JPH059937B2 - - Google Patents
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- JPH059937B2 JPH059937B2 JP59010573A JP1057384A JPH059937B2 JP H059937 B2 JPH059937 B2 JP H059937B2 JP 59010573 A JP59010573 A JP 59010573A JP 1057384 A JP1057384 A JP 1057384A JP H059937 B2 JPH059937 B2 JP H059937B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、微細パターン形成に必要なドライ
エツチング装置に関するものである。
エツチング装置に関するものである。
半導体集積回路等の半導体装置を製造するに際
して、微細パターン形成のために、写真製版技術
は不可欠である。この写真製版プロセスのドライ
化が種々の利点を有することから、各方面で研究
開発が行なわれている。
して、微細パターン形成のために、写真製版技術
は不可欠である。この写真製版プロセスのドライ
化が種々の利点を有することから、各方面で研究
開発が行なわれている。
第１図は従来のドライエツチング装置の構成を
示す模式断面図で、１は真空チヤンバー、２は排
気口、３は真空バルブ、４は反応ガス導入口、５
ａ，５ｂは反応ガス容器、６は反応ガス調整バル
ブ、７は電極、８は高周波電源、９は試料台、１
０はその上に置かれた試料である。
示す模式断面図で、１は真空チヤンバー、２は排
気口、３は真空バルブ、４は反応ガス導入口、５
ａ，５ｂは反応ガス容器、６は反応ガス調整バル
ブ、７は電極、８は高周波電源、９は試料台、１
０はその上に置かれた試料である。
次に、被エツチング試料１０としてクロム薄膜
の場合を例に挙げて説明する。
の場合を例に挙げて説明する。
この装置では、まず、真空バルブ３を開き、図
示しない真空ポンプによつて排気口２からチヤン
バー１内を排気して約10-5Torrの真空状態にす
る。次に、真空バルブ３を閉じ、反応ガス調整バ
ルブ６を開いて反応ガス容器５ａ，５ｂから反応
ガス〔この場合、四塩化炭素（CCl4）、酸素
（O2）〕を反応ガス導入口４からチヤンバー１内
に供給する。これと同時に高周波電源８から高周
波電力を電極７に供給する。この高周波電源８は
出力周波数が13.56MHzに調整されており、その
出力電力は可変になつており、これを約300Wと
する。そうすると、チヤンバー１内では、反応ガ
スが高周波出力により遊離し、ガスプラズマ状態
となる。このプラズマ状態となつた反応ガスは試
料１０（クロム薄膜）と反応し、化学反応が進行
しエツチングされる。
示しない真空ポンプによつて排気口２からチヤン
バー１内を排気して約10-5Torrの真空状態にす
る。次に、真空バルブ３を閉じ、反応ガス調整バ
ルブ６を開いて反応ガス容器５ａ，５ｂから反応
ガス〔この場合、四塩化炭素（CCl4）、酸素
（O2）〕を反応ガス導入口４からチヤンバー１内
に供給する。これと同時に高周波電源８から高周
波電力を電極７に供給する。この高周波電源８は
出力周波数が13.56MHzに調整されており、その
出力電力は可変になつており、これを約300Wと
する。そうすると、チヤンバー１内では、反応ガ
スが高周波出力により遊離し、ガスプラズマ状態
となる。このプラズマ状態となつた反応ガスは試
料１０（クロム薄膜）と反応し、化学反応が進行
しエツチングされる。
この装置では反応ガスは、エツチングする材料
により、各種のガスを使用できる機構になつてお
り、また、各種のガス流量と混合比とを調節で
き、各種の被エツチング材に適用ができる。最近
のエツチング装置では円筒形エツチング装置、平
行平板形エツチング装置、またはリアクテイブイ
オンエツチング装置などが利用されているが、ス
パツター効果の大小を除いてはほとんど同じ反応
機構となつている。
により、各種のガスを使用できる機構になつてお
り、また、各種のガス流量と混合比とを調節で
き、各種の被エツチング材に適用ができる。最近
のエツチング装置では円筒形エツチング装置、平
行平板形エツチング装置、またはリアクテイブイ
オンエツチング装置などが利用されているが、ス
パツター効果の大小を除いてはほとんど同じ反応
機構となつている。
このように従来のドライエツチング装置におい
ては、温度調整機能が付いていないため、種々の
欠点があつた。その一例としてチヤンバー温度が
低い状態にてエツチングを開始するとチヤンバー
内の温度がある一定の温度に到達しないとエツチ
ングが開始されず、エツチングのバラつきが大き
かつた。また、連続してエツチングを続けた場合
チヤンバー内の温度がかなり高温となり、プラズ
マイオンが安定して供給されないので、エツチン
グの進行が停止することがあつた。さらに、試料
