JPH0635559A - 定電流回路 - Google Patents
定電流回路Info
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- JPH0635559A JPH0635559A JP4213354A JP21335492A JPH0635559A JP H0635559 A JPH0635559 A JP H0635559A JP 4213354 A JP4213354 A JP 4213354A JP 21335492 A JP21335492 A JP 21335492A JP H0635559 A JPH0635559 A JP H0635559A
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- current
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- transistor
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/265—Current mirrors using bipolar transistors only
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
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- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
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- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 負荷に流れる電流の電流値と温度特性の設定
を、互いに独立して設定できるようにする。 【構成】 バンドギャップ・リファレンス回路１４に接
続された温度特性設定回路１５Ａの出力側と電圧フォロ
ワ回路１６の出力側を制御抵抗Ｒ１２に接続する。 【効果】 負荷１３に流れる電流Ｉ0 の温度特性はバン
ドギャップ・リファレンス回路１４及び温度特性設定回
路１５Ａによって設定され、その電流値は制御抵抗Ｒ１
２によって設定される。電流Ｉ0 の温度特性と電流値は
互いに独立して設定できるようになるため、回路の設計
が簡略化され、電流値と温度特性を高精度で設定でき
る。
を、互いに独立して設定できるようにする。 【構成】 バンドギャップ・リファレンス回路１４に接
続された温度特性設定回路１５Ａの出力側と電圧フォロ
ワ回路１６の出力側を制御抵抗Ｒ１２に接続する。 【効果】 負荷１３に流れる電流Ｉ0 の温度特性はバン
ドギャップ・リファレンス回路１４及び温度特性設定回
路１５Ａによって設定され、その電流値は制御抵抗Ｒ１
２によって設定される。電流Ｉ0 の温度特性と電流値は
互いに独立して設定できるようになるため、回路の設計
が簡略化され、電流値と温度特性を高精度で設定でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】例えばパワーデバイスのように温
度上昇によって回路に流れる電流が増大し、熱暴走を起
こす恐れのある負荷には負の温度特性を示す電流を供給
するというように、温度変化に対して負荷回路に供給す
る電流の電流値を増減させるような温度補償型の定電流
回路において、負荷に流れる電流の電流値と温度特性の
設定を容易にした定電流回路に関する。
度上昇によって回路に流れる電流が増大し、熱暴走を起
こす恐れのある負荷には負の温度特性を示す電流を供給
するというように、温度変化に対して負荷回路に供給す
る電流の電流値を増減させるような温度補償型の定電流
回路において、負荷に流れる電流の電流値と温度特性の
設定を容易にした定電流回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】その回路の持つ温度係数で電流値が変化
する、従来の定電流回路の一例を図５に示す。この定電
流回路は、バンドギャップ・リファレンス回路５４と接
続された温度特性設定回路５５の出力端に電圧フォロワ
回路５６を接続し、負荷５３に対して直列に接続された
制御抵抗Ｒ５２に電圧フォロワ回路５６の出力端が接続
されている。
する、従来の定電流回路の一例を図５に示す。この定電
流回路は、バンドギャップ・リファレンス回路５４と接
続された温度特性設定回路５５の出力端に電圧フォロワ
回路５６を接続し、負荷５３に対して直列に接続された
制御抵抗Ｒ５２に電圧フォロワ回路５６の出力端が接続
されている。
【０００３】バンドギャップ・リファレンス回路５４
は、半導体のバンドギャップ電圧を利用したバイアス回
路であり、ＰＮＰ型の第１トランジスタＱ５１及び第２
トランジスタＱ５２と、ＮＰＮ型の第３トランジスタＱ
５３及び第４トランジスタＱ５４と、抵抗Ｒ５１より構
成される。第１トランジスタＱ５１と第３トランジスタ
Ｑ５３のコレクタを接続し、第３トランジスタＱ５３の
エミッタに抵抗Ｒ５１を接続した直列回路と、第２トラ
ンジスタＱ５２と第４トランジスタＱ５４のコレクタを
接続した直列回路を入力端子５７ａ、５７ｂ間に並列に
接続してある。第１トランジスタＱ５１と第２トランジ
スタＱ５２のベースは互いに接続され、さらに第１トラ
ンジスタＱ５１のベースとコレクタが接続される。第３
