JPH0636371A - 光磁気ディスクの製造方法および光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクの製造方法および光磁気ディスクInfo
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- JPH0636371A JPH0636371A JP21218192A JP21218192A JPH0636371A JP H0636371 A JPH0636371 A JP H0636371A JP 21218192 A JP21218192 A JP 21218192A JP 21218192 A JP21218192 A JP 21218192A JP H0636371 A JPH0636371 A JP H0636371A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低パワーで記録可能な光磁気ディスクを提供
する。 【構成】 Ｒ（Ｒは、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒお
よびＣｅから選択される少なくとも１種の元素であ
る）、ＦｅおよびＣｏを含有する垂直磁化膜の記録層を
スパッタ法により形成する際の雰囲気中に、Ａｒガス
と、酸素ガスおよび／または窒素ガスとを含有させ、前
記雰囲気中において、酸素ガス分圧と窒素ガス分圧の合
計を５．０×１０-5〜５．０×１０-4Paとして、最適記
録パワーを低下させる。
する。 【構成】 Ｒ（Ｒは、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒお
よびＣｅから選択される少なくとも１種の元素であ
る）、ＦｅおよびＣｏを含有する垂直磁化膜の記録層を
スパッタ法により形成する際の雰囲気中に、Ａｒガス
と、酸素ガスおよび／または窒素ガスとを含有させ、前
記雰囲気中において、酸素ガス分圧と窒素ガス分圧の合
計を５．０×１０-5〜５．０×１０-4Paとして、最適記
録パワーを低下させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクの製造
方法および光磁気ディスクに関する。
方法および光磁気ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】大容量情報担持媒体として光ディスクが
注目されている。このなかには、磁界変調方式の光磁気
ディスクがあり、データファイル等への応用が期待され
ている。磁界変調方式では、光ヘッドからレーザー光を
ディスクの記録層にＤＣ的に照射してその温度を上昇さ
せておき、これと同時に、変調された磁界を光ヘッドの
反対側に配置した磁気ヘッドから記録層に印加し、記録
を行なう。従って、この方式ではオーバーライト記録が
可能である。
注目されている。このなかには、磁界変調方式の光磁気
ディスクがあり、データファイル等への応用が期待され
ている。磁界変調方式では、光ヘッドからレーザー光を
ディスクの記録層にＤＣ的に照射してその温度を上昇さ
せておき、これと同時に、変調された磁界を光ヘッドの
反対側に配置した磁気ヘッドから記録層に印加し、記録
を行なう。従って、この方式ではオーバーライト記録が
可能である。
【０００３】最近、コンパクトディスク（ＣＤ）と同等
（１．２〜１．４m/s ）の低い線速度で記録・再生が可
能な磁界変調方式の光磁気ディスクが注目されている。
この光磁気ディスクは、ＣＤに準じた規格の再生専用光
ディスクと、駆動装置を共用することが可能である。こ
の光磁気ディスクの駆動装置は携帯型としての用途も考
えられているが、この場合、消費電力を抑えることが要
求される。磁界変調型の光磁気ディスクでは記録レーザ
ーが一定の強度で照射されているため、一般に消費電力
が多くなるので、低パワーで記録可能なディスクとする
ことが望まれる。そして、低パワーで記録可能であれ
ば、レーザー発振用半導体の負担も少なくなり、長寿命
とすることができる。
（１．２〜１．４m/s ）の低い線速度で記録・再生が可
能な磁界変調方式の光磁気ディスクが注目されている。
この光磁気ディスクは、ＣＤに準じた規格の再生専用光
ディスクと、駆動装置を共用することが可能である。こ
の光磁気ディスクの駆動装置は携帯型としての用途も考
えられているが、この場合、消費電力を抑えることが要
求される。磁界変調型の光磁気ディスクでは記録レーザ
ーが一定の強度で照射されているため、一般に消費電力
が多くなるので、低パワーで記録可能なディスクとする
ことが望まれる。そして、低パワーで記録可能であれ
ば、レーザー発振用半導体の負担も少なくなり、長寿命
とすることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、低パワーで
記録可能な光磁気ディスクを提供することを目的とす
る。
記録可能な光磁気ディスクを提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（８）の本発明により達成される。
（１）〜（８）の本発明により達成される。
【０００６】（１）Ｒ（Ｒは、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、ＰｒおよびＣｅから選択される少なくとも１種の元
素である）、ＦｅおよびＣｏを含有する垂直磁化膜の記
録層を有する光磁気ディスクを製造する方法であって、
前記記録層をスパッタ法により形成する際の雰囲気中
に、Ａｒガスと、酸素ガスおよび／または窒素ガスとを
含有させ、前記雰囲気中において、酸素ガス分圧と窒素
ガス分圧の合計を５．０×１０-5〜５．０×１０-4Paと
して、最適記録パワーを低下させることを特徴とする光
磁気ディスクの製造方法。
ｍ、ＰｒおよびＣｅから選択される少なくとも１種の元
素である）、ＦｅおよびＣｏを含有する垂直磁化膜の記
録層を有する光磁気ディスクを製造する方法であって、
前記記録層をスパッタ法により形成する際の雰囲気中
に、Ａｒガスと、酸素ガスおよび／または窒素ガスとを
含有させ、前記雰囲気中において、酸素ガス分圧と窒素
ガス分圧の合計を５．０×１０-5〜５．０×１０-4Paと
して、最適記録パワーを低下させることを特徴とする光
磁気ディスクの製造方法。
【０００７】（２）前記雰囲気が、Ａｒガスと、窒素ガ
スまたは窒素ガスおよび酸素ガスとを含有する上記
（１）の光磁気ディスクの製造方法。
スまたは窒素ガスおよび酸素ガスとを含有する上記
（１）の光磁気ディスクの製造方法。
【０００８】（３）前記雰囲気中におけるＡｒガスの分
圧が０．０５〜２．０Paである上記（１）または（２）
の光磁気ディスクの製造方法。
圧が０．０５〜２．０Paである上記（１）または（２）
の光磁気ディスクの製造方法。
