JPH0643640A - 感光性ポリイミドプリカーサー組成物 - Google Patents
感光性ポリイミドプリカーサー組成物Info
- Publication number
- JPH0643640A JPH0643640A JP4252547A JP25254792A JPH0643640A JP H0643640 A JPH0643640 A JP H0643640A JP 4252547 A JP4252547 A JP 4252547A JP 25254792 A JP25254792 A JP 25254792A JP H0643640 A JPH0643640 A JP H0643640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- polyimide precursor
- complex
- chemical
- imide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/107—Polyamide or polyurethane
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ポリイミドプリカーサーと、第３級アミノ官
能基をもつ重合可能なカルボン酸官能性化合物のコムプ
レックスカチオンとから構成される感光性組成物に関す
る。 【効果】 この感光性組成物は、解像力と感光性とが増
強されている。
能基をもつ重合可能なカルボン酸官能性化合物のコムプ
レックスカチオンとから構成される感光性組成物に関す
る。 【効果】 この感光性組成物は、解像力と感光性とが増
強されている。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は解像性と感光性とが増強されたポ
リイミドプリカーサー組成物に関する。本発明はまた、
マイクロサーキット製造のような、パッケージング用途
における組成物の使用に関する。
リイミドプリカーサー組成物に関する。本発明はまた、
マイクロサーキット製造のような、パッケージング用途
における組成物の使用に関する。
【０００２】
【背景技術】現在ポリイミドは半導体チップおよびマイ
クロサーキットのパッケージングにおいて、キャリアー
層および絶縁層としてマイクロサーキット製造の際広い
範囲に使用されている。ポリイミドが基体上に施される
とき、このものは遊離のカルボン酸基を含むポリアミド
酸の形のプリカーサーとして通常用いられる。多くの場
合光パターン化されたポリイミド層の製造は、従来のフ
ォトレジスト材料と一緒に光反応性ではないポリイミド
プリカーサーを使用して行われている。この他に、処理
工程の数を著しく減少させるために光架橋化可能なポリ
イミドプリカーサーの直接光パターン化が提案されてい
る。例えば、米国特許第４,６７０,５３５号および同第
４,７７８,８５９号を参照されたい。
クロサーキットのパッケージングにおいて、キャリアー
層および絶縁層としてマイクロサーキット製造の際広い
範囲に使用されている。ポリイミドが基体上に施される
とき、このものは遊離のカルボン酸基を含むポリアミド
酸の形のプリカーサーとして通常用いられる。多くの場
合光パターン化されたポリイミド層の製造は、従来のフ
ォトレジスト材料と一緒に光反応性ではないポリイミド
プリカーサーを使用して行われている。この他に、処理
工程の数を著しく減少させるために光架橋化可能なポリ
イミドプリカーサーの直接光パターン化が提案されてい
る。例えば、米国特許第４,６７０,５３５号および同第
４,７７８,８５９号を参照されたい。
【０００３】一般に“シーマンス法”（Siemans Techno
logy）といわれている化学的原理にもとづく市場で入手
できる多数の光架橋化可能なポリイミドプリカーサーが
存在する。例えば、代表的な感光性ポリイミドプリカー
サーの１つは、メタアクリレートポリイミドエステルで
ある。またこのような配合物には、典型的には感光性ポ
リイミドプリカーサーとともに、ペンタエリスリトール
トリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レートおよびトリポリエチレンオキサイドトリアクリレ
ートのような多官能性モノマーが含まれる。多官能性モ
ノマーによる架橋化は現像液中の溶解性をより速やかに
低下させ、これはネガチブのフォトレジスト配合物にお
いて写真感度と解像性とを増大させる傾向にあることが
見出されている。しかしながら、これらのタイプの配合
物は現像中に溶剤膨潤化を生じ、このことは、ひいては
解像性を低下させそして現像の際の厚さと接着性を小さ
くする。
logy）といわれている化学的原理にもとづく市場で入手
できる多数の光架橋化可能なポリイミドプリカーサーが
存在する。例えば、代表的な感光性ポリイミドプリカー
サーの１つは、メタアクリレートポリイミドエステルで
ある。またこのような配合物には、典型的には感光性ポ
リイミドプリカーサーとともに、ペンタエリスリトール
トリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レートおよびトリポリエチレンオキサイドトリアクリレ
ートのような多官能性モノマーが含まれる。多官能性モ
