JPH0637212A - 半導体封止用エポキシ組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ組成物Info
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- JPH0637212A JPH0637212A JP19039692A JP19039692A JPH0637212A JP H0637212 A JPH0637212 A JP H0637212A JP 19039692 A JP19039692 A JP 19039692A JP 19039692 A JP19039692 A JP 19039692A JP H0637212 A JPH0637212 A JP H0637212A
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- Japan
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- block copolymer
- styrene block
- resin
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- epoxy resin
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- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の半田付け工程において樹脂とチ
ップの界面剥離および樹脂パッケージのクラック発生を
抑えて信頼性の向上を得、なおかつ成形性に優れ、さら
に発熱量の大きな半導体や自動車のエンジンまわりなど
１５０〜２００℃になる高温環境下での信頼性に優れた
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにあ
る。 【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤、変性スチレ
ン系ブロック共重合体およびハイドロタルサイト系化合
物を必須成分として含有してなる樹脂組成物であって、
変性スチレン系ブロック共重合体がスチレン系ブロック
共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合
またはグラフト反応させたものであり、ハイドロタルサ
イト系化合物を０．０１〜１０重量％含有することを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【効果】 成形性、半田耐熱性に優れ、高温、耐湿信頼
性にも優れることから工業的に有用である。
ップの界面剥離および樹脂パッケージのクラック発生を
抑えて信頼性の向上を得、なおかつ成形性に優れ、さら
に発熱量の大きな半導体や自動車のエンジンまわりなど
１５０〜２００℃になる高温環境下での信頼性に優れた
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにあ
る。 【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤、変性スチレ
ン系ブロック共重合体およびハイドロタルサイト系化合
物を必須成分として含有してなる樹脂組成物であって、
変性スチレン系ブロック共重合体がスチレン系ブロック
共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合
またはグラフト反応させたものであり、ハイドロタルサ
イト系化合物を０．０１〜１０重量％含有することを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【効果】 成形性、半田耐熱性に優れ、高温、耐湿信頼
性にも優れることから工業的に有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成形性、半田耐熱性お
よび耐湿、高温信頼性に優れる半導体封止用エポキシ組
成物に関するものである。
よび耐湿、高温信頼性に優れる半導体封止用エポキシ組
成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体などの電子部品の封止方法として
従来より金属やセラミックを用いたハーメチックシール
と、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂な
どを用いた樹脂封止が行われている。しかし、生産性の
向上、製造コストの低減などのために樹脂封止が中心と
なっている。
従来より金属やセラミックを用いたハーメチックシール
と、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂な
どを用いた樹脂封止が行われている。しかし、生産性の
向上、製造コストの低減などのために樹脂封止が中心と
なっている。
【０００３】エポキシ樹脂は、機械的特性（強度）、電
気的特性（絶縁性）、耐熱性、接着性などに優れてい
る。さらに価格の点においても他の樹脂に比べ有利であ
るために封止用樹脂として広く用いられている。
気的特性（絶縁性）、耐熱性、接着性などに優れてい
る。さらに価格の点においても他の樹脂に比べ有利であ
るために封止用樹脂として広く用いられている。
【０００４】一方、最近では電子機器の小型化、高速
化、低コスト化に伴い電子部品のプリント配線基板への
表面実装が行われている。表面実装方式では、半田付け
工程において電子部品全体が２１０〜２６０℃もの高温
に加熱される。加熱されると、樹脂と半導体（チップ）
の線膨脹係数が異なるために熱応力が発生する。熱応力
によってチップがダメージを受けたり、チップと樹脂の
界面の剥離が生じる。このときに半導体の樹脂パッケー
ジが吸湿していると、樹脂内部の水分が爆発的に蒸発し
て剥離部分に供給され樹脂にクラックが走る。このよう
な状態の半導体部品は信頼性が得られないために不良品
となる。
化、低コスト化に伴い電子部品のプリント配線基板への
表面実装が行われている。表面実装方式では、半田付け
工程において電子部品全体が２１０〜２６０℃もの高温
に加熱される。加熱されると、樹脂と半導体（チップ）
の線膨脹係数が異なるために熱応力が発生する。熱応力
によってチップがダメージを受けたり、チップと樹脂の
界面の剥離が生じる。このときに半導体の樹脂パッケー
ジが吸湿していると、樹脂内部の水分が爆発的に蒸発し
て剥離部分に供給され樹脂にクラックが走る。このよう
な状態の半導体部品は信頼性が得られないために不良品
となる。
【０００５】この対策のためには後硬化した後のパッケ
ージを乾燥し、気密容器に収納して出荷する方法が取ら
れている。
ージを乾燥し、気密容器に収納して出荷する方法が取ら
れている。
【０００６】また、エポキシ樹脂で半導体を封止した場
合、両者の線膨脹係数が異なることから温度変化により
半導体素子に熱応力が加わりアルミ配線がスライドして
電流がリークしたり、パッシベーション膜や封止樹脂自
体にクラックが生じ信頼性が低下するという問題があっ
た。
合、両者の線膨脹係数が異なることから温度変化により
半導体素子に熱応力が加わりアルミ配線がスライドして
