JPH0372656A - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH0372656A JPH0372656A JP20843489A JP20843489A JPH0372656A JP H0372656 A JPH0372656 A JP H0372656A JP 20843489 A JP20843489 A JP 20843489A JP 20843489 A JP20843489 A JP 20843489A JP H0372656 A JPH0372656 A JP H0372656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- insulating film
- degree
- wafer
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 24
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 19
- 238000007872 degassing Methods 0.000 abstract description 7
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、 ５ｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ （ＳＯＧ
ニスピン・オン・グラス）等の絶縁膜の形成方法に関し
。
ニスピン・オン・グラス）等の絶縁膜の形成方法に関し
。
絶縁膜の膜質を制御し、安定した十分な強度を得ること
を目的とし。
を目的とし。
真空中において、基板上に形成した絶縁膜形成材を加熱
により焼成し１発生するガス量を真空度の変化で測定し
、所定のガス量に達し時に焼成を〔産業上の利用分野〕 本発明は、絶縁膜の形成方法に関する。
により焼成し１発生するガス量を真空度の変化で測定し
、所定のガス量に達し時に焼成を〔産業上の利用分野〕 本発明は、絶縁膜の形成方法に関する。
ＳＯＧや低温成長ＣＶＤ−ＰＳＧのような未分解ガス溶
剤、水分を含む絶縁物形成材の焼成方法としては、ホッ
トプレートや電気炉を使用して、大気中または窒素中で
加熱することが一般的であるが真空中で加熱する方法が
絶縁膜の膜質を向上させる目的で使用されはじめている
。
剤、水分を含む絶縁物形成材の焼成方法としては、ホッ
トプレートや電気炉を使用して、大気中または窒素中で
加熱することが一般的であるが真空中で加熱する方法が
絶縁膜の膜質を向上させる目的で使用されはじめている
。
しかし、出来上がった絶縁膜の硬度や膜内に残留するガ
ス量等にばらつきがあるため、焼成条件を厳しく規定す
るなどの必要がある。
ス量等にばらつきがあるため、焼成条件を厳しく規定す
るなどの必要がある。
従来のＳＯＧ等の絶縁膜形成材の焼成装置（例えば電気
炉）においては、炉芯管の開口による温度低下を短時間
で復帰させることや、温度分布のばらつきを出来るだけ
小さくするなどの方法で。
炉）においては、炉芯管の開口による温度低下を短時間
で復帰させることや、温度分布のばらつきを出来るだけ
小さくするなどの方法で。
焼成完了時の出来上った絶縁膜の膜質を保証していた。
しかし、焼成中に温度を監視していても、絶縁物形成材
を被覆した基板自体の温度を測定している訳ではない為
、基板間の温度の掛り方にばらつきが生じ、これに起因
して絶縁膜の膜質にばらつきが生ずることがあった。
を被覆した基板自体の温度を測定している訳ではない為
、基板間の温度の掛り方にばらつきが生じ、これに起因
して絶縁膜の膜質にばらつきが生ずることがあった。
従って、出来上がった絶縁膜の膜質が基板間で不均一の
ため、絶縁特性、エツチング特性に影響が出て１歩留が
低下するといった問題を生じていた。
ため、絶縁特性、エツチング特性に影響が出て１歩留が
低下するといった問題を生じていた。
本発明は、加熱を真空の雰囲気中で行い、焼成中に絶縁
膜から発生するガス量を処理室内の真空度を継続的にモ
ニタリングできる焼成装置で焼成することにより、絶縁
膜の膜質を制御し、安定した十分な強度を得ることを目
的とする。
膜から発生するガス量を処理室内の真空度を継続的にモ
ニタリングできる焼成装置で焼成することにより、絶縁
膜の膜質を制御し、安定した十分な強度を得ることを目
的とする。
第１図は本発明の原理説明図、第２図は処理室真空度と
ＳＯＧ加熱時間の関係図である。
ＳＯＧ加熱時間の関係図である。
図において、１は基板、２はＳＯＧ等の絶縁膜形成材、
３は絶縁膜である。
３は絶縁膜である。
第１図（ａ）に示すように、基板ｌ上に絶縁膜形成材２
を塗布する。絶縁膜形成材２は塗布・焼成により半導体
装置の層間絶縁膜として用いられる膜であるが、塗布さ
れた状態では１例えば、ＳＯＣを例にとれば、シラノー
ル（Ｓｉ（ＯＨ）４）中のＯＨ基が大量に膜中に存在し
ている。
を塗布する。絶縁膜形成材２は塗布・焼成により半導体
装置の層間絶縁膜として用いられる膜であるが、塗布さ
れた状態では１例えば、ＳＯＣを例にとれば、シラノー
ル（Ｓｉ（ＯＨ）４）中のＯＨ基が大量に膜中に存在し
ている。
ＯＨ
第１図（ｂ）に示すように、この状態で５ＯＧ２に熱が
加わると、シラノール中のＯＨ基どうしが脱水縮合して
ＳｉＯ□膜となる。
加わると、シラノール中のＯＨ基どうしが脱水縮合して
ＳｉＯ□膜となる。
水分として膜外へ
ＯＨ？ ＯＨ
また。ＳＯＣ中の溶剤が揮発すると２反応は低温でも促
進する現象がある。
進する現象がある。
そこで、溶剤をより低温で揮発させるためには。
加熱雰囲気を真空にし、電気炉による加熱時に見られる
輻射熱の影響を除くために、高周波や赤外線を基板ｌの
