JP3160095B2 - 光磁気ディスクの記録再生方法 - Google Patents
光磁気ディスクの記録再生方法Info
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10556—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers with provision for moving or switching or masking the transducers in or out of their operative position
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- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
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- G11B7/0938—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following servo format, e.g. guide tracks, pilot signals
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24085—Pits
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板表面にピットとグ
ルーブとを有する光磁気ディスクの記録再生方法に関す
る。
ルーブとを有する光磁気ディスクの記録再生方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクでは、グルーブを有する
基板上に光磁気記録層が形成されている。記録および再
生時には、ディスク面からの反射光の強弱によりトラッ
キング制御信号やフォーカス制御信号等を検出してい
る。
基板上に光磁気記録層が形成されている。記録および再
生時には、ディスク面からの反射光の強弱によりトラッ
キング制御信号やフォーカス制御信号等を検出してい
る。
【０００３】また、プリフォーマットされた光磁気ディ
スクでは、グルーブ以外に、リードインエリアやリード
アウトエリア等に、ハード側がディスクを適正条件で使
用するための情報や、所定周期のパルス信号等の離散値
的情報がピットとして予め記録されている。このため、
プリフォーマットされた光磁気ディスクには、ピットが
形成された領域とグルーブが形成された領域とが混在す
ることになる。
スクでは、グルーブ以外に、リードインエリアやリード
アウトエリア等に、ハード側がディスクを適正条件で使
用するための情報や、所定周期のパルス信号等の離散値
的情報がピットとして予め記録されている。このため、
プリフォーマットされた光磁気ディスクには、ピットが
形成された領域とグルーブが形成された領域とが混在す
ることになる。
【０００４】このような光磁気ディスクでは、ピット形
成領域とグルーブ形成領域で同一のレーザー光を用いて
トラッキングサーボやシークサーボ、ピット情報の読み
出しなどを行なうため、サーボ系やピット情報読み出し
時のエラー発生を防止するためには、使用する光学系と
ピットの寸法およびグルーブの寸法とを最適な関係とす
る必要がある。
成領域とグルーブ形成領域で同一のレーザー光を用いて
トラッキングサーボやシークサーボ、ピット情報の読み
出しなどを行なうため、サーボ系やピット情報読み出し
時のエラー発生を防止するためには、使用する光学系と
ピットの寸法およびグルーブの寸法とを最適な関係とす
る必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ピット形成
領域およびグルーブ形成領域の双方において、同一のレ
ーザー光ビームを用いてトラッキングやシーク、情報読
み出し等を行なったときに、エラーの極めて少ない光磁
気ディスクを提供することを目的とする。
領域およびグルーブ形成領域の双方において、同一のレ
ーザー光ビームを用いてトラッキングやシーク、情報読
み出し等を行なったときに、エラーの極めて少ない光磁
気ディスクを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）の本発明により達成される。 （１） 基板表面にピット形成領域およびグルーブ形成
領域を有し、前記ピット形成領域および前記グルーブ形
成領域を覆うように記録層が形成されている光磁気ディ
スクであって、前記ピット形成領域に、幅０．４０〜
０．５５μm 、深さ６００〜９００Åのピットを有し、
前記グルーブ形成領域に、幅０．９５〜１．１５μm 、
深さ６００〜９００Åのグルーブを有するものを用い、
開口数ＮＡが０．４４〜０．４６である対物レンズを有
する光学ヘッドを用い、波長７７０〜７９０nmの直線偏
光であって電界ベクトルの方向がグルーブおよびピット
列と垂直であるレーザ光により記録および再生を行い、
前記開口数ＮＡが０．４４〜０．４６である対物レンズ
を有する光学ヘッドを用い、前記波長７７０〜７９０nm
の直線偏光のレーザー光を電界ベクトルの方向がグルー
ブおよびピット列と垂直になるように照射して、ピット
形成領域のアイパターンにおいて、Ｉtop を最大レベ
ル、Ｉ3 を３Ｔ信号の幅、Ｉ11を１１Ｔ信号の幅とした
とき、 Ｉ3 ／Ｉtop ＞０．１０、 ０．３≦Ｉ11／Ｉtop ≦０．６ であり、３Ｔ信号の振幅中央位置と１１Ｔ信号の振幅中
央位置との距離のＩ11に対する比率をＡsyとしたとき、 −０．２０＜Ａsy＜０．２０ であり、ピット形成領域において、プッシュ−プル信号
レベルが０．０４〜０．１５であり、ラジアルコントラ
ストが０．１５〜０．３５であり、グルーブ形成領域に
おいて、プッシュ−プル信号レベルが０．１０〜０．２
５であり、ラジアルコントラストが０．２０〜０．４０
である信号を得る光磁気ディスクの記録再生方法。
（１）の本発明により達成される。 （１） 基板表面にピット形成領域およびグルーブ形成
領域を有し、前記ピット形成領域および前記グルーブ形
成領域を覆うように記録層が形成されている光磁気ディ
スクであって、前記ピット形成領域に、幅０．４０〜
０．５５μm 、深さ６００〜９００Åのピットを有し、
前記グルーブ形成領域に、幅０．９５〜１．１５μm 、
深さ６００〜９００Åのグルーブを有するものを用い、
開口数ＮＡが０．４４〜０．４６である対物レンズを有
する光学ヘッドを用い、波長７７０〜７９０nmの直線偏
光であって電界ベクトルの方向がグルーブおよびピット
列と垂直であるレーザ光により記録および再生を行い、
前記開口数ＮＡが０．４４〜０．４６である対物レンズ