電流がリークしたり、パッシベーション膜や封止樹脂自
体にクラックが生じ信頼性が低下するという問題があっ
た。
【０００７】これらを解決するために封止樹脂の低応力
化が有効である。封止樹脂を低応力化するためには、次
の２つの方法が考えられる。１つには、充填剤の種類を
選択するか、充填剤を高密度に充填して封止材の線膨脹
係数を下げる方法がある。２つ目には、可とう剤である
エラストマー成分を添加して封止材の弾性率を下げる方
法がある。これには例えば、スチレン系ブロック共重合
体を添加する方法（特開昭６３−２５１４１９号公
報）、変性シリコーン重合体を添加する方法（特開昭６
２−２５４４５４号公報）などが提案されている。
化が有効である。封止樹脂を低応力化するためには、次
の２つの方法が考えられる。１つには、充填剤の種類を
選択するか、充填剤を高密度に充填して封止材の線膨脹
係数を下げる方法がある。２つ目には、可とう剤である
エラストマー成分を添加して封止材の弾性率を下げる方
法がある。これには例えば、スチレン系ブロック共重合
体を添加する方法（特開昭６３−２５１４１９号公
報）、変性シリコーン重合体を添加する方法（特開昭６
２−２５４４５４号公報）などが提案されている。
【０００８】また、封止用樹脂の耐湿性を改良するため
には、ハイドロタルサイト系化合物の添加（特開昭６１
−１９６２５号公報）が提案されている。
には、ハイドロタルサイト系化合物の添加（特開昭６１
−１９６２５号公報）が提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】パッケージを気密容器
に収納することは作業性が悪く、製品価格が高価になる
欠点があり、また、充填剤を高密度に充填すると封止材
の粘度が上昇し、成形品にボイドが発生するなど成形性
が悪化する問題がある。
に収納することは作業性が悪く、製品価格が高価になる
欠点があり、また、充填剤を高密度に充填すると封止材
の粘度が上昇し、成形品にボイドが発生するなど成形性
が悪化する問題がある。
【００１０】未変性スチレン系ブロック共重合体を添加
した封止材はチップとの応力緩和が十分でなく半田耐熱
性に問題があり、成形時のばりが多い問題がある。ま
た、ハイドロタルサイト系化合物の添加により信頼性は
向上するものの、半田耐熱性の向上は認められない。
した封止材はチップとの応力緩和が十分でなく半田耐熱
性に問題があり、成形時のばりが多い問題がある。ま
た、ハイドロタルサイト系化合物の添加により信頼性は
向上するものの、半田耐熱性の向上は認められない。
【００１１】本発明の目的は、半田付け工程において樹
脂とチップとの熱応力を緩和し、樹脂とチップの界面剥
離および樹脂パッケージのクラック発生を抑えて信頼性
の向上を得、なおかつ成形性に優れ、さらに発熱量の大
きな半導体や自動車のエンジンまわりなど１５０〜２０
０℃になる高温環境下での信頼性に優れた半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
脂とチップとの熱応力を緩和し、樹脂とチップの界面剥
離および樹脂パッケージのクラック発生を抑えて信頼性
の向上を得、なおかつ成形性に優れ、さらに発熱量の大
きな半導体や自動車のエンジンまわりなど１５０〜２０
０℃になる高温環境下での信頼性に優れた半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、変性スチ
レン系ブロック共重合体およびハイドロタルサイト系化
合物および四酸化アンチモンを添加することにより、上
記の課題を達成し、目的の半導体封止用エポキシ組成物
が得られることを見出し、本発明に到達した。
レン系ブロック共重合体およびハイドロタルサイト系化
合物および四酸化アンチモンを添加することにより、上
記の課題を達成し、目的の半導体封止用エポキシ組成物
が得られることを見出し、本発明に到達した。
【００１３】すなわち本発明は、エポキシ樹脂（Ａ）、
硬化剤（Ｂ）、充填剤（Ｃ）、変性スチレン系ブロック
共重合体（Ｄ）およびハイドロタルサイト系化合物
（Ｅ）を必須成分として含有してなる樹脂組成物であっ
て、変性スチレン系ブロック共重合体（Ｄ）がスチレン
系ブロック共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導
体を共重合またはグラフト反応させたものであり、ハイ
ドロタルサイト系化合物（Ｅ）を０．０１〜１０重量％
含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ組成物
を提供するものである。
硬化剤（Ｂ）、充填剤（Ｃ）、変性スチレン系ブロック
共重合体（Ｄ）およびハイドロタルサイト系化合物
（Ｅ）を必須成分として含有してなる樹脂組成物であっ
て、変性スチレン系ブロック共重合体（Ｄ）がスチレン
系ブロック共重合体に不飽和カルボン酸またはその誘導
体を共重合またはグラフト反応させたものであり、ハイ
ドロタルサイト系化合物（Ｅ）を０．０１〜１０重量％
含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ組成物
を提供するものである。
【００１４】以下、本発明の構成を詳述する。
【００１５】本発明におけるエポキシ樹脂（Ａ）は、１
分子中にエポキシ基を２個以上有するものであれば特に
限定されない。
分子中にエポキシ基を２個以上有するものであれば特に
限定されない。
【００１６】例えば、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニ
ル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡやレゾルシンなど
から合成される各種ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、
脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ハロゲン
化エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂などが挙げ
られる。
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニ
ル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡやレゾルシンなど
から合成される各種ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、
脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ハロゲン
化エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂などが挙げ
られる。
【００１７】用途によっては２種以上のエポキシ樹脂を
併用してもよいが、耐熱性および耐湿性の点から、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキ
シ樹脂などのエポキシ樹脂当量が５００以下、特に３０
０以下のエポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に５０重量％