加熱源とする。
輻射熱の影響を除くために、高周波や赤外線を基板ｌの
加熱源とする。
加熱処理中は、温度並びに真空度をモニタリングし、温
度に関しては例えばマイクロ波の出力にフィードバック
して、常に一定の処理温度になるように制御する。
度に関しては例えばマイクロ波の出力にフィードバック
して、常に一定の処理温度になるように制御する。
本発明では、加熱時にＳＯＧから放出される水分や溶剤
は２本発明のようにマイクロ波等の加熱源により、基板
とその表面の絶縁物形成材だけが加熱される場合には、
真空度の変化（ガスの増加分）と見做すことができる。
は２本発明のようにマイクロ波等の加熱源により、基板
とその表面の絶縁物形成材だけが加熱される場合には、
真空度の変化（ガスの増加分）と見做すことができる。
従って、脱ガス量を、第２図に示すように、真空度を加
熱時間との関係においてプロットした曲線とベースライ
ン圧力が囲む面積で表すことにより、適当な面積を設定
し、その値を満たす処理を行うことによって、どのよう
なＳＯＧを塗布した基板でも同じ量のガスが出るまで処
理できるようにしている。
熱時間との関係においてプロットした曲線とベースライ
ン圧力が囲む面積で表すことにより、適当な面積を設定
し、その値を満たす処理を行うことによって、どのよう
なＳＯＧを塗布した基板でも同じ量のガスが出るまで処
理できるようにしている。
脱ガス量を管理することにより、加熱後に行う希弗酸に
よるエツチングのレートを調べて、膜質を確認する作業
を行わなくても、膜質を保証できるため、基板間の膜質
のばらつきを解消できる。
よるエツチングのレートを調べて、膜質を確認する作業
を行わなくても、膜質を保証できるため、基板間の膜質
のばらつきを解消できる。
第３図は１本発明の一実施例の装置構成図、第４図は絶
縁膜の膜厚とエツチング時間の関係図。
縁膜の膜厚とエツチング時間の関係図。
第５図は脱ガスの状況を調べた。処理室の真空度と加熱
時間の関係図である。
時間の関係図である。
図において、４はウェハー、５はＳＯＧ、６はウェハー
ホルダー、７は処理室、８は前室、９はゲートバルブ、
１０は赤外線センサー、 １１はマグネトロン、 １
２は導波管、１３は電源、 １４はコントローラー、
１５は測定器、 １６はターボポンプ、１７はロータリ
ーポンプ、１８はロータリーポンプ、１９は石英窓であ
る。
ホルダー、７は処理室、８は前室、９はゲートバルブ、
１０は赤外線センサー、 １１はマグネトロン、 １
２は導波管、１３は電源、 １４はコントローラー、
１５は測定器、 １６はターボポンプ、１７はロータリ
ーポンプ、１８はロータリーポンプ、１９は石英窓であ
る。
実施例では、装置の処理室７に一枚毎に処理する枚葉式
を用い、装置材はステンレス等のマイクロ波によって加
熱されない材質を用いた。
を用い、装置材はステンレス等のマイクロ波によって加
熱されない材質を用いた。
５ＯＧ５を４ 、０００人の厚さに塗布したウェハー４
を先ず、前室８に入れ、処理室７の真空度に近い領域ま
でロータリーポンプ１８で排気した後、ゲートバルブ９
を開いて、ウェハー４を処理室７のウェハーホルダー６
の上にセットする。
を先ず、前室８に入れ、処理室７の真空度に近い領域ま
でロータリーポンプ１８で排気した後、ゲートバルブ９
を開いて、ウェハー４を処理室７のウェハーホルダー６
の上にセットする。
ロータリーポンプ１７及びターボポンプ１６を運転して
、処理室７の真空度が目標の真空度１例えばｌＸｌ０−
ｂＴｏｒｒになったら、マグネトロン１１の電源１３を
入れて、処理室７に２．４５ ＧＨ２のマイクロ波を導
波管１２及び石英窓１９を通って、ウェハー４に導入す
る ２００ Ｗａｔｔのマイクロ波出力によりウェハー４が
２５０°Ｃに加熱され、その熱によってＳＯＧの脱水縮
合反応が進む。ウェハー４の温度は裏面より赤外センサ
ー１０を通じて、測定器１５により測定し設定温度にな
るよう、マイクロ波の出力をコントローラー１４により
制御する。
、処理室７の真空度が目標の真空度１例えばｌＸｌ０−
ｂＴｏｒｒになったら、マグネトロン１１の電源１３を
入れて、処理室７に２．４５ ＧＨ２のマイクロ波を導
波管１２及び石英窓１９を通って、ウェハー４に導入す
る ２００ Ｗａｔｔのマイクロ波出力によりウェハー４が
２５０°Ｃに加熱され、その熱によってＳＯＧの脱水縮
合反応が進む。ウェハー４の温度は裏面より赤外センサ
ー１０を通じて、測定器１５により測定し設定温度にな
るよう、マイクロ波の出力をコントローラー１４により
制御する。
脱水・縮合による水分ならびに揮発したＳＯＧの溶剤は
処理室の圧力を上昇させる。この際の真空度を随時測定
して、実験的に定められた一定の脱ガスが進むまで処理
を続行する。
処理室の圧力を上昇させる。この際の真空度を随時測定
して、実験的に定められた一定の脱ガスが進むまで処理
を続行する。
一定の脱ガス量に達したら、マグネトロン１１の電源を
切り、ウェハー４を処理室より取り出して。
切り、ウェハー４を処理室より取り出して。
一連の処理を終了する。
出来上がった酸化膜の膜質を従来例のものと比較するた
め、ＳＯＣの膜厚と０．５％弗酸水溶液によるエツチン
グ時間の関係を第４図に示す。
め、ＳＯＣの膜厚と０．５％弗酸水溶液によるエツチン
グ時間の関係を第４図に示す。
（Ａ）は本発明の真空中、マイクロ波で２５０°Ｃに基
板加熱を行った場合で、膜厚の減少分は僅かに２００人
でエツチングレートも遅く、水分が抜けて緻密な絶縁膜
となっており、膜質のばらつきは。
板加熱を行った場合で、膜厚の減少分は僅かに２００人
でエツチングレートも遅く、水分が抜けて緻密な絶縁膜
となっており、膜質のばらつきは。
基板間で２％程度と小さい。