ノマーによる架橋化は現像液中の溶解性をより速やかに
低下させ、これはネガチブのフォトレジスト配合物にお
いて写真感度と解像性とを増大させる傾向にあることが
見出されている。しかしながら、これらのタイプの配合
物は現像中に溶剤膨潤化を生じ、このことは、ひいては
解像性を低下させそして現像の際の厚さと接着性を小さ
くする。
【０００４】また、ジメチルアミノ−プロパノールメタ
アクリレートのような第３級アミンアクリレートと、ポ
リアミド酸のカルボン酸官能基との間のイオン性塩錯体
化によりポリイミドに感光性を与えることが提案されて
いる。これらの配合物はポリエステルイミドよりも合成
するのがはるかに容易である。しかしながら、この配合
物は低いコントラスト、解像性、および感光性を示すも
のである。また、このものは水−溶剤混合現像液と約６
分前後の比較的長い現像時間を必要とする。
アクリレートのような第３級アミンアクリレートと、ポ
リアミド酸のカルボン酸官能基との間のイオン性塩錯体
化によりポリイミドに感光性を与えることが提案されて
いる。これらの配合物はポリエステルイミドよりも合成
するのがはるかに容易である。しかしながら、この配合
物は低いコントラスト、解像性、および感光性を示すも
のである。また、このものは水−溶剤混合現像液と約６
分前後の比較的長い現像時間を必要とする。
【０００５】従って、現像の際の膨潤性と厚さの損失と
が減少していながら解像性と感光度の増大を示す、ポリ
イミドプリカーサーの感光性組成物を提供することが望
まれる。これはまた現像の際の接着性の損失を限定する
のに有利となるであろう。
が減少していながら解像性と感光度の増大を示す、ポリ
イミドプリカーサーの感光性組成物を提供することが望
まれる。これはまた現像の際の接着性の損失を限定する
のに有利となるであろう。
【０００６】
【発明の要点】本発明は感光性ポリイミドプリカーサー
組成物に関する従来技術の前述の諸問題を克服するもの
である。特に、本発明は現像の際の厚さの損失が減少し
ていながら解像性と感光度の増大を示す、感光性ポリイ
ミドプリカーサー組成物を提供するものである。本発明
の組成物はまた現像の際においてさえ多くの基体に対し
て良好な接着性を示すものである。
組成物に関する従来技術の前述の諸問題を克服するもの
である。特に、本発明は現像の際の厚さの損失が減少し
ていながら解像性と感光度の増大を示す、感光性ポリイ
ミドプリカーサー組成物を提供するものである。本発明
の組成物はまた現像の際においてさえ多くの基体に対し
て良好な接着性を示すものである。
【０００７】本発明の感光性組成物はポリイミドプリカ
ーサーと、第３級アミノ官能基をもつ重合可能なカルボ
ン酸官能性化合物のコンプレックスカチオンとから構成
されるものである。
ーサーと、第３級アミノ官能基をもつ重合可能なカルボ
ン酸官能性化合物のコンプレックスカチオンとから構成
されるものである。
【０００８】本発明はまたパターンを製作するために前
記の感光性組成物を使用することにも関するものであ
る。この方法は感光性の層を準備し、ついで活性放射線
に対してこの層の選定された部分を画像状に露光して、
露光された部分の架橋化を生じさせることから構成され
る。層の未露光部分はとり去られ、これによりパターン
が与えられる。
記の感光性組成物を使用することにも関するものであ
る。この方法は感光性の層を準備し、ついで活性放射線
に対してこの層の選定された部分を画像状に露光して、
露光された部分の架橋化を生じさせることから構成され
る。層の未露光部分はとり去られ、これによりパターン
が与えられる。
【０００９】〔発明を実施するための最良並びに諸態
様〕本発明により使用されるポリイミドプリカーサー
（ポリアミド酸）しは、ポリエステルイミド、ポリアミ
ド−イミド−エステル、ポリアミド−イミド、ポリシロ
キサン−イミドなどのプリカーサーのような、未変性ポ
リイミドプリカーサーがその他の混合ポリイミド類と同
様に含まれる。これらは従来から良く知られており、特
に詳しく述べる必要のないものである。
様〕本発明により使用されるポリイミドプリカーサー
（ポリアミド酸）しは、ポリエステルイミド、ポリアミ
ド−イミド−エステル、ポリアミド−イミド、ポリシロ
キサン−イミドなどのプリカーサーのような、未変性ポ
リイミドプリカーサーがその他の混合ポリイミド類と同
様に含まれる。これらは従来から良く知られており、特
に詳しく述べる必要のないものである。
【００１０】ポリアミド酸は例えば「ピラリン」（Pyra
lin）の商品名の下にデュポン社から、またパイメル（P
imel）６２４０の商品名の下にアサヒ社から商業的に入
手することができる。このようなポリイミドプリカーサ
ーは、さらにＰＩ−２５５５、ＰＩ−２５４５、ＰＩ−
２５６０、ＰＩ−５８７８、ＰＩＨ−６１４５４、およ
びＰＩ−２５４０などの商品記号のもとに、デュポン社
から入手しうるピラリンポリイミドプリカーサーを含め
て多くのグレードのものがある。これらのピラリンはす
べてピロメリト酸二無水物−オキシジアニリン（ＰＭＤ
Ａ−ＯＤＡ）ポリイミドプリカーサーである。
lin）の商品名の下にデュポン社から、またパイメル（P
imel）６２４０の商品名の下にアサヒ社から商業的に入
手することができる。このようなポリイミドプリカーサ