の基板温度を調節することが不可能であつたた
め、適切なエツチング選択比をエツチング中に持
たせることが不可能であつた。
ては、温度調整機能が付いていないため、種々の
欠点があつた。その一例としてチヤンバー温度が
低い状態にてエツチングを開始するとチヤンバー
内の温度がある一定の温度に到達しないとエツチ
ングが開始されず、エツチングのバラつきが大き
かつた。また、連続してエツチングを続けた場合
チヤンバー内の温度がかなり高温となり、プラズ
マイオンが安定して供給されないので、エツチン
グの進行が停止することがあつた。さらに、試料
の基板温度を調節することが不可能であつたた
め、適切なエツチング選択比をエツチング中に持
たせることが不可能であつた。
また例えば特開昭57−67173号公報のように真
空チヤンバーの内壁および試料台を加熱するドラ
イエツチング装置があつたが、それらを個別に温
度上昇させて、吸着される反応生成物を加熱遊離
させようとするものである。
空チヤンバーの内壁および試料台を加熱するドラ
イエツチング装置があつたが、それらを個別に温
度上昇させて、吸着される反応生成物を加熱遊離
させようとするものである。
［課題を解決するための手段］
真空雰囲気中に反応ガスを導入し、これに高周
波電界を加えてガスプラズマ状態に遊離させ、こ
の遊離した反応ガスで試料をエツチングするドラ
イエツチング装置において、上記反応ガスを導入
する真空チヤンバーの周囲を完全に取り巻き該チ
ヤンバーの温度を変化させることができる熱交換
器と、この熱交換器に用いられる第１の温度調節
器と、試料台の温度を変化させることができる熱
交換器と、この熱交換器に用いられる第２の温度
調節器とを有し、これらの温度調節器の調節によ
つてエツチングを均一にすることを特徴とするド
ライエツチング装置。
波電界を加えてガスプラズマ状態に遊離させ、こ
の遊離した反応ガスで試料をエツチングするドラ
イエツチング装置において、上記反応ガスを導入
する真空チヤンバーの周囲を完全に取り巻き該チ
ヤンバーの温度を変化させることができる熱交換
器と、この熱交換器に用いられる第１の温度調節
器と、試料台の温度を変化させることができる熱
交換器と、この熱交換器に用いられる第２の温度
調節器とを有し、これらの温度調節器の調節によ
つてエツチングを均一にすることを特徴とするド
ライエツチング装置。
第２図はこの発明の一実施例の構成を示す模式
断面図で、第１図の従来例と同一符号は同等部分
を示し、その重複説明は避ける。第２図におい
て、１１はチヤンバー１の温度を変化させること
ができる熱交換器、１２は第１の温度調節器、１
３は第１の循環ポンプである。更に、試料台９Ａ
も熱交換器を有しており、１４はこの系に用いる
第２の温度調整器、１５は同じくこの系に用いる
第２の循環ポンプである。
断面図で、第１図の従来例と同一符号は同等部分
を示し、その重複説明は避ける。第２図におい
て、１１はチヤンバー１の温度を変化させること
ができる熱交換器、１２は第１の温度調節器、１
３は第１の循環ポンプである。更に、試料台９Ａ
も熱交換器を有しており、１４はこの系に用いる
第２の温度調整器、１５は同じくこの系に用いる
第２の循環ポンプである。
次にこの実施例装置の使用方法について説明す
る。エツチングのメカニズムおよびエツチング方
法は、従来と同様である。まず、チヤンバー１の
温度が低い場合について説明する。チヤンバー１
の温度が約25℃と低い場合、反応ガスは飽和蒸気
圧分だけチヤンバー１に供給され、高周波電力に
より、ガスが遊離される。この際試料１０の基板
温度を第２の温度調節器１４により約60℃まで上
げ、遊離したガスと反応させる。このようなエツ
チング方法を行なえば、プラズマイオンは十分供
給される。一方、基板温度が上昇するので、プラ
ズマ化したイオンと被エツチング試料１０との化
学反応が早く進行し、エツチングが短時間で完了
する。また基板温度を調整することにより適度な
エツチングスピードを設定することができるので
エツチングの均一性も良好となつた。次にエツチ
ングを続けるに従い、チヤンバー１の温度も上昇
してくる。従来ではチヤンバー１の温度が上昇し
120℃程度の高温になると反応ガスの供給が飽和
蒸気圧分しか供給されずプラズマイオンの量が少
なくエツチングが進行しなくなつた。この装置で
はチヤンバー１の温度を第１の温度調節器１２お
よびチヤンバー用熱交換器１１により調節するこ
とができるので、エツチング枚数の増加とともに
チヤンバー１の温度が高温になつた場合、チヤン
バー１の温度を約60℃まで低くし、反応ガスの供
給を十分に行ない、遊離するプラズマイオンの量
を増加させることができる。一方、試料１０の基
板温度は前述したようにエツチングの均一性が最
良となる温度の約80℃に設定する。このような装
置により、どのような温度条件下においても、二
種の温度調節器を駆使することにより、エツチン
グが可能となり、エツチング時間の短縮およびエ
ツチングの均一性が得られる。さらに、通常のエ