以上含むことが好ましい。
併用してもよいが、耐熱性および耐湿性の点から、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキ
シ樹脂などのエポキシ樹脂当量が５００以下、特に３０
０以下のエポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に５０重量％
以上含むことが好ましい。
【００１８】本発明において、エポキシ樹脂（Ａ）の配
合量は通常４〜２５重量％、好ましくは６〜１８重量％
である。
合量は通常４〜２５重量％、好ましくは６〜１８重量％
である。
【００１９】本発明における硬化剤（Ｂ）は、エポキシ
樹脂（Ａ）と反応して硬化させるものであれば特に限定
されず、それらの具体例としては、例えばフェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノ
ールＡやレゾルシンから合成される各種ノボラック樹
脂、各種多価フェノール化合物などのフェノール系硬化
剤、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット
酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジア
ミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンな
どの芳香族アミンなどが挙げられる。半導体封止用とし
ては、耐熱性、耐湿性および保存性の点から、フェノー
ル系硬化剤が好ましく用いられ、用途によっては２種以
上の硬化剤を併用してもよい。
樹脂（Ａ）と反応して硬化させるものであれば特に限定
されず、それらの具体例としては、例えばフェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノ
ールＡやレゾルシンから合成される各種ノボラック樹
脂、各種多価フェノール化合物などのフェノール系硬化
剤、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット
酸などの酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジア
ミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンな
どの芳香族アミンなどが挙げられる。半導体封止用とし
ては、耐熱性、耐湿性および保存性の点から、フェノー
ル系硬化剤が好ましく用いられ、用途によっては２種以
上の硬化剤を併用してもよい。
【００２０】本発明において、硬化剤（Ｂ）の配合量は
通常１〜１５重量％、好ましくは３〜１０重量％であ
る。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の配
合比は機械的性質および耐湿性の点から（Ａ）に対する
（Ｂ）の化学当量比が０．７〜１．３、特に０．８〜
１．２の範囲にあることが好ましい。
通常１〜１５重量％、好ましくは３〜１０重量％であ
る。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の配
合比は機械的性質および耐湿性の点から（Ａ）に対する
（Ｂ）の化学当量比が０．７〜１．３、特に０．８〜
１．２の範囲にあることが好ましい。
【００２１】また、本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）
と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するために硬化触媒を
用いてもよい。硬化触媒は硬化反応を促進するものなら
ば特に限定されず、例えば２−メチルイミダゾール、
２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェ
ニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミ
ダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミ
ン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメ
チルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェ
ノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラ
メトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラ
キス（アセチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセ
チルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物お
よびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、
トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ
（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェ
ニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物が挙げら
れる。なかでも耐湿性の点から、有機ホスフィン化合物
が好ましく、トリフェニルホスフィンが特に好ましく用
いられる。これらの硬化触媒は、用途によっては２種以
上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂（Ａ）
１００重量部に対して０．５〜５重量部の範囲が好まし
い。
と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するために硬化触媒を
用いてもよい。硬化触媒は硬化反応を促進するものなら
ば特に限定されず、例えば２−メチルイミダゾール、
２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェ
ニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミ
ダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミ
ン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメ
チルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェ
ノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラ
メトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラ
キス（アセチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセ
チルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物お
よびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、
トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ
（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェ
ニル）ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物が挙げら
れる。なかでも耐湿性の点から、有機ホスフィン化合物
が好ましく、トリフェニルホスフィンが特に好ましく用
いられる。これらの硬化触媒は、用途によっては２種以
上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂（Ａ）
１００重量部に対して０．５〜５重量部の範囲が好まし
い。
【００２２】本発明における充填剤（Ｃ）としては、非
晶性シリカ、結晶性シリカ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネ
シア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタ
ン、アスベスト、ガラス繊維などを添加することができ
る。なかでも低応力性の点から、非晶性シリカが好まし
く用いられる。
晶性シリカ、結晶性シリカ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネ
シア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタ
ン、アスベスト、ガラス繊維などを添加することができ
る。なかでも低応力性の点から、非晶性シリカが好まし
く用いられる。
【００２３】本発明において、充填剤（Ｃ）の割合は、
成形性および低応力性の点から全体の６０〜９５重量％
である。充填剤（Ｃ）として非晶性シリカを用いた場
合、その割合は全体の６０〜９０重量％が好ましく、７
０〜８８重量％が特に好ましい。
成形性および低応力性の点から全体の６０〜９５重量％
である。充填剤（Ｃ）として非晶性シリカを用いた場
合、その割合は全体の６０〜９０重量％が好ましく、７
０〜８８重量％が特に好ましい。
【００２４】本発明における変性スチレン系ブロック共
重合体（Ｄ）は、スチレン系ブロック共重合体に不飽和
カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反
応させて得られる。スチレン系ブロック共重合体は、ガ
ラス転移温度が通常２５℃以上、好ましくは５０℃以上
の芳香族ビニル炭化水素重合体ブロックとガラス転移温
度が０℃以下、好ましくは−２５℃以下の共役ジエン重
合体ブロックからなる線状、放射状、分岐状のブロック
共重合体が含まれる。前記の芳香族ビニル炭化水素とし
ては、スチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチ
レン、ｐ−メチルスチレン、１，３−ジメチルスチレ
ン、ビニルナフタレンなどがあり、なかでもスチレンが
好ましく使用できる。
重合体（Ｄ）は、スチレン系ブロック共重合体に不飽和
カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反
応させて得られる。スチレン系ブロック共重合体は、ガ
ラス転移温度が通常２５℃以上、好ましくは５０℃以上
の芳香族ビニル炭化水素重合体ブロックとガラス転移温
度が０℃以下、好ましくは−２５℃以下の共役ジエン重
合体ブロックからなる線状、放射状、分岐状のブロック
共重合体が含まれる。前記の芳香族ビニル炭化水素とし
ては、スチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチ
レン、ｐ−メチルスチレン、１，３−ジメチルスチレ
ン、ビニルナフタレンなどがあり、なかでもスチレンが
好ましく使用できる。
【００２５】前記の共役ジエンとしては、ブタジエン
（１，３−ブタジエン）、イソプレン（２−メチル−
１，３−ブタジエン）、メチルイソプレン（２，３−ジ
メチル−１，３−ブタジエン）、１，３−ペンタジエン
などがありなかでもブタジエン、イソプレンが好ましく
使用できる。スチレン系ブロック共重合体に占めるガラ
ス相ブロックである芳香族ビニル炭化水素重合体ブロッ
クの割合は１０〜５０重量％、ゴム相ブロックである共
役ジエン重合体ブロックの割合は９０〜５０重量％が好
ましい。ガラス相ブロックとゴム相ブロックの組合せは
多数ありそのいずれでもよいが、中間のゴム相ブロック
の両端にガラス相ブロックが結合したトリブロック共重
合体が好ましい。この場合のガラス相ブロックの数平均
分子量は好ましくは３，０００〜１５０，０００、特に
好ましくは５，０００〜６０，０００である。また、ゴ
ム相ブロックの数平均分子量は好ましくは５，０００〜
３００，０００、特に好ましくは１０，０００〜１５
０，０００である。
（１，３−ブタジエン）、イソプレン（２−メチル−
１，３−ブタジエン）、メチルイソプレン（２，３−ジ
メチル−１，３−ブタジエン）、１，３−ペンタジエン
などがありなかでもブタジエン、イソプレンが好ましく
使用できる。スチレン系ブロック共重合体に占めるガラ
ス相ブロックである芳香族ビニル炭化水素重合体ブロッ
クの割合は１０〜５０重量％、ゴム相ブロックである共
役ジエン重合体ブロックの割合は９０〜５０重量％が好
ましい。ガラス相ブロックとゴム相ブロックの組合せは
多数ありそのいずれでもよいが、中間のゴム相ブロック
の両端にガラス相ブロックが結合したトリブロック共重
合体が好ましい。この場合のガラス相ブロックの数平均
分子量は好ましくは３，０００〜１５０，０００、特に
好ましくは５，０００〜６０，０００である。また、ゴ
ム相ブロックの数平均分子量は好ましくは５，０００〜
３００，０００、特に好ましくは１０，０００〜１５
０，０００である。
【００２６】スチレン系ブロック共重合体は公知のリビ
ングアニオン重合法を用いて製造できるが、特にこれに
限定されることなく、カチオン重合法、ラジカル重合法
によっても製造することができる。スチレン系ブロック
共重合体には、上記に説明したブロック共重合体の不飽
和結合の一部が水素添加により還元された、水添ブロッ
ク共重合体も含まれる。ここで、芳香族ビニル炭化水素
重合体ブロックの芳香族二重結合の２５％以下および共
役ジエン重合体ブロックの脂肪族二重結合の８０％以上
が水添されていることが好ましい。スチレン系ブロック
共重合体の好ましい具体例としては、ポリスチレン／ポ
リブタジエン／ポリスチレントリブロック共重合体（Ｓ
ＢＳ）、ポリスチレン／ポリイソプレン／ポリスチレン
トリブロック共重合体（ＳＩＳ）、ＳＢＳの水添共重合
体（ＳＥＢＳ）およびＳＩＳの水添共重合体が挙げられ
る。なかでも耐熱性の点からＳＢＳの水添共重合体（Ｓ
ＥＢＳ）およびＳＩＳの水添共重合体が特に好ましく用
いられる。
ングアニオン重合法を用いて製造できるが、特にこれに
限定されることなく、カチオン重合法、ラジカル重合法
によっても製造することができる。スチレン系ブロック
共重合体には、上記に説明したブロック共重合体の不飽
和結合の一部が水素添加により還元された、水添ブロッ
ク共重合体も含まれる。ここで、芳香族ビニル炭化水素