を有する光学ヘッドを用い、前記波長７７０〜７９０nm
の直線偏光のレーザー光を電界ベクトルの方向がグルー
ブおよびピット列と垂直になるように照射して、ピット
形成領域のアイパターンにおいて、Ｉtop を最大レベ
ル、Ｉ3 を３Ｔ信号の幅、Ｉ11を１１Ｔ信号の幅とした
とき、 Ｉ3 ／Ｉtop ＞０．１０、 ０．３≦Ｉ11／Ｉtop ≦０．６ であり、３Ｔ信号の振幅中央位置と１１Ｔ信号の振幅中
央位置との距離のＩ11に対する比率をＡsyとしたとき、 −０．２０＜Ａsy＜０．２０ であり、ピット形成領域において、プッシュ−プル信号
レベルが０．０４〜０．１５であり、ラジアルコントラ
ストが０．１５〜０．３５であり、グルーブ形成領域に
おいて、プッシュ−プル信号レベルが０．１０〜０．２
５であり、ラジアルコントラストが０．２０〜０．４０
である信号を得る光磁気ディスクの記録再生方法。
【０００７】
【作用および効果】本発明の光磁気ディスクでは、プリ
フォーマット情報が記録されているピットとトラッキン
グサーボ用のグルーブとを上記寸法とするので、上記し
た光学系を用いた場合に、トラッキングやシーク、情報
読み出し等においてエラーを極めて少なくすることがで
きる。
フォーマット情報が記録されているピットとトラッキン
グサーボ用のグルーブとを上記寸法とするので、上記し
た光学系を用いた場合に、トラッキングやシーク、情報
読み出し等においてエラーを極めて少なくすることがで
きる。
【０００８】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【０００９】本発明の光磁気ディスクは、基板表面にピ
ット形成領域およびグルーブ形成領域を有し、ピット形
成領域およびグルーブ形成領域を覆うように記録層が形
成されている。
ット形成領域およびグルーブ形成領域を有し、ピット形
成領域およびグルーブ形成領域を覆うように記録層が形
成されている。
【００１０】ピット形成領域はリードインエリアやリー
ドアウトエリアに設けられる。ピット形成領域のピット
には、通常、上記のような各種情報が担持されており、
ピット列はトラッキングにも用いられる。
ドアウトエリアに設けられる。ピット形成領域のピット
には、通常、上記のような各種情報が担持されており、
ピット列はトラッキングにも用いられる。
【００１１】一方、グルーブ形成領域のグルーブは、記
録光および再生光のトラッキングのために設けられる
が、グルーブをウォブリングさせることにより、ディス
クの回転数を制御したり、さらには時間情報やアドレス
情報などを担持させてもよい。
録光および再生光のトラッキングのために設けられる
が、グルーブをウォブリングさせることにより、ディス
クの回転数を制御したり、さらには時間情報やアドレス
情報などを担持させてもよい。
【００１２】本発明の光磁気ディスクでは、ピット形成
領域に、幅０．４０〜０．５５μｍ、深さ６００〜９０
０Åのピットが形成されており、グルーブ形成領域に、
幅０．９５〜１．１５μｍ、深さ６００〜９００Åのグ
ルーブが形成されている。なお、ピットおよびグルーブ
の幅は半値幅である。半値幅とは、ピットやグルーブの
深さ方向の１／２の位置における幅である。なお、これ
らの寸法は、深さについては走査型トンネル顕微鏡（Ｓ
ＴＭ）により、幅については走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により測定された値である。
領域に、幅０．４０〜０．５５μｍ、深さ６００〜９０
０Åのピットが形成されており、グルーブ形成領域に、
幅０．９５〜１．１５μｍ、深さ６００〜９００Åのグ
ルーブが形成されている。なお、ピットおよびグルーブ
の幅は半値幅である。半値幅とは、ピットやグルーブの
深さ方向の１／２の位置における幅である。なお、これ
らの寸法は、深さについては走査型トンネル顕微鏡（Ｓ
ＴＭ）により、幅については走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により測定された値である。
【００１３】本発明の光磁気ディスクの記録および再生
には、開口数ＮＡが０．４４〜０．４６である対物レン
ズを有する光学ヘッドを有する駆動装置を用いる。そし
て、記録光および再生光として、波長７７０〜７９０nm
の直線偏光のレーザー光を、電界ベクトルの方向がグル
ーブおよびピット列と垂直になるように照射することに
より、本発明の光磁気ディスクへの記録およびその再生
が行なわれる。また、これらのレーザー光をグルーブや
ピット列に照射することにより、記録時および再生時の
トラッキングが行なわれる。なお、本発明の光磁気ディ
スクでは、通常、グルーブ内記録が行なわれる。
には、開口数ＮＡが０．４４〜０．４６である対物レン
ズを有する光学ヘッドを有する駆動装置を用いる。そし
て、記録光および再生光として、波長７７０〜７９０nm
の直線偏光のレーザー光を、電界ベクトルの方向がグル
ーブおよびピット列と垂直になるように照射することに
より、本発明の光磁気ディスクへの記録およびその再生
が行なわれる。また、これらのレーザー光をグルーブや
ピット列に照射することにより、記録時および再生時の
トラッキングが行なわれる。なお、本発明の光磁気ディ
スクでは、通常、グルーブ内記録が行なわれる。
【００１４】本発明の光磁気ディスクは、このような光
学ヘッドとレーザー光を用いた場合、下記のような特性
が得られる。
学ヘッドとレーザー光を用いた場合、下記のような特性
が得られる。
【００１５】 図１に示されるようなピット形成領域
のアイパターンにおいて、Ｉｔｏｐを最大レベル、Ｉ３
を３Ｔ信号の幅、Ｉ１１を１１Ｔ信号の幅としたとき、
Ｉ３／Ｉｔｏｐ＞０．１０、特にＩ３／Ｉｔｏｐ＞０．
１５、 ０．３≦Ｉ１１／Ｉｔｏｐ≦０．６ を本発明の光磁気ディスクは満足することができる。Ｉ
３／Ｉｔｏｐが上記範囲を外れると３Ｔ信号を読み取れ
なくなり、Ｉ３／Ｉｔｏｐが上記範囲外である場合に３
Ｔ信号を確実に読み取ろうとすると、駆動装置に過重な
負担がかかる。また、Ｉ１１／Ｉｔｏｐが上記範囲未満
となると、１１Ｔ信号を読み取れなくなり、上記範囲を
超えると、隣接するピットの影響により再生信号波形の
歪が生じて読み取り不良が生じる。
のアイパターンにおいて、Ｉｔｏｐを最大レベル、Ｉ３
を３Ｔ信号の幅、Ｉ１１を１１Ｔ信号の幅としたとき、
Ｉ３／Ｉｔｏｐ＞０．１０、特にＩ３／Ｉｔｏｐ＞０．
１５、 ０．３≦Ｉ１１／Ｉｔｏｐ≦０．６ を本発明の光磁気ディスクは満足することができる。Ｉ
３／Ｉｔｏｐが上記範囲を外れると３Ｔ信号を読み取れ
なくなり、Ｉ３／Ｉｔｏｐが上記範囲外である場合に３
Ｔ信号を確実に読み取ろうとすると、駆動装置に過重な
負担がかかる。また、Ｉ１１／Ｉｔｏｐが上記範囲未満
