JPH0567359A

JPH0567359A - 光磁気デイスク

Info

Publication number: JPH0567359A
Application number: JP25459791A
Authority: JP
Inventors: Ryota Uchiyama; 良太内山; Hiroyuki Endo; 広行遠藤; Isamu Kuribayashi; 勇栗林; Shinichi Tezuka; 信一手塚; Tsuneo Kuwabara; 恒男桑原
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1991-09-06
Filing date: 1991-09-06
Publication date: 1993-03-19

Abstract

(57)【要約】【目的】光磁気ディスクにおいて、摩擦特性を良好と
し、耐久性を向上させる。【構成】樹脂中、好ましくは放射線硬化性樹脂中に表
面エネルギーが低いフッ素系樹脂微粒子を含有させた保
護コートを磁気ヘッド側の最上層として設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁界変調方式の光磁気
ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】大容量情報担持媒体として光ディスクが
注目されている。このなかには、オーバライト可能なも
のとして磁界変調方式の光磁気ディスクがあり、データ
ーファイル等への応用が期待されている。この磁界変調
方式は、光ピックアップから、レーザ光を光磁気ディス
クの磁性層にＤＣ的に照射して、その温度を上昇させて
おき、これと同時に、光ピックアップと反対側に配置し
た磁気ヘッドから、変調磁界を磁性層上に印加してオー
バーライト記録を行なうものである。

【０００３】そして、この場合、磁気ヘッドとディスク
が接触状態から回転し、停止後接触状態に戻るＣＳＳ方
式が主に採用される。

【０００４】従って、光磁気ディスクにおいて、磁気ヘ
ッド側に設けられる表面保護膜には、吸着防止対策、ヘ
ッドクラッシュ等に対する耐久性が要求される。

【０００５】このようなことから、上記のような保護膜
としては種々の提案がなされている。例えば、特開平２
−３０１０４０号、同２−３０１０４１号には、含フッ
素ポリウレタン系樹脂を主成分とする樹脂組成物を用い
る旨が、また特開平３−３７８４４号には、有機溶媒に
可溶性のフッ素樹脂を主成分とする樹脂組成物を用いる
旨がそれぞれ提案されている。また、これらにおいて、
記録膜を構成する遷移金属元素よりもイオン化傾向の大
きい金属元素や滑材を含有させる旨も提案されている。

【０００６】さらに、特開平２−４０１４９号には、紫
外線硬化樹脂に潤滑剤を混入させたものを用いる旨が、
特開平３−１７８４４号には潤滑層を用いる旨が、それ
ぞれ提案されている。

【０００７】また、特開平３−６２３３８号には、オー
バーコート層の表面に０．１μm 以上０．５μm 以下の
凹凸を均一に存在させる旨が提案されている。

【０００８】しかし、これらのいずれにおいても十分で
はない。例えば、樹脂のみの平滑面では潤滑性が十分で
はなく、また金属や滑材を混合させたものでは、硬質の
ものを用いるとヘッドを傷つける問題が生じる。また、
潤滑材を用いることは、ディスク特性上好ましくない。

【０００９】このようなことから、さらにその改善が望
まれている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、摩擦
特性が良好で、耐久性に優れた磁界変調方式の光磁気デ
ィスクを提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（９）の構成によって逹成される。

【００１２】（１）基板上に記録層を有し、この記録
層上に保護コートを有する磁界変調方式の光磁気ディス
クにおいて、前記保護コートは、表面エネルギーが低い
樹脂からなる微粒子を含有する樹脂層であることを特徴
とする光磁気ディスク。

【００１３】（２）前記表面エネルギーは４０erg/cm
² 以下である上記（１）に記載の光磁気ディスク。

【００１４】（３）前記微粒子はフッ素系樹脂微粒子
である上記（１）または（２）に記載の光磁気ディス
ク。

【００１５】（４）基板上に記録層を有し、この記録
層上に保護コートを有する磁界変調方式の光磁気ディス
クにおいて、前記保護コートは、フッ素系樹脂微粒子を
含有する樹脂層であることを特徴とする光磁気ディス
ク。