重合体ブロックの芳香族二重結合の２５％以下および共
役ジエン重合体ブロックの脂肪族二重結合の８０％以上
が水添されていることが好ましい。スチレン系ブロック
共重合体の好ましい具体例としては、ポリスチレン／ポ
リブタジエン／ポリスチレントリブロック共重合体（Ｓ
ＢＳ）、ポリスチレン／ポリイソプレン／ポリスチレン
トリブロック共重合体（ＳＩＳ）、ＳＢＳの水添共重合
体（ＳＥＢＳ）およびＳＩＳの水添共重合体が挙げられ
る。なかでも耐熱性の点からＳＢＳの水添共重合体（Ｓ
ＥＢＳ）およびＳＩＳの水添共重合体が特に好ましく用
いられる。
【００２７】本発明における変性スチレン系ブロック共
重合体（Ｄ）はスチレン系ブロック共重合体に不飽和カ
ルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反応
させて得られるが、通常グラフト反応により製造され
る。ここで不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メ
タクリル酸、エタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、
フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、ブテンジカルボ
ン酸が好ましく用いられる。また、その誘導体としては
アルキルエステル、グリシジルエステル、酸無水物、イ
ミドなどが好ましく用いられる。好ましい具体例として
は、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸
プロピル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸メチル、メ
タクリル酸エチル、アクリル酸グリシジル、メタクリル
酸グリシジル、エタクリル酸グリシジル、イタコン酸ジ
グリシジルエステル、シトラコン酸ジグリシジルエステ
ル、ブテンジカルボン酸ジグリシジルエステル、ブテン
ジカルボン酸モノグリシジルエステル、無水マレイン
酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、マレイン酸イ
ミド、Ｎ−フェニルマレイン酸イミド、イタコン酸イミ
ド、シトラコン酸イミドなどが挙げられ、なかでもメタ
クリ酸グリシジル、無水マレイン酸、Ｎ−フェニルマレ
イン酸イミド、マレイン酸イミドが好ましく用いられ
る。これらの不飽和カルボン酸またはその誘導体は、用
途によっては２種以上を併用してもよい。
重合体（Ｄ）はスチレン系ブロック共重合体に不飽和カ
ルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラフト反応
させて得られるが、通常グラフト反応により製造され
る。ここで不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メ
タクリル酸、エタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、
フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、ブテンジカルボ
ン酸が好ましく用いられる。また、その誘導体としては
アルキルエステル、グリシジルエステル、酸無水物、イ
ミドなどが好ましく用いられる。好ましい具体例として
は、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸
プロピル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸メチル、メ
タクリル酸エチル、アクリル酸グリシジル、メタクリル
酸グリシジル、エタクリル酸グリシジル、イタコン酸ジ
グリシジルエステル、シトラコン酸ジグリシジルエステ
ル、ブテンジカルボン酸ジグリシジルエステル、ブテン
ジカルボン酸モノグリシジルエステル、無水マレイン
酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、マレイン酸イ
ミド、Ｎ−フェニルマレイン酸イミド、イタコン酸イミ
ド、シトラコン酸イミドなどが挙げられ、なかでもメタ
クリ酸グリシジル、無水マレイン酸、Ｎ−フェニルマレ
イン酸イミド、マレイン酸イミドが好ましく用いられ
る。これらの不飽和カルボン酸またはその誘導体は、用
途によっては２種以上を併用してもよい。
【００２８】不飽和カルボン酸またはその誘導体のグラ
フト反応量は、半田耐熱性の改良の点で０．０１〜１０
重量％が好ましく、０．０５〜５重量％が特に好まし
い。なおここでいうグラフト反応とは、不飽和カルボン
酸またはその誘導体がスチレン系ブロック共重合体と化
学的に結合することを意味する。
フト反応量は、半田耐熱性の改良の点で０．０１〜１０
重量％が好ましく、０．０５〜５重量％が特に好まし
い。なおここでいうグラフト反応とは、不飽和カルボン
酸またはその誘導体がスチレン系ブロック共重合体と化
学的に結合することを意味する。
【００２９】変性スチレン系ブロック共重合体（Ｄ）は
公知の方法、例えば、スチレン系ブロック共重合体と不
飽和カルボン酸またはその誘導体を、溶融状態または溶
液状態において、ラジカル開始剤の存在下または不存在
下においてグラフト反応させることにより得られる。好
ましくは、単軸もしくは二軸の押出機、バンバリーミキ
サー、ニーダー、ロールなどの溶融混練装置を用い、１
００〜３５０℃で溶融混練して製造できる。また、溶融
混練の際にラジカル開始剤として有機過酸化物を添加す
ればより効果的にグラフト反応させることができる。有
機過酸化物としては、ベンゾイルパーオキサイド、１，
１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５
−トリメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチル−４，４−ビ
ス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）バレイト、ｔｅｒｔ
−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイ
ド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス
（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド）、ビス（ｔｅｒｔ
−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、２，５
−ジメチル−２，５−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔｅ
ｒｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ｔｅｒｔ−ブ
チルパーオキシクメンなどが挙げられる。有機過酸化物
の添加量は、スチレン系ブロック共重合体１００重量部
に対して０．００１〜１重量部が好ましい。
公知の方法、例えば、スチレン系ブロック共重合体と不
飽和カルボン酸またはその誘導体を、溶融状態または溶
