JPS6349143B2 - - Google Patents
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- JPS6349143B2 JPS6349143B2 JP56060563A JP6056381A JPS6349143B2 JP S6349143 B2 JPS6349143 B2 JP S6349143B2 JP 56060563 A JP56060563 A JP 56060563A JP 6056381 A JP6056381 A JP 6056381A JP S6349143 B2 JPS6349143 B2 JP S6349143B2
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- Japan
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- chromium
- sputtering
- chromium oxide
- selective absorption
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
- F24S70/25—Coatings made of metallic material
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
- F24S70/225—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption for spectrally selective absorption
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
従来、太陽熱集熱用選択吸収膜として、酸化ク
ロムCr2O3を主成分とし、金属クロムを１部とし
て含む真空成膜法による薄膜から成るものがある
が、その製造法は、金属クロムをターゲツトと
し、これをスパツタリング処理により金属クロム
をスパツターさせ、そのスパツター分子の１部を
酸化クロムとすべく所定量の空気又は酸素を真空
容器内に導入して、被着基材面に金属クロム蒸着
膜の１部に所定量の酸化クロム蒸着粒子が混在し
た太陽熱集熱用選択吸収膜とする方法が公知であ
るが、金属クロムの蒸気の所定の１部を酸化せし
めるべく空気等の酸化性ガスを導入する調節がむ
づかしく、しばしば、酸化クロムが過剰に或は不
足した製膜が得られ、作業が難儀で、熟練を要し
た。 本発明は、かゝる欠点を除去し、所望する酸化
クロムと金属クロムとが略所定の配合で含有する
太陽熱集熱用選択吸収膜を正確に且つ簡単に製造
することが出来る方法を提供するもので、酸化ク
ロムと金属クロムとが所定の範囲の組成比で混合
して成る太陽熱集熱用選択吸収膜を製造するに当
り、この製造すべき膜と略同じ所定の範囲の組成
比で酸化クロム微粒子と金属クロム微粒子とを配
合混合したものをターゲツトとし、真空容器内の
酸素分圧を無視できる程度に低下させて、これに
スパツタリングを行い、選択吸収膜を製造するこ
とを特徴とする。 次に本発明の実施例を詳述する。 一般に、太陽熱集熱用選択吸収膜として酸化ク
ロムCr2O3対金属クロムCrが50％〜80％対50％〜
20％（容量比）の組成割合から成るものが好まし
い。 本発明によれば、スパツタリング用ターゲツト
としてその製造しようとする上記膜の酸化クロム
と金属クロムの組成割合と同じ割合で酸化クロム
微粒子（50μ程度以下）と金属クロム微粒子
（100μ程度）とを配合しよく混合した上で之を単
に加圧し或は加圧後真空焼結して一枚の板状ター
ゲツト（例えば200mm×100mm×６mm）を得る。次
でこの板状ターゲツトをスパツタリング装置内に
収容設置し、例えばDCマグネトロンスパツタ法
により膜付を行なう。即ち、該ターゲツトを陰極
とし、被着基材面を陽極とし、予め容器内を10-6
トールに排気したのち、ターゲツトに300〜
1000Vを印加し、アルゴンを導入しつゝ真空容器
内のアルゴン圧力を10-3〜10-1トールに保持して
スパツタリングを行なつた。この場合、該ターゲ
ツト直上約５mm上方に於ける磁場の強さが200ガ
ウス以上の好ましくは400ガウス程度の強さの磁
場を用いてDCスパツターを行なうことが好まし
い。約１分間又はそれ以下の時間スパツタリング
を実施すれば被着面に該ターゲツトと略同一組成
割合から成る所定の太陽熱集積熱用選択吸収膜が
得られた。このようにして得られた膜の堆積速度
は例えば下記表の通りであつた。
ロムCr2O3を主成分とし、金属クロムを１部とし