トランジスタＱ５３と第４トランジスタＱ５４のベース
は互いに接続され、さらに第４トランジスタＱ５４のベ
ースとコレクタが接続される。
は、半導体のバンドギャップ電圧を利用したバイアス回
路であり、ＰＮＰ型の第１トランジスタＱ５１及び第２
トランジスタＱ５２と、ＮＰＮ型の第３トランジスタＱ
５３及び第４トランジスタＱ５４と、抵抗Ｒ５１より構
成される。第１トランジスタＱ５１と第３トランジスタ
Ｑ５３のコレクタを接続し、第３トランジスタＱ５３の
エミッタに抵抗Ｒ５１を接続した直列回路と、第２トラ
ンジスタＱ５２と第４トランジスタＱ５４のコレクタを
接続した直列回路を入力端子５７ａ、５７ｂ間に並列に
接続してある。第１トランジスタＱ５１と第２トランジ
スタＱ５２のベースは互いに接続され、さらに第１トラ
ンジスタＱ５１のベースとコレクタが接続される。第３
トランジスタＱ５３と第４トランジスタＱ５４のベース
は互いに接続され、さらに第４トランジスタＱ５４のベ
ースとコレクタが接続される。
【０００４】温度特性設定回路５５は、バンドギャップ
・リファレンス回路の持つ温度係数を受け、定電流回路
から出力する電流の温度特性を設定する回路であり、Ｐ
ＮＰ型の第５トランジスタＱ５５、スイッチＳＷ５１、
抵抗Ｒ５４、ダイオードＤ５１より構成される。第５ト
ランジスタＱ５５は、エミッタが入力端子５７ａに接続
され、ベースがバンドギャップ・リファレンス回路５４
の第１トランジスタＱ５１及び第２トランジスタＱ５２
のベースと接続されてカレントミラー回路を形成する。
第５トランジスタＱ５５のコレクタは切換スイッチＳＷ
５１の可動接点と接続され、スイッチＳＷ５１の一方の
固定接点には抵抗Ｒ５４が、もう一方の固定接点にはダ
イオードＤ５１が接続され、抵抗Ｒ５４及びダイオード
Ｄ５１の他端は、入力端子５７ｂに接続される。
・リファレンス回路の持つ温度係数を受け、定電流回路
から出力する電流の温度特性を設定する回路であり、Ｐ
ＮＰ型の第５トランジスタＱ５５、スイッチＳＷ５１、
抵抗Ｒ５４、ダイオードＤ５１より構成される。第５ト
ランジスタＱ５５は、エミッタが入力端子５７ａに接続
され、ベースがバンドギャップ・リファレンス回路５４
の第１トランジスタＱ５１及び第２トランジスタＱ５２
のベースと接続されてカレントミラー回路を形成する。
第５トランジスタＱ５５のコレクタは切換スイッチＳＷ
５１の可動接点と接続され、スイッチＳＷ５１の一方の
固定接点には抵抗Ｒ５４が、もう一方の固定接点にはダ
イオードＤ５１が接続され、抵抗Ｒ５４及びダイオード
Ｄ５１の他端は、入力端子５７ｂに接続される。
【０００５】電圧フォロワ回路５６は、制御抵抗Ｒ５２
の両端の電圧を一定に保つための回路であり、増幅器５
２の反転入力端子と出力端子が接続され、さらに出力端
子は制御抵抗Ｒ５２と接続され、非反転入力端子が温度
特性設定回路５５の第５トランジスタＱ５５のコレクタ
と接続して構成される。
の両端の電圧を一定に保つための回路であり、増幅器５
２の反転入力端子と出力端子が接続され、さらに出力端
子は制御抵抗Ｒ５２と接続され、非反転入力端子が温度
特性設定回路５５の第５トランジスタＱ５５のコレクタ
と接続して構成される。
【０００６】Ｖ1 は温度特性設定回路５５の第５トラン
ジスタＱ５５のコレクタに現れ、電圧フォロワ回路５６
に入力される電圧であり、Ｉ0 は出力端子５８ａ、５８
ｂに接続される負荷５３に流れる電流、Ｉ1 は温度特性
設定回路５５に流れる電流である。
ジスタＱ５５のコレクタに現れ、電圧フォロワ回路５６
に入力される電圧であり、Ｉ0 は出力端子５８ａ、５８
ｂに接続される負荷５３に流れる電流、Ｉ1 は温度特性
設定回路５５に流れる電流である。
【０００７】先ず、温度特性設定回路５５の切換スイッ
チＳＷ５１を抵抗Ｒ５４側へ接続した場合の回路の動作
を説明する。
チＳＷ５１を抵抗Ｒ５４側へ接続した場合の回路の動作
を説明する。
【０００８】バンドギャップ・リファレンス回路５４の
第１トランジスタＱ５１及び第２トランジスタＱ５２と
温度特性設定回路５５の第５トランジスタＱ５５はカレ
ントミラー回路を形成しているので、第２トランジスタ
Ｑ５２と第５トランジスタＱ５５に流れる電流は等し
い。従って、バンドギャップ・リファレンス回路５４を
流れる電流から、温度特性設定回路５５の第２トランジ
スタＱ５２を流れる電流Ｉ1 は次式で求めることができ
る。 Ｉ1 ＝（ＶT ／Ｒa ）ｌn Ｎ （１） ここで、Ｒa は抵抗Ｒ５１の抵抗値、Ｎは第３トランジ
スタＱ５３と第４トランジスタＱ５４のエミッタ面積の
比である。ＶT は熱電圧と呼ばれ、 ＶT ＝ＫＴ／ｑ （２） で表される定数で、Ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温
度、ｑは電荷量を示し、およそ２６ｍＶ／２７℃であ
る。
第１トランジスタＱ５１及び第２トランジスタＱ５２と
温度特性設定回路５５の第５トランジスタＱ５５はカレ
ントミラー回路を形成しているので、第２トランジスタ
Ｑ５２と第５トランジスタＱ５５に流れる電流は等し
い。従って、バンドギャップ・リファレンス回路５４を
流れる電流から、温度特性設定回路５５の第２トランジ
スタＱ５２を流れる電流Ｉ1 は次式で求めることができ
る。 Ｉ1 ＝（ＶT ／Ｒa ）ｌn Ｎ （１） ここで、Ｒa は抵抗Ｒ５１の抵抗値、Ｎは第３トランジ
スタＱ５３と第４トランジスタＱ５４のエミッタ面積の
