JPH0645710A - 金属蒸気レーザー装置 - Google Patents
金属蒸気レーザー装置Info
- Publication number
- JPH0645710A JPH0645710A JP19359692A JP19359692A JPH0645710A JP H0645710 A JPH0645710 A JP H0645710A JP 19359692 A JP19359692 A JP 19359692A JP 19359692 A JP19359692 A JP 19359692A JP H0645710 A JPH0645710 A JP H0645710A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高圧電源の出力電圧をLC反転回路とパルスト
ランスからなる放電回路により数倍に昇圧してレーザー
発振管に印加し、レーザー出力の増大と、レーザー発振
の効率および安定性が向上した金属蒸気レーザー装置を
提供する。 【構成】高圧電源7と、この出力を入力するスイッチ素
子1とインダクタンス8および直列接続したコンデンサ
9,10と可飽和リアクトル11からなる電圧逓倍のLC反
転回路と、このLC反転回路からの出力電圧を逓増する
パルストランス13からなる放電回路と、この放電回路に
接続したレーザー発振管6を備えたことを特徴とする。
また放電回路に適用する可飽和リアクトル11,14にヒス
テリシス損失の小さいアモルファスコアを使用する。さ
らに、放電回路を構成する機器を同一のボックス16に収
めると共に、絶縁性液体で冷却する。
ランスからなる放電回路により数倍に昇圧してレーザー
発振管に印加し、レーザー出力の増大と、レーザー発振
の効率および安定性が向上した金属蒸気レーザー装置を
提供する。 【構成】高圧電源7と、この出力を入力するスイッチ素
子1とインダクタンス8および直列接続したコンデンサ
9,10と可飽和リアクトル11からなる電圧逓倍のLC反
転回路と、このLC反転回路からの出力電圧を逓増する
パルストランス13からなる放電回路と、この放電回路に
接続したレーザー発振管6を備えたことを特徴とする。
また放電回路に適用する可飽和リアクトル11,14にヒス
テリシス損失の小さいアモルファスコアを使用する。さ
らに、放電回路を構成する機器を同一のボックス16に収
めると共に、絶縁性液体で冷却する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高電圧放電を利用した
金属蒸気レーザー装置に係り、特に50kV以上の高電圧を
レーザー発振管に印加する必要性のある大口径の金属レ
ーザー装置に関する。
金属蒸気レーザー装置に係り、特に50kV以上の高電圧を
レーザー発振管に印加する必要性のある大口径の金属レ
ーザー装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より高電圧をレーザー発振管に印加
する大口径の金属レーザー装置には、例えば色素レーザ
ーの励起用として使用される銅蒸気レーザー装置等があ
る。
する大口径の金属レーザー装置には、例えば色素レーザ
ーの励起用として使用される銅蒸気レーザー装置等があ
る。
【0003】図2は金属蒸気レーザー装置の回路構成図
で、一般的にこの放電回路は電荷移行型放電回路と呼ば
れていて、スイッチ素子1と並列にメインコンデンサ2
と第1のインダクタンス3、およびピーキングコンデン
サ4の直列回路を接続すると共に、この直列回路の内の
ピーキングコンデンサ4と並列に第2のインダクタンス
5と金属蒸気レーザー発振管6の直列回路を接続してい
る。さらに、前記スイッチ素子1には高電圧電源7を接
続して構成されている。
で、一般的にこの放電回路は電荷移行型放電回路と呼ば
れていて、スイッチ素子1と並列にメインコンデンサ2
と第1のインダクタンス3、およびピーキングコンデン
サ4の直列回路を接続すると共に、この直列回路の内の
ピーキングコンデンサ4と並列に第2のインダクタンス
5と金属蒸気レーザー発振管6の直列回路を接続してい
る。さらに、前記スイッチ素子1には高電圧電源7を接
続して構成されている。
【0004】この金属蒸気レーザー装置は、メインコン
デンサ2が高電圧電源7によって充電され、この後にス
イッチ素子1をONすることにより、メインコンデンサ
2に蓄えられていた電荷エネルギーがピーキングコンデ
ンサ4を通して金属蒸気レーザー発振管6に出力され
る。金属蒸気レーザー発振管6においては、前記高電圧
電源7よりメインコンデンサ2に印加された電圧と同等
の電圧で放電を起こさせるものである。
デンサ2が高電圧電源7によって充電され、この後にス
イッチ素子1をONすることにより、メインコンデンサ
2に蓄えられていた電荷エネルギーがピーキングコンデ
ンサ4を通して金属蒸気レーザー発振管6に出力され
る。金属蒸気レーザー発振管6においては、前記高電圧
電源7よりメインコンデンサ2に印加された電圧と同等
の電圧で放電を起こさせるものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一般に金属蒸気レーザ