これに対し、従来の窒素中で電気炉加熱を行った（Ｂ）
の場合は、エツチングレートが本発明のものよりも早く
、膜質のバラツキも１０％程度と大きい。
の場合は、エツチングレートが本発明のものよりも早く
、膜質のバラツキも１０％程度と大きい。
更に、空気中で焼成を行った（Ｃ）の場合には。
酸素の影響で膜が未収納となりエツチングレートが著し
く早く、不完全な膜となっている。
く早く、不完全な膜となっている。
又、焼成による脱水状況を比較するため、真空度と加熱
時間の関係を第５図に示す。
時間の関係を第５図に示す。
加熱は赤外線でウェハーを３００″Ｃに上昇させて。
処理室の真空度の時間との関係を調べた。
絶縁膜形成材を塗布したのみの場合は、当然。
加熱によりガスが発生し、真空度が１桁悪くなるが、−
旦焼成を行った絶縁膜でも１本発明の真空中加熱の場合
（Ａ）は余り脱ガスが起こらないのに対して、窒素中加
熱の場合（ｂ）はガスの発生が曲線（Ａ）と（Ｂ）の差
の面積部だけ多く２発生曲線も未焼成のＳＯＧの脱ガス
に類似しており３半焼成で表面は脱水しても、内部に未
脱水の部分が多くあることを示している。
旦焼成を行った絶縁膜でも１本発明の真空中加熱の場合
（Ａ）は余り脱ガスが起こらないのに対して、窒素中加
熱の場合（ｂ）はガスの発生が曲線（Ａ）と（Ｂ）の差
の面積部だけ多く２発生曲線も未焼成のＳＯＧの脱ガス
に類似しており３半焼成で表面は脱水しても、内部に未
脱水の部分が多くあることを示している。
更に、多層配線のＡ１電極のコンタクト抵抗をｌｕｍの
コンタクトパターン１００，０００個を直列抵抗とした
テストパターンで比較測定した場合、従来１００にΩが
あったものが５本発明の方法による層間絶縁膜を使用し
た場合にはＩＯＫΩと１桁向上、している。
コンタクトパターン１００，０００個を直列抵抗とした
テストパターンで比較測定した場合、従来１００にΩが
あったものが５本発明の方法による層間絶縁膜を使用し
た場合にはＩＯＫΩと１桁向上、している。
上述の実施例では、ＳＯＣの焼成ついて説明したが、膜
中に未分解のガスや水分を含む低温成長のＣＶＤ−ＰＳ
Ｇ等の熱処理にも利用可能である。
中に未分解のガスや水分を含む低温成長のＣＶＤ−ＰＳ
Ｇ等の熱処理にも利用可能である。
以上説明した様に１本発明によればＳＯＧを低温で加熱
をしなから膜質を制御することが出来。
をしなから膜質を制御することが出来。
ＳＯＧの膜質の安定化に寄与するところが大きい。
特に１層間絶縁膜の膜質のばらつきが少なくなり、十分
な強度が得られて、後の工程での熱処理等においても安
定性を示し、クランク等の発生が０ 起こらない。
な強度が得られて、後の工程での熱処理等においても安
定性を示し、クランク等の発生が０ 起こらない。
従来方法である。電気炉によるＳＯＧの膜質のばらつき
は希弗酸によるエツチングレートのばらつき等のために
１０％程度あったが２本発明の方法によって、ばらつき
が２％まで減少することが出来た。
は希弗酸によるエツチングレートのばらつき等のために
１０％程度あったが２本発明の方法によって、ばらつき
が２％まで減少することが出来た。
９はゲートバルブ、 １０はＩＲセンサー１１はマグ
ネトロン、 １２は導波管。
ネトロン、 １２は導波管。
１３は電源、 １４はコントローラー１５
は測定器、１６はターボポンプ。
は測定器、１６はターボポンプ。
１７はロータリーポンプ。
１８はロータリーポンプ
第１図は本発明の原理説明図。
第２図は処理室真空度とＳＯＧ加熱時間の関係図。
第３図は本発明の一実施例の装置構成図。
第４図はＳＯＧ膜厚とエツチング時間の関係図。
第５図は真空度と加熱時間の関係図
である。
図において。
■は基板、 ２は絶縁膜形成材。
３は絶縁膜、 ４はウェハー
５はＳＯＧ、 ６はウェハーホルダー７は処
理室、 ８は前室。 １ ２ 輯眺（（） ビ 噌 り り 鴫；剣虹
理室、 ８は前室。 １ ２ 輯眺（（） ビ 噌 り り 鴫；剣虹
Claims (1)
- 真空中において、基板上に形成した絶縁膜形成材を加熱
により焼成し、発生するガス量を真空度の変化で測定し
、所定のガス量に達し時に焼成を停止することを特徴と
する絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20843489A JP2510010B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20843489A JP2510010B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0372656A true JPH0372656A (ja) | 1991-03-27 |
| JP2510010B2 JP2510010B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=16556147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20843489A Expired - Fee Related JP2510010B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2510010B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384390B1 (en) | 1997-12-31 | 2002-05-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for forming thin film using microwave and method therefor |