比である。ＶT は熱電圧と呼ばれ、 ＶT ＝ＫＴ／ｑ （２） で表される定数で、Ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温
度、ｑは電荷量を示し、およそ２６ｍＶ／２７℃であ
る。
【０００９】上記の式（１）、式（２）より、電流Ｉ1
は比例項として正の温度係数を有する熱電圧ＶT を内在
させているので正の温度特性を示すことがわかる。抵抗
Ｒ５４に正の温度特性を示す電流Ｉ1 が流れるので、や
はり正の温度特性を示す電圧Ｖ1 が電圧フォロワ回路５
６を介して制御抵抗Ｒ５２に加えられる。制御抵抗Ｒ５
２は負荷５３と直列に接続されているので、負荷５３に
流れる電流Ｉ0 は制御抵抗Ｒ５２と電圧Ｖ1 によって決
定され、正の温度特性を示すことになる。
は比例項として正の温度係数を有する熱電圧ＶT を内在
させているので正の温度特性を示すことがわかる。抵抗
Ｒ５４に正の温度特性を示す電流Ｉ1 が流れるので、や
はり正の温度特性を示す電圧Ｖ1 が電圧フォロワ回路５
６を介して制御抵抗Ｒ５２に加えられる。制御抵抗Ｒ５
２は負荷５３と直列に接続されているので、負荷５３に
流れる電流Ｉ0 は制御抵抗Ｒ５２と電圧Ｖ1 によって決
定され、正の温度特性を示すことになる。
【００１０】温度特性設定回路５５の切換スイッチＳＷ
５１をダイオードＤ５１側へ接続した場合の回路の動作
は、電流Ｉ1 が正の温度特性を示すことまではスイッチ
ＳＷ５１を抵抗Ｒ５４側へ接続した場合と同じである
が、一般にダイオード素子の抵抗は負の温度特性を示
す。式（１）及び式（２）により示された電流Ｉ1 に内
在されている熱電圧ＶT の持つ正の温度係数よりもダイ
オードＤ５１の抵抗の持つ負の温度係数の方が大きけれ
ば、電圧Ｖ1 は負の温度特性を示すようになる。従っ
て、負荷５３に流れる電流Ｉ0 は負の温度特性を示す。
５１をダイオードＤ５１側へ接続した場合の回路の動作
は、電流Ｉ1 が正の温度特性を示すことまではスイッチ
ＳＷ５１を抵抗Ｒ５４側へ接続した場合と同じである
が、一般にダイオード素子の抵抗は負の温度特性を示
す。式（１）及び式（２）により示された電流Ｉ1 に内
在されている熱電圧ＶT の持つ正の温度係数よりもダイ
オードＤ５１の抵抗の持つ負の温度係数の方が大きけれ
ば、電圧Ｖ1 は負の温度特性を示すようになる。従っ
て、負荷５３に流れる電流Ｉ0 は負の温度特性を示す。
【００１１】このように、図５に示す従来の定電流回路
では、その回路に接続される負荷の特性に合わせて負荷
に流れる電流の温度特性を選択し、設定する事が可能で
あった。しかし、電流Ｉ0 の温度特性及び電流値は、温
度特性設定回路５５からの電圧Ｖ1 及び制御抵抗Ｒ５２
によって決定される。従って、電流Ｉ0 の電流値と温度
特性は互いに独立して設定させることはできないといっ
た問題点が存在した。そのため、所望の電流値、温度特
性を得るための回路設計が面倒であり、また電流値、温
度特性の設定精度にも限界があった。
では、その回路に接続される負荷の特性に合わせて負荷
に流れる電流の温度特性を選択し、設定する事が可能で
あった。しかし、電流Ｉ0 の温度特性及び電流値は、温
度特性設定回路５５からの電圧Ｖ1 及び制御抵抗Ｒ５２
によって決定される。従って、電流Ｉ0 の電流値と温度
特性は互いに独立して設定させることはできないといっ
た問題点が存在した。そのため、所望の電流値、温度特
性を得るための回路設計が面倒であり、また電流値、温
度特性の設定精度にも限界があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点を
鑑みなされたもので、負荷に流れる電流の電流値と温度
特性の設定を互いに独立して設定できるようにし、回路
の設計を簡略化でき、さらに電流値と温度特性を高精度
で設定できるようにした定電流回路を提供することを目
的とする。
鑑みなされたもので、負荷に流れる電流の電流値と温度
特性の設定を互いに独立して設定できるようにし、回路
の設計を簡略化でき、さらに電流値と温度特性を高精度
で設定できるようにした定電流回路を提供することを目
的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、バンドギャッ
プ・リファレンス回路に接続された温度特性設定回路の
出力端と電圧フォロワ回路の出力端を制御抵抗に接続し
た構成により、温度特性設定回路からの出力電流で負荷
に流れる電流の温度特性を設定し、制御抵抗の抵抗値で
負荷に流れる電流の電流値を設定できることを特徴とす
る。
プ・リファレンス回路に接続された温度特性設定回路の
出力端と電圧フォロワ回路の出力端を制御抵抗に接続し
た構成により、温度特性設定回路からの出力電流で負荷
に流れる電流の温度特性を設定し、制御抵抗の抵抗値で
負荷に流れる電流の電流値を設定できることを特徴とす
る。
【００１４】
【実施例】図１に、本発明の一実施例である定電流回路
の回路図を示す。バンドギャップ・リファレンス回路１
４に接続された温度特性設定回路１５Ａの出力端を電圧
フォロワ回路１６の出力端と接続し、さらに電圧フォロ
ワ回路１６の出力端は負荷に直列接続された制御抵抗Ｒ
１２に接続されている。
の回路図を示す。バンドギャップ・リファレンス回路１
４に接続された温度特性設定回路１５Ａの出力端を電圧
フォロワ回路１６の出力端と接続し、さらに電圧フォロ
ワ回路１６の出力端は負荷に直列接続された制御抵抗Ｒ