液状態において、ラジカル開始剤の存在下または不存在
下においてグラフト反応させることにより得られる。好
ましくは、単軸もしくは二軸の押出機、バンバリーミキ
サー、ニーダー、ロールなどの溶融混練装置を用い、１
００〜３５０℃で溶融混練して製造できる。また、溶融
混練の際にラジカル開始剤として有機過酸化物を添加す
ればより効果的にグラフト反応させることができる。有
機過酸化物としては、ベンゾイルパーオキサイド、１，
１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５
−トリメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチル−４，４−ビ
ス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）バレイト、ｔｅｒｔ
−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイ
ド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス
（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド）、ビス（ｔｅｒｔ
−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、２，５
−ジメチル−２，５−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔｅ
ｒｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ｔｅｒｔ−ブ
チルパーオキシクメンなどが挙げられる。有機過酸化物
の添加量は、スチレン系ブロック共重合体１００重量部
に対して０．００１〜１重量部が好ましい。
【００３０】変性スチレン系ブロック共重合体（Ｄ）の
添加量は半田耐熱性の改良効果から半導体封止用エポキ
シ組成物中０．１〜１０重量％が好ましく、１〜６重量
％が特に好ましい。
添加量は半田耐熱性の改良効果から半導体封止用エポキ
シ組成物中０．１〜１０重量％が好ましく、１〜６重量
％が特に好ましい。
【００３１】また、本発明の半導体封止用エポキシ組成
物にはスチレン系ブロック共重合体を添加することがで
きる。その添加量は１０重量％以下が好ましい。また、
変性スチレン系ブロック共重合体（Ｄ）およびスチレン
系ブロック共重合体はあらかじめ粉砕、架橋その他の方
法により粉末化して用いてもよい。変性スチレン系ブロ
ック共重合体（Ｄ）およびスチレン系ブロック共重合体
の配合は任意の手順を用いることができる。例えば、あ
らかじめエポキシ樹脂（Ａ）または硬化剤（Ｂ）と溶融
混合した後その他の成分を配合する方法、エポキシ樹脂
（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填剤（Ｃ）およびその他の成
分と同時に配合する方法などが挙げられる。
物にはスチレン系ブロック共重合体を添加することがで
きる。その添加量は１０重量％以下が好ましい。また、
変性スチレン系ブロック共重合体（Ｄ）およびスチレン
系ブロック共重合体はあらかじめ粉砕、架橋その他の方
法により粉末化して用いてもよい。変性スチレン系ブロ
ック共重合体（Ｄ）およびスチレン系ブロック共重合体
の配合は任意の手順を用いることができる。例えば、あ
らかじめエポキシ樹脂（Ａ）または硬化剤（Ｂ）と溶融
混合した後その他の成分を配合する方法、エポキシ樹脂
（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填剤（Ｃ）およびその他の成
分と同時に配合する方法などが挙げられる。
【００３２】本発明におけるハイドロタルサイト系化合
物（Ｅ）は、下記式(I) または(II)示される複合金属化
合物である。
物（Ｅ）は、下記式(I) または(II)示される複合金属化
合物である。
【００３３】 Ｍｇx Ａｌy （ＯＨ）2x+3y-nzＡz ・ｍＨ2 Ｏ………(I) Ｍｇx Ａｌy Ｏ(2x+3y)/2 ………(II) （ただし、Ａはｎ価の陰イオンＡn-を生成しうる官能
基、ｎは１〜３の整数、ｘ、ｙおよびｚは０＜ｙ／ｘ≦
１、０≦ｚ／ｙ＜１．５の関係にある０または正の数、
ｍは０または正の数を示す。）上記式(I) において、官
能基Ａから生成しうるｎ価の陰イオンＡn-の好ましい具
体例としては、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、
ＨＣＯ3 −、ＣＨ3 ＣＯＯ−、ＨＣＯＯ−、ＣＯ3 2-、
ＳＯ4 2-、（ＣＯＯ−）2 、酒石酸イオン［ＣＨ（Ｏ
Ｈ）ＣＯＯ−］2 、クエン酸イオン［Ｃ（ＯＨ）ＣＯＯ
−］（ＣＨ2 ＣＯＯ−）2 、サリチル酸イオンＣ6 Ｈ4
（ＯＨ）ＣＯＯ−などが挙げられる。なかでも、ＣＯ3
2-が特に好ましい。
基、ｎは１〜３の整数、ｘ、ｙおよびｚは０＜ｙ／ｘ≦
１、０≦ｚ／ｙ＜１．５の関係にある０または正の数、
ｍは０または正の数を示す。）上記式(I) において、官
能基Ａから生成しうるｎ価の陰イオンＡn-の好ましい具
体例としては、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、
ＨＣＯ3 −、ＣＨ3 ＣＯＯ−、ＨＣＯＯ−、ＣＯ3 2-、
ＳＯ4 2-、（ＣＯＯ−）2 、酒石酸イオン［ＣＨ（Ｏ
Ｈ）ＣＯＯ−］2 、クエン酸イオン［Ｃ（ＯＨ）ＣＯＯ
−］（ＣＨ2 ＣＯＯ−）2 、サリチル酸イオンＣ6 Ｈ4
（ＯＨ）ＣＯＯ−などが挙げられる。なかでも、ＣＯ3
2-が特に好ましい。
【００３４】上記式(II)で表されるハイドロタルサイト
系化合物（Ｅ）は、例えば上記式(I）で表されるハイド
ロタルサイト系化合物（Ｅ）を、４００〜９００℃で焼
成処理することにより製造される。
系化合物（Ｅ）は、例えば上記式(I）で表されるハイド
ロタルサイト系化合物（Ｅ）を、４００〜９００℃で焼
成処理することにより製造される。
【００３５】ハイドロタルサイト系化合物（Ｅ）の好ま
しい具体例として、Ｍｇ4.5 Ａｌ2（ＯＨ）13ＣＯ3 ・
３．５Ｈ2 Ｏ、Ｍｇ4.5 Ａｌ2 （ＯＨ）13ＣＯ3 、Ｍｇ
5 Ａｌ1.5 （ＯＨ）13ＣＯ3 ・３．５Ｈ2 Ｏ、Ｍｇ5 Ａ
ｌ1.5 （ＯＨ）13ＣＯ3 、Ｍｇ6 Ａｌ2 （ＯＨ）16ＣＯ
3 ・４Ｈ2 Ｏ、Ｍｇ6 Ａｌ2 （ＯＨ）16ＣＯ3 、Ｍｇ
0.65Ａｌ0.35Ｏ1.175 、Ｍｇ0.7 Ａｌ0.3 Ｏ1.15、Ｍｇ
0.75Ａｌ0.25Ｏ1.125 、Ｍｇ0.8 Ａｌ0.2 Ｏ1.1 などが
挙げられる。
しい具体例として、Ｍｇ4.5 Ａｌ2（ＯＨ）13ＣＯ3 ・
３．５Ｈ2 Ｏ、Ｍｇ4.5 Ａｌ2 （ＯＨ）13ＣＯ3 、Ｍｇ
5 Ａｌ1.5 （ＯＨ）13ＣＯ3 ・３．５Ｈ2 Ｏ、Ｍｇ5 Ａ
ｌ1.5 （ＯＨ）13ＣＯ3 、Ｍｇ6 Ａｌ2 （ＯＨ）16ＣＯ
3 ・４Ｈ2 Ｏ、Ｍｇ6 Ａｌ2 （ＯＨ）16ＣＯ3 、Ｍｇ
0.65Ａｌ0.35Ｏ1.175 、Ｍｇ0.7 Ａｌ0.3 Ｏ1.15、Ｍｇ
0.75Ａｌ0.25Ｏ1.125 、Ｍｇ0.8 Ａｌ0.2 Ｏ1.1 などが
挙げられる。
【００３６】本発明においてハイドロタルサイト系化合
物（Ｅ）の添加量は全体の０．０１〜１０重量％、好ま
