JPH03134156A - 局所薄膜処理方法及びその処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は大きな被処理材の一部分に対して、デポジショ
ン、エッチング，表面改質を局所的に行う方法及び装置
に関する。

［従来の技術］ 真空を利用してデポジション、エッチング，表面改質を
行う場合は、被処理材全体を真空処理槽の中へ入れてい
た。

また局所的な処理を行う場合は、被処理材とは別の材質
をマスクとして用いていた。マスクは、フォトエツチン
グプロセスで製作するのが−Ｊｆｆ　的である。

［発明が解決しようとする課題］ しかし従来の技術では 被処理材全体を処理する必要がな（とも、被処理材全体
を真空処理槽の中へ入れるため、被処理材が太き（なる
に従って真空処理槽も太き（なり、装置が高価となるこ
と また、被処理材が太き（な（とも、被処理材のほとんど
全面が処理されるため、たとえばさほど位置的精度が必
要でない局所処理を行う場合でもフォトエツチングプロ
セスを必要とすること、位置的精度を必要とする場合で
も、処理する面積以上の処理を行うことは、使用する処
理材料のムダであること等の問題があった。

そこで本発明はこのような問題を解決するもので、その
目的とするところは、たとえ被処理材が太き（とも安６
１行で、またフォトエツチングプロセス等を用いない開
学な方法で局所的な薄膜の処理を行う方法及び装置を提
供するところにある。

［課頃を解決するための手段］ 本発明の局所薄膜処理方法は、被処理物の局所に選択的
に成膜あるいはエッチング，表面改質等を行う方法にお
いて、前記被処理物の全体を真空処理槽の中へ入れるこ
となく、任意の一部のみを前記真空処理槽の一部開放端
へ接触させることにより、真空処理槽を真空に保持し、
前記被処理物の真空に保持された部分のみを局所的に気
体分子、原子または電子で処理することを特徴とする。

また本発明の局所簿膜処理装置は、被処理物の局所に選
択的に成膜あるいはエッチング，表面改質等を行う装置
において、真空処理イａの被処理物と接触すべき一部を
、大気開放とした事を特徴とする。

［実施例］ 以下本発明の実施例を図面にもとづき説明する（実施例
１） 第１図は局所的に成膜する時の方法、装置を示した侯弐
図である。

被処理物４は６００ｍｍＸ　３００ｍｍＸ　２ｍ＋ｎ　
　のガラスを使用した。この被処理物４は必ずしもガラ
スである必要はなく、自動車のボンネット等でもよい。

この被処理物４と真空処理槽１とで１つの真空チャンバ
を形成する。両者のシール５は０リングで行った。真空
処理槽１の開口部１０は直径１０酎である。また被処理
物４と対向する位置に成膜材料でなるターゲット７を備
えたスパッタガン２を配し、絶縁物８を介して真空処理
槽１に取り付ケル。そして、アルゴンガスをガス導入口
６から流し、かつ真空排気口３より排気する。

ここではターゲット７にＯｒを用いた。充分な真空排気
後、アルゴンを流しながらスパッタを行うと、第２図に
示す如（、被処理物４にはＯｒ薄膜２１が成膜された。

この時の成膜直径は約１０咽であった。

本実施例ではスパッタを用いたが、成膜手段としては蒸
着でも可能であることは言うまでもない一方、従来の方
法及び装置を第６図に示す。真空チャンバ（真空処理槽
１と同意語）の中へ被処理物４を入れ、上記と同様の手
順でスパッタを行う。すると彼処４物４には、第７図に
示すようにある膜厚分布を持ったＯｒ薄膜が広い工ＩＪ
アに成膜される。さらに直径１０ｍｍ位の範囲で憩膜を
残したい場合には、フォトエツチングプロセスを必要と
する。

従って従来方法では局所的な成膜を望む時でも装置が大
きくなり高価となるばかりか、他プロセスまで必要とな
るという欠点がある。

また、この直径１０ｍｍ位の範囲に細密パターンニング
を行う場合でも、トータルデポジション量は少ない方が
、エツチング液のへたりなどを考えると侵位である。

（実施例２） 第５図は局所的にエツチングを行う方法、装置を示した
模式図である。

装置構成は、実施例１とほとんど同じであるが、相違点
は、スパッタガン２の換わりに高周波電極９を、被処理
物４の表面にはＴａ薄膜２２が成膜されているところで
ある。本実施例では、被処理物４上のＴａ薄膜をエツチ
ングするわけだが、被処理物４を直接エツチングしても
かまわない。

充分な真空排気後、ガス導入口６よりフレオンと酸素の
混合ガスを流しながら、高周波電極９に高周波を印加す
る。すると第４図に示す如り、Ｔａ薄膜２２が局所的に
エツチングされる。

メリットは実施例１と同じく、安価でかつフォトエツチ
ングプロセスを用いず局所的にエツチングできるところ
にある。

本実施例°ではエツチングを行ったが、ガスを変えての
アッシング、あるいは成膜として・−１プラズマＯＶＤ
も行えることは容易に想像がつく。

（実施例６） 前記実施例２と同様の装置を使い、ガスに酸素を使って
、Ｔａ薄膜２２を酸化した様子を第５図に示す。この様
にＴ　ａ　ｆｆｉ膜２２の表面を酸化して酸化膜２３と
するように７局所的な表面改質も可能である。

［発明の効果コ 本発明によれば、真空処理槽の大気に開放された一端を
、被処理物の一部分を接触させることにより、真空を保
持し、かつその開口エリア（被処理物の真空にさらされ
た部分）を調節することにより、安価でかつフォトエツ
チングプロセス等を用いないで、局所的な成膜、エッチ
ング，表面改質ができるという効果を有する。

また、被処理物が太き（、動かしずらい物に対しては、
コンパクトな本装置の方を動かすことにより処理できる
というメリットもある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例による成膜方法、及び装置
を示す模式図、第２図は、その時の成膜プロファイル図
。 第３図は、本発明の一実施例によるエツチング方法及び
装置を示す模式図、第４図は、その時のエツチングプロ
ファイル図。 第５図は、本発明の表面改質方法及び装置を用いて、表
面処理した時の模式図。 第６図は、従来の成戻方法、装置を示す模式図、第７図
は、その時の成膜プロファイル図。 １・・・・・・・・・真空処理槽 ２・・・・・・・・・スパッタガン ６・・・・・・・・・真空排気口 ４・・・・・・・・・被処理物 ５・・・・・・・・・シール ６・・・・・・・・・ガス導入口 ア・・・・・・・・・ターゲット ８・・・・・・・・・絶縁物 ９・・・・・・・・・高周波電極 １０・・・・・・・・・真空処理槽開口部２１・・・・
・・・・・Ｏｒ薄膜 ２２・・・・・・・・・Ｔａ薄膜 ２３・・・・・・・・・Ｔａ酸化膜 篤 口 以上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理物の局所に選択的に成膜あるいはエッチン
   グ，表面改質等を行う方法において、前記被処理物の全
   体を真空処理槽の中へ入れることなく、任意の一部のみ
   を前記真空処理槽の一部開放端へ接触させることにより
   、真空処理槽を真空に保持し、前記被処理物の真空に保
   持された部分のみを局所的に気体分子，原子または電子
   で処理することを特徴とする局所薄膜処理方法。
2. （２）被処理物の局所に選択的に成膜あるいはエッチン
   グ，表面改質等を行う装置において、真空処理槽の被処
   理物と接触すべき一部を、大気開放とした事を特徴とす
   る局所簿膜処理装置。