ーは、さらにＰＩ−２５５５、ＰＩ−２５４５、ＰＩ−
２５６０、ＰＩ−５８７８、ＰＩＨ−６１４５４、およ
びＰＩ−２５４０などの商品記号のもとに、デュポン社
から入手しうるピラリンポリイミドプリカーサーを含め
て多くのグレードのものがある。これらのピラリンはす
べてピロメリト酸二無水物−オキシジアニリン（ＰＭＤ
Ａ−ＯＤＡ）ポリイミドプリカーサーである。
【００１１】一般に、ポリアミド酸は以下のくり返し単
位を含んでいる：
位を含んでいる：
【化５】 上式中、ｎは普通約１０,０００〜約１００,０００の分
子量を与えるくり返し単位の数を示す整数である；
子量を与えるくり返し単位の数を示す整数である；
【００１２】Ｒ3は以下のものからなる群より選ばれた
少なくとも１つの４価の有機基である：
少なくとも１つの４価の有機基である：
【化６】 上式中、Ｒ5はＣ1〜Ｃ4の２価脂肪族炭化水素基および
カルボニル、オキシ、スルホ、ヘキサフルオロイソプロ
ピリデンおよびスルホニル基などからなる群より選ばれ
たものである；
カルボニル、オキシ、スルホ、ヘキサフルオロイソプロ
ピリデンおよびスルホニル基などからなる群より選ばれ
たものである；
【００１３】Ｒ4は以下のものからなる群より選ばれた
少なくとも１つの２価の基である：
少なくとも１つの２価の基である：
【化７】 上式中、Ｒ6は上記Ｒ5で示される基、シリコン、および
アミノ基からなる群より選ばれた２価の有機基である。
２個またはそれ以上のＲおよび／またはＲ1基を含む、
特にアミド基を含むＲ1の多重シリーズの重合体を用い
ることができる。
アミノ基からなる群より選ばれた２価の有機基である。
２個またはそれ以上のＲおよび／またはＲ1基を含む、
特にアミド基を含むＲ1の多重シリーズの重合体を用い
ることができる。
【００１４】好ましいポリイミドプリカーサーはパイメ
ル６２４０のようなポリアミド−イミド−エステル型の
プリカーサーで、これはポリアミド−イミド−アクリレ
ートエステルである。さらに詳細に、パイメル６２４０
はベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物／メチレン
ジアミン／メタフェニレンジアミンヒドロキシエチルメ
タアクリレートエステルである。
ル６２４０のようなポリアミド−イミド−エステル型の
プリカーサーで、これはポリアミド−イミド−アクリレ
ートエステルである。さらに詳細に、パイメル６２４０
はベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物／メチレン
ジアミン／メタフェニレンジアミンヒドロキシエチルメ
タアクリレートエステルである。
【００１５】本発明により必要とされる反応性変性剤
は、第３級アミノ官能基をもつ重合可能なカルボン酸官
能性化合物のコンプレックスカチオンである。好ましく
はこの第３級アミノ官能性物質はエチレン性不飽和部分
のような重合可能な部分および／または複数の第３級ア
ミノ位置を含んでいる。
は、第３級アミノ官能基をもつ重合可能なカルボン酸官
能性化合物のコンプレックスカチオンである。好ましく
はこの第３級アミノ官能性物質はエチレン性不飽和部分
のような重合可能な部分および／または複数の第３級ア
ミノ位置を含んでいる。
【００１６】本発明により使用される好ましいコンプレ
ックス物質は以下の式により示される：
ックス物質は以下の式により示される：
【化８】 上式中各Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ２〜６の炭素原
子を含むアルキル基と、
子を含むアルキル基と、
【化９】 の基との群から選ばれたものであり；そしてＲ4は
【化１０】 の群から選ばれたものである。
【００１７】コンプレックスは普通、第３級アミノ官能
性物質の各第３級窒素原子に対し約１モルのカルボン酸
官能性化合物を含んでいる。
性物質の各第３級窒素原子に対し約１モルのカルボン酸
官能性化合物を含んでいる。
【００１８】本発明で用いられる適当なコンプレックス
変性剤の例は、ジメチルアミノプロパノールメチルメタ
アクリレートと１,１ ビスアクリルアミド酢酸コンプレ
ックスおよびヘキサメチレンテトラミンと１,１ ビスア
クリルアミド酢酸コンプレックスである。
変性剤の例は、ジメチルアミノプロパノールメチルメタ
アクリレートと１,１ ビスアクリルアミド酢酸コンプレ
ックスおよびヘキサメチレンテトラミンと１,１ ビスア
クリルアミド酢酸コンプレックスである。
【００１９】普通ポリイミドプリカーサーに対する反応
性コンプレックス変性剤の量は、コンプレックス変性剤
の官能基の量がポリイミドプリカーサーの反応性基の重
量を基準に約３〜約１５重量％、好ましく約５〜約１０
重量％程度のものである。
性コンプレックス変性剤の量は、コンプレックス変性剤
の官能基の量がポリイミドプリカーサーの反応性基の重
量を基準に約３〜約１５重量％、好ましく約５〜約１０
重量％程度のものである。
【００２０】本発明により必要とされる反応性コンプレ
ックス変性剤は、ポリイミドプリカーサーと相溶性があ
りかつその中で可溶性組成物を形成するものである。約
２０℃の温度で安定な組成物を形成する。
ックス変性剤は、ポリイミドプリカーサーと相溶性があ
りかつその中で可溶性組成物を形成するものである。約
