JP2002367801A - チップ形抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
チップ形抵抗器およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗体膜の縦横比を大きくとることにより、
低ＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料を使用しても更
なる低抵抗化を実現する。 【解決手段】 絶縁基板１に設けられた抵抗体膜４と、
抵抗体膜４上に、抵抗体膜４を斜め方向に横切る所定幅
の帯状領域を除いて設けられた表電極膜５と、この表電
極膜５上および抵抗体膜４上に設けられた保護膜９とを
備える。
低ＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料を使用しても更
なる低抵抗化を実現する。 【解決手段】 絶縁基板１に設けられた抵抗体膜４と、
抵抗体膜４上に、抵抗体膜４を斜め方向に横切る所定幅
の帯状領域を除いて設けられた表電極膜５と、この表電
極膜５上および抵抗体膜４上に設けられた保護膜９とを
備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗体膜を配置し
た絶縁基板を分割して形成されるチップ形抵抗器および
その製造方法に関するものである。
た絶縁基板を分割して形成されるチップ形抵抗器および
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】昨今、携帯端末等の小形化と普及に伴っ
て極小寸法を有するチップ形抵抗器の供給が要請される
ようになった。さらに、その携帯端末内の電源回路に保
護機能を付加することが重要視されるようになり、その
保護回路内にヒューズのような保護部品とともに電流検
出回路用低抵抗器も多用されている。
て極小寸法を有するチップ形抵抗器の供給が要請される
ようになった。さらに、その携帯端末内の電源回路に保
護機能を付加することが重要視されるようになり、その
保護回路内にヒューズのような保護部品とともに電流検
出回路用低抵抗器も多用されている。
【０００３】一方、部品メーカ等でのチップ形抵抗器の
製造方法は、例えば図６の製造工程図および図７のチッ
プ形抵抗器の縦断面図に示すような手順にて実現され
る。なお、ここでは複数の分割スリットにより複数領域
に区画された矩形状の絶縁基板に対し、同時に以下の工
程が実行されるが、説明を簡単にするため、以下一区画
を一単位とするチップ形抵抗器を製造する手順について
説明する。まず、図６（ａ）に示すような一単位の絶縁
基板１において、これの裏側の左右両端部に一対の裏電
極膜２を、図７に示すように形成する。なお、絶縁基板
１はアルミナ９６％以上含有する磁器からなる。また、
裏電極膜２はＡｇ系メタルグレーズペーストのスクリー
ン印刷を行って８５０℃で焼成することにより得られ
る。
製造方法は、例えば図６の製造工程図および図７のチッ
プ形抵抗器の縦断面図に示すような手順にて実現され
る。なお、ここでは複数の分割スリットにより複数領域
に区画された矩形状の絶縁基板に対し、同時に以下の工
程が実行されるが、説明を簡単にするため、以下一区画
を一単位とするチップ形抵抗器を製造する手順について
説明する。まず、図６（ａ）に示すような一単位の絶縁
基板１において、これの裏側の左右両端部に一対の裏電
極膜２を、図７に示すように形成する。なお、絶縁基板
１はアルミナ９６％以上含有する磁器からなる。また、
裏電極膜２はＡｇ系メタルグレーズペーストのスクリー
ン印刷を行って８５０℃で焼成することにより得られ
る。
【０００４】次に、その裏電極膜２に対峙する絶縁基板
１の表側の各領域に、図６（ｂ）に示すような第１表電
極膜３を形成し、これらの各一の第１表電極膜３の一部
に、図６（ｃ）に示すように重なってこれらを橋絡する
矩形の抵抗体膜４を、絶縁基板１上に形成する。第１表
電極膜３は、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグレーズペーストのス
クリーン印刷を行って８５０℃で焼成して得られる。ま
た、抵抗体膜４は、Ｐｄ・Ａｇ系メタルグレーズペース
トのスクリーン印刷を行って８５０℃で焼成して得られ
る。
１の表側の各領域に、図６（ｂ）に示すような第１表電
極膜３を形成し、これらの各一の第１表電極膜３の一部
に、図６（ｃ）に示すように重なってこれらを橋絡する
矩形の抵抗体膜４を、絶縁基板１上に形成する。第１表
電極膜３は、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグレーズペーストのス
クリーン印刷を行って８５０℃で焼成して得られる。ま
た、抵抗体膜４は、Ｐｄ・Ａｇ系メタルグレーズペース
トのスクリーン印刷を行って８５０℃で焼成して得られ
る。
【０００５】続いて、第１表電極膜３および抵抗体膜４
の左右端部に重なるように、これらの上に第２表電極膜
５を図６（ｄ）に示すように形成する。この第２表電極
膜５は、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグレーズペーストのスクリ
ーン印刷を行って、６００℃で焼成することにより得ら
れる。
の左右端部に重なるように、これらの上に第２表電極膜
５を図６（ｄ）に示すように形成する。この第２表電極
膜５は、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグレーズペーストのスクリ
ーン印刷を行って、６００℃で焼成することにより得ら
れる。
【０００６】また、これらの各第２表電極膜５間にレジ
スト膜（図示しない）を形成し、抵抗体膜４を覆ったう
えで、図６（ｅ）に示すように、第２表電極膜５のそれ
ぞれの上に銅めっき膜６を形成する。この後、レジスト
膜を除去する。
スト膜（図示しない）を形成し、抵抗体膜４を覆ったう
えで、図６（ｅ）に示すように、第２表電極膜５のそれ
ぞれの上に銅めっき膜６を形成する。この後、レジスト
膜を除去する。
【０００７】次に、このレジスト膜の除去により露出し
た抵抗体膜４に対し、抵抗値調整のためにトリミング溝
を形成した後、その抵抗体膜４上に第１保護膜７を形成
し、さらにこの第１保護膜７および銅めっき膜６上に第
２保護膜８を形成し、さらにこの上に第３保護膜９を形
成して、図６（ｆ）および図７のようにする。第１〜第
３保護膜７、８、９はそれぞれ塗布したエポキシ系樹脂
を１００℃で仮硬化させて形成される。
た抵抗体膜４に対し、抵抗値調整のためにトリミング溝
を形成した後、その抵抗体膜４上に第１保護膜７を形成
し、さらにこの第１保護膜７および銅めっき膜６上に第
２保護膜８を形成し、さらにこの上に第３保護膜９を形
成して、図６（ｆ）および図７のようにする。第１〜第
３保護膜７、８、９はそれぞれ塗布したエポキシ系樹脂
を１００℃で仮硬化させて形成される。
【０００８】また、前記絶縁基板１の左右端面に、図７
に示すように、裏電極膜２と、第１表電極膜３、第２表
電極膜５および銅めっき膜６とに接続されるように端面
電極膜１０を形成し、この端面電極膜１０、裏電極膜２
および銅めっき膜６の一部を覆うように銅めっき膜１１
を形成する。そして、これの上にさらにニッケルめっき
膜１２および錫めっき膜１３を重ねるように形成する。
に示すように、裏電極膜２と、第１表電極膜３、第２表
電極膜５および銅めっき膜６とに接続されるように端面
電極膜１０を形成し、この端面電極膜１０、裏電極膜２
および銅めっき膜６の一部を覆うように銅めっき膜１１
を形成する。そして、これの上にさらにニッケルめっき
膜１２および錫めっき膜１３を重ねるように形成する。
【０００９】このようなチップ形抵抗器の形成処理は、
分割スリットによって多数個に区画された絶縁基板の各
区画ごとに同時に実施されるため、最終段でこれらを分
割スリットで複数単位に分割することにより、図７に示
すようなチップ形抵抗器が得られることとなる。
分割スリットによって多数個に区画された絶縁基板の各
区画ごとに同時に実施されるため、最終段でこれらを分
割スリットで複数単位に分割することにより、図７に示
すようなチップ形抵抗器が得られることとなる。
【００１０】なお、前記においては、エポキシ系樹脂の
保護膜７、８、９の３層とした場合について述べたが、
第３保護膜９がないと、第２保護膜８の印刷かすれによ
って銅めっき膜６が露出してしまう場合を考慮して、３
層構造としてある。しかし、第２保護膜８を、例えば図
８に示すように十分な厚さとすることにより銅めっき膜
６を保護できる場合には、第３保護膜９を省くことは可
能である。
保護膜７、８、９の３層とした場合について述べたが、