【０００９】（４）上記（１）ないし（３）のいずれか
の光磁気ディスクの製造方法により製造され、記録層中
に酸素および／または窒素を含有することを特徴とする
光磁気ディスク。
の光磁気ディスクの製造方法により製造され、記録層中
に酸素および／または窒素を含有することを特徴とする
光磁気ディスク。
【００１０】（５）最適記録パワーが２〜５mWである上
記（４）の光磁気ディスク。
記（４）の光磁気ディスク。
【００１１】（６）記録パワーマージンが２０％以上で
ある上記（４）または（５）の光磁気ディスク。
ある上記（４）または（５）の光磁気ディスク。
【００１２】（７）磁界変調方式の光磁気記録に用いら
れる上記（４）ないし（６）のいずれかの光磁気ディス
ク。
れる上記（４）ないし（６）のいずれかの光磁気ディス
ク。
【００１３】（８）１．２〜１．４m/s の範囲の線速度
で記録が行なわれる上記（４）ないし（７）のいずれか
の光磁気ディスク。
で記録が行なわれる上記（４）ないし（７）のいずれか
の光磁気ディスク。
【００１４】
【作用および効果】本発明の光磁気ディスクは、希土類
元素および遷移元素を含有する垂直磁化膜の記録層を有
する。本発明ではこの記録層を、上記分圧の窒素ガスや
酸素ガスが存在する雰囲気中でスパッタ法により形成す
る。
元素および遷移元素を含有する垂直磁化膜の記録層を有
する。本発明ではこの記録層を、上記分圧の窒素ガスや
酸素ガスが存在する雰囲気中でスパッタ法により形成す
る。
【００１５】このようにして微量の窒素や酸素が混入さ
れた記録層では、最適記録パワーＰ0 を低くすることが
できる。なお、最適記録パワーＰ0 は、ジッター量に基
づいて定められる。図２に示されるように、ジッター量
は記録パワーが小さすぎても大きすぎても増加するの
で、記録パワーをある範囲とすることにより、ジッター
量を一定値以下とすることができる。最適記録パワーＰ
0 は、図２においてジッターのスライスレベルＪ0 に対
応する記録パワーＰmax およびＰmin の中間点であり、
Ｐ0 ＝（Ｐmax ＋Ｐmin ）／２で表わされる。なお、こ
のとき、（Ｐmax−Ｐmin ）／Ｐ0 を、一般に記録パワ
ーマージンという。そして本発明の光磁気ディスクで
は、例えば、光学ヘッドに対する線速度を１．２〜１．
４m/s とし、記録層面における磁界強度を２００ Oe と
し、ＥＦＭ変調の３Ｔ信号のジッター量のスライスレベ
ルを５０nsとしたときに、最適記録パワーＰ0 を５．０
mW以下、特に４．５mW以下、さらには、４．０mW以下と
することができる。
れた記録層では、最適記録パワーＰ0 を低くすることが
できる。なお、最適記録パワーＰ0 は、ジッター量に基
づいて定められる。図２に示されるように、ジッター量
は記録パワーが小さすぎても大きすぎても増加するの
で、記録パワーをある範囲とすることにより、ジッター
量を一定値以下とすることができる。最適記録パワーＰ
0 は、図２においてジッターのスライスレベルＪ0 に対
応する記録パワーＰmax およびＰmin の中間点であり、
Ｐ0 ＝（Ｐmax ＋Ｐmin ）／２で表わされる。なお、こ
のとき、（Ｐmax−Ｐmin ）／Ｐ0 を、一般に記録パワ
ーマージンという。そして本発明の光磁気ディスクで
は、例えば、光学ヘッドに対する線速度を１．２〜１．
４m/s とし、記録層面における磁界強度を２００ Oe と
し、ＥＦＭ変調の３Ｔ信号のジッター量のスライスレベ
ルを５０nsとしたときに、最適記録パワーＰ0 を５．０
mW以下、特に４．５mW以下、さらには、４．０mW以下と
することができる。
【００１６】本発明の光磁気ディスクは、最適記録パワ
ーＰ0 を小さくできるので、駆動装置の消費電力を少な
くすることができ、また、レーザー発振用半導体の寿命
を長くすることができる。
ーＰ0 を小さくできるので、駆動装置の消費電力を少な
くすることができ、また、レーザー発振用半導体の寿命
を長くすることができる。
【００１７】ところで、特開平４−６７３３４号公報に
は、光磁気記録層に０．４５〜７原子％の酸素原子を含
有させた光磁気記録素子が開示されているが、同公報に
は光磁気記録層形成時の酸素分圧は開示されておらず、
また、光磁気記録層に窒素を含有させる旨の開示はな
い。さらに、同公報記載の光磁気記録層はＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏ系の組成であり、本発明における組成とは異なる。
は、光磁気記録層に０．４５〜７原子％の酸素原子を含
有させた光磁気記録素子が開示されているが、同公報に
は光磁気記録層形成時の酸素分圧は開示されておらず、
また、光磁気記録層に窒素を含有させる旨の開示はな
い。さらに、同公報記載の光磁気記録層はＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏ系の組成であり、本発明における組成とは異なる。
【００１８】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１９】図１に、本発明の光磁気ディスクの一実施
例を示す。同図において、光磁気ディスク１は、基板２
表面上に、保護層４、記録層５、保護層６、反射層７お
よび保護コート８を有する。
例を示す。同図において、光磁気ディスク１は、基板２
表面上に、保護層４、記録層５、保護層６、反射層７お
よび保護コート８を有する。
【００２０】本発明の光磁気ディスクに対し記録および
再生を行なう際には、光学ヘッドは基板２の裏面側（図
中下側）に位置し、基板を通してレーザー光が照射され
るので、基板には、ガラスや、ポリカーボネート、アク
リル樹脂、非晶質ポリオレフィン、スチレン系樹脂等の
透明樹脂が用いられる。
再生を行なう際には、光学ヘッドは基板２の裏面側（図
中下側）に位置し、基板を通してレーザー光が照射され
るので、基板には、ガラスや、ポリカーボネート、アク
リル樹脂、非晶質ポリオレフィン、スチレン系樹脂等の
透明樹脂が用いられる。
【００２１】保護層４および保護層６は、Ｃ／Ｎの向上
および記録層の腐食防止作用を有し、層厚は１０〜１５
０nm程度とされる。これら保護層は少なくとも一方、好
ましくは両方設けられることが望ましい。これらの保護
層は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物あるいはこ
れらの混合物（ＬａＳｉＯＮ等）からなる誘電体物質か
ら構成されることが好ましく、スパッタ、蒸着、イオン
プレーティング等の各種気相成膜法により形成されるこ
とが好ましい。
および記録層の腐食防止作用を有し、層厚は１０〜１５
０nm程度とされる。これら保護層は少なくとも一方、好
ましくは両方設けられることが望ましい。これらの保護