２０℃の温度で安定な組成物を形成する。
【００２１】３００〜５００nmの波長の紫外線のような
活性放射線に露光すると、ポリアミド−イミド−エステ
ルとカチオンコンプレックスとの間の反応が起きて、架
橋したポリイミドが生成する。一般的に、露光量は３０
０〜５００nmの紫外光を用いて約１００〜１０００mJ／
cm2で、さらに一般的には約４００〜６００mJ／cm2であ
る。
活性放射線に露光すると、ポリアミド−イミド−エステ
ルとカチオンコンプレックスとの間の反応が起きて、架
橋したポリイミドが生成する。一般的に、露光量は３０
０〜５００nmの紫外光を用いて約１００〜１０００mJ／
cm2で、さらに一般的には約４００〜６００mJ／cm2であ
る。
【００２２】本発明の組成物がパターン形成に使用され
るとき、活性放射線に対する露光はフォトマスクを通じ
た選定された部分の画像状露光である。未露光の部分は
ついでＮ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、
ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド；ブチルアセテ
ートと２−メトキシアセテートのようなアセテート類；
エーテル類；テトラヒドロフラン；ベンゼン、トルエ
ン、キシレンおよびクロロベンゼンのような芳香族炭化
水素類および置換芳香族炭化水素類などのような現像液
中で溶解することにより取り除かれる。
るとき、活性放射線に対する露光はフォトマスクを通じ
た選定された部分の画像状露光である。未露光の部分は
ついでＮ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、
ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド；ブチルアセテ
ートと２−メトキシアセテートのようなアセテート類；
エーテル類；テトラヒドロフラン；ベンゼン、トルエ
ン、キシレンおよびクロロベンゼンのような芳香族炭化
水素類および置換芳香族炭化水素類などのような現像液
中で溶解することにより取り除かれる。
【００２３】好ましい現像液は約１０容量％のキシレン
と約９０容量％のＮ−メチルピロリドンとの混合物であ
る。現像は通常約１〜約１０分間、好ましく約３〜約５
分間行われる。
と約９０容量％のＮ−メチルピロリドンとの混合物であ
る。現像は通常約１〜約１０分間、好ましく約３〜約５
分間行われる。
【００２４】所望の場合、ポリアミド酸と反応性変性剤
はポリアミド酸と非反応性の有機溶剤の存在下に混合す
ることができる。この不活性有機溶剤は非プロトン性の
ものであることが好ましい。もっとも好ましい溶剤は芳
香族炭化水素類と置換芳香族炭化水素類であり、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、およびクロロベンゼンを含
む。この他の溶剤にはＮ−メチルピロリドン；γ−ブチ
ロラクトン；ブチルアセテートと２−メトキシアセテー
トのようなアセテート類；エーテル類；およびテトラヒ
ドロフランなどが含まれる。
はポリアミド酸と非反応性の有機溶剤の存在下に混合す
ることができる。この不活性有機溶剤は非プロトン性の
ものであることが好ましい。もっとも好ましい溶剤は芳
香族炭化水素類と置換芳香族炭化水素類であり、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、およびクロロベンゼンを含
む。この他の溶剤にはＮ−メチルピロリドン；γ−ブチ
ロラクトン；ブチルアセテートと２−メトキシアセテー
トのようなアセテート類；エーテル類；およびテトラヒ
ドロフランなどが含まれる。
【００２５】本発明をさらに例証するために以下の非限
定的な実施例を提示する。 〔実施例１〕アサヒ社から入手しうるポリアミド酸組成
物パイメル６２４０に、１,１−ビスアクリルアミド酢
酸１モルとジメチルアミノプロパノールメチルメタアク
リレート１モルとの酸−ベースコンプレックスを、パイ
メル６２４０の１０重量％の含量で添加した。この組成
物をシリコンウエハー上に約２０μｍの厚さに塗布し
た。ついでこの塗布層はフォトマスクを通じ紫外線灯か
らの活性放射線に対し５０mJ／cm2の露光量で画像状露
光をした。
定的な実施例を提示する。 〔実施例１〕アサヒ社から入手しうるポリアミド酸組成
物パイメル６２４０に、１,１−ビスアクリルアミド酢
酸１モルとジメチルアミノプロパノールメチルメタアク
リレート１モルとの酸−ベースコンプレックスを、パイ
メル６２４０の１０重量％の含量で添加した。この組成
物をシリコンウエハー上に約２０μｍの厚さに塗布し
た。ついでこの塗布層はフォトマスクを通じ紫外線灯か
らの活性放射線に対し５０mJ／cm2の露光量で画像状露
光をした。
【００２６】露光後、画像は層の未露光部分をとり除く
ため、キシレン１０容量％とＮ−メチルピロリドン９０
容量％混合物を使用し、３.５分間現像をした。組成物
は層の接着を損じることなく優れた解像性を示した。
ため、キシレン１０容量％とＮ−メチルピロリドン９０
容量％混合物を使用し、３.５分間現像をした。組成物
は層の接着を損じることなく優れた解像性を示した。
【００２７】〔実施例２〕１,１−ビスアクリルアミド