| JP2008011871A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | 錠剤容器 |
| JP2011251737A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Yoshimasa Tamai | 任意割合吐出容器 |
| US8111263B2 (en) | 2001-07-27 | 2012-02-07 | Hitachi, Ltd. | Video display device and color temperature correction method for the same |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP20843489A patent/JP2510010B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384390B1 (en) | 1997-12-31 | 2002-05-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for forming thin film using microwave and method therefor |
| US8111263B2 (en) | 2001-07-27 | 2012-02-07 | Hitachi, Ltd. | Video display device and color temperature correction method for the same |
| JP2008011871A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-24 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | 錠剤容器 |
| JP2011251737A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Yoshimasa Tamai | 任意割合吐出容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2510010B2 (ja) | 1996-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20090035878A1 (en) | Plasma Doping Method and Apparatus | |
| JPH0372656A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPH0317909A (ja) | 酸化物導電膜の成膜加工方法 | |
| TW201200830A (en) | Decompression drying method and decompression drying apparatus | |
| JPWO2006106871A1 (ja) | アッシング装置、アッシング方法および不純物ドーピング装置 | |
| JPH06196410A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TWI818230B (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
| WO1990012295A1 (en) | Temperature-controlled bodies | |
| Sasserath et al. | Sloped niobium etching using CF4 and O2 | |
| JPH0382017A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2002141347A (ja) | バッチ式熱処理方法とバッチ式熱処理装置 | |
| JP2613803B2 (ja) | 銅薄膜のエッチング方法 | |
| JPS62227082A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JP2785027B2 (ja) | プラズマアッシング方法 | |
| JPH0630354B2 (ja) | Ｓｉ表面の乾式による洗浄方法 | |
| JP2502582B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH03184216A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JPH059937B2 (ja) | ||
| JP2001093359A (ja) | Ｉｔｏ電極の作製方法 | |
| JP2634595B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000321124A (ja) | 酸化バナジウム薄膜の形成方法及び酸化バナジウム薄膜を用いたボロメータ型赤外線センサ | |
| JPH03177587A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| SU1761814A1 (ru) | Способ изготовлени газочувствительного элемента | |
| JP2747493B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0760820B2 (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |