JPS63296867A - 薄膜の塗布装置および塗布方法 - Google Patents
薄膜の塗布装置および塗布方法Info
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- JPS63296867A JPS63296867A JP13501587A JP13501587A JPS63296867A JP S63296867 A JPS63296867 A JP S63296867A JP 13501587 A JP13501587 A JP 13501587A JP 13501587 A JP13501587 A JP 13501587A JP S63296867 A JPS63296867 A JP S63296867A
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- JP
- Japan
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- substrate
- solvent
- valve
- thin film
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- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜の塗布装置および塗布方法に関し、特に段
差を有する基板上に平坦に薄膜を形成する技術に関する
ものである。
差を有する基板上に平坦に薄膜を形成する技術に関する
ものである。
従来の技術
半導体装置の製造工程において今日では基板の平坦化の
ためにエッチバックと呼ばれるプロセスが一般によく用
いられておシ、エッチバックのために有機膜等を段差基
板に平坦に塗布することが必要に力っている。
ためにエッチバックと呼ばれるプロセスが一般によく用
いられておシ、エッチバックのために有機膜等を段差基
板に平坦に塗布することが必要に力っている。
従来の薄膜を塗布する装置の一例を第２図に示す。
基板１を設置するチャック部２と基板１を回転させるた
めのモータ３と、基板１と数ｍｍの間隔で対向し平行に
設置された対向板４とより形成されてお９、実際に薄膜
を塗布する場合には、チャック部２に基板１を設置した
のち基板１上にフォト３ヘージ レジスト液等を滴下ｊＪ’ｃ＋１７）ち、対向板４を所
定の間隔、に、なるよ、うに設置し、モータ１により１
芦板１−□ｊ） をモータ３により回転させることにより薄膜を形成する
。 ″″ ・ このように対向板４を設けることにより基板１゜が回転
して薄膜が形成される際に溶媒の揮発がお”さえられ、
段差を有する基板においても薄膜を平坦に塗布すること
が容易となる。・ 発明が解決しようとする問題点 しかし上記の装置では平坦度を向上させるだめには基板
１と対向板４の間隔を非常にせ捷＜シ、さらにその距離
を高精度に制御する必要があり、′基板１が大きぐなち
てくると非常に制御が困□難であった。 ゛
・ 壕だ上記の装置では溶媒の揮発を対晶板４と基板１との
間隔で制御するため、任意の対向板４と基板１の間の溶
媒の濃度を制御することも困難である。
めのモータ３と、基板１と数ｍｍの間隔で対向し平行に
設置された対向板４とより形成されてお９、実際に薄膜
を塗布する場合には、チャック部２に基板１を設置した
のち基板１上にフォト３ヘージ レジスト液等を滴下ｊＪ’ｃ＋１７）ち、対向板４を所
定の間隔、に、なるよ、うに設置し、モータ１により１
芦板１−□ｊ） をモータ３により回転させることにより薄膜を形成する
。 ″″ ・ このように対向板４を設けることにより基板１゜が回転
して薄膜が形成される際に溶媒の揮発がお”さえられ、
段差を有する基板においても薄膜を平坦に塗布すること
が容易となる。・ 発明が解決しようとする問題点 しかし上記の装置では平坦度を向上させるだめには基板
１と対向板４の間隔を非常にせ捷＜シ、さらにその距離
を高精度に制御する必要があり、′基板１が大きぐなち
てくると非常に制御が困□難であった。 ゛
・ 壕だ上記の装置では溶媒の揮発を対晶板４と基板１との
間隔で制御するため、任意の対向板４と基板１の間の溶
媒の濃度を制御することも困難である。
本発明はかかる点に鑑みてなされるもので、薄膜を任意
の溶媒濃度雰囲気中で形成することにより大きい基板に
おいても薄膜を平坦に塗布することが可能な塗布装置お
よび塗布方法を提供することを目的としている。
の溶媒濃度雰囲気中で形成することにより大きい基板に
おいても薄膜を平坦に塗布することが可能な塗布装置お
よび塗布方法を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
５ 本発明は上記問題点を解決大るため、塗布雰囲気
を一旦排気し真空にしたのち、溶媒を導入し一定の濃度
雰囲気にしたのち液を滴下し、基板を回転させることに