酢酸コンプレックス４モルとヘキサメチレンテトラミン
１モルとの酸−ベースコンプレックスを、パイメル６２
４０用の変性剤として用いたことの他は実施例１をくり
返した。結果は若干良好な解像力ではあったが実施例１
と類似のものが得られた。
酢酸コンプレックス４モルとヘキサメチレンテトラミン
１モルとの酸−ベースコンプレックスを、パイメル６２
４０用の変性剤として用いたことの他は実施例１をくり
返した。結果は若干良好な解像力ではあったが実施例１
と類似のものが得られた。
【００２８】〔比較実施例３〕酸−ベースコンプレック
スを使用せずに、実施例１をくり返した。現像に際し
て、現像液中の層の膨潤により接着性が完全に損われ
た。
スを使用せずに、実施例１をくり返した。現像に際し
て、現像液中の層の膨潤により接着性が完全に損われ
た。
【００２９】以上、本発明を詳細に説明したが、本発明
はさらに次の実施態様によってこれを要約して示すこと
ができる。 １．ポリイミドプリカーサーと、反応性変性剤として
の、第３級アミノ官能基をもつ重合可能なカルボン酸官
能性化合物のコンプレックスカチオンとから構成される
感光性組成物。 ２．第３級アミノ官能基をもつ前記化合物が重合可能な
部分を含むものである前項１の組成物。 ３．前記重合可能な部分がエチレン性不飽和部分である
前項１の組成物。 ４．第３級アミノ官能基をもつ前記化合物が複数の第３
級アミノ位置を含む前項２の組成物。
はさらに次の実施態様によってこれを要約して示すこと
ができる。 １．ポリイミドプリカーサーと、反応性変性剤として
の、第３級アミノ官能基をもつ重合可能なカルボン酸官
能性化合物のコンプレックスカチオンとから構成される
感光性組成物。 ２．第３級アミノ官能基をもつ前記化合物が重合可能な
部分を含むものである前項１の組成物。 ３．前記重合可能な部分がエチレン性不飽和部分である
前項１の組成物。 ４．第３級アミノ官能基をもつ前記化合物が複数の第３
級アミノ位置を含む前項２の組成物。
【００３０】５．前記コンプレックスが次の式で示され
る前項１の組成物。
る前項１の組成物。
【化１１】 上式中、各Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれアルキル基、
アクリリルおよびメタアクリル基などの群から選ばれた
ものであり；またＲ4は以下の群から選ばれた基であ
る。
アクリリルおよびメタアクリル基などの群から選ばれた
ものであり；またＲ4は以下の群から選ばれた基であ
る。
【化１２】
【００３１】６．前記コンプレックスが、ジメチルアミ
ノプロパノールメチルメタアクリレートと１,１−ビス
アクリルアミド酢酸とのコンプレックスである前項１の
組成物。 ７．前記コンプレックスが、ヘキサメチレンテトラミン
と１,１−ビスアクリルアミド酢酸とのコンプレックス
である前項１の組成物。 ８．前記変性剤の官能性基の量が、ポリイミドプリカー
サーの反応性基の重量を基準に約３〜１５重量％である
前項１の組成物。 ９．ポリイミドプリカーサーと、反応性の変性剤として
の、第３級アミノ官能基をもつ重合可能なカルボン酸官
能性化合物のコンプレックスカチオンとから構成される
感光性組成物の層を用意し；活性放射線に対してこの層
の選定された部分を像状に露光して露光部分の架橋化を
生じさせ、そしてこの層の未露光部分をとり去ることに
よりパターンを提供することからなるパターンの形成方
法。
ノプロパノールメチルメタアクリレートと１,１−ビス
アクリルアミド酢酸とのコンプレックスである前項１の
組成物。 ７．前記コンプレックスが、ヘキサメチレンテトラミン
と１,１−ビスアクリルアミド酢酸とのコンプレックス
である前項１の組成物。 ８．前記変性剤の官能性基の量が、ポリイミドプリカー
サーの反応性基の重量を基準に約３〜１５重量％である
前項１の組成物。 ９．ポリイミドプリカーサーと、反応性の変性剤として
の、第３級アミノ官能基をもつ重合可能なカルボン酸官
能性化合物のコンプレックスカチオンとから構成される
感光性組成物の層を用意し；活性放射線に対してこの層
の選定された部分を像状に露光して露光部分の架橋化を
生じさせ、そしてこの層の未露光部分をとり去ることに
よりパターンを提供することからなるパターンの形成方
法。
【００３２】１０．未露光部が溶剤中で溶解によりとり
去られる前項９の方法。 １１．前記活性放射線が紫外線からのものである前項９
の方法。 １２．第３級アミノ官能基をもつ前記化合物が重合可能
な部分を含むものである前項９の方法。 １３．前記重合可能な部分がエチレン性不飽和部分であ
る前項１２の方法。 １４．第３級アミノ官能基をもつ前記化合物が複数の第
３級アミノ位置を含む前項１２の方法。
去られる前項９の方法。 １１．前記活性放射線が紫外線からのものである前項９
の方法。 １２．第３級アミノ官能基をもつ前記化合物が重合可能
な部分を含むものである前項９の方法。 １３．前記重合可能な部分がエチレン性不飽和部分であ
る前項１２の方法。 １４．第３級アミノ官能基をもつ前記化合物が複数の第
３級アミノ位置を含む前項１２の方法。
【００３３】１５．前記コンプレックスが次の式で示さ
れるものである前項９の方法。
れるものである前項９の方法。
【化１３】 上式中、各Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれアルキル基、