となると、１１Ｔ信号を読み取れなくなり、上記範囲を
超えると、隣接するピットの影響により再生信号波形の
歪が生じて読み取り不良が生じる。
【００１６】 ピット形成領域のアイパターンにおい
て、３Ｔ信号の振幅中央位置と１１Ｔ信号の振幅中央位
置との距離のＩ１１に対する比率をＡｓｙとしたとき、 −０．２０＜Ａｓｙ＜０．２０ を本発明の光磁気ディスクは満足することができる。３
Ｔ信号の振幅中央位置が１１Ｔ信号の振幅中央位置より
も下側（ゼロレベル側）に存在する場合には、Ａｓｙは
負の値となる。Ａｓｙが上記範囲を外れると、３Ｔ信号
の読み取り不良が生じる。
て、３Ｔ信号の振幅中央位置と１１Ｔ信号の振幅中央位
置との距離のＩ１１に対する比率をＡｓｙとしたとき、 −０．２０＜Ａｓｙ＜０．２０ を本発明の光磁気ディスクは満足することができる。３
Ｔ信号の振幅中央位置が１１Ｔ信号の振幅中央位置より
も下側（ゼロレベル側）に存在する場合には、Ａｓｙは
負の値となる。Ａｓｙが上記範囲を外れると、３Ｔ信号
の読み取り不良が生じる。
【００１７】 本発明の光磁気ディスクでは、ピット
形成領域におけるプッシュ−プル信号レベルとして０．
０４〜０．１５、特に０．０４〜０．１１が得られる。
プッシュ−プル信号とは、プッシュ−プル法によってト
ラッキングを制御したときのトラッキング信号であり、
プッシュ−プル法とは、グルーブやピットで反射回折さ
れた光をトラック中央に関して対称に配置された２分割
フォトダイオードの２つの受光部で受け、それらの出力
差に基づいてトラッキングエラーを検出する方法であ
る。プッシュ−プル信号レベルは、各受光部の出力をそ
れぞれＩ１およびＩ２としたとき、（Ｉ１−Ｉ２）／
（Ｉ１＋Ｉ２）で表わされる。プッシュ−プル信号レベ
ルが上記範囲未満となると、正常なトラッキングができ
なくなり、上記範囲を超えると他の光学特性とのバラン
スが保てなくなり、また、光学ヘッドの種類によっては
フォーカスサーボ信号にノイズが生じる。
形成領域におけるプッシュ−プル信号レベルとして０．
０４〜０．１５、特に０．０４〜０．１１が得られる。
プッシュ−プル信号とは、プッシュ−プル法によってト
ラッキングを制御したときのトラッキング信号であり、
プッシュ−プル法とは、グルーブやピットで反射回折さ
れた光をトラック中央に関して対称に配置された２分割
フォトダイオードの２つの受光部で受け、それらの出力
差に基づいてトラッキングエラーを検出する方法であ
る。プッシュ−プル信号レベルは、各受光部の出力をそ
れぞれＩ１およびＩ２としたとき、（Ｉ１−Ｉ２）／
（Ｉ１＋Ｉ２）で表わされる。プッシュ−プル信号レベ
ルが上記範囲未満となると、正常なトラッキングができ
なくなり、上記範囲を超えると他の光学特性とのバラン
スが保てなくなり、また、光学ヘッドの種類によっては
フォーカスサーボ信号にノイズが生じる。
【００１８】 本発明の光磁気ディスクでは、ラジア
ルコントラストとして０．１５〜０．３５、特に０．１
５〜０．３０が得られる。ピット形成領域におけるラジ
アルコントラストＲＣは、ローパスフィルタを用いたと
きの信号のランド部出力をＩＢ、ピット部出力をＩＰと
したとき、 ＲＣ＝２｜ＩＢ−ＩＰ｜／（ＩＢ＋ＩＰ） で表わされ、ＲＣ出力により、光学ヘッドが飛び越えた
トラック数と光学ヘッドの移動方向（極性）を知ること
ができる。ラジアルコントラストが上記範囲未満となる
と、トラックカウントのエラーや極性判断のエラーが生
じ、上記範囲を超えると、外乱ノイズによりサーボ系が
不安定になる。
ルコントラストとして０．１５〜０．３５、特に０．１
５〜０．３０が得られる。ピット形成領域におけるラジ
アルコントラストＲＣは、ローパスフィルタを用いたと
きの信号のランド部出力をＩＢ、ピット部出力をＩＰと
したとき、 ＲＣ＝２｜ＩＢ−ＩＰ｜／（ＩＢ＋ＩＰ） で表わされ、ＲＣ出力により、光学ヘッドが飛び越えた
トラック数と光学ヘッドの移動方向（極性）を知ること
ができる。ラジアルコントラストが上記範囲未満となる
と、トラックカウントのエラーや極性判断のエラーが生
じ、上記範囲を超えると、外乱ノイズによりサーボ系が
不安定になる。
【００１９】一方、グルーブ形成領域においては、 プッシュ−プル信号レベルとして０．１０〜０．２
５、特に０．１１〜０．２０が得られる。 ラジアルコントラストとして０．２０〜０．４０、
特に０．２０〜０．３５が得られる。この場合、ランド
部出力をＩL 、グルーブ部出力をＩG としたとき、ラジ
アルコントラストＲＣは ＲＣ＝２｜ＩL −ＩG ｜／（ＩL ＋ＩG ） で表わされる。
５、特に０．１１〜０．２０が得られる。 ラジアルコントラストとして０．２０〜０．４０、
特に０．２０〜０．３５が得られる。この場合、ランド
部出力をＩL 、グルーブ部出力をＩG としたとき、ラジ
アルコントラストＲＣは ＲＣ＝２｜ＩL −ＩG ｜／（ＩL ＋ＩG ） で表わされる。
【００２０】本発明の光磁気ディスクでは、ピットおよ
びグルーブそれぞれの寸法以外の構成は特に限定され
ず、通常の光磁気ディスクの構成から適宜選択すればよ
いが、例えば下記の構成が好ましい。
びグルーブそれぞれの寸法以外の構成は特に限定され
ず、通常の光磁気ディスクの構成から適宜選択すればよ
いが、例えば下記の構成が好ましい。
【００２１】図２に、本発明の光磁気ディスクの一実施
例を示す。同図において、光磁気ディスク１は、基板２
表面上に、保護層４、記録層５、保護層６、反射層７お
よび保護コート８を有する。ディスク駆動時には、保護
コート８表面で磁気ヘッドが摺動するが、ディスクの回
転により磁気ヘッドがディスク表面上に浮上する構成と
してもよく、また、磁気ヘッドがディスク表面から一定
距離を保つように支持する構成としてもよい。
例を示す。同図において、光磁気ディスク１は、基板２
表面上に、保護層４、記録層５、保護層６、反射層７お
よび保護コート８を有する。ディスク駆動時には、保護
コート８表面で磁気ヘッドが摺動するが、ディスクの回
転により磁気ヘッドがディスク表面上に浮上する構成と
してもよく、また、磁気ヘッドがディスク表面から一定
距離を保つように支持する構成としてもよい。
【００２２】本発明の光磁気ディスクに対し記録および
再生を行なう際には、光学ヘッドは基板２の裏面側（図
中下側）に位置し、基板を通してレーザー光が照射され
るので、基板には、ガラスや、ポリカーボネート、アク
リル樹脂、非晶質ポリオレフィン、スチレン系樹脂等の
透明樹脂が用いられる。
再生を行なう際には、光学ヘッドは基板２の裏面側（図
中下側）に位置し、基板を通してレーザー光が照射され
るので、基板には、ガラスや、ポリカーボネート、アク
リル樹脂、非晶質ポリオレフィン、スチレン系樹脂等の
透明樹脂が用いられる。
【００２３】保護層４および保護層６は、Ｃ／Ｎの向上
および記録層の腐食防止作用を有し、層厚は１０〜１５