て含む真空成膜法による薄膜から成るものがある
が、その製造法は、金属クロムをターゲツトと
し、これをスパツタリング処理により金属クロム
をスパツターさせ、そのスパツター分子の１部を
酸化クロムとすべく所定量の空気又は酸素を真空
容器内に導入して、被着基材面に金属クロム蒸着
膜の１部に所定量の酸化クロム蒸着粒子が混在し
た太陽熱集熱用選択吸収膜とする方法が公知であ
るが、金属クロムの蒸気の所定の１部を酸化せし
めるべく空気等の酸化性ガスを導入する調節がむ
づかしく、しばしば、酸化クロムが過剰に或は不
足した製膜が得られ、作業が難儀で、熟練を要し
た。 本発明は、かゝる欠点を除去し、所望する酸化
クロムと金属クロムとが略所定の配合で含有する
太陽熱集熱用選択吸収膜を正確に且つ簡単に製造
することが出来る方法を提供するもので、酸化ク
ロムと金属クロムとが所定の範囲の組成比で混合
して成る太陽熱集熱用選択吸収膜を製造するに当
り、この製造すべき膜と略同じ所定の範囲の組成
比で酸化クロム微粒子と金属クロム微粒子とを配
合混合したものをターゲツトとし、真空容器内の
酸素分圧を無視できる程度に低下させて、これに
スパツタリングを行い、選択吸収膜を製造するこ
とを特徴とする。 次に本発明の実施例を詳述する。 一般に、太陽熱集熱用選択吸収膜として酸化ク
ロムCr2O3対金属クロムCrが50％〜80％対50％〜
20％（容量比）の組成割合から成るものが好まし
い。 本発明によれば、スパツタリング用ターゲツト
としてその製造しようとする上記膜の酸化クロム
と金属クロムの組成割合と同じ割合で酸化クロム
微粒子（50μ程度以下）と金属クロム微粒子
（100μ程度）とを配合しよく混合した上で之を単
に加圧し或は加圧後真空焼結して一枚の板状ター
ゲツト（例えば200mm×100mm×６mm）を得る。次
でこの板状ターゲツトをスパツタリング装置内に
収容設置し、例えばDCマグネトロンスパツタ法
により膜付を行なう。即ち、該ターゲツトを陰極
とし、被着基材面を陽極とし、予め容器内を10-6
トールに排気したのち、ターゲツトに300〜
1000Vを印加し、アルゴンを導入しつゝ真空容器
内のアルゴン圧力を10-3〜10-1トールに保持して
スパツタリングを行なつた。この場合、該ターゲ
ツト直上約５mm上方に於ける磁場の強さが200ガ
ウス以上の好ましくは400ガウス程度の強さの磁
場を用いてDCスパツターを行なうことが好まし
い。約１分間又はそれ以下の時間スパツタリング
を実施すれば被着面に該ターゲツトと略同一組成
割合から成る所定の太陽熱集積熱用選択吸収膜が
得られた。このようにして得られた膜の堆積速度
は例えば下記表の通りであつた。
【表】
通常の定量分析装置、光学的分光測定又はオー
ジエー分析装置により、ターゲツト材とこれをス
パツタリングすることにより得られた製膜とを分
析した所、ターゲツト材の配合割合と略同じ配合
割合の酸化クロム及び金属クロムから成る吸収膜
が得られることを確認した。 即ちその分析結果の１例を第１図及び第２図に
示す。 第１図は該ターゲツト材のオージエー分析図を
示し、第２図はこれを上記スパツター法により得
られた生成膜のオージエ分析図を示す。 両図を対比して明らかなように、ターゲツトの
組成とこれをスパツタリングして得られる吸収膜
の組成は略同一に得られることが分る。 通常の真空容器では残留ガス中に微少の酸素の
存在は免れないのでその誤差範囲は、その作成膜
には通常若干の略10％程度の酸素増加が見られ
る。 第３図は、本法により作成した選択膜の分光特
性を示す。このように本発明によるときは、製造
しようとする所望の特定の混合割合から成る酸化
クロム―金属クロムの吸収膜と略同じ配合割合の
酸化クロム―金属クロムの混合粒子から成るター
ゲツトを製造し、これをスパツタリング処理する
ようにしたので、所定の組成割合から成る酸化ク
ロム―金属クロムの太陽熱集熱用選択吸収膜が熟
練を要せず簡単に且つ正確に製造できる効果を有
する。
ジエー分析装置により、ターゲツト材とこれをス
パツタリングすることにより得られた製膜とを分
析した所、ターゲツト材の配合割合と略同じ配合
割合の酸化クロム及び金属クロムから成る吸収膜
が得られることを確認した。 即ちその分析結果の１例を第１図及び第２図に
示す。 第１図は該ターゲツト材のオージエー分析図を
示し、第２図はこれを上記スパツター法により得
られた生成膜のオージエ分析図を示す。 両図を対比して明らかなように、ターゲツトの
組成とこれをスパツタリングして得られる吸収膜
の組成は略同一に得られることが分る。 通常の真空容器では残留ガス中に微少の酸素の