ツチング方法では、選択ドライエツチングが不可
能であつた被エツチング材に対しても、試料の基
板温度を変化させることにより、レジストと被エ
ツチング材とのエツチング選択性を向上させる条
件を見い出すことが可能となつた。
る。エツチングのメカニズムおよびエツチング方
法は、従来と同様である。まず、チヤンバー１の
温度が低い場合について説明する。チヤンバー１
の温度が約25℃と低い場合、反応ガスは飽和蒸気
圧分だけチヤンバー１に供給され、高周波電力に
より、ガスが遊離される。この際試料１０の基板
温度を第２の温度調節器１４により約60℃まで上
げ、遊離したガスと反応させる。このようなエツ
チング方法を行なえば、プラズマイオンは十分供
給される。一方、基板温度が上昇するので、プラ
ズマ化したイオンと被エツチング試料１０との化
学反応が早く進行し、エツチングが短時間で完了
する。また基板温度を調整することにより適度な
エツチングスピードを設定することができるので
エツチングの均一性も良好となつた。次にエツチ
ングを続けるに従い、チヤンバー１の温度も上昇
してくる。従来ではチヤンバー１の温度が上昇し
120℃程度の高温になると反応ガスの供給が飽和
蒸気圧分しか供給されずプラズマイオンの量が少
なくエツチングが進行しなくなつた。この装置で
はチヤンバー１の温度を第１の温度調節器１２お
よびチヤンバー用熱交換器１１により調節するこ
とができるので、エツチング枚数の増加とともに
チヤンバー１の温度が高温になつた場合、チヤン
バー１の温度を約60℃まで低くし、反応ガスの供
給を十分に行ない、遊離するプラズマイオンの量
を増加させることができる。一方、試料１０の基
板温度は前述したようにエツチングの均一性が最
良となる温度の約80℃に設定する。このような装
置により、どのような温度条件下においても、二
種の温度調節器を駆使することにより、エツチン
グが可能となり、エツチング時間の短縮およびエ
ツチングの均一性が得られる。さらに、通常のエ
ツチング方法では、選択ドライエツチングが不可
能であつた被エツチング材に対しても、試料の基
板温度を変化させることにより、レジストと被エ
ツチング材とのエツチング選択性を向上させる条
件を見い出すことが可能となつた。
なお、上記実施例では、試料としてクロム薄膜
反応ガスとしてCCl4とO2の混合ガスの場合につ
いて述べたが、これ以外の試料についても、それ
に適した反応ガスを用いて同様の効果が得られ
る。基板温度、チヤンバー温度については80℃と
60℃の場合について述べたが、これ以外でエツチ
ングが均一かつ、短時間にエツチングが行なわれ
る温度であればよいことは勿論である。試料温度
を変化させる方法においては、直接ヒーター等に
よる温度調節方法でもよく、真空雰囲気の温度調
節方法において、上記実施例ではチヤンバーの温
度を変化させることについて述べたが、真空雰囲
気の温度を直接制御する方法でもよく同様の効果
を奏する。また上記実施例では円筒形プラズマエ
ツチング装置について述べたが平行平板形、リア
クテイブスパツタエツチング装置など他のドライ
エツチング装置にもこの発明は適用できる。
反応ガスとしてCCl4とO2の混合ガスの場合につ
いて述べたが、これ以外の試料についても、それ
に適した反応ガスを用いて同様の効果が得られ
る。基板温度、チヤンバー温度については80℃と
60℃の場合について述べたが、これ以外でエツチ
ングが均一かつ、短時間にエツチングが行なわれ
る温度であればよいことは勿論である。試料温度
を変化させる方法においては、直接ヒーター等に
よる温度調節方法でもよく、真空雰囲気の温度調
節方法において、上記実施例ではチヤンバーの温
度を変化させることについて述べたが、真空雰囲
気の温度を直接制御する方法でもよく同様の効果
を奏する。また上記実施例では円筒形プラズマエ
ツチング装置について述べたが平行平板形、リア
クテイブスパツタエツチング装置など他のドライ
エツチング装置にもこの発明は適用できる。
以上説明したように、この発明になるドライエ
ツチング装置では被エツチング試料の温度および
真空雰囲気の温度を調整できるようにしたので、
従来不可能であつた装置運転開始直後からエツチ
ングが可能となり、しかも、その当初から均一に
短時間でエツチングが可能である。しかも長時間
運転した場合でも、均一な短時間エツチングが可
能である。このように装置を有効に利用できるの
で、スループツトが向上し、これを用いて製造さ
れる製品のコスト低減につながる。また、従来選
択エツチングが困難な材料に対しても、各種条件
を調整することによつてマスク被膜との間のよい
選択比を得る条件を見出すこともできる。更に、
この装置ではエツチング速度およびプラズマイオ
ンの生成量をコントロールすることができるの
で、微細パターンのエツチング、生成パターンの
寸法精度向上が可能となる。
ツチング装置では被エツチング試料の温度および
真空雰囲気の温度を調整できるようにしたので、