第３保護膜９がないと、第２保護膜８の印刷かすれによ
って銅めっき膜６が露出してしまう場合を考慮して、３
層構造としてある。しかし、第２保護膜８を、例えば図
８に示すように十分な厚さとすることにより銅めっき膜
６を保護できる場合には、第３保護膜９を省くことは可
能である。
【００１１】また、前記においては、銅めっき膜１１と
錫めっき膜１３との間にニッケルめっき膜１２を設けた
場合を示したが、これはニッケルめっき膜１２がない
と、複数回の半田付けを行った場合に、銅めっき膜１１
の半田くわれを生じてしまうことを避けるためである。
しかし、このような銅めっき膜１１の半田くわれを生じ
るおそれがない場合には、図８に示すように、銅めっき
膜１１上に直接錫めっき膜１３を形成することも可能で
ある。なお、抵抗値に影響のない抵抗値領域においては
銅めっき膜１１を省略してもよい。
錫めっき膜１３との間にニッケルめっき膜１２を設けた
場合を示したが、これはニッケルめっき膜１２がない
と、複数回の半田付けを行った場合に、銅めっき膜１１
の半田くわれを生じてしまうことを避けるためである。
しかし、このような銅めっき膜１１の半田くわれを生じ
るおそれがない場合には、図８に示すように、銅めっき
膜１１上に直接錫めっき膜１３を形成することも可能で
ある。なお、抵抗値に影響のない抵抗値領域においては
銅めっき膜１１を省略してもよい。
【００１２】なお、Ｐｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料として
は、ＴＣＲの小さいものが開発されており、シート抵抗
値として８５ｍΩ〜３０ΩにおいてＴＣＲが±５０×１
０−６／℃が実現されている。この厚膜抵抗材料を使用
した従来例におけるチップ形抵抗器の抵抗値は例えば５
０ｍΩ〜２００ｍΩで、このときのＴＣＲは±１５０×
１０−６／℃となる。
は、ＴＣＲの小さいものが開発されており、シート抵抗
値として８５ｍΩ〜３０ΩにおいてＴＣＲが±５０×１
０−６／℃が実現されている。この厚膜抵抗材料を使用
した従来例におけるチップ形抵抗器の抵抗値は例えば５
０ｍΩ〜２００ｍΩで、このときのＴＣＲは±１５０×
１０−６／℃となる。
【００１３】しかし、前記厚膜抵抗材料よりさらにシー
ト抵抗値の低いＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料ではＴＣＲ
が＋３００〜５００×１０−６／℃と増加する。従っ
て、さらにシート抵抗値が低く、ＴＣＲが小さい抵抗値
を得るのは困難であり、このために抵抗体膜の縦横比を
大きくする必要がある。
ト抵抗値の低いＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料ではＴＣＲ
が＋３００〜５００×１０−６／℃と増加する。従っ
て、さらにシート抵抗値が低く、ＴＣＲが小さい抵抗値
を得るのは困難であり、このために抵抗体膜の縦横比を
大きくする必要がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
チップ形抵抗器では前記のように第２表電極膜５を形成
することによる抵抗体膜４の有効部分形状が矩形状であ
り、絶縁基板１のサイズに限界があることによって、抵
抗体膜４の縦横比を大きくとることができず、結果とし
て低抵抗化を十分に実現できないという問題があった。
チップ形抵抗器では前記のように第２表電極膜５を形成
することによる抵抗体膜４の有効部分形状が矩形状であ
り、絶縁基板１のサイズに限界があることによって、抵
抗体膜４の縦横比を大きくとることができず、結果とし
て低抵抗化を十分に実現できないという問題があった。
【００１５】本発明は前記のような問題を解決するもの
であり、抵抗体膜の縦横比を大きくとることにより、小
さなＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料を使用して更
なる低抵抗化を実現することができるチップ形抵抗器お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
であり、抵抗体膜の縦横比を大きくとることにより、小
さなＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料を使用して更
なる低抵抗化を実現することができるチップ形抵抗器お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的達成のために、
請求項１の発明にかかるチップ形抵抗器は、絶縁基板に
設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に、該抵抗体膜
を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けられ
た一対の表電極膜と、該表電極膜上および前記抵抗体膜
上に設けられた保護膜とを備えたことを特徴とする。
請求項１の発明にかかるチップ形抵抗器は、絶縁基板に
設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に、該抵抗体膜
を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けられ
た一対の表電極膜と、該表電極膜上および前記抵抗体膜
上に設けられた保護膜とを備えたことを特徴とする。
【００１７】また、請求項２の発明にかかるチップ形抵
抗器は、絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の
裏電極膜と、これらの裏電極膜に対峙するように前記絶
縁基板の表面に設けられた各一の第１表電極膜と、該第
１表電極膜どうしをこれらの一部を覆うように接続する
抵抗体膜と、該抵抗体膜および前記第１表電極膜の上に
前記抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除
いて設けられた一対の第２表電極膜と、該第２表電極膜
上に設けられた銅めっき膜と、該銅めっき膜間の帯状の
前記抵抗体膜に抵抗値調整のために刻設したトリミング
溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域および前記
抵抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右
端面に前記裏電極膜と前記第１表電極膜、第２表電極膜
および銅めっき膜とを接続するように形成された端面電
極膜と、該端面電極膜と該端面電極膜付近の前記銅めっ
き膜および裏電極膜とを覆うように設けられた電極めっ
き膜とを備えたことを特徴とする。
抗器は、絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の
裏電極膜と、これらの裏電極膜に対峙するように前記絶
縁基板の表面に設けられた各一の第１表電極膜と、該第
１表電極膜どうしをこれらの一部を覆うように接続する
抵抗体膜と、該抵抗体膜および前記第１表電極膜の上に
前記抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除
いて設けられた一対の第２表電極膜と、該第２表電極膜
上に設けられた銅めっき膜と、該銅めっき膜間の帯状の
前記抵抗体膜に抵抗値調整のために刻設したトリミング
溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域および前記
抵抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右
端面に前記裏電極膜と前記第１表電極膜、第２表電極膜
および銅めっき膜とを接続するように形成された端面電
極膜と、該端面電極膜と該端面電極膜付近の前記銅めっ
き膜および裏電極膜とを覆うように設けられた電極めっ
き膜とを備えたことを特徴とする。
【００１８】また、請求項３の発明にかかるチップ形抵
抗器は、絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の
裏電極膜と、前記絶縁基板表側の左端から右端までの領
域に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に、該抵抗
体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設け
られた一対の表電極膜と、これらの各表電極膜上に設け
られた銅めっき膜と、これらの各銅めっき膜間の帯状の
前記抵抗体膜に抵抗値調整のために刻設されたトリミン
グ溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域と前記抵
抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右端
面に、前記裏電極膜と前記表電極膜および銅めっき膜と
を接続するように形成された端面電極膜と、該端面電極
膜と該端面電極膜付近の前記銅めっき膜および裏電極膜
とを覆うように設けられた電極めっき膜とを備えたこと
を特徴とする。
抗器は、絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の
裏電極膜と、前記絶縁基板表側の左端から右端までの領
域に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に、該抵抗
体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設け
られた一対の表電極膜と、これらの各表電極膜上に設け
られた銅めっき膜と、これらの各銅めっき膜間の帯状の
前記抵抗体膜に抵抗値調整のために刻設されたトリミン
グ溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域と前記抵
抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右端
面に、前記裏電極膜と前記表電極膜および銅めっき膜と
を接続するように形成された端面電極膜と、該端面電極
膜と該端面電極膜付近の前記銅めっき膜および裏電極膜
とを覆うように設けられた電極めっき膜とを備えたこと
を特徴とする。
【００１９】また、請求項４の発明にかかるチップ形抵
抗器は、絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の
裏電極膜と、前記絶縁基板表側の左端から右端までの領
域に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜上に、該抵抗体
膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けら
れた一対の銅めっき膜と、これらの各銅めっき膜間の帯
状の抵抗体膜に抵抗値調整のために刻設されたトリミン
グ溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域と前記抵
抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右端
面に、前記裏電極膜と銅めっき膜とを接続するように形
成された端面電極膜と、該端面電極膜と該端面電極膜付
近の銅めっき膜および裏電極膜とを覆うように設けられ
た電極めっき膜とを備えたことを特徴とする。
抗器は、絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた一対の
裏電極膜と、前記絶縁基板表側の左端から右端までの領
域に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜上に、該抵抗体
膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて設けら
れた一対の銅めっき膜と、これらの各銅めっき膜間の帯
状の抵抗体膜に抵抗値調整のために刻設されたトリミン
グ溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域と前記抵
抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右端
面に、前記裏電極膜と銅めっき膜とを接続するように形
成された端面電極膜と、該端面電極膜と該端面電極膜付
近の銅めっき膜および裏電極膜とを覆うように設けられ
た電極めっき膜とを備えたことを特徴とする。
【００２０】また、請求項５の発明にかかるチップ形抵
抗器の製造方法は、絶縁基板上に抵抗体膜を形成する抵
抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜上に、該抵抗体膜を斜
め方向に横切る所定幅を除いて一対の表電極膜を形成す
る表電極膜形成工程と、前記表電極膜および抵抗体膜を
覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程とを実施す
ることを特徴とする。
抗器の製造方法は、絶縁基板上に抵抗体膜を形成する抵
抗体膜形成工程と、前記抵抗体膜上に、該抵抗体膜を斜
め方向に横切る所定幅を除いて一対の表電極膜を形成す
る表電極膜形成工程と、前記表電極膜および抵抗体膜を
覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程とを実施す
ることを特徴とする。
【００２１】また、請求項６の発明にかかるチップ形抵
抗器の製造方法は、複数の分割スリットによって区画さ
れた絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板
裏側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜
形成工程と、前記裏電極膜に対峙する絶縁基板表側の各
領域に第１表電極膜を形成する第１表電極膜形成工程
と、前記各第１表電極膜の一部に重なって、これらを橋
絡するように絶縁基板上に抵抗体膜を形成する抵抗体膜
形成工程と、前記抵抗体膜および第１表電極膜の上に、
前記抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除
いて第２表電極膜を形成する第２表電極膜形成工程と、
前記帯状領域に臨む抵抗体膜上にレジスト膜を施して、
前記第２表電極膜上に銅めっき膜を形成する銅めっき膜
形成工程と、前記レジスト膜を剥離処理して、前記抵抗
体膜上に前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミ
ング溝形成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体
膜および銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護
膜形成工程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極
膜と、前記第１表電極膜、第２表電極膜および銅めっき
膜とを接続するように端面電極膜を形成する端面電極膜
形成工程と、前記端面電膜上に電極めっき膜を形成する
電極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記分割スリ
ットによって一区画ごとに分割する分割工程とを実施す
ることを特徴とする。
抗器の製造方法は、複数の分割スリットによって区画さ
れた絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板
裏側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜
形成工程と、前記裏電極膜に対峙する絶縁基板表側の各
領域に第１表電極膜を形成する第１表電極膜形成工程
と、前記各第１表電極膜の一部に重なって、これらを橋
絡するように絶縁基板上に抵抗体膜を形成する抵抗体膜
形成工程と、前記抵抗体膜および第１表電極膜の上に、
前記抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除
いて第２表電極膜を形成する第２表電極膜形成工程と、
前記帯状領域に臨む抵抗体膜上にレジスト膜を施して、
前記第２表電極膜上に銅めっき膜を形成する銅めっき膜
形成工程と、前記レジスト膜を剥離処理して、前記抵抗
体膜上に前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミ
ング溝形成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体
膜および銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護
膜形成工程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極
膜と、前記第１表電極膜、第２表電極膜および銅めっき
膜とを接続するように端面電極膜を形成する端面電極膜
形成工程と、前記端面電膜上に電極めっき膜を形成する
電極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記分割スリ
ットによって一区画ごとに分割する分割工程とを実施す
ることを特徴とする。
【００２２】また、請求項７の発明にかかるチップ形抵
抗器の製造方法は、複数の分割スリットにより区画され
た絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏
側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形
成工程と、前記絶縁基板表側の左端部から右端部までの
領域に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵
抗体膜上に、該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯
状領域を除いて表電極を形成する表電極膜形成工程と、
前記帯状領域に臨む抵抗体膜上にレジスト膜を施して、
前記表電極膜上に銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成
工程と、前記レジスト膜を剥離処理して、前記抵抗体膜
上に前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング
溝形成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜お
よび銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形
成工程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜
と、前記表電極膜および銅めっき膜とを接続するように
端面電極膜を形成する端面電極膜形成工程と、前記端面
電極膜上に電極めっき膜を形成する電極めっき膜形成工
程と、前記絶縁基板を前記分割スリットにより一区画ご
とに分割する分割工程とを実施することを特徴とする。
抗器の製造方法は、複数の分割スリットにより区画され
た絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏
側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形
成工程と、前記絶縁基板表側の左端部から右端部までの
領域に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵
抗体膜上に、該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯
状領域を除いて表電極を形成する表電極膜形成工程と、
前記帯状領域に臨む抵抗体膜上にレジスト膜を施して、
前記表電極膜上に銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成
工程と、前記レジスト膜を剥離処理して、前記抵抗体膜
上に前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング
溝形成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜お
よび銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形
成工程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜
と、前記表電極膜および銅めっき膜とを接続するように
端面電極膜を形成する端面電極膜形成工程と、前記端面
電極膜上に電極めっき膜を形成する電極めっき膜形成工
程と、前記絶縁基板を前記分割スリットにより一区画ご
とに分割する分割工程とを実施することを特徴とする。
【００２３】また、請求項８の発明にかかるチップ形抵
抗器の製造方法は、複数の分割スリットにより区画され
た絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏
側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形
成工程と、前記絶縁基板表側の左端部から右端部までの
領域に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵
抗体膜上に該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状
の領域を除いて銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成工
程と、前記銅めっき膜間に露出する前記抵抗体膜上に前
記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング溝形成
工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜および銅
めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程
と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記銅
めっき膜とを接続するように端面電極膜を形成する端面
電極膜形成工程と、前記端面電極膜上に電極めっき膜を
形成する電極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記
分割スリットにより一区画ごとに分割する分割工程とを
実施するものである。
抗器の製造方法は、複数の分割スリットにより区画され
た絶縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏
側の左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形
成工程と、前記絶縁基板表側の左端部から右端部までの
領域に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵
抗体膜上に該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状
の領域を除いて銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成工
程と、前記銅めっき膜間に露出する前記抵抗体膜上に前
記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング溝形成
工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜および銅
めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程
と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記銅
めっき膜とを接続するように端面電極膜を形成する端面
電極膜形成工程と、前記端面電極膜上に電極めっき膜を
形成する電極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記
分割スリットにより一区画ごとに分割する分割工程とを
実施するものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の一形態を図
について説明する。図１は本発明のチップ形抵抗器の製
造工程を示す説明図であり、図２はそのチップ形抵抗器
を示す断面図である。ここでは複数の分割スリットによ
り区画された矩形状の絶縁基板の各区画に対し、同時に
以下の工程が実行されるが、説明を簡単にするため、矩
形絶縁基板を分割した一区画を一単位として、チップ形
抵抗器を製造する手順を説明する。まず、図１（ａ）に
示すような一単位の絶縁基板１において、これの裏側の
左右両端部に、図２に示すような一対の裏電極膜２を形
成する。なお、前記絶縁基板１はアルミナ９６％以上含
有する磁器からなる。また、裏電極膜２はＡｇ系メタル
グレーズペーストのスクリーン印刷を行って、８５０℃
で焼成することにより得られる。
について説明する。図１は本発明のチップ形抵抗器の製
造工程を示す説明図であり、図２はそのチップ形抵抗器
を示す断面図である。ここでは複数の分割スリットによ
り区画された矩形状の絶縁基板の各区画に対し、同時に
以下の工程が実行されるが、説明を簡単にするため、矩
形絶縁基板を分割した一区画を一単位として、チップ形
抵抗器を製造する手順を説明する。まず、図１（ａ）に
示すような一単位の絶縁基板１において、これの裏側の
左右両端部に、図２に示すような一対の裏電極膜２を形
成する。なお、前記絶縁基板１はアルミナ９６％以上含
有する磁器からなる。また、裏電極膜２はＡｇ系メタル
グレーズペーストのスクリーン印刷を行って、８５０℃
で焼成することにより得られる。
【００２５】次に、その裏電極膜２に対峙する絶縁基板
１の表側の各領域に、図１（ｂ）に示すような表電極膜