１２に接続されている。
【００１５】バンドギャップ・リファレンス回路１４
は、ＰＮＰ型の第１トランジスタＱ１１及び第２トラン
ジスタＱ１２と、ＮＰＮ型の第３トランジスタＱ１３及
び第４トランジスタＱ１４と、抵抗Ｒ１１より構成さ
れ、回路の接続構成は図５のバンドギャップ・リファレ
ンス回路５４と同一である。
は、ＰＮＰ型の第１トランジスタＱ１１及び第２トラン
ジスタＱ１２と、ＮＰＮ型の第３トランジスタＱ１３及
び第４トランジスタＱ１４と、抵抗Ｒ１１より構成さ
れ、回路の接続構成は図５のバンドギャップ・リファレ
ンス回路５４と同一である。
【００１６】温度特性設定回路１５ＡはＰＮＰ型の第５
トランジスタＱ１５で構成され、第５トランジスタＱ１
５のエミッタは入力端子１７ａと接続され、ベースはバ
ンドギャップ・リファレンス回路１４の第１トランジス
タＱ１１及び第２トランジスタＱ１２のベースと接続さ
れてカレントミラー回路を形成しており、コレクタは電
圧フォロワ回路１６の出力端及び制御抵抗Ｒ１２と接続
される。
トランジスタＱ１５で構成され、第５トランジスタＱ１
５のエミッタは入力端子１７ａと接続され、ベースはバ
ンドギャップ・リファレンス回路１４の第１トランジス
タＱ１１及び第２トランジスタＱ１２のベースと接続さ
れてカレントミラー回路を形成しており、コレクタは電
圧フォロワ回路１６の出力端及び制御抵抗Ｒ１２と接続
される。
【００１７】電圧フォロワ回路１６は増幅器１２と基準
電圧源１１より構成され、増幅器１２の非反転端子は基
準電圧源１１の高電位側に接続され、反転端子と出力端
子が接続され、さらに出力端子は温度特性設定回路１５
Ａの出力端及び制御抵抗Ｒ１２と接続され、基準電圧源
１１の低電位側は入力端子１７ｂと接続される。
電圧源１１より構成され、増幅器１２の非反転端子は基
準電圧源１１の高電位側に接続され、反転端子と出力端
子が接続され、さらに出力端子は温度特性設定回路１５
Ａの出力端及び制御抵抗Ｒ１２と接続され、基準電圧源
１１の低電位側は入力端子１７ｂと接続される。
【００１８】ＶE は基準電圧源１１の電圧、Ｉ2 は温度
特性設定回路１５Ａから出力される電流、Ｉ0 は出力端
子１８ａ、１８ｂに接続される負荷１３に流れる電流で
ある。
特性設定回路１５Ａから出力される電流、Ｉ0 は出力端
子１８ａ、１８ｂに接続される負荷１３に流れる電流で
ある。
【００１９】温度特性設定回路１５Ａの第５トランジス
タＱ１５は、バンドギャップ・リファレンス回路１４の
第１トランジスタＱ１１及び第２トランジスタＱ１２と
カレントミラー回路を形成している。そのため、温度特
性設定回路１５Ａから出力される電流Ｉ2 は、前記した
式（１）において抵抗Ｒ５１の抵抗値Ｒa を抵抗Ｒ１１
の抵抗値Ｒb で置き換えることにより求められ、 Ｉ2 ＝（ＶT ／Ｒb ）ｌn Ｎ （３） で表され、正の温度特性を示す。ただし、Ｎは第３トラ
ンジスタＱ１３と第４トランジスタＱ１４のエミッタ面
積の比である。
タＱ１５は、バンドギャップ・リファレンス回路１４の
第１トランジスタＱ１１及び第２トランジスタＱ１２と
カレントミラー回路を形成している。そのため、温度特
性設定回路１５Ａから出力される電流Ｉ2 は、前記した
式（１）において抵抗Ｒ５１の抵抗値Ｒa を抵抗Ｒ１１
の抵抗値Ｒb で置き換えることにより求められ、 Ｉ2 ＝（ＶT ／Ｒb ）ｌn Ｎ （３） で表され、正の温度特性を示す。ただし、Ｎは第３トラ
ンジスタＱ１３と第４トランジスタＱ１４のエミッタ面
積の比である。
【００２０】電圧フォロワ回路１６の増幅器１２の非反
転入力端子には基準電圧源１１からの電圧ＶE が入力さ
れているので、制御抵抗Ｒ１２の両端には常にＶE の電
圧が加わる。従って、制御抵抗Ｒ１２に流れる電流は、
制御抵抗Ｒ１２の抵抗値をＲc とすると（ＶE ／Ｒc ）
で表され、温度変化に対して常に一定になる。また、負
荷１３に流れる電流Ｉ0 と温度特性設定回路１５Ａから
の出力電流Ｉ2 を加え合わせたものが制御抵抗Ｒ１２に
流れる電流でもあり、電流Ｉ0 は次式にて表される。 Ｉ0 ＝（ＶE ／ＲC ）−Ｉ2 （４） 上式より、電流Ｉ2 が正の温度特性を示すのは前記した
通りであるので、電流Ｉ0 は逆に負の温度特性を示すこ
とが分かる。
転入力端子には基準電圧源１１からの電圧ＶE が入力さ
れているので、制御抵抗Ｒ１２の両端には常にＶE の電
圧が加わる。従って、制御抵抗Ｒ１２に流れる電流は、
制御抵抗Ｒ１２の抵抗値をＲc とすると（ＶE ／Ｒc ）
で表され、温度変化に対して常に一定になる。また、負
荷１３に流れる電流Ｉ0 と温度特性設定回路１５Ａから
の出力電流Ｉ2 を加え合わせたものが制御抵抗Ｒ１２に
流れる電流でもあり、電流Ｉ0 は次式にて表される。 Ｉ0 ＝（ＶE ／ＲC ）−Ｉ2 （４） 上式より、電流Ｉ2 が正の温度特性を示すのは前記した
通りであるので、電流Ｉ0 は逆に負の温度特性を示すこ
とが分かる。
【００２１】以上までに説明した図１の回路構成の定電
流回路では、負荷１３に流れる電流Ｉ0 は、負の温度特
性を示すことになる。電流Ｉ0 に正の温度特性が要求さ
れる場合には、温度特性設定回路１５Ａの回路構成を図
２の温度特性設定回路１５Ｂのようにすれば良い。
流回路では、負荷１３に流れる電流Ｉ0 は、負の温度特
性を示すことになる。電流Ｉ0 に正の温度特性が要求さ
れる場合には、温度特性設定回路１５Ａの回路構成を図
２の温度特性設定回路１５Ｂのようにすれば良い。