層は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物あるいはこ
れらの混合物（ＬａＳｉＯＮ等）からなる誘電体物質か
ら構成されることが好ましく、スパッタ、蒸着、イオン
プレーティング等の各種気相成膜法により形成されるこ
とが好ましい。
【００２２】記録層５には、変調された熱ビームあるい
は変調された磁界により情報が磁気的に記録され、記録
情報は磁気−光変換して再生される。本発明の光磁気デ
ィスクは、通常、磁界変調方式に適用される。
は変調された磁界により情報が磁気的に記録され、記録
情報は磁気−光変換して再生される。本発明の光磁気デ
ィスクは、通常、磁界変調方式に適用される。
【００２３】記録層５は、希土類元素および遷移元素を
含有し、光磁気記録が可能な垂直磁化膜である。本発明
では、Ｒ（Ｒは、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒおよび
Ｃｅから選択される少なくとも１種の元素である）、Ｆ
ｅおよびＣｏを主成分として含有する記録層に、酸素お
よび／または窒素を含有させる。前記主成分組成を選択
することにより、最適記録パワーを効果的に低下させる
ことができる。
含有し、光磁気記録が可能な垂直磁化膜である。本発明
では、Ｒ（Ｒは、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒおよび
Ｃｅから選択される少なくとも１種の元素である）、Ｆ
ｅおよびＣｏを主成分として含有する記録層に、酸素お
よび／または窒素を含有させる。前記主成分組成を選択
することにより、最適記録パワーを効果的に低下させる
ことができる。
【００２４】各元素の具体的含有量は、要求されるキュ
リー温度、保磁力、再生特性等に応じて適宜決定すれば
よいが、原子比組成をＲA ＦｅB ＣｏC としたとき、通
常、 １０≦Ａ≦３５、 ５５≦Ｂ≦７０、 ３≦Ｃ≦１５ Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１００ であることが好ましい。また、これらの元素に加え、さ
らにＣｒやＴｉ等の各種元素が必要に応じて添加されて
いてもよい。記録層中におけるこれらの添加元素の含有
量は、１２原子％以下とすることが好ましい。具体的組
成としては、例えば、ＴｂＦｅＣｏや、ＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等が挙げられ
る。
リー温度、保磁力、再生特性等に応じて適宜決定すれば
よいが、原子比組成をＲA ＦｅB ＣｏC としたとき、通
常、 １０≦Ａ≦３５、 ５５≦Ｂ≦７０、 ３≦Ｃ≦１５ Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１００ であることが好ましい。また、これらの元素に加え、さ
らにＣｒやＴｉ等の各種元素が必要に応じて添加されて
いてもよい。記録層中におけるこれらの添加元素の含有
量は、１２原子％以下とすることが好ましい。具体的組
成としては、例えば、ＴｂＦｅＣｏや、ＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等が挙げられ
る。
【００２５】記録層５の層厚は、通常、１０〜１００nm
程度とする。
程度とする。
【００２６】本発明では、記録層５を、Ａｒガスと、酸
素ガスおよび／または窒素ガスとを含有する雰囲気中で
スパッタ法により形成する。スパッタ雰囲気中における
酸素ガス分圧と窒素ガス分圧の合計は、５．０×１０-5
〜５．０×１０-4、好ましくは１．０×１０-4〜４．５
×１０-4Paとする。分圧の合計が前記範囲未満であると
本発明の効果が不十分であり、前記範囲を超えていると
記録パワーマージンが狭くなってしまい、また、Ｐ0 が
小さくなりすぎて、再生用レーザー光により記録状態が
変化する恐れが生じる。なお、本発明では、Ｐ0 を２mW
以上、特に２．５mW以上とすることができ、また、５．
０mW以下、特に４．５mW以下、さらには、４．０mW以下
とすることができる。そして、記録パワーマージンは、
２０％以上とすることができる。
素ガスおよび／または窒素ガスとを含有する雰囲気中で
スパッタ法により形成する。スパッタ雰囲気中における
酸素ガス分圧と窒素ガス分圧の合計は、５．０×１０-5
〜５．０×１０-4、好ましくは１．０×１０-4〜４．５
×１０-4Paとする。分圧の合計が前記範囲未満であると
本発明の効果が不十分であり、前記範囲を超えていると
記録パワーマージンが狭くなってしまい、また、Ｐ0 が
小さくなりすぎて、再生用レーザー光により記録状態が
変化する恐れが生じる。なお、本発明では、Ｐ0 を２mW
以上、特に２．５mW以上とすることができ、また、５．
０mW以下、特に４．５mW以下、さらには、４．０mW以下
とすることができる。そして、記録パワーマージンは、
２０％以上とすることができる。
【００２７】窒素分圧と酸素分圧との比率は特に限定さ
れず、窒素ガスだけでも酸素ガスだけでもよいが、信頼
性の点から窒素ガスを必須とすることが好ましい。酸素
分圧／窒素分圧≦０．３０、特に窒素ガス１００％とす
ることにより、記録層の信頼性は著しく向上する。
れず、窒素ガスだけでも酸素ガスだけでもよいが、信頼
性の点から窒素ガスを必須とすることが好ましい。酸素
分圧／窒素分圧≦０．３０、特に窒素ガス１００％とす
ることにより、記録層の信頼性は著しく向上する。
【００２８】スパッタ雰囲気中におけるＡｒガスの分圧
は、好ましくは０．０５〜２．０Pa、より好ましくは
０．０５〜１．０Pa、さらに好ましくは０．０５〜０．
３Paとする。Ａｒガス分圧が上記範囲未満であると、記
録層形成中にスパッタターゲットと真空槽との間の放電
が不安定となり、正常な記録層を形成することが困難と
なる。また、Ａｒガスの分圧が上記範囲を超えている
と、ジッターやＣ／Ｎなどの特性が低くなる傾向にあ
り、信頼性にも悪影響を与えることがある。
は、好ましくは０．０５〜２．０Pa、より好ましくは
０．０５〜１．０Pa、さらに好ましくは０．０５〜０．
３Paとする。Ａｒガス分圧が上記範囲未満であると、記
録層形成中にスパッタターゲットと真空槽との間の放電
が不安定となり、正常な記録層を形成することが困難と
なる。また、Ａｒガスの分圧が上記範囲を超えている
と、ジッターやＣ／Ｎなどの特性が低くなる傾向にあ
り、信頼性にも悪影響を与えることがある。
【００２９】窒素ガスや酸素ガスは、Ａｒガスとは別に
真空槽内に導入してもよく、Ａｒガスと混合された状態
で導入してもよい。
真空槽内に導入してもよく、Ａｒガスと混合された状態
で導入してもよい。
【００３０】また、窒素や酸素を含有させたターゲット
を用いて、スパッタ時にターゲット中の窒素や酸素がガ
ス化して前記雰囲気が形成されるようにしてもよい。