【００１６】（５）前記微粒子が含有される樹脂は放
射線硬化樹脂である上記（１）ないし（４）のいずれか
に記載の光磁気ディスク。

【００１７】（６）前記微粒子を構成するフッ素系樹
脂は、低分子量四フッ化エチレン樹脂である上記（３）
ないし（５）のいずれかに記載の光磁気ディスク。

【００１８】（７）前記微粒子の平均粒径は０．１〜
１０μm である上記（１）ないし（６）のいずれかに記
載の光磁気ディスク。

【００１９】（８）前記微粒子の保護コート中におけ
る含有量が２〜４０wt% である上記（１）ないし（７）
のいずれかに記載の光磁気ディスク。

【００２０】（９）前記保護コートの厚さが１〜３０
μm である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の
光磁気ディスク。

【００２１】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００２２】本発明の光磁気ディスクは、例えば図１に
示される構成のものである。

【００２３】図１に示される光磁気ディスクを例に挙げ
て説明する。図１に示される光磁気ディスク１は基板２
表面上に、保護層４、中間層５、記録層６、保護層７、
反射層８および保護コート９を順次有する。この際、デ
ィスク表面、すなわち基板２の裏面側には、ハードコー
ト３を設けてもよい。

【００２４】そして、本発明において、保護コート９
は、表面エネルギーが低い樹脂からなる微粒子を含有す
る樹脂層である。

【００２５】この場合の表面エネルギーは、バルク状態
で４０erg/cm² 以下、特に２５erg/cm² 以下であること
が好ましい。

【００２６】表面エネルギーは、例えば縦２cm、横２c
m、厚さ０．２cm程度の大きさの試料を用い、表面張力
が既知である各種液体と表面との接触角から求められる
臨界表面張力に基づき求めるか、あるいは液体の飽和蒸
気を用いた吸着実験に基づき求めたものである。

【００２７】また、摩擦係数は、ＪＩＳＫ７２１８によ
る滑り摩耗試験で求めて、バルク状態で０．３以下であ
ることが好ましい。

【００２８】このような物性を有する樹脂としては、フ
ッ素系樹脂が好ましく、本発明においては、フッ素系樹
脂微粒子を用いることが好ましい。

【００２９】そして、このような樹脂材質の微粒子を含
有させることによって、摩擦特性が良好となり、本発明
の効果が得られる。

【００３０】なお、特開平３−６２３３８号には、紫外
線硬化樹脂にシリコーン樹脂からなる粒径０．８μm の
微粒子（東芝シリコーン製トスパール１０８）を樹脂全
体に対して３０wt% 含有させ、表面粗さを０．２μm と
したオーバーコート層（本発明における保護コートと同
義）が開示されている。

【００３１】しかし、このようなシリコーン樹脂の微粒
子では本発明の効果は得られず、本発明における上記物
性値を有する、好ましくはフッ素系樹脂の微粒子を用い
てはじめて得られるものである。

【００３２】本発明において、微粒子を構成するフッ素
系樹脂は、化１に示されるような低分子量四フッ化エチ
レン樹脂であることが好ましい。

【００３３】

【化１】

【００３４】化１において、ｎは５〜２００、特に８〜
５０であることが好ましい。

【００３５】このものの平均分子量は６００〜２０，０
００、好ましくは１，０００〜５，０００である。ま
た、融点は７０〜３００℃、好ましくは９０〜２５０℃
のものであり、真比重は２．０〜２．５、特に２．３前
後であることが好ましい。

【００３６】また、微粒子の形状には特に制限はなく、
球状、薄片状、塊状、塊繊維状等のいずれであってもよ
く、特に球状であることが好ましい。

【００３７】また、平均粒径は、電子顕微鏡写真（ＳＥ
Ｍ）の観察から０．１〜１０μm 、好ましくは０．２〜
３μm とすればよい。

【００３８】このような粒径とすることによって、本発
明の効果が向上する。

【００３９】また、フッ素系微粒子の保護コート９全体
に対する含有量は２〜４０wt% 、好ましくは１０〜３０
wt% とするのがよい。

【００４０】このような含有量とすることによって、本
発明の効果が向上する。

【００４１】フッ素系微粒子は、保護コート９中に、通
常、均一に分散させることが好ましいが、場合によって
は、多層塗布等により表層に偏在させてもよい。

【００４２】保護コート９において、フッ素系樹脂微粒
子を含有させる樹脂としては、放射線硬化樹脂であるこ
とが好ましい。具体的には、放射線硬化型化合物やその
重合用組成物を、放射線硬化させた物質から構成される
ことが好ましい。このようなものとしては、イオン化エ
ネルギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結
合を有するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれら
のエステル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリ
ルフタレートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、
マレイン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射に
よる架橋あるいは重合する基を分子中に含有または導入
したモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げるこ
とができる。これらは多官能、特に３官能以上であるこ
とが好ましく、１種のみ用いても２種以上併用してもよ
い。