ー装置で、特にレーザー出力が 300Wを超えるような口
径8cm以上の銅蒸気レーザー装置においては、放電電圧
として50kV以上が必要であり、レーザー出力は、この放
電電圧の増加により比例的に増加させることができる。
ー装置で、特にレーザー出力が 300Wを超えるような口
径8cm以上の銅蒸気レーザー装置においては、放電電圧
として50kV以上が必要であり、レーザー出力は、この放
電電圧の増加により比例的に増加させることができる。
【0006】しかしながら、従来の電荷移行型放電回路
では、金属蒸気レーザー発振管6に印加できる電圧は、
高圧電源7によりメインコンデンサ2に初期充電される
電圧と同等程度が限界となっている。
では、金属蒸気レーザー発振管6に印加できる電圧は、
高圧電源7によりメインコンデンサ2に初期充電される
電圧と同等程度が限界となっている。
【0007】そのため例えば50kVを超えるような高電圧
での放電が必要となる大口径の金属蒸気レーザー装置で
は、構成するスイッチ素子1にも同等の耐電圧性が要求
されるため、スイッチ素子1の直列数を増加する等の必
要性が生じて、これによりスイッチ素子1における大型
化と内部抵抗およびインダクタンスが大きくなり、これ
により大きな電力損失を生じて、レーザー発振効率が低
下する等の要因となっていた。
での放電が必要となる大口径の金属蒸気レーザー装置で
は、構成するスイッチ素子1にも同等の耐電圧性が要求
されるため、スイッチ素子1の直列数を増加する等の必
要性が生じて、これによりスイッチ素子1における大型
化と内部抵抗およびインダクタンスが大きくなり、これ
により大きな電力損失を生じて、レーザー発振効率が低
下する等の要因となっていた。
【0008】本発明の目的とするところは、高圧電源の
出力電圧をLC反転回路とパルストランスからなる放電
回路により数倍に昇圧してレーザー発振管に印加し、レ
ーザー出力の増大と、レーザー発振の効率および安定性
が向上した金属蒸気レーザー装置を提供することにあ
る。
出力電圧をLC反転回路とパルストランスからなる放電
回路により数倍に昇圧してレーザー発振管に印加し、レ
ーザー出力の増大と、レーザー発振の効率および安定性
が向上した金属蒸気レーザー装置を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】高圧電源と、この出力を
入力するスイッチ素子とインダクタンスおよび直列接続
したコンデンサと可飽和リアクトルからなる電圧逓倍の
LC反転回路と、このLC反転回路からの出力電圧を逓
増するパルストランスからなる放電回路と、この放電回
路に接続したレーザー発振管を備えたことを特徴とす
る。
入力するスイッチ素子とインダクタンスおよび直列接続
したコンデンサと可飽和リアクトルからなる電圧逓倍の
LC反転回路と、このLC反転回路からの出力電圧を逓
増するパルストランスからなる放電回路と、この放電回
路に接続したレーザー発振管を備えたことを特徴とす
る。
【0010】また上記放電回路に適用する可飽和リアク
トルにヒステリシス損失の小さいアモルファスコアを使
用する。さらに、放電回路を構成する機器を同一のボッ
クスに収めると共に、絶縁性液体で冷却する。
トルにヒステリシス損失の小さいアモルファスコアを使
用する。さらに、放電回路を構成する機器を同一のボッ
クスに収めると共に、絶縁性液体で冷却する。
【0011】
【作用】高圧電源からの高電圧は、スイッチ素子とイン
ダクタンスおよび直列接続した2つのメインコンデンサ
によるLC反転回路で約2倍の電圧に上昇される。さら
に、パルストランスにより逓増されて極めて高い電圧を
得ることができる。従って、この高圧をレーザー発振管
に印加することにより、レーザー出力が増大すると共
に、レーザー発振の効率および安定性が向上する。
ダクタンスおよび直列接続した2つのメインコンデンサ
によるLC反転回路で約2倍の電圧に上昇される。さら
に、パルストランスにより逓増されて極めて高い電圧を
得ることができる。従って、この高圧をレーザー発振管
に印加することにより、レーザー出力が増大すると共
に、レーザー発振の効率および安定性が向上する。
【0012】また放電回路の構成機器を同一ボックスに
収めて絶縁性液体で冷却することにより高電圧印加部の
露出部分を少なくし、また冷却効果により、素子に加わ
る熱負荷が低減する。
収めて絶縁性液体で冷却することにより高電圧印加部の
露出部分を少なくし、また冷却効果により、素子に加わ
る熱負荷が低減する。
【0013】
【実施例】本発明の一実施例について図面を参照して説
明する。なお、上記した従来技術と同じ構成部分につい
ては同一符号を付して詳細な説明を省略する。
明する。なお、上記した従来技術と同じ構成部分につい
ては同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【0014】図1の回路構成図に示すように金属蒸気レ
ーザー装置は、スイッチ素子1と並列にインダクタンス
8と第1のメインコンデンサ9の直列回路を接続すると