を用いて、スパッタ時にターゲット中の窒素や酸素がガ
ス化して前記雰囲気が形成されるようにしてもよい。
【００３１】なお、記録層形成前に、スパッタ用の真空
槽内を５．０×１０-6Pa以下まで減圧しておくことが好
ましい。
槽内を５．０×１０-6Pa以下まで減圧しておくことが好
ましい。
【００３２】記録層中に窒素や酸素が含有されているこ
とは、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）や蛍光Ｘ線分析
（ＸＲＦ）等により確認することができる。なお、記録
層中の窒素や酸素の含有量は、記録層が垂直磁化膜の状
態を保つ程度に微量である。
とは、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）や蛍光Ｘ線分析
（ＸＲＦ）等により確認することができる。なお、記録
層中の窒素や酸素の含有量は、記録層が垂直磁化膜の状
態を保つ程度に微量である。
【００３３】反射層７は必要に応じて設けられる。反射
層７を構成する材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ等の比較的高反射率の金属、ある
いはこれらの合金、あるいはこれらの化合物であってよ
い。反射層７は、記録層５と同様にして設層すればよ
い。反射層７の層厚は３０〜２００nm程度とすることが
好ましい。
層７を構成する材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ等の比較的高反射率の金属、ある
いはこれらの合金、あるいはこれらの化合物であってよ
い。反射層７は、記録層５と同様にして設層すればよ
い。反射層７の層厚は３０〜２００nm程度とすることが
好ましい。
【００３４】保護コート８は、反射層７までのスパッタ
積層膜の保護のために設けられる樹脂膜である。
積層膜の保護のために設けられる樹脂膜である。
【００３５】保護コート８を構成する樹脂は、放射線硬
化樹脂であることが好ましい。具体的には、放射線硬化
型化合物やその重合用組成物を放射線硬化させた物質か
ら構成されることが好ましい。このようなものとして
は、イオン化エネルギーに感応し、ラジカル重合性を示
す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタクリル酸、
あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系二
重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結
合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和二重結合
等の放射線照射による架橋あるいは重合する基を分子中
に含有または導入したモノマー、オリゴマーおよびポリ
マー等を挙げることができる。これらは多官能、特に３
官能以上であることが好ましく、１種のみ用いても２種
以上併用してもよい。
化樹脂であることが好ましい。具体的には、放射線硬化
型化合物やその重合用組成物を放射線硬化させた物質か
ら構成されることが好ましい。このようなものとして
は、イオン化エネルギーに感応し、ラジカル重合性を示
す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタクリル酸、
あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系二
重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結
合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和二重結合
等の放射線照射による架橋あるいは重合する基を分子中
に含有または導入したモノマー、オリゴマーおよびポリ
マー等を挙げることができる。これらは多官能、特に３
官能以上であることが好ましく、１種のみ用いても２種
以上併用してもよい。
【００３６】放射線硬化性モノマーとしては、分子量２
０００未満の化合物が、オリゴマーとしては分子量２０
００〜１００００のものが好適である。これらはスチレ
ン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
メタクリレート、1,6-ヘキサングリコールジアクリレー
ト、1,6-ヘキサングリコールジメタクリレート等も挙げ
られるが、特に好ましいものとしては、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート（メタクリレート) 、ペンタ
エリスリトールアクリレート（メタクリレート) 、トリ
メチロールプロパントリアクリレート（メタクリレー
ト) 、トリメチロールプロパンジアクリレート（メタク
リレート)、ウレタンエラストマーのアクリル変性体、
あるいはこれらのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入され
たもの、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレ
ート（メタクリレート) 、特願昭６２−０７２８８８号
に示されるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基
（メタクリル基）またはε−カプロラクトン−アクリル
基のついた化合物、および特願昭６２−０７２８８８号
に示される特殊アクリレート類等のアクリル基含有モノ
マーおよび／またはオリゴマーが挙げられる。この他、
放射線硬化性オリゴマーとしては、オリゴエステルアク
リレートやウレタンエラストマーのアクリル変性体、あ
るいはこれらのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入された
もの等が挙げられる。
０００未満の化合物が、オリゴマーとしては分子量２０
００〜１００００のものが好適である。これらはスチレ
ン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
メタクリレート、1,6-ヘキサングリコールジアクリレー
ト、1,6-ヘキサングリコールジメタクリレート等も挙げ
られるが、特に好ましいものとしては、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート（メタクリレート) 、ペンタ
エリスリトールアクリレート（メタクリレート) 、トリ
メチロールプロパントリアクリレート（メタクリレー
ト) 、トリメチロールプロパンジアクリレート（メタク
リレート)、ウレタンエラストマーのアクリル変性体、
あるいはこれらのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入され
たもの、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレ
ート（メタクリレート) 、特願昭６２−０７２８８８号
に示されるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基
（メタクリル基）またはε−カプロラクトン−アクリル
基のついた化合物、および特願昭６２−０７２８８８号
に示される特殊アクリレート類等のアクリル基含有モノ
マーおよび／またはオリゴマーが挙げられる。この他、
放射線硬化性オリゴマーとしては、オリゴエステルアク
リレートやウレタンエラストマーのアクリル変性体、あ
るいはこれらのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入された
もの等が挙げられる。
【００３７】また、上記の化合物に加えて、あるいはこ
れにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによ
って得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。この
ような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカル重
合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタク
リル酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアク
リル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系
二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結
合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基を熱
可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂であ
る。放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例と
しては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテル樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フ
ェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができ
る。その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂
としては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエス
テル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（Ｐ
ＶＰオレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミ
ド樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸
基を含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステ
ルを重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等
も有効である。
れにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによ
って得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。この
ような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカル重
合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタク
リル酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアク
リル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系
二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結
合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基を熱
可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂であ
る。放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例と
しては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテル樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フ
ェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができ
る。その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂
としては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエス
テル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（Ｐ
ＶＰオレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミ
ド樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸
基を含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステ
ルを重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等
も有効である。
【００３８】重合用塗布組成物は放射線照射、特に紫外
線照射により硬化されるので、重合用組成物中には光重
合開始剤ないし増感剤が含有されることが好ましい。用
いる光重合開始剤ないし増感剤に特に制限はなく、例え
ば、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン
系、チオキサントン系等の通常のものから適宜選択すれ
ばよい。なお、光重合開始剤ないし増感剤として、複数
