JPH0645108A - 電子素子及びその製造方法 - Google Patents

電子素子及びその製造方法

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JPH0645108A
JPH0645108A JP4073930A JP7393092A JPH0645108A JP H0645108 A JPH0645108 A JP H0645108A JP 4073930 A JP4073930 A JP 4073930A JP 7393092 A JP7393092 A JP 7393092A JP H0645108 A JPH0645108 A JP H0645108A
Authority
JP
Japan
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electrode terminal
electronic element
block
electrode
electron
Prior art date
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Pending
Application number
JP4073930A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiro Futagami
俊郎 二上
Terumi Kudo
照美 工藤
Tadao Kato
忠男 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chichibu Cement Co Ltd
Original Assignee
Chichibu Cement Co Ltd
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Publication date
Application filed by Chichibu Cement Co Ltd filed Critical Chichibu Cement Co Ltd
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Publication of JPH0645108A publication Critical patent/JPH0645108A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電極端子が剥離し難く、高品質な電子素子を
提供することである。 【構成】 電子素子本体と、この電子素子本体の表面に
構成された電極端子と、この電極端子の端部を覆うよう
に電子素子本体と電極端子とに跨がって設けられた被覆
体とを具備する電子素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子素子、例えばサー
ミスタ素子とその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、サーミスタ素子は、素子本体の
両端部分に電極が単に焼き付けられた構造のものが殆ど
である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
素子では、回り込み電極部分の接着強度が充分なものと
は言えず、例えば検査工程、出荷時のテーピング作業
時、あるいは基板への実装時に際して回り込み電極の一
部が剥離してしまう事故が起き、品質の低下が引き起こ
されている。
【0004】又、両端部分に電極が焼き付けられた直方
体のブロックをスライスしてサーミスタ素子を製造する
に際して、スライス時に電極が損傷を受け易く、特にス
ライス時にバリが形成されて電極が損傷を受け易く、品
質の低下が引き起こされている。そこで、本発明の第1
の目的は、電極端子が剥離し難く、高品質な電子素子を
提供することである。
【0005】本発明の第2の目的は、電極端子が損傷し
難く、高品質な電子素子を提供することである。
【0006】
【課題を解決する為の手段】前記本発明の目的は、電子
素子本体と、この電子素子本体の表面に構成された電極
端子と、この電極端子の端部を覆うように電子素子本体
と電極端子とに跨がって設けられた被覆体とを具備する
ことを特徴とする電子素子によって達成される。
【0007】又、電子素子本体と、この電子素子本体の
表面に構成された電極端子と、この電極端子と電極端子
外側との間における高低を少なくするよう電子素子本体
の表面に設けられた充填体と、前記電極端子と充填体と
に跨がって設けられた被覆体とを具備することを特徴と
する電子素子によって達成される。又、直方体の電子素
子ブロックの所定の位置に電極端子を設ける工程と、前
記電極端子の端部を覆うように電子素子ブロックと電極
端子とに跨がって被覆体を設ける工程と、直方体のブロ
ックをスライスする工程とを具備することを特徴とする
電子素子の製造方法によって達成される。
【0008】又、直方体の電子素子ブロックの所定の位
置に電極端子を設ける工程と、電極端子と電極端子外側
との間における高低を少なくするよう電子素子ブロック
の表面に充填体を設ける工程と、前記電極端子と充填体
とに跨がって被覆体を設ける工程と、直方体のブロック
をスライスする工程とを具備することを特徴とする電子
素子の製造方法によって達成される。
【0009】尚、上記の被覆体及び充填体は電気絶縁材
で構成される。そして、上記のように構成させた電子素
子は、電極端子の外側の領域に跨がって被覆がなされて
いるから、電極端子が剥離し難くなっており、かつ、ス
ライス時に際しても電極端子にバリは出来にくく、引っ
掛かりが出来て、これに起因した問題が起きるといった
ことも解消される。
【0010】
【実施例】〔実施例1〕図1〜図4は本発明に係る電子
素子の一実施例を示すもので、図1は直方体のブロック
に銀電極を印刷した段階での説明図、図2は銀電極印刷
後にメッキレジストをスクリーン印刷した段階での説明
図、図3は電極端子とメッキレジストとに跨がって電極
カバーレジストをスクリーン印刷した段階での説明図、