従来不可能であつた装置運転開始直後からエツチ
ングが可能となり、しかも、その当初から均一に
短時間でエツチングが可能である。しかも長時間
運転した場合でも、均一な短時間エツチングが可
能である。このように装置を有効に利用できるの
で、スループツトが向上し、これを用いて製造さ
れる製品のコスト低減につながる。また、従来選
択エツチングが困難な材料に対しても、各種条件
を調整することによつてマスク被膜との間のよい
選択比を得る条件を見出すこともできる。更に、
この装置ではエツチング速度およびプラズマイオ
ンの生成量をコントロールすることができるの
で、微細パターンのエツチング、生成パターンの
寸法精度向上が可能となる。
第１図は従来のドライエツチング装置の構成を
示す模式断面図、第２図はこの発明の一実施例の
構成を示す模式断面図である。 図において、１はチヤンバー、２は排気口、３
は真空バルブ、４は反応ガス導入口、５ａ，５ｂ
は反応ガス容器、６は反応ガス調整バルブ、７は
電極、８は高周波電源、９Ａは熱交換器付試料
台、１０は試料、１１はチヤンバー用熱交換器、
１２，１４は温度調節器、１３，１５は循環ポン
プである。なお、図中同一符号は同一または相当
部分を示す。
示す模式断面図、第２図はこの発明の一実施例の
構成を示す模式断面図である。 図において、１はチヤンバー、２は排気口、３
は真空バルブ、４は反応ガス導入口、５ａ，５ｂ
は反応ガス容器、６は反応ガス調整バルブ、７は
電極、８は高周波電源、９Ａは熱交換器付試料
台、１０は試料、１１はチヤンバー用熱交換器、
１２，１４は温度調節器、１３，１５は循環ポン
プである。なお、図中同一符号は同一または相当
部分を示す。
Claims (1)
- １ 真空雰囲気中に反応ガスを導入し、これに高
周波電界を加えてガスプラズマ状態に遊離させ、
この遊離した反応ガスで試料をエツチングするド
ライエツチング装置において、上記反応ガスを導
入する真空チヤンバーの周囲を完全に取り巻き該
チヤンバーの温度を変化させることができる熱交
換器と、この熱交換器に用いられる第１の温度調
節器と、試料台の温度を変化させることができる
熱交換器と、この熱交換器に用いられる第２の温
度調節器とを有し、これらの温度調節器の調節に
よつてエツチングを均一にすることを特徴とする
ドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057384A JPS60154529A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057384A JPS60154529A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154529A JPS60154529A (ja) | 1985-08-14 |
| JPH059937B2 true JPH059937B2 (ja) | 1993-02-08 |
Family
ID=11753975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1057384A Granted JPS60154529A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154529A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2713903B2 (ja) * | 1987-05-06 | 1998-02-16 | 株式会社日立製作所 | ドライエッチング方法 |
| JPH01134929A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエッチング方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767173A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
| JPS58153332A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング装置 |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP1057384A patent/JPS60154529A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767173A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
| JPS58153332A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60154529A (ja) | 1985-08-14 |
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