【００４３】放射線硬化性モノマーとしては、分子量２
０００未満の化合物が、オリゴマーとしては分子量２０
００〜１００００のものが好適である。これらはスチレ
ン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
メタクリレート、1,6-ヘキサングリコールジアクリレー
ト、1,6-ヘキサングリコールジメタクリレート等も挙げ
られるが、特に好ましいものとしては、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート（メタクリレート) 、ペンタ
エリスリトールアクリレート（メタクリレート) 、トリ
メチロールプロパントリアクリレート（メタクリレー
ト) 、トリメチロールプロパンジアクリレート（メタク
リレート)、ウレタンエラストマーのアクリル変性体、
あるいはこれらのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入され
たもの、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレ
ート（メタクリレート) 、特願昭６２−０７２８８８号
に示されるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基
（メタクリル基）またはε−カプロラクトン−アクリル
基のついた化合物、および特願昭６２−０７２８８８号
に示される特殊アクリレート類等のアクリル基含有モノ
マーおよび／またはオリゴマーが挙げられる。この他、
放射線硬化性オリゴマーとしては、オリゴエステルアク
リレートやウレタンエラストマーのアクリル変性体、あ
るいはこれらのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入された
もの等が挙げられる。

【００４４】また、上記の化合物に加えて、あるいはこ
れにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによ
って得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。この
ような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカル重
合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタク
リル酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアク
リル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系
二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結
合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基を熱
可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂であ
る。放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例と
しては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテル樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フ
ェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができ
る。その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂
としては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエス
テル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（Ｐ
ＶＰオレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミ
ド樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸
基を含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステ
ルを重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等
も有効である。

【００４５】重合用塗布組成物は放射線照射、特に紫外
線照射により硬化されるので、重合用組成物中には光重
合開始剤ないし増感剤が含有されることが好ましい。用
いる光重合開始剤ないし増感剤に特に制限はなく、例え
ば、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン
系、チオキサントン系等の通常のものから適宜選択すれ
ばよい。なお、光重合開始剤ないし増感剤として、複数
の化合物を併用してもよい。重合用組成物中における光
重合開始剤の含有量は、通常０．５〜５重量％程度とす
ればよい。このような重合用組成物は、常法に従い合成
してもよく、市販の化合物を用いて調製してもよい。

【００４６】保護コート９を形成するための放射線硬化
型化合物を含有する組成物としては、エポキシ樹脂およ
び光カチオン重合触媒を含有する組成物も好適に使用さ
れる。

【００４７】エポキシ樹脂としては、脂環式エポキシ樹
脂が好ましく、特に、分子内に２個以上のエポキシ基を
有するものが好ましい。

【００４８】脂環式エポキシ樹脂としては、３，４−エ
ポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロ
ヘキサンカルボキシレート、ビス−（３，４−エポキシ
シクロヘキシルメチル）アジペート、ビス−（３，４−
エポキシシクロヘキシル）アジペート、２−（３，４−
エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エ
ポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス
（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、ビニル
シクロヘキセンジオキシド等の１種以上が好ましい。脂
環式エポキシ樹脂のエポキシ当量に特に制限はないが、
良好な硬化性が得られることから、６０〜３００、特に
１００〜２００であることが好ましい。

【００４９】光カチオン重合触媒は、公知のいずれのも
のを用いてもよく、特に制限はない。例えば、１種以上
の金属フルオロホウ酸塩および三フッ化ホウ素の錯体、
ビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）メタン金属
塩、アリールジアゾニウム化合物、６Ａ族元素の芳香族
オニウム塩、５Ａ族元素の芳香族オニウム塩、３Ａ族〜
５Ａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウム
塩、ＭＦ₆ アニオン（ただしＭは、Ｐ、ＡｓまたはＳ
ｂ）を有する６Ａ族元素、トリアリールスルホニウム錯
塩、芳香族イオドニウム錯塩、芳香族スルホニウム錯塩
等を用いることができ、特に、ポリアリールスルホニウ
ム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム塩
またはイオドニウム塩、３Ａ族元素、５Ａ族元素および
６Ａ族元素の芳香族オニウム塩の１種以上を用いること
が好ましい。