【００２２】すなわち、バンドギャップ・リファレンス
回路１４の第１トランジスタＱ１１及び第２トランジス
タＱ１２とカレントミラー回路を形成する第５トランジ
スタＱ１５のコレクタに、ＮＰＮ型の第７トランジスタ
Ｑ１７のコレクタを接続する。第７トランジスタＱ１７
のエミッタは入力端子１７ｂと接続され、ベースはコレ
クタと接続される。第７トランジスタＱ１７のベース
は、さらに第８トランジスタＱ１８のベースと接続さ
れ、第７トランジスタＱ１７と第８トランジスタＱ１８
はカレントミラー回路を形成する。第８トランジスタＱ
１８のエミッタは入力端子１７ｂと接続され、コレクタ
は電圧フォロワ回路１６の出力側と接続される。
回路１４の第１トランジスタＱ１１及び第２トランジス
タＱ１２とカレントミラー回路を形成する第５トランジ
スタＱ１５のコレクタに、ＮＰＮ型の第７トランジスタ
Ｑ１７のコレクタを接続する。第７トランジスタＱ１７
のエミッタは入力端子１７ｂと接続され、ベースはコレ
クタと接続される。第７トランジスタＱ１７のベース
は、さらに第８トランジスタＱ１８のベースと接続さ
れ、第７トランジスタＱ１７と第８トランジスタＱ１８
はカレントミラー回路を形成する。第８トランジスタＱ
１８のエミッタは入力端子１７ｂと接続され、コレクタ
は電圧フォロワ回路１６の出力側と接続される。
【００２３】温度特性設定回路１５Ａに換えて、以上の
ような回路構成とした温度特性設定回路１５Ｂを用いる
と、式（３）で表される電流Ｉ2 が第７トランジスタＱ
１７及び第８トランジスタＱ１８に流れる。第８トラン
ジスタＱ１８と制御抵抗Ｒ１２は並列接続の状態になっ
ているため、負荷１３に流れる電流Ｉ0 は、電圧フォロ
ワ回路１６と制御抵抗Ｒ１２によって常に一定となる電
流と第８トランジスタＱ１８に流れる電流を加え合わせ
たものとなり、 Ｉ0 ＝（ＶE ／ＲC ）＋Ｉ2 （５） で表すことができる。上式（５）において電流Ｉ2 が正
の温度特性を示すことは式（３）にて説明した通りであ
るので、負荷１３に流れる電流Ｉ0 は正の温度特性を示
すことになる。
ような回路構成とした温度特性設定回路１５Ｂを用いる
と、式（３）で表される電流Ｉ2 が第７トランジスタＱ
１７及び第８トランジスタＱ１８に流れる。第８トラン
ジスタＱ１８と制御抵抗Ｒ１２は並列接続の状態になっ
ているため、負荷１３に流れる電流Ｉ0 は、電圧フォロ
ワ回路１６と制御抵抗Ｒ１２によって常に一定となる電
流と第８トランジスタＱ１８に流れる電流を加え合わせ
たものとなり、 Ｉ0 ＝（ＶE ／ＲC ）＋Ｉ2 （５） で表すことができる。上式（５）において電流Ｉ2 が正
の温度特性を示すことは式（３）にて説明した通りであ
るので、負荷１３に流れる電流Ｉ0 は正の温度特性を示
すことになる。
【００２４】電流Ｉ2 の温度特性はバンドギャップ・リ
ファレンス回路１４の有する温度係数及び温度特性設定
回路１５Ａによって決定されるので、負荷１３に流れる
電流Ｉ0 は、バンドギャップ・リファレンス回路１４及
び温度特性設定回路１５Ａの有する温度特性に依存する
ことになる。また、電流Ｉ2 の電流値はバンドギャップ
・リファレンス回路１４によって決定され、制御抵抗Ｒ
１２に流れる電流は基準電圧源１１の出力電圧ＶE と制
御抵抗Ｒ１２の抵抗値によって容易に決定される。その
ため、負荷に流れる電流Ｉ0 の電流値は温度特性設定回
路１５Ａの温度特性の設定に左右されずに制御抵抗Ｒ１
２によって容易に設定することが可能となる。
ファレンス回路１４の有する温度係数及び温度特性設定
回路１５Ａによって決定されるので、負荷１３に流れる
電流Ｉ0 は、バンドギャップ・リファレンス回路１４及
び温度特性設定回路１５Ａの有する温度特性に依存する
ことになる。また、電流Ｉ2 の電流値はバンドギャップ
・リファレンス回路１４によって決定され、制御抵抗Ｒ
１２に流れる電流は基準電圧源１１の出力電圧ＶE と制
御抵抗Ｒ１２の抵抗値によって容易に決定される。その
ため、負荷に流れる電流Ｉ0 の電流値は温度特性設定回
路１５Ａの温度特性の設定に左右されずに制御抵抗Ｒ１
２によって容易に設定することが可能となる。
【００２５】図３には本発明の別の実施例である定電流
回路の回路図を示す。温度特性設定回路２５の回路構成
以外は、構成要素も回路構成も図１の定電流回路と同じ
である。
回路の回路図を示す。温度特性設定回路２５の回路構成
以外は、構成要素も回路構成も図１の定電流回路と同じ
である。
【００２６】温度特性設定回路２５は、ＰＮＰ型の第５
トランジスタＱ２５、第７トランジスタＱ２７及び第８
トランジスタＱ２８と、ＮＰＮ型の第６トランジスタＱ
２６及び第９トランジスタＱ２９と、抵抗Ｒ２３〜Ｒ２
６と、引き出し端子２９ａ、２９ｂ、２９ｃと、接続端
子３０より構成される。
トランジスタＱ２５、第７トランジスタＱ２７及び第８
トランジスタＱ２８と、ＮＰＮ型の第６トランジスタＱ
２６及び第９トランジスタＱ２９と、抵抗Ｒ２３〜Ｒ２
６と、引き出し端子２９ａ、２９ｂ、２９ｃと、接続端
子３０より構成される。
【００２７】第５トランジスタＱ２５と第６トランジス
タＱ２６のコレクタ間に抵抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５を
直列に接続し、その夫々の抵抗の一端から端子２９ａ、
２９ｂ、２９ｃが引き出されている。第５トランジスタ
Ｑ２５のエミッタは入力端子２７ａと接続され、ベース