０nm程度とされる。これら保護層は少なくとも一方、好
ましくは両方設けられることが望ましい。これらの保護
層は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物あるいはこ
れらの混合物からなる誘電体物質から構成されることが
好ましく、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等の
各種気相成膜法により形成されることが好ましい。
および記録層の腐食防止作用を有し、層厚は１０〜１５
０nm程度とされる。これら保護層は少なくとも一方、好
ましくは両方設けられることが望ましい。これらの保護
層は、各種酸化物、炭化物、窒化物、硫化物あるいはこ
れらの混合物からなる誘電体物質から構成されることが
好ましく、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等の
各種気相成膜法により形成されることが好ましい。
【００２４】記録層５は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換して再生されるもので
ある。記録層５は、光磁気記録が行なえるものであれば
その材質に特に制限はないが、例えば、希土類金属元素
を含有する合金、特に希土類金属と遷移金属との合金
を、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等、特にス
パッタにより、非晶質膜として形成したものであること
が好ましい。具体的組成としては、ＴｂＦｅＣｏ、Ｄｙ
ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ等
が挙げられる。記録層５の層厚は、通常、１０〜１００
nm程度である。
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換して再生されるもので
ある。記録層５は、光磁気記録が行なえるものであれば
その材質に特に制限はないが、例えば、希土類金属元素
を含有する合金、特に希土類金属と遷移金属との合金
を、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等、特にス
パッタにより、非晶質膜として形成したものであること
が好ましい。具体的組成としては、ＴｂＦｅＣｏ、Ｄｙ
ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ等
が挙げられる。記録層５の層厚は、通常、１０〜１００
nm程度である。
【００２５】反射層７は必要に応じて設けられる。反射
層７を構成する材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ等の比較的高反射率の金属、ある
いはこれらの合金、あるいはこれらの化合物であってよ
い。反射層７は、記録層５と同様にして設層すればよ
い。反射層７の層厚は３０〜２００nm程度とすることが
好ましい。
層７を構成する材質は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ等の比較的高反射率の金属、ある
いはこれらの合金、あるいはこれらの化合物であってよ
い。反射層７は、記録層５と同様にして設層すればよ
い。反射層７の層厚は３０〜２００nm程度とすることが
好ましい。
【００２６】保護コート８は、反射層７までのスパッタ
積層膜の保護のために設けられる樹脂膜である。
積層膜の保護のために設けられる樹脂膜である。
【００２７】保護コート８を構成する樹脂は、放射線硬
化樹脂であることが好ましい。具体的には、放射線硬化
型化合物やその重合用組成物を放射線硬化させた物質か
ら構成されることが好ましい。このようなものとして
は、イオン化エネルギーに感応し、ラジカル重合性を示
す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタクリル酸、
あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系二
重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結
合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和二重結合
等の放射線照射による架橋あるいは重合する基を分子中
に含有または導入したモノマー、オリゴマーおよびポリ
マー等を挙げることができる。これらは多官能、特に３
官能以上であることが好ましく、１種のみ用いても２種
以上併用してもよい。
化樹脂であることが好ましい。具体的には、放射線硬化
型化合物やその重合用組成物を放射線硬化させた物質か
ら構成されることが好ましい。このようなものとして
は、イオン化エネルギーに感応し、ラジカル重合性を示
す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタクリル酸、
あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系二
重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結
合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和二重結合
等の放射線照射による架橋あるいは重合する基を分子中
に含有または導入したモノマー、オリゴマーおよびポリ
マー等を挙げることができる。これらは多官能、特に３
官能以上であることが好ましく、１種のみ用いても２種
以上併用してもよい。
【００２８】放射線硬化性モノマーとしては、分子量２
０００未満の化合物が、オリゴマーとしては分子量２０
００〜１００００のものが好適である。これらはスチレ
ン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
メタクリレート、1,6-ヘキサングリコールジアクリレー
ト、1,6-ヘキサングリコールジメタクリレート等も挙げ
られるが、特に好ましいものとしては、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート（メタクリレート) 、ペンタ
エリスリトールアクリレート（メタクリレート) 、トリ
メチロールプロパントリアクリレート（メタクリレー
ト) 、トリメチロールプロパンジアクリレート（メタク
リレート)、ウレタンエラストマーのアクリル変性体、
あるいはこれらのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入され