【００５０】また、有機金属化合物と光分解性を有する
有機けい素化合物とを含有する光カチオン重合触媒も用
いることができる。このような光カチオン重合触媒は非
強酸系であるため、光磁気記録ディスクの腐食性の高い
記録層に対する悪影響を避けることができる。有機金属
化合物としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａl 、Ｚｒ等の金属原子に、アルコ
キシ基、フェノキシ基、β−ジケトナト基等が結合した
錯体化合物が好ましい。これらのうち特に有機アルミニ
ウム化合物が好ましく、具体的には、トリスメトキシア
ルミニウム、トリスプロピオナトアルミニウム、トリス
トリフルオロアセチルアルミニウム、トリスエチルアセ
トアセトナトアルミニウムが好ましい。

【００５１】光分解性を有する有機けい素化合物は、紫
外線等の光照射によりシラノールを生じるものであり、
ペルオキシシラノ基、ｏ−ニトロベンジル基、α−ケト
シリル基等を有するけい素化合物が好ましい。

【００５２】組成物中の光カチオン重合触媒の含有量
は、エポキシ樹脂１００重量部に対し、０．０５〜０．
７重量部、特に０．１〜０．５重量部であることが好ま
しい。

【００５３】このようななかでも、放射線硬化型化合物
としてアクリル基を有するものを用い、光重合増感剤な
いし開始剤を含有する塗膜を放射線、特に紫外線硬化し
たものであることが好ましい。

【００５４】保護コート９を形成するには、例えば以下
のようにする。まず、前記のような樹脂、好ましくは放
射線硬化樹脂用組成物に前記の樹脂微粒子を所定量添加
し、このものの塗膜を反射層８上に形成する。

【００５５】塗膜の形成方法に特に制限はなく、通常、
スピンコート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッ
ピング等、種々の公知の方法を組み合わせて形成すれば
よい。この際の塗布条件は、重合用組成物の粘度、目的
とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。

【００５６】そして、紫外線を照射して塗膜を硬化す
る。なお、場合によっては、加熱後に紫外線を照射して
もよく、紫外線のかわりに電子線等を照射してもよい。

【００５７】塗膜に照射する紫外線強度は、通常、５０
mW/cm²程度以上、照射量は、通常、５００〜２０００mJ
/cm²程度とすればよい。また、紫外線源としては、水銀
灯などの通常のものを用いればよい。紫外線の照射によ
り、上記各化合物はラジカル重合する。

【００５８】このようにして得られる保護コート９の厚
さは、１〜３０μm 、好ましくは２〜２０μm とするの
がよい。

【００５９】このような膜厚とすることによって本発明
の効果が向上する。膜厚が薄すぎると一様な膜を形成す
ることが困難となり、耐久性が不十分となってくる。ま
た、厚すぎると、硬化の際の収縮によりクラックが生じ
たり、ディスクに反りが発生し易くなってくる。

【００６０】そして、保護コート９の表面粗さは、ＪＩ
ＳＢ０６０１の定義に従うＲａを用いて、Ｒａ０．１〜
１μm （測定長０．５mm）程度となる。また、動摩擦係
数は０．０５〜０．１０程度となる。

【００６１】本発明における基板２の材質には、透明な
ものであれば特に制限はなく、ガラス、各種透明樹脂が
用いられる。透明樹脂としては、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂、スチレ
ン系樹脂等が挙げられる。

【００６２】また、図１に示されるように、基板２の裏
面側には透明なハードコート３が形成されている。ハー
ドコート３は、前記保護コート９を構成する好ましい樹
脂と同様の放射線硬化性樹脂材質とすればよい。

【００６３】このハードコート３の厚さは、１〜３０μ
m 、特に３〜１０μm であることが好ましい。

【００６４】このようなハードコート３を塗布した基板
２の記録光および再生光に対する透過率は、８０％以
上、特に８５％以上であることが好ましい。また、ハー
ドコートは、ディスク主面のみに限らず、外周側面や内
周側面にも形成されていてもよい。

【００６５】なお、基板２の記録層６形成面には、トラ
ッキング用のグルーブが形成されていてもよい。

【００６６】図１に示される光磁気記録ディスクにおい
て、基板２上には、下地層としての保護層４、中間層５
を介して記録層６が形成されている。中間層５は、Ｃ／
Ｎ比を向上させるために設けられ、各種誘電体物質から
形成されることが好ましく、その層厚は３０〜１５０nm
程度であることが好ましい。

