electron Limited | Vacuum-processing apparatus, vacuum-processing method, and storage medium |
| WO2019163439A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP20926192A patent/JPH0649633A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9790590B2 (en) | 2012-05-31 | 2017-10-17 | Tokyo Electron Limited | Vacuum-processing apparatus, vacuum-processing method, and storage medium |
| WO2019163439A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
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