としての第１表電極膜３を形成し、これらの各一の第１
表電極膜３の一部に、図１（ｃ）に示すように重なって
これらを橋絡する矩形の抵抗体膜４を絶縁基板１上に形
成する。前記第１表電極膜３は、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグ
レーズペーストのスクリーン印刷を行って８５０℃で焼
成して得られる。前記抵抗体膜４は、Ｐｄ・Ａｇ系メタ
ルグレーズペーストのスクリーン印刷を行っている。
１の表側の各領域に、図１（ｂ）に示すような表電極膜
としての第１表電極膜３を形成し、これらの各一の第１
表電極膜３の一部に、図１（ｃ）に示すように重なって
これらを橋絡する矩形の抵抗体膜４を絶縁基板１上に形
成する。前記第１表電極膜３は、Ａｇ・Ｐｄ系メタルグ
レーズペーストのスクリーン印刷を行って８５０℃で焼
成して得られる。前記抵抗体膜４は、Ｐｄ・Ａｇ系メタ
ルグレーズペーストのスクリーン印刷を行っている。
【００２６】続いて、第１表電極膜３および抵抗体膜４
の上に、抵抗体膜４を斜め方向に横切る所定幅の帯状領
域（平行四辺形）を残して、これらの上にもう一方の表
電極膜としての第２表電極膜５を図１（ｄ）に示すよう
に形成する。この第２表電極膜５は、Ａｇ・Ｐｄ系メタ
ルグレーズペーストのスクリーン印刷を行って、６００
℃で焼成することにより得られる。
の上に、抵抗体膜４を斜め方向に横切る所定幅の帯状領
域（平行四辺形）を残して、これらの上にもう一方の表
電極膜としての第２表電極膜５を図１（ｄ）に示すよう
に形成する。この第２表電極膜５は、Ａｇ・Ｐｄ系メタ
ルグレーズペーストのスクリーン印刷を行って、６００
℃で焼成することにより得られる。
【００２７】また、これらの各第２表電極膜５間にレジ
スト膜（図示しない）を形成し、抵抗体膜４を覆ったう
えで、図１（ｅ）に示すように、第２表電極膜５のそれ
ぞれの上に銅めっき膜６を形成する。これにより、電極
部の抵抗値の低減とＴＣＲの低減とを図ることができ
る。この後、レジスト膜を除去する。
スト膜（図示しない）を形成し、抵抗体膜４を覆ったう
えで、図１（ｅ）に示すように、第２表電極膜５のそれ
ぞれの上に銅めっき膜６を形成する。これにより、電極
部の抵抗値の低減とＴＣＲの低減とを図ることができ
る。この後、レジスト膜を除去する。
【００２８】次に、このレジスト膜の除去により露出し
た抵抗体膜４に対して、抵抗値調整のためにトリミング
溝を形成した後、その抵抗体膜４上に第１保護膜７を形
成する。なお、トリミング溝は前記のような帯状領域の
前記斜め方向に形成される。従って、絶縁基板に直角に
形成される場合より、精度の高いトリミングが可能とな
る。さらにこの第１保護膜７および銅めっき膜６上に第
２保護膜８を形成し、さらにこの上に、図１（ｆ）に示
すような第３保護膜９を形成して、図２に示すような構
造とする。第１〜第３保護膜７、８、９はそれぞれ塗布
したエポキシ系樹脂を１００℃で仮硬化させて形成され
る。特に、第１保護膜７は抵抗体膜４と銅めっき膜６と
の段差解消に寄与する。１００℃による前記仮硬化によ
り、銅めっき膜６の酸化防止を図ることができる。
た抵抗体膜４に対して、抵抗値調整のためにトリミング
溝を形成した後、その抵抗体膜４上に第１保護膜７を形
成する。なお、トリミング溝は前記のような帯状領域の
前記斜め方向に形成される。従って、絶縁基板に直角に
形成される場合より、精度の高いトリミングが可能とな
る。さらにこの第１保護膜７および銅めっき膜６上に第
２保護膜８を形成し、さらにこの上に、図１（ｆ）に示
すような第３保護膜９を形成して、図２に示すような構
造とする。第１〜第３保護膜７、８、９はそれぞれ塗布
したエポキシ系樹脂を１００℃で仮硬化させて形成され
る。特に、第１保護膜７は抵抗体膜４と銅めっき膜６と
の段差解消に寄与する。１００℃による前記仮硬化によ
り、銅めっき膜６の酸化防止を図ることができる。
【００２９】また、前記絶縁基板１の左右端面に、図２
に示すように、裏電極膜２と、第１表電極膜３、第２表
電極膜５および銅めっき膜６に接続されるように端面電
極膜１０を形成し、この端面電極膜１０、裏電極膜２お
よび銅めっき膜６の各一部を覆うように電極めっき膜と
しての銅めっき膜１１を形成する。そして、これの上に
さらに電極めっき膜としてのニッケルめっき膜１２と錫
めっき膜１３を形成する。前記仮硬化した保護層は、端
面電極膜形成のための硬化時に硬化する。
に示すように、裏電極膜２と、第１表電極膜３、第２表
電極膜５および銅めっき膜６に接続されるように端面電
極膜１０を形成し、この端面電極膜１０、裏電極膜２お
よび銅めっき膜６の各一部を覆うように電極めっき膜と
しての銅めっき膜１１を形成する。そして、これの上に
さらに電極めっき膜としてのニッケルめっき膜１２と錫
めっき膜１３を形成する。前記仮硬化した保護層は、端
面電極膜形成のための硬化時に硬化する。
【００３０】そして、このようなチップ形抵抗器の形成
処理は、分割スリットによって多数個に区画された絶縁
基板の各区画ごとに実施されるため、最終段でこれらを
分割スリットで分割することにより、図２に示すような
各一単位のチップ形抵抗器が得られることとなる。そし
て、このようにして得られたチップ形抵抗器の抵抗値は
２０ｍΩ〜５０ｍΩで、このときＴＣＲは０〜３５０×
１０−６／℃となる。つまり、抵抗体膜４の縦横比を大
きくすることで、低ＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材
料を使用して、低抵抗のチップ形抵抗器を実現できたこ
とになる。
処理は、分割スリットによって多数個に区画された絶縁
基板の各区画ごとに実施されるため、最終段でこれらを
分割スリットで分割することにより、図２に示すような
各一単位のチップ形抵抗器が得られることとなる。そし
て、このようにして得られたチップ形抵抗器の抵抗値は
２０ｍΩ〜５０ｍΩで、このときＴＣＲは０〜３５０×
１０−６／℃となる。つまり、抵抗体膜４の縦横比を大
きくすることで、低ＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材
料を使用して、低抵抗のチップ形抵抗器を実現できたこ
とになる。
【００３１】図３は他のチップ形抵抗器の製造工程を示
す説明図である。ここでは、複数の分割スリットにより
複数個に区画された矩形の絶縁基板１の各区画におい
て、図３（ａ）に示すように、絶縁基板１裏側の左右両
端部に、図２に示したものと同じ一対の裏電極膜２を形
成する。
す説明図である。ここでは、複数の分割スリットにより
複数個に区画された矩形の絶縁基板１の各区画におい
て、図３（ａ）に示すように、絶縁基板１裏側の左右両
端部に、図２に示したものと同じ一対の裏電極膜２を形
成する。
【００３２】また、前記絶縁基板１表側の左端部から右
端部までの領域には、抵抗体膜４を図３（ｂ）に示すよ
うに形成し、この抵抗体膜４上に、抵抗体膜４を斜め方
向に横切る所定幅の帯状領域（平行四辺形）を除いて、
図３（ｃ）に示すような表電極膜５を形成する。
端部までの領域には、抵抗体膜４を図３（ｂ）に示すよ
うに形成し、この抵抗体膜４上に、抵抗体膜４を斜め方
向に横切る所定幅の帯状領域（平行四辺形）を除いて、
図３（ｃ）に示すような表電極膜５を形成する。
【００３３】次に、前記帯状領域に臨む抵抗体膜４上に
レジスト膜（図示しない）を施し、前記表電極膜５上に
銅めっき膜６を形成し、さらに前記レジスト膜を剥離処
理して、帯状領域の前記抵抗体膜４上に、前記斜め方向
に抵抗値調整のためのトリミング溝（図示省略）を形成
する。
レジスト膜（図示しない）を施し、前記表電極膜５上に
銅めっき膜６を形成し、さらに前記レジスト膜を剥離処
理して、帯状領域の前記抵抗体膜４上に、前記斜め方向
に抵抗値調整のためのトリミング溝（図示省略）を形成
する。
【００３４】続いて、このようなトリミング溝を形成し
た前記抵抗体膜４および銅めっき膜６を覆うように、図
２に示したものと同じ第１、第２、第３の保護膜７、
８、９を形成する。図３（ｅ）では第３の保護膜９のみ
を示した。そして、図２に示した場合と同様にして、前
記絶縁基板１の左右端面に、前記裏電極膜２と、表電極
膜３および銅めっき膜６とを接続するように端面電極膜
１０を形成する。
た前記抵抗体膜４および銅めっき膜６を覆うように、図
２に示したものと同じ第１、第２、第３の保護膜７、
８、９を形成する。図３（ｅ）では第３の保護膜９のみ
を示した。そして、図２に示した場合と同様にして、前
記絶縁基板１の左右端面に、前記裏電極膜２と、表電極
膜３および銅めっき膜６とを接続するように端面電極膜
１０を形成する。
【００３５】また、この端面電極膜１０上には前記同様
に銅めっき膜１１、ニッケルめっき膜１２および錫めっ