【００６７】また保護層４とともに記録層６の上にも保
護層７を設けることもできる。併用する場合には、保護
層４と保護層７の組成は同一であっても異っていてもよ
い。必要に応じて設けられる保護層４および保護層７
は、記録層６の耐食性向上のために設けられるものであ
り、これらは少なくとも一方、好ましくは両方が設けら
れることが好ましい。これら保護層は、各種酸化物、炭
化物、窒化物、硫化物あるいはこれらの混合物からなる
無機薄膜から構成されることが好ましい。また、保護層
４、７は、上記の中間層材質で形成してもよい。保護層
の層厚は３０〜３００nm程度であることが耐食性向上の
点から好ましい。このような保護層４、７や中間層５
は、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等の各種気
相成膜法、特にスパッタによって形成されることが好ま
しい。

【００６８】記録層６は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換して再生されるもので
ある。記録層６は、光磁気記録が行なえるものであれば
その材質に特に制限はないが、希土類金属元素を含有す
る合金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、スパッ
タ、蒸着、イオンプレーティング等、特にスパッタによ
り、非晶質膜として形成したものであることが好まし
い。希土類金属としては、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｓ
ｍ、Ｃｅのうちの１種以上を用いることが好ましい。遷
移金属としては、ＦｅおよびＣｏが好ましい。この場
合、ＦｅとＣｏの総含有量は、６５〜８５at％であるこ
とが好ましい。そして、残部は実質的に希土類金属であ
る。

【００６９】好適に用いられる記録層の組成としては、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、
ＮｄＧｄＦｅＣｏ等がある。なお、記録層中には、１０
at％以下の範囲でＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有
されてもよい。また、１０at％以下の範囲で、Ｓｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の他の希土類金属元素を含有し
てもよい。このような記録層６の層厚は、通常、１０〜
１０００nm程度である。そして、保護層７上には金属製
の反射層８が設けらる。

【００７０】反射層８を構成する材質は、Ａｕ、Ａｇ、
Ｐｔ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ等の金属、あるい
はこれらの合金、あるいはこれらの化合物であってよ
い。また、反射層８は、記録層６と同様にして設層すれ
ばよい。反射層８の膜厚は３０〜２００nm程度とする。

【００７１】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００７２】実施例１外径８６mm、内径１５mm、厚さ１．２mmのポリカーボネ
ート樹脂基板の記録層形成側裏面および周面に、ハード
コート層用組成物の塗膜を形成し、この塗膜を紫外線硬
化してハードコートを形成した。ハードコートは、下記
の重合用組成物（Ａ）をスピンコートにより塗布し、紫
外線を照射して硬化したものであり、硬化後の平均厚さ
は５μm とした。

【００７３】重合用組成物（Ａ）オリゴエステルアクリレート５０重量部（分子量５，０００）ポリメチロールプロパントリアクリレート５０重量部アセトフェノン系光重合開始剤３重量部

【００７４】次いで、上記のようにハードコートを形成
した基板の他面上の一定領域に、ガラス製の保護層を高
周波マグネトロンスパッタにより４０nmの層厚に設層し
た。この保護層上に、ＳｉＮ_x 中間層を高周波マグネト
ロンスパッタにより層厚８０nmに設層した。次に、この
中間層上に、Ｔｂ₂₃Ｆｅ₇₂Ｃｏ₅ の組成を有する記録層
を、スパッタにより層厚２０nmに設層した。

【００７５】さらに、この記録層上に、前記保護層と同
組成の２０nmの保護層を高周波マグネトロンスパッタに
より設層し、この保護層上に、８０nmのＡｌ合金反射
層、さらにその上に保護コートを設層した。

【００７６】保護コートは、以下のような重合用組成物
（１）の塗膜をスピンコートによって形成し、この塗膜
を紫外線を照射して硬化したものであり、硬化後の平均
厚さは５μm とした。紫外線照射は、照射量１０００mJ
/cm²の条件下で行なった。

【００７７】重合用組成物（１）オリゴエステルアクリレート５０重量部（分子量５，０００）ポリメチロールプロパントリアクリレート５０重量部アセトフェノン系光重合開始剤３重量部フッ素系樹脂微粒子［化１に示すもの：ｎ＝１０〜１５：平均分子量１１００〜１６００：融点２００℃：真比重２．３：平均粒径１．０μm ］２０重量部これをサンプルNo. １とする。なお、微粒子を構成する
フッ素系樹脂は、本文記載の方法、条件で測定して、表
面エネルギーがバルク状態で２０erg/cm² のものであ
る。また、摩擦係数はＪＩＳＫ７２１８によって求める
とバルク状態で０．３以下のものである。