の化合物を併用してもよい。重合用組成物中における光
重合開始剤の含有量は、通常０．５〜５重量％程度とす
ればよい。このような重合用組成物は、常法に従い合成
してもよく、市販の化合物を用いて調製してもよい。
線照射により硬化されるので、重合用組成物中には光重
合開始剤ないし増感剤が含有されることが好ましい。用
いる光重合開始剤ないし増感剤に特に制限はなく、例え
ば、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン
系、チオキサントン系等の通常のものから適宜選択すれ
ばよい。なお、光重合開始剤ないし増感剤として、複数
の化合物を併用してもよい。重合用組成物中における光
重合開始剤の含有量は、通常０．５〜５重量％程度とす
ればよい。このような重合用組成物は、常法に従い合成
してもよく、市販の化合物を用いて調製してもよい。
【００３９】保護コート８を形成するための放射線硬化
型化合物を含有する組成物としては、エポキシ樹脂およ
び光カチオン重合触媒を含有する組成物も好適に使用さ
れる。
型化合物を含有する組成物としては、エポキシ樹脂およ
び光カチオン重合触媒を含有する組成物も好適に使用さ
れる。
【００４０】エポキシ樹脂としては、脂環式エポキシ樹
脂が好ましく、特に、分子内に２個以上のエポキシ基を
有するものが好ましい。脂環式エポキシ樹脂としては、
３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポ
キシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス−（３，４
−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、２−
（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−
３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサ
ン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテ
ル、ビニルシクロヘキセンジオキシド等の１種以上が好
ましい。脂環式エポキシ樹脂のエポキシ当量に特に制限
はないが、良好な硬化性が得られることから、６０〜３
００、特に１００〜２００であることが好ましい。
脂が好ましく、特に、分子内に２個以上のエポキシ基を
有するものが好ましい。脂環式エポキシ樹脂としては、
３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポ
キシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス−（３，４
−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、２−
（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−
３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサ
ン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテ
ル、ビニルシクロヘキセンジオキシド等の１種以上が好
ましい。脂環式エポキシ樹脂のエポキシ当量に特に制限
はないが、良好な硬化性が得られることから、６０〜３
００、特に１００〜２００であることが好ましい。
【００４１】光カチオン重合触媒は、公知のいずれのも
のを用いてもよく、特に制限はない。例えば、１種以上
の金属フルオロホウ酸塩および三フッ化ホウ素の錯体、
ビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）メタン金属
塩、アリールジアゾニウム化合物、６Ａ族元素の芳香族
オニウム塩、５Ａ族元素の芳香族オニウム塩、３Ａ族〜
５Ａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウム
塩、ＭＦ6 アニオン（ただしＭは、Ｐ、ＡｓまたはＳ
ｂ）を有する６Ａ族元素、トリアリールスルホニウム錯
塩、芳香族イオドニウム錯塩、芳香族スルホニウム錯塩
等を用いることができ、特に、ポリアリールスルホニウ
ム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム塩
またはイオドニウム塩、３Ａ族元素、５Ａ族元素および
６Ａ族元素の芳香族オニウム塩の１種以上を用いること
が好ましい。
のを用いてもよく、特に制限はない。例えば、１種以上
の金属フルオロホウ酸塩および三フッ化ホウ素の錯体、
ビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）メタン金属
塩、アリールジアゾニウム化合物、６Ａ族元素の芳香族
オニウム塩、５Ａ族元素の芳香族オニウム塩、３Ａ族〜
５Ａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウム
塩、ＭＦ6 アニオン（ただしＭは、Ｐ、ＡｓまたはＳ
ｂ）を有する６Ａ族元素、トリアリールスルホニウム錯
塩、芳香族イオドニウム錯塩、芳香族スルホニウム錯塩
等を用いることができ、特に、ポリアリールスルホニウ
ム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム塩
またはイオドニウム塩、３Ａ族元素、５Ａ族元素および
６Ａ族元素の芳香族オニウム塩の１種以上を用いること
が好ましい。
【００４２】また、有機金属化合物と光分解性を有する
有機けい素化合物とを含有する光カチオン重合触媒も用
いることができる。このような光カチオン重合触媒は非
強酸系であるため、光磁気記録ディスクの腐食性の高い
記録層に対する悪影響を避けることができる。有機金属
化合物としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａl 、Ｚｒ等の金属原子に、アルコ
キシ基、フェノキシ基、β−ジケトナト基等が結合した
錯体化合物が好ましい。これらのうち特に有機アルミニ
ウム化合物が好ましく、具体的には、トリスメトキシア
ルミニウム、トリスプロピオナトアルミニウム、トリス
トリフルオロアセチルアルミニウム、トリスエチルアセ
トアセトナトアルミニウムが好ましい。
有機けい素化合物とを含有する光カチオン重合触媒も用
いることができる。このような光カチオン重合触媒は非
強酸系であるため、光磁気記録ディスクの腐食性の高い
記録層に対する悪影響を避けることができる。有機金属
化合物としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａl 、Ｚｒ等の金属原子に、アルコ