しくは０．０２〜５重量％、特に好ましくは０．０５〜
２重量％である。添加量が０．０１重量％未満では高温
信頼性の向上効果が不十分であり、１０重量％を越える
と半田耐熱性が低下する。
物（Ｅ）の添加量は全体の０．０１〜１０重量％、好ま
しくは０．０２〜５重量％、特に好ましくは０．０５〜
２重量％である。添加量が０．０１重量％未満では高温
信頼性の向上効果が不十分であり、１０重量％を越える
と半田耐熱性が低下する。
【００３７】本発明においては、四酸化アンチモン
（Ｆ）を添加することが高温信頼性の点で好ましい。四
酸化アンチモン（Ｆ）の添加量は、全体の０．１〜１０
重量％が高温信頼性の点で好ましい。特に好ましくは、
０．２〜４重量％である。
（Ｆ）を添加することが高温信頼性の点で好ましい。四
酸化アンチモン（Ｆ）の添加量は、全体の０．１〜１０
重量％が高温信頼性の点で好ましい。特に好ましくは、
０．２〜４重量％である。
【００３８】本発明において、充填剤（Ｃ）をシランカ
ップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップ
リング剤であらかじめ表面処理することが、信頼性の点
で好ましい。カップリング剤としてエポキシシラン、ア
ミノシラン、メルカプトシランなどのシランカップリン
グ剤が好ましく用いられる。
ップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップ
リング剤であらかじめ表面処理することが、信頼性の点
で好ましい。カップリング剤としてエポキシシラン、ア
ミノシラン、メルカプトシランなどのシランカップリン
グ剤が好ましく用いられる。
【００３９】他に、ハロゲン化エポキシ樹脂などのハロ
ゲン化合物、またはリン化合物などの難燃化剤、三酸化
アンチモンなどの難燃助剤、カーボンブラック、酸化鉄
などの着色剤、シリコーンゴム、変性ニトリルゴム、変
性ポリブタジエンゴム、ポリエチレンなどの熱可塑性樹
脂、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエ
ステル、長鎖脂肪酸のアミド、パラフィンワックス、シ
リコーンオイルなどの離型剤および有機化酸化物などの
架橋剤を任意に添加することができる。
ゲン化合物、またはリン化合物などの難燃化剤、三酸化
アンチモンなどの難燃助剤、カーボンブラック、酸化鉄
などの着色剤、シリコーンゴム、変性ニトリルゴム、変
性ポリブタジエンゴム、ポリエチレンなどの熱可塑性樹
脂、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエ
ステル、長鎖脂肪酸のアミド、パラフィンワックス、シ
リコーンオイルなどの離型剤および有機化酸化物などの
架橋剤を任意に添加することができる。
【００４０】本発明の半導体封止用エポキシ組成物は溶
融混練することが好ましく、例えばバンバリーミキサ
ー、ニーダー、ロール、単軸もしくは２軸の押出機およ
びコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練す
ることにより製造される。
融混練することが好ましく、例えばバンバリーミキサ
ー、ニーダー、ロール、単軸もしくは２軸の押出機およ
びコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練す
ることにより製造される。
【００４１】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００４２】実施例１〜１１、比較例１〜８ 表１および表２に示した配合成分原料を表３に示す組成
でミキサーによってドライブレンドした。これを、バレ
ル温度９０℃の２軸押出機を用いて溶融混練後、冷却、
粉砕してエポキシ組成物を製造した。この組成物の物性
を次の方法によって測定した。
でミキサーによってドライブレンドした。これを、バレ
ル温度９０℃の２軸押出機を用いて溶融混練後、冷却、
粉砕してエポキシ組成物を製造した。この組成物の物性
を次の方法によって測定した。
【００４３】成形は、低圧トランスファー成形法により
１７５℃×２分の条件で成形し、１８０℃×５時間の条
件でポストキュアーした。
１７５℃×２分の条件で成形し、１８０℃×５時間の条
件でポストキュアーした。
【００４４】ばり（レジンフラッシュ）：フラッシュ測
定金型を用いて金型間の隙間０μｍでの透明バリ（レジ
ンフラッシュ）の長さを測定。
定金型を用いて金型間の隙間０μｍでの透明バリ（レジ
ンフラッシュ）の長さを測定。
【００４５】半田耐熱性：４４ｐｉｎＱＦＰを成形し、
８５℃８５％ＲＨで加湿後２６０℃に加熱した半田浴に
１０秒間浸漬し、超音波探傷機を用いてチップと樹脂の
界面の剥離の有無を調べ故障率として、剥離の発生した
ＱＦＰの割合を求めた。
８５℃８５％ＲＨで加湿後２６０℃に加熱した半田浴に
１０秒間浸漬し、超音波探傷機を用いてチップと樹脂の
界面の剥離の有無を調べ故障率として、剥離の発生した
ＱＦＰの割合を求めた。
【００４６】耐湿信頼性（ＰＣＢＴ）：模擬素子を搭載
した８０ｐｉｎＱＦＰを用いて１２５℃／８５％ＲＨ、
バイアス電圧１０ＶでＵＳＰＣＢＴを行い、累積故障率
５０％になる時間を求め寿命とした。
した８０ｐｉｎＱＦＰを用いて１２５℃／８５％ＲＨ、
バイアス電圧１０ＶでＵＳＰＣＢＴを行い、累積故障率
５０％になる時間を求め寿命とした。
【００４７】高温信頼性：半田耐熱性評価後の６４ｐｉ
ｎＱＦＰを用い、１７５℃で高温信頼性を評価し、累積
故障率５０％になる時間を求め高温寿命とした。
ｎＱＦＰを用い、１７５℃で高温信頼性を評価し、累積
故障率５０％になる時間を求め高温寿命とした。
【００４８】以上の評価結果を表４に示した。
【００４９】
【表１】
【００５０】
【表２】
【００５１】
【表３】
【００５２】
【表４】
【００５３】変性スチレン系ブロックコポリマーを含有
する実施例１〜１１と比較例１、６の成形性（レジンフ
ラッシュ）、半田耐熱性が優れていることがわかる。
する実施例１〜１１と比較例１、６の成形性（レジンフ
ラッシュ）、半田耐熱性が優れていることがわかる。
【００５４】また、ハイドロタルサイト系化合物とアン
チモン化合物を含有した系の耐湿、高温信頼性が優れて
いることが分かる。特に、アンチモン化合物に四酸化ア
ンチモンを選んだ系は顕著に優れていることがわかる。
チモン化合物を含有した系の耐湿、高温信頼性が優れて
いることが分かる。特に、アンチモン化合物に四酸化ア
ンチモンを選んだ系は顕著に優れていることがわかる。
【００５５】
【発明の効果】本発明による半導体封止用エポキシ組成
物は、成形性、半田耐熱性に優れ、高温、耐湿信頼性に
も優れることから工業的に有用である。
物は、成形性、半田耐熱性に優れ、高温、耐湿信頼性に
も優れることから工業的に有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 53/00 ＬＬＺ 7142−4Ｊ 63/00 ＮＪＮ 8830−4Ｊ
Claims (2)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充
填剤（Ｃ）、変性スチレン系ブロック共重合体（Ｄ）お
よびハイドロタルサイト系化合物（Ｅ）を必須成分とし