【００７８】また、サンプルNo. １の保護コートにおい
て、特開平３−６２３３８号に準じて、フッ素系樹脂微
粒子のかわりにシリコーン樹脂微粒子（東芝シリコーン
製トスパール１０８：粒径０．８μm ）を用いるほかは
同様にしてサンプルNo. ２を作製した。

【００７９】また、サンプルNo. １の保護コートにおい
て、フッ素系樹脂微粒子を含有させないほかは同様にし
てサンプルNo. ３を作製した。

【００８０】また、サンプルNo. １の保護コートにおい
て、フッ素系樹脂微粒子を、平均粒径０．２５μm のテ
フロンゾル［化１に示すもの：ｎ＝８〜１０：平均分子
量９００〜１２００：融点１００℃：真比重２．３］に
かえ、この樹脂微粒子の含有量を重合用組成物（１）で
１５重量部とするほかは同様にしてサンプルNo. ４を作
製した。なお、微粒子を構成するテフロンは、サンプル
No. １におけるフッ素系樹脂の表面エネルギー、摩擦係
数の値とほぼ同じものである。

【００８１】上記サンプルNo. １〜No. ４について、
（Ｍｎ−Ｚｎフェライト）コンポジットヘッドを用いて
以下の評価を行なった。（１）動摩擦係数μ プラス社製３．５”磁気ディスクドライブを用い、１rp
m でディスクを回転し、ヘッドにかかる応力を測定し、
これからμを算出した。荷重は１５gとした。

【００８２】（２）ＣＳＳ特性プラス社製３．５”磁気ディスクドライブを用い、ＣＳ
Ｓの１パスを、静止時間１０秒→立ち上がり時間５秒→
定常回転の時間１０秒→立ち下がり時間３０秒と定義
し、定常状態のディスクの回転数を３６００rpm とし、
ディスク中心から２２mmの位置で、ディスクの摩擦係数
が１．０以上になったとき、または、ディスク表面ある
いはヘッド表面に傷が発生したときのパス回数を求め
た。

【００８３】なお、このパス回数は２０℃、５０％ＲＨ
条件下で求めた。

【００８４】（３）ヘッドの表面状態（１）の動摩擦係数μを測定後、ヘッドの表面を光学顕
微鏡で観察した。これらの結果を表１に示す。

【００８５】

【表１】

【００８６】

【発明の効果】本発明によれば、摩擦特性が良好で耐久
性に優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気ディスクの１例を示す部分断面
図である。

【符号の説明】

１光磁気ディスク２基板３ハードコート４保護層５中間層６記録層７保護層８反射層９保護コート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者手塚信一東京都中央区日本橋一丁目13番１号テイーデイーケイ株式会社内 (72)発明者桑原恒男東京都中央区日本橋一丁目13番１号テイーデイーケイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に記録層を有し、この記録層上に
保護コートを有する磁界変調方式の光磁気ディスクにお
いて、前記保護コートは、表面エネルギーが低い樹脂からなる
微粒子を含有する樹脂層であることを特徴とする光磁気
ディスク。
【請求項２】前記表面エネルギーは４０erg/cm² 以下
である請求項１に記載の光磁気ディスク。
【請求項３】前記微粒子はフッ素系樹脂微粒子である
請求項１または２に記載の光磁気ディスク。
【請求項４】基板上に記録層を有し、この記録層上に
保護コートを有する磁界変調方式の光磁気ディスクにお
いて、前記保護コートは、フッ素系樹脂微粒子を含有する樹脂
層であることを特徴とする光磁気ディスク。
【請求項５】前記微粒子が含有される樹脂は放射線硬
化樹脂である請求項１ないし４のいずれかに記載の光磁
気ディスク。
【請求項６】前記微粒子を構成するフッ素系樹脂は、
低分子量四フッ化エチレン樹脂である請求項３ないし５
のいずれかに記載の光磁気ディスク。
【請求項７】前記微粒子の平均粒径は０．１〜１０μ
m である請求項１ないし６のいずれかに記載の光磁気デ
ィスク。
【請求項８】前記微粒子の保護コート中における含有
量が２〜４０wt% である請求項１ないし７のいずれかに
記載の光磁気ディスク。
【請求項９】前記保護コートの厚さが１〜３０μm で
ある請求項１ないし８のいずれかに記載の光磁気ディス
ク。