はバンドギャップ・リファレンス回路２４の第１トラン
ジスタＱ２１及び第２トランジスタＱ２２のベースと接
続され、バンドギャップ・リファレンス回路２４の第１
トランジスタＱ２１及び第２トランジスタＱ２２と第５
トランジスタＱ２５はカレントミラー回路を構成する。
第６トランジスタＱ２６は、エミッタが入力端子２７ｂ
と接続され、ベースとコレクタが接続されて等価的にダ
イオードを形成している。
タＱ２６のコレクタ間に抵抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５を
直列に接続し、その夫々の抵抗の一端から端子２９ａ、
２９ｂ、２９ｃが引き出されている。第５トランジスタ
Ｑ２５のエミッタは入力端子２７ａと接続され、ベース
はバンドギャップ・リファレンス回路２４の第１トラン
ジスタＱ２１及び第２トランジスタＱ２２のベースと接
続され、バンドギャップ・リファレンス回路２４の第１
トランジスタＱ２１及び第２トランジスタＱ２２と第５
トランジスタＱ２５はカレントミラー回路を構成する。
第６トランジスタＱ２６は、エミッタが入力端子２７ｂ
と接続され、ベースとコレクタが接続されて等価的にダ
イオードを形成している。
【００２８】ＰＮＰ型の第７トランジスタＱ２７と第８
トランジスタＱ２８のベースを接続してカレントミラー
回路を形成し、第７トランジスタＱ２７及び第８トラン
ジスタＱ２８のエミッタは入力端子２７ａに接続され
る。第８トランジスタＱ２８のコレクタは、温度特性設
定回路２５の出力端として電圧フォロワ回路２６の出力
端と接続される。第７トランジスタＱ２７は、ベースと
コレクタが接続され、さらにコレクタが第９トランジス
タＱ２９のコレクタと接続される。
トランジスタＱ２８のベースを接続してカレントミラー
回路を形成し、第７トランジスタＱ２７及び第８トラン
ジスタＱ２８のエミッタは入力端子２７ａに接続され
る。第８トランジスタＱ２８のコレクタは、温度特性設
定回路２５の出力端として電圧フォロワ回路２６の出力
端と接続される。第７トランジスタＱ２７は、ベースと
コレクタが接続され、さらにコレクタが第９トランジス
タＱ２９のコレクタと接続される。
【００２９】第９トランジスタＱ２９は、エミッタが抵
抗Ｒ２６を介して入力端子２７ｂに接続され、ベースに
は接続端子３０が設けられている。接続端子３０は、抵
抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５のそれぞれの一端から引き出
された端子２９ａ、２９ｂ、２９ｃのいずれかと接続さ
れる構成となっている。
抗Ｒ２６を介して入力端子２７ｂに接続され、ベースに
は接続端子３０が設けられている。接続端子３０は、抵
抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５のそれぞれの一端から引き出
された端子２９ａ、２９ｂ、２９ｃのいずれかと接続さ
れる構成となっている。
【００３０】このような構成を有する回路の動作を以下
に説明する。バンドギャップ・リファレンス回路２４と
接続される第５トランジスタＱ２５には、前記した式
（１）の電流Ｉ1 に相当する電流が流れる。そのため、
引き出された端子２９ａ、２９ｂ、２９ｃには、それぞ
れの引き出し点より入力端子２７ｂ側に接続されている
回路素子の抵抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、第６トランジ
スタＱ２６の抵抗値に第５トランジスタＱ２５を流れる
電流値を乗じた大きさの電圧が現れる。
に説明する。バンドギャップ・リファレンス回路２４と
接続される第５トランジスタＱ２５には、前記した式
（１）の電流Ｉ1 に相当する電流が流れる。そのため、
引き出された端子２９ａ、２９ｂ、２９ｃには、それぞ
れの引き出し点より入力端子２７ｂ側に接続されている
回路素子の抵抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、第６トランジ
スタＱ２６の抵抗値に第５トランジスタＱ２５を流れる
電流値を乗じた大きさの電圧が現れる。
【００３１】接続端子３０と接続された、いずれかの端
子２９ａか又は２９ｂあるいは２９ｃに現れる電圧が第
９トランジスタＱ２９を駆動し、その結果、第７トラン
ジスタＱ２７と第９トランジスタＱ２９と抵抗Ｒ２６の
直列回路に電流が流れ、第７トランジスタＱ２７とカレ
ントミラー回路を構成する第８トランジスタＱ２８に電
流Ｉ3 が流れる。
子２９ａか又は２９ｂあるいは２９ｃに現れる電圧が第
９トランジスタＱ２９を駆動し、その結果、第７トラン
ジスタＱ２７と第９トランジスタＱ２９と抵抗Ｒ２６の
直列回路に電流が流れ、第７トランジスタＱ２７とカレ
ントミラー回路を構成する第８トランジスタＱ２８に電
流Ｉ3 が流れる。
【００３２】第５トランジスタＱ２５に流れる電流は式
（１）あるいは式（３）で示したように正の温度特性を
示し、第６トランジスタＱ２６の抵抗値は、等価的にダ
イオードとなっているので負の抵抗温度特性を持つ。端
子２９ａ、２９ｂ、２９ｃに現れる電圧の温度特性は、
抵抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５によって設定され、端子２
９ａに現れる電圧の温度特性は特に電流の正の温度特性
の影響を受け、端子２９ｃに現れる電圧の温度特性は特
に第６トランジスタＱ２６の抵抗値の負の温度特性の影