き膜１３を形成し、この前記絶縁基板１を前記分割スリ
ットに沿って一区画ごとに分割して、多数のチップ形抵
抗器を得る。この工程で用いられる絶縁基板１、抵抗体
膜４、表電極膜５、銅めっき膜６、保護膜７、８、９お
よび端面電極膜１０の各使用材料と処理条件は、図１お
よび図２について述べたものとすべて同一である。
に銅めっき膜１１、ニッケルめっき膜１２および錫めっ
き膜１３を形成し、この前記絶縁基板１を前記分割スリ
ットに沿って一区画ごとに分割して、多数のチップ形抵
抗器を得る。この工程で用いられる絶縁基板１、抵抗体
膜４、表電極膜５、銅めっき膜６、保護膜７、８、９お
よび端面電極膜１０の各使用材料と処理条件は、図１お
よび図２について述べたものとすべて同一である。
【００３６】この実施の形態のチップ抵抗器の製造方法
にあっては、図１に示すような第１表電極膜３が省か
れ、さらに、抵抗体膜４が絶縁基板１表面にベタ印刷さ
れるため、工程の簡素化およびこれによる製品コストの
低減が可能になる。
にあっては、図１に示すような第１表電極膜３が省か
れ、さらに、抵抗体膜４が絶縁基板１表面にベタ印刷さ
れるため、工程の簡素化およびこれによる製品コストの
低減が可能になる。
【００３７】図４はさらに他のチップ抵抗器の製造工程
を示す説明図である。この製造工程にあっても、まず、
複数の分割スリットにより複数個に区画された矩形状の
絶縁基板１の各区画において、図４（ａ）に示すように
絶縁基板１裏側の左右両端部に、図２に示したものと同
じ一対の裏電極膜２を形成する。
を示す説明図である。この製造工程にあっても、まず、
複数の分割スリットにより複数個に区画された矩形状の
絶縁基板１の各区画において、図４（ａ）に示すように
絶縁基板１裏側の左右両端部に、図２に示したものと同
じ一対の裏電極膜２を形成する。
【００３８】また、前記絶縁基板１表側の左端部から右
端部までの領域には、抵抗体膜４を図４（ｂ）に示すよ
うに形成して、この抵抗体膜４上の中央部に、この抵抗
体膜４を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域（平行四辺
形）にレジスト膜（図示しない）を形成した後、このレ
ジスト膜上および抵抗体膜４上に銅めっき膜６を形成す
る。
端部までの領域には、抵抗体膜４を図４（ｂ）に示すよ
うに形成して、この抵抗体膜４上の中央部に、この抵抗
体膜４を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域（平行四辺
形）にレジスト膜（図示しない）を形成した後、このレ
ジスト膜上および抵抗体膜４上に銅めっき膜６を形成す
る。
【００３９】次に、前記レジスト膜を剥離処理して、前
記帯状領域の抵抗体膜４上に前記斜め方向にトリミング
溝を形成する。
記帯状領域の抵抗体膜４上に前記斜め方向にトリミング
溝を形成する。
【００４０】続いて、このようなトリミングを行った前
記抵抗体膜４および銅めっき膜６を覆うように、前記同
様の手順にて、図２に示すような第１、第２、第３の保
護膜７、８、９を形成する。図４（ｄ）では第３の保護
膜９のみを示した。そして、図２に示した場合と同様に
して、前記絶縁基板１の左右端面に、前記裏電極膜２と
銅めっき膜６とを接続するように端面電極膜１０を形成
する。
記抵抗体膜４および銅めっき膜６を覆うように、前記同
様の手順にて、図２に示すような第１、第２、第３の保
護膜７、８、９を形成する。図４（ｄ）では第３の保護
膜９のみを示した。そして、図２に示した場合と同様に
して、前記絶縁基板１の左右端面に、前記裏電極膜２と
銅めっき膜６とを接続するように端面電極膜１０を形成
する。
【００４１】そして、最終的に、前記端面電極膜１０上
に銅めっき膜１１、ニッケルめっき膜１２および錫めっ
き膜１３を形成した後、前記絶縁基板１を前記分割スリ
ットに沿って一区画ごとに分割して、多数のチップ形抵
抗器を同時に得る。なお、この工程で用いられる絶縁基
板１、抵抗体膜４、表電極膜５、銅めっき膜６、保護膜
７、８、９および端面電極膜１０の各使用材料と処理条
件も、図１および図２について述べたものとすべて同一
である。
に銅めっき膜１１、ニッケルめっき膜１２および錫めっ
き膜１３を形成した後、前記絶縁基板１を前記分割スリ
ットに沿って一区画ごとに分割して、多数のチップ形抵
抗器を同時に得る。なお、この工程で用いられる絶縁基
板１、抵抗体膜４、表電極膜５、銅めっき膜６、保護膜
７、８、９および端面電極膜１０の各使用材料と処理条
件も、図１および図２について述べたものとすべて同一
である。
【００４２】この実施の形態のチップ抵抗器の製造方法
では、図１に示すような第１表電極膜３および第２表電
極膜５が省かれ、さらに抵抗体膜４が絶縁基板１表面に
ベタ印刷されるため、更なる工程の簡単化と、製品コス
トの低減が可能になる。
では、図１に示すような第１表電極膜３および第２表電
極膜５が省かれ、さらに抵抗体膜４が絶縁基板１表面に
ベタ印刷されるため、更なる工程の簡単化と、製品コス
トの低減が可能になる。
【００４３】なお、前記においては、エポキシ系樹脂の
保護膜７、８、９の３層とした場合について述べたが、
第３保護膜９がないと、第２保護膜８の印刷かすれによ
って銅めっき膜６が露出してしまう場合を考慮して、３
層構造としてある。なお、第２保護膜８を、例えば図５
に示すように十分な厚さとすることにより銅めっき膜６
を保護できる場合には、第３保護膜９を省くことは可能
である。
保護膜７、８、９の３層とした場合について述べたが、
第３保護膜９がないと、第２保護膜８の印刷かすれによ
って銅めっき膜６が露出してしまう場合を考慮して、３
層構造としてある。なお、第２保護膜８を、例えば図５
に示すように十分な厚さとすることにより銅めっき膜６
を保護できる場合には、第３保護膜９を省くことは可能
である。
【００４４】また、前記においては、銅めっき膜１１と
錫めっき膜１３との間にニッケルめっき膜１２を設けた
場合を示したが、これはニッケルめっき膜１２がない
と、複数回の半田付けを行った場合に、銅めっき膜１１
の半田くわれを生じてしまうことを避けるためである。
なお、このような銅めっき膜１１の半田くわれを生じる
おそれがない場合には、図５に示すように、銅めっき膜
１１上に直接錫めっき膜１３を形成することも可能であ
る。なお、抵抗値に影響のない抵抗値領域においては銅
めっき膜１１に代えてニッケルめっき膜を用いてもよ
い。
錫めっき膜１３との間にニッケルめっき膜１２を設けた
場合を示したが、これはニッケルめっき膜１２がない
と、複数回の半田付けを行った場合に、銅めっき膜１１
の半田くわれを生じてしまうことを避けるためである。
なお、このような銅めっき膜１１の半田くわれを生じる
おそれがない場合には、図５に示すように、銅めっき膜
１１上に直接錫めっき膜１３を形成することも可能であ
る。なお、抵抗値に影響のない抵抗値領域においては銅
めっき膜１１に代えてニッケルめっき膜を用いてもよ
い。
【００４５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、絶縁基
板上に形成された抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の
帯状領域を残して、この抵抗体膜上に第２表電極膜や銅
めっき膜を重ねるように設けることで、抵抗体膜の縦横
比を大きくとることができ、これにより、小さいＴＣＲ
のＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料を使用し、更なる低抵抗
化されたチップ形抵抗器を簡単かつローコストに得るこ
とができる。
板上に形成された抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の
帯状領域を残して、この抵抗体膜上に第２表電極膜や銅
めっき膜を重ねるように設けることで、抵抗体膜の縦横
比を大きくとることができ、これにより、小さいＴＣＲ
のＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料を使用し、更なる低抵抗
化されたチップ形抵抗器を簡単かつローコストに得るこ
とができる。
【００４６】また、必要に応じて第１表電極膜や第２表
電極膜、あるいはこれらの両方を省くことにより、製造
工程の簡素化およびローコスト化をともに実現できると
いう利点が得られるものである。
電極膜、あるいはこれらの両方を省くことにより、製造
工程の簡素化およびローコスト化をともに実現できると
いう利点が得られるものである。
【図１】本発明の実施の一形態によるチップ形抵抗器の
製造工程を示す説明図である。