キシ基、フェノキシ基、β−ジケトナト基等が結合した
錯体化合物が好ましい。これらのうち特に有機アルミニ
ウム化合物が好ましく、具体的には、トリスメトキシア
ルミニウム、トリスプロピオナトアルミニウム、トリス
トリフルオロアセチルアルミニウム、トリスエチルアセ
トアセトナトアルミニウムが好ましい。
【００４３】光分解性を有する有機けい素化合物は、紫
外線等の光照射によりシラノールを生じるものであり、
ペルオキシシラノ基、ｏ−ニトロベンジル基、α−ケト
シリル基等を有するけい素化合物が好ましい。
外線等の光照射によりシラノールを生じるものであり、
ペルオキシシラノ基、ｏ−ニトロベンジル基、α−ケト
シリル基等を有するけい素化合物が好ましい。
【００４４】組成物中の光カチオン重合触媒の含有量
は、エポキシ樹脂１００重量部に対し、０．０５〜０．
７重量部、特に０．１〜０．５重量部であることが好ま
しい。
は、エポキシ樹脂１００重量部に対し、０．０５〜０．
７重量部、特に０．１〜０．５重量部であることが好ま
しい。
【００４５】このようななかでも、放射線硬化型化合物
としてアクリル基を有するものを用い、光重合増感剤な
いし開始剤を含有する塗膜を放射線、特に紫外線硬化し
たものであることが好ましい。
としてアクリル基を有するものを用い、光重合増感剤な
いし開始剤を含有する塗膜を放射線、特に紫外線硬化し
たものであることが好ましい。
【００４６】保護コート８の厚さは、１〜３０μm 、好
ましくは２〜２０μm とするのがよい。膜厚が薄すぎる
と一様な膜を形成することが困難となり、耐久性が不十
分となってくる。また、厚すぎると、硬化の際の収縮に
よりクラックが生じたり、ディスクに反りが発生し易く
なってくる。
ましくは２〜２０μm とするのがよい。膜厚が薄すぎる
と一様な膜を形成することが困難となり、耐久性が不十
分となってくる。また、厚すぎると、硬化の際の収縮に
よりクラックが生じたり、ディスクに反りが発生し易く
なってくる。
【００４７】保護コート８を形成するには、まず、前記
のような樹脂、好ましくは放射線硬化樹脂用組成物の塗
膜を形成する。塗膜の形成方法に特に制限はなく、通
常、スピンコート、スクリーン印刷、グラビア塗布、ス
プレーコート、ディッピング等、種々の公知の方法から
適宜選択すればよい。この際の塗布条件は、重合用組成
物の粘度、目的とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定す
ればよい。
のような樹脂、好ましくは放射線硬化樹脂用組成物の塗
膜を形成する。塗膜の形成方法に特に制限はなく、通
常、スピンコート、スクリーン印刷、グラビア塗布、ス
プレーコート、ディッピング等、種々の公知の方法から
適宜選択すればよい。この際の塗布条件は、重合用組成
物の粘度、目的とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定す
ればよい。
【００４８】次いで、紫外線を照射して塗膜を硬化す
る。なお、場合によっては、加熱後に紫外線を照射して
もよく、紫外線のかわりに電子線等を照射してもよい。
塗膜に照射する紫外線強度は、通常、５０mW/cm2程度以
上、照射量は、通常、５００〜２０００mJ/cm2程度とす
ればよい。また、紫外線源としては、水銀灯などの通常
のものを用いればよい。紫外線の照射により、上記各化
合物はラジカル重合する。
る。なお、場合によっては、加熱後に紫外線を照射して
もよく、紫外線のかわりに電子線等を照射してもよい。
塗膜に照射する紫外線強度は、通常、５０mW/cm2程度以
上、照射量は、通常、５００〜２０００mJ/cm2程度とす
ればよい。また、紫外線源としては、水銀灯などの通常
のものを用いればよい。紫外線の照射により、上記各化
合物はラジカル重合する。
【００４９】なお、基板２の裏面側には、図示されるよ
うに透明なハードコート３を形成してもよい。ハードコ
ートの材質および厚さは、保護コート８と同様とすれば
よい。ハードコートには、例えば界面活性剤の添加など
により帯電防止性を付与することが好ましい。ハードコ
ートは、ディスク主面だけに限らず、ディスクの外周側
面や内周側面に設けてもよい。
うに透明なハードコート３を形成してもよい。ハードコ
ートの材質および厚さは、保護コート８と同様とすれば
よい。ハードコートには、例えば界面活性剤の添加など
により帯電防止性を付与することが好ましい。ハードコ
ートは、ディスク主面だけに限らず、ディスクの外周側
面や内周側面に設けてもよい。
【００５０】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００５１】光磁気ディスクサンプルを作製した。
【００５２】まず、外径６４mm、内径１１mm、記録部厚
さ１．２mmのポリカーボネート樹脂基板上に、ＳｉＮx
保護層を高周波マグネトロンスパッタにより層厚９０nm
に設層した。次に、この保護層上に、Ｔｂ19Ｆｅ68Ｃｏ
7 Ｃｒ6 （原子比）の組成を有する記録層をスパッタ法
により層厚２０nmに設層した。スパッタ雰囲気中のＡｒ
分圧と、窒素分圧、酸素分圧およびこれらの比率とを、
下記表１に示す。なお、これらのガスは、スパッタ用の
真空槽内を５．０×１０-6Pa以下まで減圧した後に導入
した。
さ１．２mmのポリカーボネート樹脂基板上に、ＳｉＮx
保護層を高周波マグネトロンスパッタにより層厚９０nm
に設層した。次に、この保護層上に、Ｔｂ19Ｆｅ68Ｃｏ
7 Ｃｒ6 （原子比）の組成を有する記録層をスパッタ法
により層厚２０nmに設層した。スパッタ雰囲気中のＡｒ
分圧と、窒素分圧、酸素分圧およびこれらの比率とを、
下記表１に示す。なお、これらのガスは、スパッタ用の
真空槽内を５．０×１０-6Pa以下まで減圧した後に導入
した。
【００５３】さらに、この記録層上に、ＬａＳｉＯＮの
保護層を高周波マグネトロンスパッタにより２０nm厚に
設層し、この保護層上に、８０nmのＡｌ合金反射層およ
び保護コートを順に設層した。
保護層を高周波マグネトロンスパッタにより２０nm厚に
設層し、この保護層上に、８０nmのＡｌ合金反射層およ
び保護コートを順に設層した。
【００５４】保護コートは、下記の重合用組成物の塗膜
をスピンコートによって形成し、この塗膜に紫外線を照
射して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは約５μ
m であった。紫外線照射量は１０００mJ/cm2とした。
をスピンコートによって形成し、この塗膜に紫外線を照
射して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは約５μ
m であった。紫外線照射量は１０００mJ/cm2とした。