響を受ける。
（１）あるいは式（３）で示したように正の温度特性を
示し、第６トランジスタＱ２６の抵抗値は、等価的にダ
イオードとなっているので負の抵抗温度特性を持つ。端
子２９ａ、２９ｂ、２９ｃに現れる電圧の温度特性は、
抵抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５によって設定され、端子２
９ａに現れる電圧の温度特性は特に電流の正の温度特性
の影響を受け、端子２９ｃに現れる電圧の温度特性は特
に第６トランジスタＱ２６の抵抗値の負の温度特性の影
響を受ける。
【００３３】従って、抵抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５の抵
抗値の設定如何で端子２９ａ、２９ｂ、２９ｃに現れる
電圧の温度特性を、三つの端子とも正あるいは負の温度
特性で温度係数が異なるというようにも、端子２９ａに
現れる電圧の温度特性は正、端子２９ｂに現れる電圧は
温度に依存せずに一定、端子２９ｃに現れる電圧の温度
特性は負というようにも、様々に設定することも可能と
なる。
抗値の設定如何で端子２９ａ、２９ｂ、２９ｃに現れる
電圧の温度特性を、三つの端子とも正あるいは負の温度
特性で温度係数が異なるというようにも、端子２９ａに
現れる電圧の温度特性は正、端子２９ｂに現れる電圧は
温度に依存せずに一定、端子２９ｃに現れる電圧の温度
特性は負というようにも、様々に設定することも可能と
なる。
【００３４】例えば、端子２９ａ、２９ｂ、２９ｃのう
ち、どれかの端子に現れる電圧を温度に依存せずに一定
となるように抵抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５の値を設定し
ておき、その温度に依存しない電圧を出力する端子と、
電圧フォロワ回路２６の増幅器２２の非反転端子を接続
することによって、基準電圧源２１を省略することもで
きる。第５トランジスタＱ２５と第６トランジスタＱ２
６のコレクタ間に接続された抵抗は、図３においては、
抵抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５の３個を用いて説明をして
いるが、その数は特に限定されない。また、抵抗Ｒ２
３、Ｒ２４、Ｒ２５は固定抵抗を用いて表現しているが
可変抵抗を用いても良い。
ち、どれかの端子に現れる電圧を温度に依存せずに一定
となるように抵抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５の値を設定し
ておき、その温度に依存しない電圧を出力する端子と、
電圧フォロワ回路２６の増幅器２２の非反転端子を接続
することによって、基準電圧源２１を省略することもで
きる。第５トランジスタＱ２５と第６トランジスタＱ２
６のコレクタ間に接続された抵抗は、図３においては、
抵抗Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５の３個を用いて説明をして
いるが、その数は特に限定されない。また、抵抗Ｒ２
３、Ｒ２４、Ｒ２５は固定抵抗を用いて表現しているが
可変抵抗を用いても良い。
【００３５】温度特性設定回路２５からの出力電流Ｉ3
が示す温度特性は、この端子２９ａ、２９ｂ、２９ｃに
現れる電圧に依存している。制御抵抗Ｒ２２に流れる電
流は電圧フォロワ回路２６によって常に一定であり、そ
の値は負荷２３を流れる電流Ｉ0 と温度特性設定回路２
５からの出力電流Ｉ3 を加えたものでもある。従って負
荷２３に流れる電流Ｉ0 は、電流Ｉ3 が正の温度特性を
示せば負の温度特性を示し、電流Ｉ3 が負の温度特性を
示せば正の温度特性を示すことになる。
が示す温度特性は、この端子２９ａ、２９ｂ、２９ｃに
現れる電圧に依存している。制御抵抗Ｒ２２に流れる電
流は電圧フォロワ回路２６によって常に一定であり、そ
の値は負荷２３を流れる電流Ｉ0 と温度特性設定回路２
５からの出力電流Ｉ3 を加えたものでもある。従って負
荷２３に流れる電流Ｉ0 は、電流Ｉ3 が正の温度特性を
示せば負の温度特性を示し、電流Ｉ3 が負の温度特性を
示せば正の温度特性を示すことになる。
【００３６】電流Ｉ3 の温度特性はバンドギャップ・リ
ファレンス回路２４及び温度特性設定回路２５の有する
温度係数によって決定されるので、負荷２３に流れる電
流Ｉ0 はバンドギャップ・リファレンス回路２４及び温
度特性設定回路２５の温度特性に依存することになる。
電流Ｉ3 の電流値はバンドギャップ・リファレンス回路
２４及び温度特性設定回路２５によって決定され、その
温度特性の設定によって多少の変動を生ずるが、その変
動分が電流Ｉ0 に与える影響は制御抵抗Ｒ２２によって
矯正が可能であり、制御抵抗Ｒ２２に流れる電流は、基
準電圧源２１の出力電圧と制御抵抗Ｒ２２の抵抗値によ
って容易に決定される。そのため、負荷２３に流れる電
流Ｉ0 の電流値は制御抵抗Ｒ２２によって設定すること
が可能となる。
ファレンス回路２４及び温度特性設定回路２５の有する
温度係数によって決定されるので、負荷２３に流れる電
流Ｉ0 はバンドギャップ・リファレンス回路２４及び温
度特性設定回路２５の温度特性に依存することになる。
電流Ｉ3 の電流値はバンドギャップ・リファレンス回路
２４及び温度特性設定回路２５によって決定され、その
温度特性の設定によって多少の変動を生ずるが、その変
動分が電流Ｉ0 に与える影響は制御抵抗Ｒ２２によって