より薄膜を平坦に塗布するものである。
を一旦排気し真空にしたのち、溶媒を導入し一定の濃度
雰囲気にしたのち液を滴下し、基板を回転させることに
より薄膜を平坦に塗布するものである。
作 用
本発明の方法により基板の大きさに左右されることなく
任意の溶媒雰囲気で薄膜を段差基板に平坦に塗布するこ
とができる。
任意の溶媒雰囲気で薄膜を段差基板に平坦に塗布するこ
とができる。
実施例
゛ 第１図に本発明の塗布ｉ置の一実施例を示す。。
半導体基板１を設置するチャック部２と基板１゛を回転
させる丸めのモータ３と、基板１をおおうごとく形成さ
れたカバー５と、カバー５内を真空に排気するための真
空ポンプ６と、排気を制御する第１のバルブ７と、カバ
ー５内に溶媒を導入する５１、−； だめの第１の導入口８と導入を制御する第２のバルブ９
と、基板１上に塗布液を滴下するための第２の導入口１
０と塗布液の導入を制御する第３のバルブ１１とより構
成されている。
させる丸めのモータ３と、基板１をおおうごとく形成さ
れたカバー５と、カバー５内を真空に排気するための真
空ポンプ６と、排気を制御する第１のバルブ７と、カバ
ー５内に溶媒を導入する５１、−； だめの第１の導入口８と導入を制御する第２のバルブ９
と、基板１上に塗布液を滴下するための第２の導入口１
０と塗布液の導入を制御する第３のバルブ１１とより構
成されている。
実際に薄膜を形成する場合には、チャック部２に基板１
を設置したのち、真空ポンプ６によりカバー５内を一定
の真空度寸で排気する。次に第１のバルブを閉じたのち
第２のバルブ９を開は第１の導入口８よりレジスト塗布
液の溶媒をカバー５内に一定の圧力になるまで導入し第
２のバルブ９を閉じる。
を設置したのち、真空ポンプ６によりカバー５内を一定
の真空度寸で排気する。次に第１のバルブを閉じたのち
第２のバルブ９を開は第１の導入口８よりレジスト塗布
液の溶媒をカバー５内に一定の圧力になるまで導入し第
２のバルブ９を閉じる。
その後筒３のバルブ１１を開けて第２の導入口１０より
レジスト塗布液を導入したのち第３のバルブ１１を閉じ
モータ３により基板１を回転させて薄膜を形成する。
レジスト塗布液を導入したのち第３のバルブ１１を閉じ
モータ３により基板１を回転させて薄膜を形成する。
以上のべたような装置および方法でレジスト薄膜を形成
することにより任意の溶媒雰囲気濃度を自由に選択する
ことが可能であり、基板の大きさに関係なくレジスト薄
膜の平坦塗布を容易かつ安定に行なうことができる。
することにより任意の溶媒雰囲気濃度を自由に選択する
ことが可能であり、基板の大きさに関係なくレジスト薄
膜の平坦塗布を容易かつ安定に行なうことができる。
６ヘー／゛
実施例では１回塗布する場合についてのみのべたが、必
要に応じて複数回くり返してもよいし、塗布液も１種類
に限定するものではない。また、本発明はレジストのみ
でなく、塗布により形成される薄膜形成に広く適用する
ことが可能となる。
要に応じて複数回くり返してもよいし、塗布液も１種類
に限定するものではない。また、本発明はレジストのみ
でなく、塗布により形成される薄膜形成に広く適用する
ことが可能となる。
また本装置では塗布液の導入口および溶媒の導入口がそ
れぞれ１個の場合についてのべているが、これはそれぞ
れが複数個であってもよいことは言うまでもなく、必要
に応じては複数の溶媒を同時に導入しても良い。また溶
媒の濃度は真空計等を接続しておいて任意に調整しても
よい。
れぞれ１個の場合についてのべているが、これはそれぞ
れが複数個であってもよいことは言うまでもなく、必要
に応じては複数の溶媒を同時に導入しても良い。また溶
媒の濃度は真空計等を接続しておいて任意に調整しても
よい。
発明の効果
以上のべたように本発明の装置および方法を用いること
により任意の溶媒雰囲気中で薄膜を形成できるため、基
板の大きさにも影響されず段差基板上にも平坦に薄膜を
塗布することが可能でありその工業的価値は大きい。
により任意の溶媒雰囲気中で薄膜を形成できるため、基
板の大きさにも影響されず段差基板上にも平坦に薄膜を
塗布することが可能でありその工業的価値は大きい。
第１図は本発明の塗布装置の一実施例の断面図、第２図
は従来の塗布装置の断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・チャック部、３・
・・・・・モータ、６・・・・・・カバー、６・・・・
・・真空ポンプ、７・・・・・・第１のバルブ、８・・
・・・・第１の導入口、９・・・・・・第２のバルブ、
１０・・・・・・第２の導入口、１１・・・・・・第３
のバルブ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（−
一一基椋 計″−カッ）− 第２図
は従来の塗布装置の断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・チャック部、３・