たもの、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレ
ート（メタクリレート) 、特願昭６２−０７２８８８号
に示されるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基
（メタクリル基）またはε−カプロラクトン−アクリル
基のついた化合物、および特願昭６２−０７２８８８号
に示される特殊アクリレート類等のアクリル基含有モノ
マーおよび／またはオリゴマーが挙げられる。この他、
放射線硬化性オリゴマーとしては、オリゴエステルアク
リレートやウレタンエラストマーのアクリル変性体、あ
るいはこれらのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入された
もの等が挙げられる。
０００未満の化合物が、オリゴマーとしては分子量２０
００〜１００００のものが好適である。これらはスチレ
ン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
メタクリレート、1,6-ヘキサングリコールジアクリレー
ト、1,6-ヘキサングリコールジメタクリレート等も挙げ
られるが、特に好ましいものとしては、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート（メタクリレート) 、ペンタ
エリスリトールアクリレート（メタクリレート) 、トリ
メチロールプロパントリアクリレート（メタクリレー
ト) 、トリメチロールプロパンジアクリレート（メタク
リレート)、ウレタンエラストマーのアクリル変性体、
あるいはこれらのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入され
たもの、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレ
ート（メタクリレート) 、特願昭６２−０７２８８８号
に示されるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基
（メタクリル基）またはε−カプロラクトン−アクリル
基のついた化合物、および特願昭６２−０７２８８８号
に示される特殊アクリレート類等のアクリル基含有モノ
マーおよび／またはオリゴマーが挙げられる。この他、
放射線硬化性オリゴマーとしては、オリゴエステルアク
リレートやウレタンエラストマーのアクリル変性体、あ
るいはこれらのものにＣＯＯＨ等の官能基が導入された
もの等が挙げられる。
【００２９】また、上記の化合物に加えて、あるいはこ
れにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによ
って得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。この
ような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカル重
合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタク
リル酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアク
リル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系
二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結
合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基を熱
可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂であ
る。放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例と
しては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテル樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フ
ェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができ
る。その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂
としては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエス
テル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（Ｐ
ＶＰオレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミ
ド樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸
基を含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステ
ルを重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等
も有効である。
れにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによ
って得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。この
ような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカル重
合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタク
リル酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアク
リル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系
二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結
合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基を熱
可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂であ
る。放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例と
しては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテル樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フ
ェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができ
る。その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂
としては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエス
テル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（Ｐ
ＶＰオレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミ
ド樹脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸
基を含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステ
ルを重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等
も有効である。
【００３０】重合用塗布組成物は放射線照射、特に紫外
線照射により硬化されるので、重合用組成物中には光重
合開始剤ないし増感剤が含有されることが好ましい。用
いる光重合開始剤ないし増感剤に特に制限はなく、例え
ば、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン
系、チオキサントン系等の通常のものから適宜選択すれ
ばよい。なお、光重合開始剤ないし増感剤として、複数
の化合物を併用してもよい。重合用組成物中における光
重合開始剤の含有量は、通常０．５〜５重量％程度とす
ればよい。このような重合用組成物は、常法に従い合成
してもよく、市販の化合物を用いて調製してもよい。
線照射により硬化されるので、重合用組成物中には光重
合開始剤ないし増感剤が含有されることが好ましい。用
いる光重合開始剤ないし増感剤に特に制限はなく、例え
ば、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン
系、チオキサントン系等の通常のものから適宜選択すれ
ばよい。なお、光重合開始剤ないし増感剤として、複数
の化合物を併用してもよい。重合用組成物中における光
重合開始剤の含有量は、通常０．５〜５重量％程度とす
ればよい。このような重合用組成物は、常法に従い合成
してもよく、市販の化合物を用いて調製してもよい。
【００３１】保護コート８を形成するための放射線硬化
型化合物を含有する組成物としては、エポキシ樹脂およ
び光カチオン重合触媒を含有する組成物も好適に使用さ
れる。
型化合物を含有する組成物としては、エポキシ樹脂およ
び光カチオン重合触媒を含有する組成物も好適に使用さ
れる。
【００３２】エポキシ樹脂としては、脂環式エポキシ樹
脂が好ましく、特に、分子内に２個以上のエポキシ基を
有するものが好ましい。脂環式エポキシ樹脂としては、
３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポ
キシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス−（３，４
−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、２−
（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−
３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサ
ン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテ
ル、ビニルシクロヘキセンジオキシド等の１種以上が好
ましい。脂環式エポキシ樹脂のエポキシ当量に特に制限
はないが、良好な硬化性が得られることから、６０〜３
００、特に１００〜２００であることが好ましい。
脂が好ましく、特に、分子内に２個以上のエポキシ基を
有するものが好ましい。脂環式エポキシ樹脂としては、
３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポ
キシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス−（３，４
−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、２−
（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−
３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサ
ン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテ
ル、ビニルシクロヘキセンジオキシド等の１種以上が好
ましい。脂環式エポキシ樹脂のエポキシ当量に特に制限
はないが、良好な硬化性が得られることから、６０〜３
００、特に１００〜２００であることが好ましい。
【００３３】光カチオン重合触媒は、公知のいずれのも
のを用いてもよく、特に制限はない。例えば、１種以上
の金属フルオロホウ酸塩および三フッ化ホウ素の錯体、
ビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）メタン金属
塩、アリールジアゾニウム化合物、６Ａ族元素の芳香族
オニウム塩、５Ａ族元素の芳香族オニウム塩、３Ａ族〜
５Ａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウム
塩、ＭＦ6 アニオン（ただしＭは、Ｐ、ＡｓまたはＳ
ｂ）を有する６Ａ族元素、トリアリールスルホニウム錯
塩、芳香族イオドニウム錯塩、芳香族スルホニウム錯塩
等を用いることができ、特に、ポリアリールスルホニウ
ム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム塩
またはイオドニウム塩、３Ａ族元素、５Ａ族元素および
６Ａ族元素の芳香族オニウム塩の１種以上を用いること
が好ましい。
のを用いてもよく、特に制限はない。例えば、１種以上
の金属フルオロホウ酸塩および三フッ化ホウ素の錯体、
ビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）メタン金属
塩、アリールジアゾニウム化合物、６Ａ族元素の芳香族
オニウム塩、５Ａ族元素の芳香族オニウム塩、３Ａ族〜
５Ａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウム
塩、ＭＦ6 アニオン（ただしＭは、Ｐ、ＡｓまたはＳ
ｂ）を有する６Ａ族元素、トリアリールスルホニウム錯
塩、芳香族イオドニウム錯塩、芳香族スルホニウム錯塩
等を用いることができ、特に、ポリアリールスルホニウ
ム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム塩
またはイオドニウム塩、３Ａ族元素、５Ａ族元素および
６Ａ族元素の芳香族オニウム塩の１種以上を用いること
が好ましい。
【００３４】また、有機金属化合物と光分解性を有する
有機けい素化合物とを含有する光カチオン重合触媒も用
いることができる。このような光カチオン重合触媒は非
強酸系であるため、光磁気記録ディスクの腐食性の高い
記録層に対する悪影響を避けることができる。有機金属
化合物としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａl 、Ｚｒ等の金属原子に、アルコ
キシ基、フェノキシ基、β−ジケトナト基等が結合した
錯体化合物が好ましい。これらのうち特に有機アルミニ
ウム化合物が好ましく、具体的には、トリスメトキシア
ルミニウム、トリスプロピオナトアルミニウム、トリス
トリフルオロアセチルアルミニウム、トリスエチルアセ
トアセトナトアルミニウムが好ましい。
有機けい素化合物とを含有する光カチオン重合触媒も用
いることができる。このような光カチオン重合触媒は非
強酸系であるため、光磁気記録ディスクの腐食性の高い
記録層に対する悪影響を避けることができる。有機金属
化合物としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａl 、Ｚｒ等の金属原子に、アルコ
キシ基、フェノキシ基、β−ジケトナト基等が結合した
錯体化合物が好ましい。これらのうち特に有機アルミニ
ウム化合物が好ましく、具体的には、トリスメトキシア
ルミニウム、トリスプロピオナトアルミニウム、トリス
トリフルオロアセチルアルミニウム、トリスエチルアセ
トアセトナトアルミニウムが好ましい。
【００３５】光分解性を有する有機けい素化合物は、紫
外線等の光照射によりシラノールを生じるものであり、
ペルオキシシラノ基、ｏ−ニトロベンジル基、α−ケト
シリル基等を有するけい素化合物が好ましい。
外線等の光照射によりシラノールを生じるものであり、
ペルオキシシラノ基、ｏ−ニトロベンジル基、α−ケト
シリル基等を有するけい素化合物が好ましい。
【００３６】組成物中の光カチオン重合触媒の含有量
は、エポキシ樹脂１００重量部に対し、０．０５〜０．
７重量部、特に０．１〜０．５重量部であることが好ま
しい。
は、エポキシ樹脂１００重量部に対し、０．０５〜０．
７重量部、特に０．１〜０．５重量部であることが好ま
しい。
【００３７】このようななかでも、放射線硬化型化合物
としてアクリル基を有するものを用い、光重合増感剤な
いし開始剤を含有する塗膜を放射線、特に紫外線硬化し
たものであることが好ましい。
としてアクリル基を有するものを用い、光重合増感剤な
いし開始剤を含有する塗膜を放射線、特に紫外線硬化し
たものであることが好ましい。
【００３８】保護コート８の厚さは、１〜３０μm 、好
ましくは２〜２０μm とするのがよい。膜厚が薄すぎる
と一様な膜を形成することが困難となり、耐久性が不十
分となってくる。また、厚すぎると、硬化の際の収縮に
よりクラックが生じたり、ディスクに反りが発生し易く
なってくる。
ましくは２〜２０μm とするのがよい。膜厚が薄すぎる
と一様な膜を形成することが困難となり、耐久性が不十
分となってくる。また、厚すぎると、硬化の際の収縮に
よりクラックが生じたり、ディスクに反りが発生し易く
なってくる。
【００３９】保護コート８を形成するには、まず、前記
のような樹脂、好ましくは放射線硬化樹脂用組成物の塗
膜を形成する。塗膜の形成方法に特に制限はなく、通
常、スピンコート、スクリーン印刷、グラビア塗布、ス
プレーコート、ディッピング等、種々の公知の方法から
適宜選択すればよい。この際の塗布条件は、重合用組成
物の粘度、目的とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定す
ればよい。
のような樹脂、好ましくは放射線硬化樹脂用組成物の塗
膜を形成する。塗膜の形成方法に特に制限はなく、通
常、スピンコート、スクリーン印刷、グラビア塗布、ス
プレーコート、ディッピング等、種々の公知の方法から
適宜選択すればよい。この際の塗布条件は、重合用組成
物の粘度、目的とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定す
ればよい。
【００４０】次いで、紫外線を照射して塗膜を硬化す
る。なお、場合によっては、加熱後に紫外線を照射して
もよく、紫外線のかわりに電子線等を照射してもよい。
塗膜に照射する紫外線強度は、通常、５０mW/cm2程度以
上、照射量は、通常、５００〜２０００mJ/cm2程度とす
ればよい。また、紫外線源としては、水銀灯などの通常
のものを用いればよい。紫外線の照射により、上記各化
合物はラジカル重合する。
る。なお、場合によっては、加熱後に紫外線を照射して
もよく、紫外線のかわりに電子線等を照射してもよい。
塗膜に照射する紫外線強度は、通常、５０mW/cm2程度以
上、照射量は、通常、５００〜２０００mJ/cm2程度とす
ればよい。また、紫外線源としては、水銀灯などの通常
のものを用いればよい。紫外線の照射により、上記各化
合物はラジカル重合する。
【００４１】なお、基板２の裏面側には、図示されるよ
うに透明なハードコート３を形成してもよい。ハードコ
ートの材質および厚さは、保護コート８と同様とすれば
よい。ハードコートには、例えば界面活性剤の添加など
により帯電防止性を付与することが好ましい。ハードコ
ートは、ディスク主面だけに限らず、ディスクの外周側
面や内周側面に設けてもよい。
うに透明なハードコート３を形成してもよい。ハードコ
ートの材質および厚さは、保護コート８と同様とすれば
よい。ハードコートには、例えば界面活性剤の添加など
により帯電防止性を付与することが好ましい。ハードコ
ートは、ディスク主面だけに限らず、ディスクの外周側
面や内周側面に設けてもよい。
【００４２】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００４３】光磁気ディスクサンプルを作製した。
【００４４】まず、外径６４mm、内径１１mm、記録部厚
さ１．２mmのポリカーボネート樹脂基板を用意した。基
板は、下記表１および表２にそれぞれ示されるピットお
よびグルーブを有するものを用いた。
さ１．２mmのポリカーボネート樹脂基板を用意した。基
板は、下記表１および表２にそれぞれ示されるピットお