共に、前記第1のメインコンデンサ9と並列に、第2の
メインコンデンサ10と第1の可飽和リアクトル11および
第1のピーキングコンデンサ12の直列回路を接続する。
ーザー装置は、スイッチ素子1と並列にインダクタンス
8と第1のメインコンデンサ9の直列回路を接続すると
共に、前記第1のメインコンデンサ9と並列に、第2の
メインコンデンサ10と第1の可飽和リアクトル11および
第1のピーキングコンデンサ12の直列回路を接続する。
【0015】さらに、この第1のピーキングコンデンサ
12と並列にパルストランス13の1次側が接続し、2次側
には第2の可飽和リアクトル14と第2のピーキングコン
デンサ15の直列回路を接続し、この第2のピーキングコ
ンデンサ15と並列に金属蒸気レーザー発振管6を接続し
ている。なお、前記スイッチ素子1には高電圧電源7を
接続して構成されている。次に上記構成による作用につ
いて説明する。
12と並列にパルストランス13の1次側が接続し、2次側
には第2の可飽和リアクトル14と第2のピーキングコン
デンサ15の直列回路を接続し、この第2のピーキングコ
ンデンサ15と並列に金属蒸気レーザー発振管6を接続し
ている。なお、前記スイッチ素子1には高電圧電源7を
接続して構成されている。次に上記構成による作用につ
いて説明する。
【0016】第1のメインコンデンサ9および第2のメ
インコンデンサ10は、高電圧電源7によって充電され
る。充電後にスイッチ素子1をONすることにより、第
1のメインコンデンサ9とインダクタンス8のループで
電流が流れるが、このLC反転回路により第1のメイン
コンデンサ9に印加される電圧は反転する。
インコンデンサ10は、高電圧電源7によって充電され
る。充電後にスイッチ素子1をONすることにより、第
1のメインコンデンサ9とインダクタンス8のループで
電流が流れるが、このLC反転回路により第1のメイン
コンデンサ9に印加される電圧は反転する。
【0017】この時に第1のメインコンデンサ9および
第2のメインコンデンサ10と、第1の可飽和リアクトル
11および第1のピーキングコンデンサ12を含むループで
は、第1の可飽和リアクトル11の磁気スイッチ効果によ
り一定時間電流が流れずに保持されるため、第1のメイ
ンコンデンサ9と第2のメインコンデンサ10間に印加さ
れる電圧は2倍程度に増加される。
第2のメインコンデンサ10と、第1の可飽和リアクトル
11および第1のピーキングコンデンサ12を含むループで
は、第1の可飽和リアクトル11の磁気スイッチ効果によ
り一定時間電流が流れずに保持されるため、第1のメイ
ンコンデンサ9と第2のメインコンデンサ10間に印加さ
れる電圧は2倍程度に増加される。
【0018】また第1の可飽和リアクトル11が飽和状態
になった時に、第1のピーキングコンデンサ12とパルス
トランス13を含むループで電流が流れ、この時のパルス
トランス13の昇圧効果により、さらに高い電圧が次段の
第2のピーキングコンデンサ15に印加される。
になった時に、第1のピーキングコンデンサ12とパルス
トランス13を含むループで電流が流れ、この時のパルス
トランス13の昇圧効果により、さらに高い電圧が次段の
第2のピーキングコンデンサ15に印加される。
【0019】なお、この時のパルストランス13により電
流立ち上がり特性が低減することを考慮し、最終ループ
の中に第2の可飽和リアクトル14が備えてあるため、こ
の第2の可飽和リアクトル14の磁気スイッチ効果によ
り、電流を圧縮して立ち上がり特性を改善し、当初第1
のメインコンデンサ9および第2のメインコンデンサ10
への印可電圧の数倍に及ぶ高電圧が金属蒸気レーザー発
振管6に加わることから、極めて高い電圧で放電を起こ
させることができる。前記第1および第2の可飽和リア
クトル11,14に、ヒステリシス損失の小さいアモルファ
スコアを使用すると電圧逓昇に際しての電力損失が低下
する。
流立ち上がり特性が低減することを考慮し、最終ループ
の中に第2の可飽和リアクトル14が備えてあるため、こ
の第2の可飽和リアクトル14の磁気スイッチ効果によ
り、電流を圧縮して立ち上がり特性を改善し、当初第1
のメインコンデンサ9および第2のメインコンデンサ10
への印可電圧の数倍に及ぶ高電圧が金属蒸気レーザー発
振管6に加わることから、極めて高い電圧で放電を起こ
させることができる。前記第1および第2の可飽和リア
クトル11,14に、ヒステリシス損失の小さいアモルファ
スコアを使用すると電圧逓昇に際しての電力損失が低下
する。
【0020】さらに、この放電電源回路を構成する機器
は、ボックス16に収容して、絶縁油等の絶縁性液体で冷
却することにより、高電圧露出部の遮蔽と、素子等機器
の冷却が良好行こなわれ、安全性も高い。
は、ボックス16に収容して、絶縁油等の絶縁性液体で冷
却することにより、高電圧露出部の遮蔽と、素子等機器
の冷却が良好行こなわれ、安全性も高い。
【0021】従って、本発明では高圧電源7の出力を比
較的低い電圧として所定の高電圧を得ることも、従来程
度の電源電圧で数倍の高電圧を得ることも容易であるこ
とから、スイッチ素子1の耐圧対策も簡易で金属蒸気レ