【００５５】重合用組成物 オリゴエステルアクリレート （分子量５，０００） ５０重量部 トリメチロールプロパントリアクリレート ５０重量部 アセトフェノン系光重合開始剤 ３重量部
【００５６】このようにして得られた光磁気ディスクサ
ンプルについて、ＥＦＭ変調の３Ｔ信号のジッター特性
の記録パワー依存性を評価した。パワー感度の変化によ
る隣接トラックへの影響も考慮して、３トラック連続記
録後にその中央のトラックのジッターを測定する方法を
用いた。測定データを図２のようにグラフ化してＪ0＝
５０nsのときの記録パワーＰmax およびＰmin を求め、
その中間点である最適記録パワーＰ0 と記録パワーマー
ジンとを求めた。なお、線速度は１．４m/s 、記録層表
面における磁界強度は２００ Oe とした。結果を表１に
示す。
ンプルについて、ＥＦＭ変調の３Ｔ信号のジッター特性
の記録パワー依存性を評価した。パワー感度の変化によ
る隣接トラックへの影響も考慮して、３トラック連続記
録後にその中央のトラックのジッターを測定する方法を
用いた。測定データを図２のようにグラフ化してＪ0＝
５０nsのときの記録パワーＰmax およびＰmin を求め、
その中間点である最適記録パワーＰ0 と記録パワーマー
ジンとを求めた。なお、線速度は１．４m/s 、記録層表
面における磁界強度は２００ Oe とした。結果を表１に
示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】表１に示される結果から、本発明の効果が
明らかである。
明らかである。
【図１】本発明の光磁気ディスクの１例を示す部分断面
図である。
図である。
【図２】光磁気ディスクの最適記録パワーＰ0 を説明す
るグラフである。
るグラフである。
【符号の説明】 １ 光磁気ディスク ２ 基板 ３ ハードコート ４ 保護層 ５ 記録層 ６ 保護層 ７ 反射層 ８ 保護コート
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｒ（Ｒは、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐ
ｒおよびＣｅから選択される少なくとも１種の元素であ
る）、ＦｅおよびＣｏを含有する垂直磁化膜の記録層を
有する光磁気ディスクを製造する方法であって、 前記記録層をスパッタ法により形成する際の雰囲気中
に、Ａｒガスと、酸素ガスおよび／または窒素ガスとを
含有させ、前記雰囲気中において、酸素ガス分圧と窒素
ガス分圧の合計を５．０×１０-5〜５．０×１０-4Paと
して、最適記録パワーを低下させることを特徴とする光
磁気ディスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記雰囲気が、Ａｒガスと、窒素ガスま
たは窒素ガスおよび酸素ガスとを含有する請求項１の光
磁気ディスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記雰囲気中におけるＡｒガスの分圧が
０．０５〜２．０Paである請求項１または２の光磁気デ
ィスクの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかの光磁気デ
ィスクの製造方法により製造され、記録層中に酸素およ
び／または窒素を含有することを特徴とする光磁気ディ
スク。 - 【請求項５】 最適記録パワーが２〜５mWである請求項
４の光磁気ディスク。 - 【請求項６】 記録パワーマージンが２０％以上である
請求項４または５の光磁気ディスク。 - 【請求項７】 磁界変調方式の光磁気記録に用いられる
請求項４ないし６のいずれかの光磁気ディスク。 - 【請求項８】 １．２〜１．４m/s の範囲の線速度で記
録が行なわれる請求項４ないし７のいずれかの光磁気デ
ィスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21218192A JPH0636371A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 光磁気ディスクの製造方法および光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21218192A JPH0636371A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 光磁気ディスクの製造方法および光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636371A true JPH0636371A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16618261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21218192A Pending JPH0636371A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | 光磁気ディスクの製造方法および光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636371A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0795857A1 (fr) * | 1996-03-15 | 1997-09-17 | Commissariat A L'energie Atomique | Support d'enregistrement magnéto-optique et procédé de réalisation |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP21218192A patent/JPH0636371A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0795857A1 (fr) * | 1996-03-15 | 1997-09-17 | Commissariat A L'energie Atomique | Support d'enregistrement magnéto-optique et procédé de réalisation |
| FR2746206A1 (fr) * | 1996-03-15 | 1997-09-19 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement magneto-optique et procede de realisation |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990629 |