よびグルーブを有するものを用いた。
【００４５】次いで、ピットおよびグルーブ形成側主面
に、ＳｉＮx 保護層を高周波マグネトロンスパッタによ
り層厚９０nmに設層した。次に、この保護層上に、Ｔｂ
23Ｆｅ72Ｃｏ5 の組成を有する記録層を、ピットおよび
グルーブを覆うようにスパッタにより層厚２０nmに設層
した。さらに、この記録層上に、ＬａＳｉＯＮの保護層
を高周波マグネトロンスパッタにより２０nm厚に設層
し、この保護層上に、８０nmのＡｌ合金反射層および保
護コートを順に設層した。
に、ＳｉＮx 保護層を高周波マグネトロンスパッタによ
り層厚９０nmに設層した。次に、この保護層上に、Ｔｂ
23Ｆｅ72Ｃｏ5 の組成を有する記録層を、ピットおよび
グルーブを覆うようにスパッタにより層厚２０nmに設層
した。さらに、この記録層上に、ＬａＳｉＯＮの保護層
を高周波マグネトロンスパッタにより２０nm厚に設層
し、この保護層上に、８０nmのＡｌ合金反射層および保
護コートを順に設層した。
【００４６】保護コートは、下記の重合用組成物の塗膜
をスピンコートによって形成し、この塗膜に紫外線を照
射して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは約５μ
m であった。紫外線照射量は１０００mJ/cm2とした。
をスピンコートによって形成し、この塗膜に紫外線を照
射して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは約５μ
m であった。紫外線照射量は１０００mJ/cm2とした。
【００４７】重合用組成物 オリゴエステルアクリレート （分子量５，０００） ５０重量部 トリメチロールプロパントリアクリレート ５０重量部 アセトフェノン系光重合開始剤 ３重量部
【００４８】このようにして得られた光磁気ディスクサ
ンプルのピット形成領域およびグルーブ形成領域につい
て、表１および表２に示される特性を測定した。各表に
おいて、Ｐ−Ｐはプッシュ−プル信号レベルを表わし、
ＲＣはラジアルコントラストを表わす。なお、測定に際
しては、ＮＡ＝０．４５の対物レンズを有する光学ヘッ
ドを装備した駆動装置を用い、波長７８０nmの直線偏光
のレーザー光を電界ベクトルの方向がグルーブおよびピ
ット列と垂直になるように照射した。
ンプルのピット形成領域およびグルーブ形成領域につい
て、表１および表２に示される特性を測定した。各表に
おいて、Ｐ−Ｐはプッシュ−プル信号レベルを表わし、
ＲＣはラジアルコントラストを表わす。なお、測定に際
しては、ＮＡ＝０．４５の対物レンズを有する光学ヘッ
ドを装備した駆動装置を用い、波長７８０nmの直線偏光
のレーザー光を電界ベクトルの方向がグルーブおよびピ
ット列と垂直になるように照射した。
【００４９】
【表１】
【００５０】
【表２】
【００５１】表１および表２に示される結果から、本発
明の効果が明らかである。なお、ＮＡ＝０．５０の対物
レンズを有する光学ヘッドを装備した駆動装置を用い、
波長７８０nmの円偏光のレーザー光を照射して上記各特
性を測定したところ、表２のNo. ２０２および２０３に
おいてＰ−Ｐがそれぞれ０．３２７および０．３３２と
なって、Ｐ−Ｐの好ましい範囲である０．１０〜０．２
５から外れてしまった。
明の効果が明らかである。なお、ＮＡ＝０．５０の対物
レンズを有する光学ヘッドを装備した駆動装置を用い、
波長７８０nmの円偏光のレーザー光を照射して上記各特
性を測定したところ、表２のNo. ２０２および２０３に
おいてＰ−Ｐがそれぞれ０．３２７および０．３３２と
なって、Ｐ−Ｐの好ましい範囲である０．１０〜０．２
５から外れてしまった。
【図１】光磁気ディスクのピット形成領域のアイパター
ンの一例である。
ンの一例である。
【図２】本発明の光磁気ディスクの１例を示す部分断面
図である。
図である。
１ 光磁気ディスク ２ 基板 ３ ハードコート ４ 保護層 ５ 記録層 ６ 保護層 ７ 反射層 ８ 保護コート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長縄 理樹 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−28944（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 基板表面にピット形成領域およびグルー
ブ形成領域を有し、前記ピット形成領域および前記グル
ーブ形成領域を覆うように記録層が形成されている光磁
気ディスクであって、 前記ピット形成領域に、幅０．４０〜０．５５μm 、深
さ６００〜９００Åのピットを有し、前記グルーブ形成
領域に、幅０．９５〜１．１５μm 、深さ６００〜９０
０Åのグルーブを有するものを用い、 開口数ＮＡが０．４４〜０．４６である対物レンズを有
する光学ヘッドを用い、波長７７０〜７９０nmの直線偏
光であって電界ベクトルの方向がグルーブおよびピット
列と垂直であるレーザ光により記録および再生を行い、 前記開口数ＮＡが０．４４〜０．４６である対物レンズ
を有する光学ヘッドを用い、前記波長７７０〜７９０nm
の直線偏光のレーザー光を電界ベクトルの方向がグルー
ブおよびピット列と垂直になるように照射して、 ピット形成領域のアイパターンにおいて、Ｉtop を最大
レベル、Ｉ3 を３Ｔ信号の幅、Ｉ11を１１Ｔ信号の幅と
したとき、 Ｉ3 ／Ｉtop ＞０．１０、 ０．３≦Ｉ11／Ｉtop ≦０．６ であり、３Ｔ信号の振幅中央位置と１１Ｔ信号の振幅中
央位置との距離のＩ11に対する比率をＡsyとしたとき、 −０．２０＜Ａsy＜０．２０ であり、 ピット形成領域において、プッシュ−プル信号レベルが
０．０４〜０．１５であり、ラジアルコントラストが
０．１５〜０．３５であり、 グルーブ形成領域において、プッシュ−プル信号レベル
が０．１０〜０．２５であり、ラジアルコントラストが
０．２０〜０．４０である信号を得る光磁気ディスクの
記録再生方法。
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| JP30766492A JP3160095B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-10-21 | 光磁気ディスクの記録再生方法 |
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| JP19474592 | 1992-06-29 | ||
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-
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