アクリリルおよびメタアクリル基の群から選ばれたもの
であり；またＲ4は以下の群より選ばれた基である。
アクリリルおよびメタアクリル基の群から選ばれたもの
であり；またＲ4は以下の群より選ばれた基である。
【化１４】
【００３４】１６．前記コンプレックスが、ジメチルア
ミノプロパノールメチルメタアクリレートと１,１−ビ
スアクリルアミド酢酸とのコンプレックスである前項９
の方法。 １７．前記コンプレックスが、ヘキサメチレンテトラミ
ンと１,１−ビスアクリルアミド酢酸とのコンプレック
スである前項９の方法。 １８．前記変性剤の官能性基の量が、ポリイミドプリカ
ーサーの反応性基の重量を基準に約３〜１５重量％であ
る前項９の方法。 １９．前記変性剤の官能性基の量が、ポリイミドプリカ
ーサーの反応性基の重量を基準に約５〜１０重量％であ
る前項９の方法。 ２０．前記コンプレックスが、第３級アミノ官能性物質
の各第３級窒素原子当り約１モルのカルボン酸官能性化
合物を含む前項１の組成物。 ２１．前記変性剤の官能性基の量が、ポリイミドプリカ
ーサーの反応性基の重量を基準に約５〜１０重量％であ
る前項１の組成物。
ミノプロパノールメチルメタアクリレートと１,１−ビ
スアクリルアミド酢酸とのコンプレックスである前項９
の方法。 １７．前記コンプレックスが、ヘキサメチレンテトラミ
ンと１,１−ビスアクリルアミド酢酸とのコンプレック
スである前項９の方法。 １８．前記変性剤の官能性基の量が、ポリイミドプリカ
ーサーの反応性基の重量を基準に約３〜１５重量％であ
る前項９の方法。 １９．前記変性剤の官能性基の量が、ポリイミドプリカ
ーサーの反応性基の重量を基準に約５〜１０重量％であ
る前項９の方法。 ２０．前記コンプレックスが、第３級アミノ官能性物質
の各第３級窒素原子当り約１モルのカルボン酸官能性化
合物を含む前項１の組成物。 ２１．前記変性剤の官能性基の量が、ポリイミドプリカ
ーサーの反応性基の重量を基準に約５〜１０重量％であ
る前項１の組成物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マーテイン・ジヨゼフ・ゴールドバーグ アメリカ合衆国ニユーヨーク州10541．メ イアパク．テイーケトルスパウトロード 131 (72)発明者 ナンシー・カロリン・ラビアンカ アメリカ合衆国コネチカツト州06492．イ エールズビル．ハイストリート45 (72)発明者 ジエイン・マーガレツト・シヨー アメリカ合衆国コネチカツト州06877．リ ツジフイールド．ウイルトンロードウエス ト336
Claims (4)
- 【請求項１】 ポリイミドプリカーサーと、反応性の変
性剤としての、第３級アミノ官能基をもつ重合可能なカ
ルボン酸官能性化合物のコンプレックスカチオンとから
構成される、感光性組成物。 - 【請求項２】 前記コンプレックスが次の式で示され
る、請求項１記載の組成物。 【化１】 上式中、各Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれアルキル基、
アクリリルおよびメタアクリル基などの群から選ばれた
ものであり；またＲ4は以下の群から選ばれた基であ
る。 【化２】 - 【請求項３】 ポリイミドプリカーサーと反応性の変性
剤としての、第３級アミノ官能基をもつ重合可能なカル
ボン酸官能性化合物のコンプレックスカチオンとから構
成される感光性組成物の層を用意し；活性放射線に対し
てこの層の選定された部分を像状に露光して露光部分の
架橋化を生じさせ、そしてこの層の未露光部分をとり去
ることによりパターンを提供することからなる、パター
ンの形成方法。 - 【請求項４】 前記コンプレックスが次の式で示される
ものである、請求項３の方法。 【化３】 上式中、各Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれアルキル基、
アクリリルおよびメタアクリル基の群から選ばれたもの
であり；またＲ4は以下の群より選ばれた基である。 【化４】
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US78294391A | 1991-10-25 | 1991-10-25 | |
| US782943 | 1991-10-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0643640A true JPH0643640A (ja) | 1994-02-18 |
| JP2814442B2 JP2814442B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=25127671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4252547A Expired - Lifetime JP2814442B2 (ja) | 1991-10-25 | 1992-09-22 | 感光性ポリイミドプリカーサー組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6013414A (ja) |
| EP (1) | EP0538716B1 (ja) |
| JP (1) | JP2814442B2 (ja) |
| DE (1) | DE69224503D1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071667A (en) * | 1995-04-13 | 2000-06-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Photosensitive resin composition containing a photosensitive polyamide resin |
| US7648815B2 (en) * | 2000-09-12 | 2010-01-19 | Pi R&D Co., Ltd. | Negative photosensitive polyimide composition and method for forming image the same |
| TWI265377B (en) * | 2005-12-19 | 2006-11-01 | Ind Tech Res Inst | Negative photoresist composition |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62127840A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPS6462355A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Nippon Steel Chemical Co | Heat-resistant photosensitive material having low thermal expansion coefficient |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5952822B2 (ja) * | 1978-04-14 | 1984-12-21 | 東レ株式会社 | 耐熱性感光材料 |
| JPS57168942A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | Photosensitive polymer composition |
| JPS59160139A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-10 | Hitachi Ltd | 感光性重合体組成物 |
| JPS59212833A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性耐熱材料 |
| JPS6042425A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-06 | Toray Ind Inc | 化学線感応性重合体組成物 |
| JPS61151238A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 感光性ポリイミド前駆体及びその製造方法 |
| CN1004490B (zh) * | 1985-04-27 | 1989-06-14 | 旭化成工业株式会社 | 可固化组合物 |
| US4741988A (en) * | 1985-05-08 | 1988-05-03 | U.S. Philips Corp. | Patterned polyimide film, a photosensitive polyamide acid derivative and an electrophoretic image-display cell |
| EP0452986A3 (en) * | 1986-09-04 | 1991-12-18 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Photosensitive amphiphilic high molecular weight polymers and process for their production |
| US4837299A (en) * | 1986-12-31 | 1989-06-06 | General Electric Company | Process for making polyimides |
| US4803147A (en) * | 1987-11-24 | 1989-02-07 | Hoechst Celanese Corporation | Photosensitive polyimide polymer compositions |