ーザー発振管6に極めて高い電圧を供給できるので、高
いレーザー発振効率と安定したレーザー発振出力が得ら
れると共に、素子等の冷却効果が向上して長寿命で小形
化が容易である。なお、本発明の実施態様項としては以
下のものがある。 (1) 放電回路の可飽和リアクトルが、ヒステリシス損失
の小さいアモルファスコアを使用することを特徴とする
請求項1記載の金属蒸気レーザー装置。 (2) 放電回路を構成する機器を同一のボックスに収納す
ると共に、絶縁性液体で冷却することを特徴とする請求
項1記載の金属蒸気レーザー装置。
較的低い電圧として所定の高電圧を得ることも、従来程
度の電源電圧で数倍の高電圧を得ることも容易であるこ
とから、スイッチ素子1の耐圧対策も簡易で金属蒸気レ
ーザー発振管6に極めて高い電圧を供給できるので、高
いレーザー発振効率と安定したレーザー発振出力が得ら
れると共に、素子等の冷却効果が向上して長寿命で小形
化が容易である。なお、本発明の実施態様項としては以
下のものがある。 (1) 放電回路の可飽和リアクトルが、ヒステリシス損失
の小さいアモルファスコアを使用することを特徴とする
請求項1記載の金属蒸気レーザー装置。 (2) 放電回路を構成する機器を同一のボックスに収納す
ると共に、絶縁性液体で冷却することを特徴とする請求
項1記載の金属蒸気レーザー装置。
【0022】
【発明の効果】以上本発明によれば、スイッチ素子にお
ける構成の簡略化と電力損失の低減が可能となり、レー
ザー発振管における放電電圧の上昇によりレーザー出力
を増大させることができる。従って、高いレーザー発振
効率と安定したレーザー発振出力が得られる効果があ
る。また冷却効果の向上と高電圧露出部が削減されたこ
とにより、小形化と安全性の向上、さらに長寿命化が容
易となる効果がある。
ける構成の簡略化と電力損失の低減が可能となり、レー
ザー発振管における放電電圧の上昇によりレーザー出力
を増大させることができる。従って、高いレーザー発振
効率と安定したレーザー発振出力が得られる効果があ
る。また冷却効果の向上と高電圧露出部が削減されたこ
とにより、小形化と安全性の向上、さらに長寿命化が容
易となる効果がある。
【図1】本発明に係る一実施例の金属蒸気レーザー装置
の回路構成図。
の回路構成図。
【図2】従来の金属蒸気レーザー装置の回路構成図。
1…スイッチ素子、6…金属蒸気レーザー発振管、7…
高圧電源、8…インダクタンス、9…第1のメインコン
デンサ、10…第2のメインコンデンサ、11…第1の可飽
和リアクトル、12…第1のピーキングコンデンサ、13…
パルストランス、14…第2の可飽和リアクトル、15…第
2のピーキングコンデンサ、16…ボックス。
高圧電源、8…インダクタンス、9…第1のメインコン
デンサ、10…第2のメインコンデンサ、11…第1の可飽
和リアクトル、12…第1のピーキングコンデンサ、13…
パルストランス、14…第2の可飽和リアクトル、15…第
2のピーキングコンデンサ、16…ボックス。
Claims (1)
- 【請求項1】 高圧電源と、この出力を入力するスイッ
チ素子とインダクタンスおよび直列接続したコンデンサ
と可飽和リアクトルからなる電圧を逓倍するLC反転回
路と、このLC反転回路からの出力電圧を逓増するパル
ストランスからなる放電回路と、この放電回路に接続し
たレーザー発振管を備えたことを特徴とする金属蒸気レ
ーザー装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19359692A JPH0645710A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 金属蒸気レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19359692A JPH0645710A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 金属蒸気レーザー装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0645710A true JPH0645710A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16310591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19359692A Pending JPH0645710A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 金属蒸気レーザー装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0645710A (ja) |
-
1992
- 1992-07-21 JP JP19359692A patent/JPH0645710A/ja active Pending
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