存在は免れないのでその誤差範囲は、その作成膜
には通常若干の略10％程度の酸素増加が見られ
る。 第３図は、本法により作成した選択膜の分光特
性を示す。このように本発明によるときは、製造
しようとする所望の特定の混合割合から成る酸化
クロム―金属クロムの吸収膜と略同じ配合割合の
酸化クロム―金属クロムの混合粒子から成るター
ゲツトを製造し、これをスパツタリング処理する
ようにしたので、所定の組成割合から成る酸化ク
ロム―金属クロムの太陽熱集熱用選択吸収膜が熟
練を要せず簡単に且つ正確に製造できる効果を有
する。
第１図は本発明の１例のターゲツト材のオージ
エ分析図、第２図は本法により得た選択吸収膜の
オージエ分析図、第３図は該膜の分光特性を示
す。
エ分析図、第２図は本法により得た選択吸収膜の
オージエ分析図、第３図は該膜の分光特性を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化クロムと金属クロムとが所定の範囲の組
成比で混合して成る太陽熱集熱用選択吸収膜を製
造するに当り、この製造すべき膜と略同じ所定の
範囲の組成比で酸化クロム微粒子と金属クロム微
粒子とを配合混合したものをターゲツトとし、真
空容器内の酸素分圧を無視できる程度に低下させ
て、これにスパツタリングを行い選択吸収膜を製
造することを特徴とする太陽熱集熱用選択吸収膜
の製造法。 ２ 容量比で20％〜50％の範囲の金属クロムと80
％〜50％の酸化クロムから成るターゲツトとし、
これにDCマグネトロンスパツタ法によりスパツ
タリングする特許請求の範囲１に記載の製造法。 ３ ターゲツト直上約５mm上方に於ける磁場の強
さが200ガウス以上好ましくは400ガウス程度とし
てDCスパツターを行なう特許請求の範囲１に記
載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56060563A JPS57175847A (en) | 1981-04-23 | 1981-04-23 | Manufacture of selective absorption film for solar heat collection |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56060563A JPS57175847A (en) | 1981-04-23 | 1981-04-23 | Manufacture of selective absorption film for solar heat collection |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57175847A JPS57175847A (en) | 1982-10-28 |
| JPS6349143B2 true JPS6349143B2 (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13145853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56060563A Granted JPS57175847A (en) | 1981-04-23 | 1981-04-23 | Manufacture of selective absorption film for solar heat collection |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57175847A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5009761A (en) * | 1984-09-24 | 1991-04-23 | Spafax Holdings Plc., | Method of producing an optical component, and components formed thereby |
| CN103148601B (zh) * | 2013-03-28 | 2014-07-23 | 桑乐矢崎（山东）新能源有限公司 | 一种平板太阳能集热器及其制作方法 |
-
1981
- 1981-04-23 JP JP56060563A patent/JPS57175847A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57175847A (en) | 1982-10-28 |
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