| US5399460A (en) * | 1991-12-04 | 1995-03-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Negative photoresists containing aminoacrylate salts |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP4252547A patent/JP2814442B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-14 DE DE69224503T patent/DE69224503D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-14 EP EP92117496A patent/EP0538716B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-16 US US08/357,789 patent/US6013414A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-05-16 US US08/441,965 patent/US6010832A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62127840A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPS6462355A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-08 | Nippon Steel Chemical Co | Heat-resistant photosensitive material having low thermal expansion coefficient |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6013414A (en) | 2000-01-11 |
| JP2814442B2 (ja) | 1998-10-22 |
| EP0538716A1 (en) | 1993-04-28 |
| EP0538716B1 (en) | 1998-02-25 |
| US6010832A (en) | 2000-01-04 |
| DE69224503D1 (de) | 1998-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4253088B2 (ja) | 反射防止膜組成物およびその準備方法、ならびに反射防止膜およびその形成方法 | |
| WO2006008991A1 (ja) | ポリアミド | |
| JPWO2020031976A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 | |
| EP0505161B1 (en) | Photosensitive polymer composition | |
| TWI226353B (en) | Positive photosensitive resin precursor composition | |
| US6511789B2 (en) | Photosensitive polyimide precursor compositions | |
| JP2022133300A (ja) | ポリイミド前駆体の製造方法、感光性樹脂組成物の製造方法、パターン硬化物の製造方法、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜の製造方法、及び電子部品の製造方法 | |
| JPS62273259A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPH0231103B2 (ja) | ||
| JP2878654B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPS61167941A (ja) | 高感度ポリアミドエステルホトレジスト組成物 | |
| JP3165024B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれを用いるパターン化されたポリイミド皮膜の形成方法 | |
| JP2814442B2 (ja) | 感光性ポリイミドプリカーサー組成物 | |
| JPH0424694B2 (ja) | ||
| JPH0336861B2 (ja) | ||
| JPH0531132B2 (ja) | ||
| WO2021070232A1 (ja) | ポリイミド前駆体、樹脂組成物、感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 | |
| JP2559720B2 (ja) | 感光性重合体組成物 | |
| JP2643635B2 (ja) | 感光性樹脂溶液組成物 | |
| JPH07330814A (ja) | 光開始剤、感光性組成物、感光材料及びレリーフパターンの製造法 | |
| JPS6337823B2 (ja) | ||
| JPH06214390A (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物およびそのパターン形成方法 | |
| JPH01129246A (ja) | 感光性耐熱樹脂組成物 | |
| JP2002296767A (ja) | 感光性ポリイミド前駆体組成物 | |
| JP2890491B2 (ja) | 化学線感応性重合体組成物 |