図4はスライス後における電子素子の拡大斜視図であ
る。
【0011】各図中、1は所定のサーミスタ材料で構成
されてなる幅3.2mm、長さ10mm、高さ1.0m
mの直方体(短冊状)のブロックであり、図1に示され
る如く、このブロック1には電極間隔が2.2mmとな
るように銀電極2a,2bがスクリーン印刷され、そし
て600℃で焼き付け、硬化される。そして、図2に示
される如く、銀電極2a,2b間のブロック1表面を覆
うように樹脂製メッキレジスト3を2.2mm幅でスク
リーン印刷し、150℃で硬化させた。この後、銀電極
2a,2b上にNi層と半田層とを電気メッキ手段によ
り設け、銀電極2a,2b上のNi層及び半田層全体に
よって電極端子4a,4bを構成した。尚、樹脂製メッ
キレジスト3の表面にはNi層及び半田層は形成されて
いないものである。
【0012】この後、図3に示す如く、電極端子4a,
4bと樹脂製メッキレジスト3の両方に跨がるように樹
脂レジスト5を2.6mm幅でスクリーン印刷し、15
0℃で硬化させた。そして、このブロック1を1.6m
m幅となるようにダイヤモンドカッターでスライスし、
図4に示す如くのサーミスタ素子Aを得た。
【0013】〔実施例2〕実施例1における図3で示さ
れた樹脂レジスト5を、図5に示される如く、1.6m
m間隔で0.4mm幅にスクリーン印刷し、樹脂レジス
ト5a,5bを設け、150℃で硬化させた。この後、
実施例1と同様にして図5に示す如くのサーミスタ素子
Bを得た。
【0014】〔実施例3〕サーミスタ材料で構成されて
なる幅3.2mm、長さ10mm、高さ1.0mmの直
方体(短冊状)のブロックに電極端子間隔が2.2mm
となるように銀電極をスクリーン印刷して600℃で焼
き付け、そして銀電極の端部並びに銀電極間を覆うよう
にガラスペーストを2.6mm幅でスクリーン印刷して
450℃で硬化させ、このブロックを1.6mm幅とな
るようにダイヤモンドカッターでスライスし、サーミス
タ素子を得た。
【0015】〔比較例1〕実施例1において、図3に示
される樹脂レジスト5をスクリーン印刷する工程を省略
した外は同様に行い、サーミスタ素子を得た。 〔比較例2〕実施例3において、ガラスペーストのスク
リーン印刷工程を省略した外は同様に行い、サーミスタ
素子を得た。
【0016】〔特性〕上記各例で得たサーミスタ素子に
ついて粘着テープによる電極端子剥離試験を行ったの
で、その結果を表1に示す。 これによれば、本発明になるものは電極端子の接着強度
に富んでいることが判る。
【0017】又、有機樹脂やガラスなどで電極端子の端
部が覆われていることから、ダイヤモンドカッターでの
スライス時に電極端子にはバリが形成されておらず、高
品質なサーミスタ素子が得られている。
【0018】
【効果】電極端子の外側の領域に跨がって被覆がなされ
ているから、電極端子が剥離し難くなっており、かつ、
スライスに際しても電極端子にバリは出来にくく、バリ
に起因した問題も起きない等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電子素子の製造工程における銀電
極印刷段階での説明図
【図2】本発明に係る電子素子の製造工程におけるメッ
キレジストをスクリーン印刷した段階での説明図
【図3】本発明に係る電子素子の製造工程における電極
カバーレジストをスクリーン印刷した段階での説明図
【図4】本発明に係る電子素子の拡大斜視図
【図5】本発明に係る電子素子の他の実施例の拡大斜視
【符号の説明】
1 ブロック 2a,2b 銀電極 3 樹脂製メッキレジスト 4a,4b 電極端子 5,5a,5b 樹脂レジスト A,B サーミスタ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 忠男 埼玉県熊谷市大字三ケ尻5310番地 秩父セ メント株式会社ファインセラミックス本部 内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子素子本体と、この電子素子本体の表
    面に構成された電極端子と、この電極端子の端部を覆う
    ように電子素子本体と電極端子とに跨がって設けられた
    被覆体とを具備することを特徴とする電子素子。
  2. 【請求項2】 電子素子本体と、この電子素子本体の表
    面に構成された電極端子と、この電極端子と電極端子外
    側との間における高低を少なくするよう電子素子本体の
    表面に設けられた充填体と、前記電極端子と充填体とに
    跨がって設けられた被覆体とを具備することを特徴とす
    る電子素子。
  3. 【請求項3】 被覆体が電気絶縁材であることを特徴と
    する請求項1または請求項2記載の電子素子。
  4. 【請求項4】 充填体が電気絶縁材であることを特徴と
    する請求項2記載の電子素子。
  5. 【請求項5】 直方体の電子素子ブロックの所定の位置
    に電極端子を設ける工程と、前記電極端子の端部を覆う
    ように電子素子ブロックと電極端子とに跨がって被覆体
    を設ける工程と、直方体のブロックをスライスする工程
    とを具備することを特徴とする電子素子の製造方法。
  6. 【請求項6】 直方体の電子素子ブロックの所定の位置
    に電極端子を設ける工程と、電極端子と電極端子外側と
    の間における高低を少なくするよう電子素子ブロックの
    表面に充填体を設ける工程と、前記電極端子と充填体と
    に跨がって被覆体を設ける工程と、直方体のブロックを
    スライスする工程とを具備することを特徴とする電子素
    子の製造方法。
JP4073930A 1992-03-30 1992-03-30 電子素子及びその製造方法 Pending JPH0645108A (ja)

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Cited By (2)

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