て含有してなる樹脂組成物であって、変性スチレン系ブ
ロック共重合体（Ｄ）がスチレン系ブロック共重合体に
不飽和カルボン酸またはその誘導体を共重合またはグラ
フト反応させたものであり、ハイドロタルサイト系化合
物（Ｅ）を０．０１〜１０重量％含有することを特徴と
する半導体封止用エポキシ組成物。 - 【請求項２】 さらに四酸化アンチモン（Ｆ）を含有す
る請求項１記載の半導体封止用エポキシ組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04190396A JP3116577B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体封止用エポキシ組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04190396A JP3116577B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体封止用エポキシ組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637212A true JPH0637212A (ja) | 1994-02-10 |
| JP3116577B2 JP3116577B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=16257463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04190396A Expired - Lifetime JP3116577B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 半導体封止用エポキシ組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3116577B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5651926A (en) * | 1994-11-08 | 1997-07-29 | Teijin Limited | Method for preventing emission of fluorescence from polyalkylenenaphthalene-2,6-dicarboxylate |
| NL1006743C2 (nl) * | 1997-08-08 | 1999-02-09 | Tno | Nanocomposiet-materiaal. |
| US6365661B1 (en) | 1998-01-09 | 2002-04-02 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast | Nanocomposite material |
| JP2002512278A (ja) * | 1998-04-22 | 2002-04-23 | マルチコア ソルダーズ リミテッド | フラックス特性を有する接着性封止材料 |
| EP1186343A4 (en) * | 2000-03-14 | 2004-11-17 | Kyowa Chem Ind Co Ltd | ADSORBENT FOR AROMATIC HYDROXO COMPOUNDS AND THEIR USE |
| US7514490B2 (en) | 1997-08-08 | 2009-04-07 | Nederlandse Oganisatie Voor Toegepastnatuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Nanocomposite material |
| JP2009275114A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物及びそれを含む被膜形成材料 |
| WO2013108731A1 (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | 味の素株式会社 | 封止用樹脂組成物 |
| JP6043433B2 (ja) * | 2014-06-11 | 2016-12-14 | 積水化学工業株式会社 | 電子部品用接着剤、及び、表示素子用接着剤 |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP04190396A patent/JP3116577B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6579927B1 (en) | 1997-08-08 | 2003-06-17 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Nanocomposite material |
| US6812272B2 (en) | 1997-08-08 | 2004-11-02 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Nanocomposite material |
| US6365661B1 (en) | 1998-01-09 | 2002-04-02 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast | Nanocomposite material |
| US6372837B1 (en) | 1998-01-09 | 2002-04-16 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast Natuurweten Schappelijk Onderzoek Tno | Nanocomposite material |
| JP4879394B2 (ja) * | 1998-04-22 | 2012-02-22 | マルチコア ソルダーズ リミテッド | フラックス特性を有する接着性封止材料 |
| JP2002512278A (ja) * | 1998-04-22 | 2002-04-23 | マルチコア ソルダーズ リミテッド | フラックス特性を有する接着性封止材料 |
| EP1186343A4 (en) * | 2000-03-14 | 2004-11-17 | Kyowa Chem Ind Co Ltd | ADSORBENT FOR AROMATIC HYDROXO COMPOUNDS AND THEIR USE |
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| US9676978B2 (en) | 2012-01-16 | 2017-06-13 | Ajinomoto Co., Ltd. | Resin composition for sealing |
| JP6043433B2 (ja) * | 2014-06-11 | 2016-12-14 | 積水化学工業株式会社 | 電子部品用接着剤、及び、表示素子用接着剤 |
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