製造工程を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の一形態によるチップ形抵抗器を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図３】本発明の実施の他の形態によるチップ形抵抗器
の製造工程を概念的に示す説明図である。
の製造工程を概念的に示す説明図である。
【図４】本発明の実施の他の形態によるチップ形抵抗器
の製造工程を概念的に示す説明図である。
の製造工程を概念的に示す説明図である。
【図５】本発明の実施の他の形態によるチップ形抵抗器
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
【図６】従来のチップ形抵抗器の製造工程を概念的に示
す説明図である。
す説明図である。
【図７】従来のチップ形抵抗器を示す断面図である。
【図８】従来の他のチップ形抵抗器を示す断面図であ
る。
る。
１ 絶縁基板 ２ 裏電極膜 ３ 第１表電極膜（表電極膜） ４ 抵抗体膜 ５ 第２表電極膜（表電極膜） ６ 銅めっき膜 ７ 第１保護膜（保護膜） ８ 第２保護膜（保護膜） ９ 第３保護膜（保護膜） １０ 端面電極膜 １１ 銅めっき膜（電極めっき膜） １２ ニッケルめっき膜（電極めっき膜） １３ 錫めっき膜（電極めっき膜）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年６月８日（２００１．６．８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】なお、Ｐｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料として
は、抵抗温度係数（以下、ＴＣＲという）の小さいもの
が開発されており、シート抵抗値として８５ｍΩ〜３０
ΩにおいてＴＣＲが±５０×１０ -6 ／℃が実現されてい
る。この厚膜抵抗材料を使用した従来例におけるチップ
形抵抗器の抵抗値は例えば５０ｍΩ〜２００ｍΩで、こ
のときのＴＣＲは±１５０×１０ -6 ／℃となる。
は、抵抗温度係数（以下、ＴＣＲという）の小さいもの
が開発されており、シート抵抗値として８５ｍΩ〜３０
ΩにおいてＴＣＲが±５０×１０ -6 ／℃が実現されてい
る。この厚膜抵抗材料を使用した従来例におけるチップ
形抵抗器の抵抗値は例えば５０ｍΩ〜２００ｍΩで、こ
のときのＴＣＲは±１５０×１０ -6 ／℃となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】しかし、前記厚膜抵抗材料よりさらにシー
ト抵抗値の低いＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料ではＴＣＲ
が＋３００〜５００×１０ -6 ／℃と増加する。従って、
さらにシート抵抗値が低く、ＴＣＲが小さい抵抗値を得
るのは困難であり、このために抵抗体膜の縦横比を大き
くする必要がある。
ト抵抗値の低いＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料ではＴＣＲ
が＋３００〜５００×１０ -6 ／℃と増加する。従って、
さらにシート抵抗値が低く、ＴＣＲが小さい抵抗値を得
るのは困難であり、このために抵抗体膜の縦横比を大き
くする必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】そして、このようなチップ形抵抗器の形成
処理は、分割スリットによって多数個に区画された絶縁
基板の各区画ごとに実施されるため、最終段でこれらを
分割スリットで分割することにより、図２に示すような
各一単位のチップ形抵抗器が得られることとなる。そし
て、このようにして得られたチップ形抵抗器の抵抗値は
２０ｍΩ〜５０ｍΩで、このときＴＣＲは０〜３５０×
１０ -6 ／℃となる。つまり、抵抗体膜４の縦横比を大き
くすることで、低ＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料
を使用して、低抵抗のチップ形抵抗器を実現できたこと
になる。
処理は、分割スリットによって多数個に区画された絶縁
基板の各区画ごとに実施されるため、最終段でこれらを
分割スリットで分割することにより、図２に示すような
各一単位のチップ形抵抗器が得られることとなる。そし
て、このようにして得られたチップ形抵抗器の抵抗値は
２０ｍΩ〜５０ｍΩで、このときＴＣＲは０〜３５０×
１０ -6 ／℃となる。つまり、抵抗体膜４の縦横比を大き
くすることで、低ＴＣＲのＰｄ・Ａｇ系の厚膜抵抗材料
を使用して、低抵抗のチップ形抵抗器を実現できたこと
になる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠山 英 北海道空知郡奈井江町字奈井江955−１ 釜屋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5E028 BA04 BB01 CA02 DA04 EA01 JC03 JC05 JC06 5E032 BA15 BB01 CA02 DA02 TA15 TA19 5E033 AA02 BA03 BC01 BE01 BH02
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁基板に設けられた抵抗体膜と、該抵
抗体膜の上に、該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の
帯状領域を除いて設けられた一対の表電極膜と、該表電
極膜上および前記抵抗体膜上に設けられた保護膜とを備
えたことを特徴とするチップ形抵抗器。 - 【請求項２】 絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた
一対の裏電極膜と、これらの裏電極膜に対峙するように
前記絶縁基板の表面に設けられた各一の第１表電極膜
と、該第１表電極膜どうしをこれらの一部を覆うように
接続する抵抗体膜と、該抵抗体膜および前記第１表電極
膜の上に、前記抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯
状領域を除いて設けられた一対の第２表電極膜と、該第
２表電極膜上に設けられた銅めっき膜と、該銅めっき膜
間の帯状の前記抵抗体膜に抵抗値調整のために刻設され
たトリミング溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領
域および前記抵抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶
縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記第１表電極
膜、第２表電極膜および銅めっき膜とを接続するように
形成された端面電極膜と、該端面電極膜と該端面電極膜
付近の前記銅めっき膜および裏電極膜とを覆うように設
けられた電極めっき膜とを備えたことを特徴とするチッ
プ形抵抗器。 - 【請求項３】 絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた
一対の裏電極膜と、前記絶縁基板表側の左端から右端ま
での領域に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に、
該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除い
て設けられた一対の表電極膜と、これらの各表電極膜上
に設けられた銅めっき膜と、これらの各銅めっき膜間の
帯状の抵抗体膜に抵抗値調整のために刻設されたトリミ
ング溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領域と前記
抵抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶縁基板の左右
端面に、前記裏電極膜と前記表電極膜および銅めっき膜
とを接続するように形成された端面電極膜と、該端面電
極膜と該端面電極膜付近の前記銅めっき膜および裏電極
膜とを覆うように設けられた電極めっき膜とを備えたこ
とを特徴とするチップ形抵抗器。 - 【請求項４】 絶縁基板裏側の左右両端部に設けられた
一対の裏電極膜と、前記絶縁基板表側の左端から右端ま
での領域に設けられた抵抗体膜と、該抵抗体膜の上に該
抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除いて
設けられた一対の銅めっき膜と、これらの各銅めっき膜
間の帯状の前記抵抗体膜に抵抗値調整のために刻設され
たトリミング溝と、前記銅めっき膜の左右端部を除く領