・・・・・モータ、６・・・・・・カバー、６・・・・
・・真空ポンプ、７・・・・・・第１のバルブ、８・・
・・・・第１の導入口、９・・・・・・第２のバルブ、
１０・・・・・・第２の導入口、１１・・・・・・第３
のバルブ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（−
一一基椋 計″−カッ）− 第２図
Claims (2)
- （１）基板を設置するチャック部と、前記基板を回転さ
せるごとく設置され駆動部と、少なくとも前記基板をお
おうごとく設置されたカバー部と、前記カバー部内を排
気するための真空ポンプと、排気を制御するための第１
のバルブと、前記カバー部内に溶媒を導入するための第
１の導入口と、溶媒の導入を制御するための第２のバル
ブと、前記基板の主面上に塗布液を滴下するための第２
の導入口と、塗布液の導入を制御するための第３のバル
ブよりなる塗布装置。 - （２）チャック部に基板を設置した後、真空ポンプによ
りカバー部内を一定の真空度まで排気する工程と、排気
制御用の第１のバルブを閉じた後、前記カバー部内に第
１の導入口より溶媒を所定の濃度まで導入する工程と、
前記基板上に第２の導入口より所定の量だけ滴下する工
程と、前記基板を駆動部により所定の回転数で回転させ
る工程よりなる薄膜の塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13501587A JPS63296867A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 薄膜の塗布装置および塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13501587A JPS63296867A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 薄膜の塗布装置および塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63296867A true JPS63296867A (ja) | 1988-12-02 |
Family
ID=15141937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13501587A Pending JPS63296867A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 薄膜の塗布装置および塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63296867A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002097492A1 (fr) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Hitachi Chemical Co.,Ltd. | Element optique, procede de fabrication d'elements optiques, et dispositif et procede de revetement |
| JP2007311198A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 固体酸化物形燃料電池用の電極の製造方法及び固体酸化物形燃料電池 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13501587A patent/JPS63296867A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002097492A1 (fr) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Hitachi Chemical Co.,Ltd. | Element optique, procede de fabrication d'elements optiques, et dispositif et procede de revetement |
| CN100456063C (zh) * | 2001-05-30 | 2009-01-28 | 日立化成工业株式会社 | 光学元件、光学元件的制造方法、涂布装置及涂布方法 |
| JP2007311198A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 固体酸化物形燃料電池用の電極の製造方法及び固体酸化物形燃料電池 |
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