域および前記抵抗体膜上に設けられた保護膜と、前記絶
縁基板の左右端面に前記裏電極膜と銅めっき膜とを接続
するように形成された端面電極膜と、該端面電極膜と該
端面電極膜付近の前記銅めっき膜および裏電極膜とを覆
うように設けられた電極めっき膜とを備えたことを特徴
とするチップ形抵抗器。 - 【請求項５】 絶縁基板上に抵抗体膜を形成する抵抗体
膜形成工程と、前記抵抗体膜上に、該抵抗体膜を斜め方
向に横切る所定幅を除いて一対の表電極膜を形成する表
電極膜形成工程と、前記表電極膜および抵抗体膜を覆う
ように保護膜を形成する保護膜形成工程とを実施するこ
とを特徴とするチップ形抵抗器の製造方法。 - 【請求項６】 複数の分割スリットにより区画された絶
縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏側の
左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形成工
程と、前記裏電極膜に対峙する前記絶縁基板表側の各領
域に第１表電極膜を形成する第１表電極膜形成工程と、
前記各第１表電極膜の一部に重なってこれらを橋絡する
ように前記絶縁基板上に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形
成工程と、前記抵抗体膜および第１表電極膜の上に、前
記抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域を除い
て第２表電極膜を形成する第２表電極膜形成工程と、前
記帯状領域に臨む抵抗体膜上にレジスト膜を施し、前記
第２表電極膜上に銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成
工程と、前記レジスト膜を剥離処理して、前記抵抗体膜
上に前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング
溝形成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜お
よび銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形
成工程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜
と、前記第１表電極膜、第２表電極膜および銅めっき膜
とを接続するように端面電極膜を形成する端面電極膜形
成工程と、前記端面電極膜上に電極めっき膜を形成する
電極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記分割スリ
ットにより一区画ごとに分割する分割工程とを実施する
ことを特徴とするチップ形抵抗器の製造方法。 - 【請求項７】 複数の分割スリットにより区画された絶
縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏側の
左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形成工
程と、前記絶縁基板表側の左端部から右端部までの領域
に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体
膜上に該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域
を除いて表電極膜を形成する表電極膜形成工程と、前記
帯状領域に臨む抵抗体膜上にレジスト膜を施して、前記
表電極膜上に銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成工程
と、前記レジスト膜を剥離処理して、前記抵抗体膜上に
前記斜め方向にトリミング溝を形成するトリミング溝形
成工程と、トリミング溝を形成した前記抵抗体膜および
銅めっき膜を覆うように保護膜を形成する保護膜形成工
程と、前記絶縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記
表電極膜および銅めっき膜とを接続するように端面電極
膜を形成する端面電極膜形成工程と、前記端面電極膜上
に電極めっき膜を形成する電極めっき膜形成工程と、前
記絶縁基板を前記分割スリットにより一区画ごとに分割
する分割工程とを実施することを特徴とするチップ形抵
抗器の製造方法。 - 【請求項８】 複数の分割スリットにより区画された絶
縁基板の一区画を単位として、各単位の絶縁基板裏側の
左右両端部に一対の裏電極膜を形成する裏電極膜形成工
程と、前記絶縁基板表側の左端部から右端部までの領域
に抵抗体膜を形成する抵抗体膜形成工程と、前記抵抗体
膜上に該抵抗体膜を斜め方向に横切る所定幅の帯状領域
を除いて銅めっき膜を形成する銅めっき膜形成工程と、
前記銅めっき膜間に露出する前記抵抗体膜上に斜め方向
にトリミング溝を形成するトリミング溝形成工程と、ト
リミング溝を形成した前記抵抗体膜および銅めっき膜を
覆うように保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記絶
縁基板の左右端面に、前記裏電極膜と前記銅めっき膜と
を接続するように端面電極膜を形成する端面電極膜形成
工程と、前記端面電極膜上に電極めっき膜を形成する電
極めっき膜形成工程と、前記絶縁基板を前記分割スリッ
トにより一区画ごとに分割する分割工程とを実施するこ
とを特徴とするチップ形抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001168319A JP3567144B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | チップ形抵抗器およびその製造方法 |
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| JP2001168319A JP3567144B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | チップ形抵抗器およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002367801A true JP2002367801A (ja) | 2002-12-20 |
| JP3567144B2 JP3567144B2 (ja) | 2004-09-22 |
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ID=19010567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001168319A Expired - Lifetime JP3567144B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | チップ形抵抗器およびその製造方法 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007194399A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ抵抗器およびその製造方法 |
| JP2008244343A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜サーミスタ及び薄膜サーミスタの製造方法 |
| JP2011109312A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-02 | Toshiba Corp | 高周波減衰器および高周波減衰器を用いた高周波装置 |
| JP2016105501A (ja) * | 2016-02-03 | 2016-06-09 | ローム株式会社 | 電子部品の電極構造 |
| JP2022524185A (ja) * | 2019-03-22 | 2022-04-28 | リテルヒューズ エレクトロニクス （シャンハイ） カンパニー リミテッド | ポリスイッチを含むｐｔｃデバイス |
| WO2022133674A1 (zh) * | 2020-12-21 | 2022-06-30 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 负载片及其制备方法 |
-
2001
- 2001-06-04 JP JP2001168319A patent/JP3567144B2/ja not_active Expired - Lifetime
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