矯正が可能であり、制御抵抗Ｒ２２に流れる電流は、基
準電圧源２１の出力電圧と制御抵抗Ｒ２２の抵抗値によ
って容易に決定される。そのため、負荷２３に流れる電
流Ｉ0 の電流値は制御抵抗Ｒ２２によって設定すること
が可能となる。
【００３７】負荷と制御抵抗が直列に接続された回路構
成で、本発明の実施例を説明したが、このような回路で
は負荷の電位が上昇してしまうことになる。電位の上昇
を避けたい場合には、図４に示すような回路構成とすれ
ば良い。すなわち、制御抵抗Ｒ３２と入力端子ａ側との
間に、コレクタが制御抵抗Ｒ３２と接続されるようにＰ
ＮＰ型のトランジスタＱ４０を設ける。トランジスタＱ
４０のベースとコレクタを接続し、さらにトランジスタ
Ｑ４０とカレントミラー回路を形成するようにベース及
びエミッタ同士を接続したＰＮＰ型のトランジスタＱ４
１を設け、トランジスタＱ４１のコレクタに保護抵抗Ｒ
３７を介して出力端子３８ａが接続される。出力端子３
８ｂは、入力端子ｂ側と接続され、出力端子３８ａ、３
８ｂ間に負荷３３が接続される。
成で、本発明の実施例を説明したが、このような回路で
は負荷の電位が上昇してしまうことになる。電位の上昇
を避けたい場合には、図４に示すような回路構成とすれ
ば良い。すなわち、制御抵抗Ｒ３２と入力端子ａ側との
間に、コレクタが制御抵抗Ｒ３２と接続されるようにＰ
ＮＰ型のトランジスタＱ４０を設ける。トランジスタＱ
４０のベースとコレクタを接続し、さらにトランジスタ
Ｑ４０とカレントミラー回路を形成するようにベース及
びエミッタ同士を接続したＰＮＰ型のトランジスタＱ４
１を設け、トランジスタＱ４１のコレクタに保護抵抗Ｒ
３７を介して出力端子３８ａが接続される。出力端子３
８ｂは、入力端子ｂ側と接続され、出力端子３８ａ、３
８ｂ間に負荷３３が接続される。
【００３８】なお、図４においては、制御抵抗Ｒ３２よ
りも入力端子側に設けられる回路については図示を省略
した。トランジスタＱ４０には前記した電流Ｉ0 に相当
する電流が流れるので、カレントミラー回路を構成する
トランジスタＱ４１を介して負荷３３にも電流Ｉ0 に相
当する電流が流れる。
りも入力端子側に設けられる回路については図示を省略
した。トランジスタＱ４０には前記した電流Ｉ0 に相当
する電流が流れるので、カレントミラー回路を構成する
トランジスタＱ４１を介して負荷３３にも電流Ｉ0 に相
当する電流が流れる。
【００３９】本発明の実施例の説明において、バンドギ
ャップ・リファレンス回路を第１から第４のトランジス
タで構成した回路にて説明を行ったが、バンドギャップ
電圧を利用したバイアス回路であれば、これに限定され
ることはない。負の抵抗温度特性を持つ素子として、コ
レクタとベースを接続したトランジスタを用いて説明を
行ったが、負の抵抗温度特性を示す素子であれば例えば
ダイオードであっても良く、これに限定されることはな
い。
ャップ・リファレンス回路を第１から第４のトランジス
タで構成した回路にて説明を行ったが、バンドギャップ
電圧を利用したバイアス回路であれば、これに限定され
ることはない。負の抵抗温度特性を持つ素子として、コ
レクタとベースを接続したトランジスタを用いて説明を
行ったが、負の抵抗温度特性を示す素子であれば例えば
ダイオードであっても良く、これに限定されることはな
い。
【００４０】
【発明の効果】本発明は、バンドギャップ・リファレン
ス回路に接続された温度特性設定回路の出力端と電圧フ
ォロワ回路の出力端を制御抵抗に接続した構成とするこ
とにより、定電流回路に接続された負荷に流れる電流の
示す温度特性と電流値を、互いに独立して設定できるよ
うにした。このことにより回路の設計が簡略化され、ま
た、定電流回路の出力電流の電流値と温度特性を高精度
で設定できるようになり、低コスト、高品質の温度補償
型の定電流回路を提供できる。
ス回路に接続された温度特性設定回路の出力端と電圧フ
ォロワ回路の出力端を制御抵抗に接続した構成とするこ
とにより、定電流回路に接続された負荷に流れる電流の
示す温度特性と電流値を、互いに独立して設定できるよ
うにした。このことにより回路の設計が簡略化され、ま
た、定電流回路の出力電流の電流値と温度特性を高精度
で設定できるようになり、低コスト、高品質の温度補償
型の定電流回路を提供できる。
【図１】本発明の定電流回路の一実施例を示す回路図で
ある。
ある。
【図２】図１の定電流回路における他の温度特性設定回
路の回路図である。
路の回路図である。
【図３】本発明の定電流回路の他の実施例を示す回路図
である。
である。
【図４】本発明で負荷を接地する場合の定電流回路の出
力側の回路図である。
力側の回路図である。
【図５】従来の定電流回路を示す回路図である。
１１ 基準電圧源 １２ 増幅器 １３ 負荷 １４ バンドギャップ・リファレンス回路 １５Ａ 温度特性設定回路 １６ 電圧フォロワ回路 １７ａ 入力端子 １７ｂ 入力端子 １８ａ 出力端子 １８ｂ 出力端子
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体のバンドギャップ電圧を利用した
バイアス回路であるバンドギャップ・リファレンス回路
と、バンドギャップ・リファレンス回路の持つ温度係数
を受けて定電流回路の出力電流の温度特性を設定する温
度特性設定回路と、定電流回路の出力電流の電流値を設
定する制御抵抗と、制御抵抗の両端の電圧を一定に保つ
電圧フォロワ回路を具備し、バンドギャップ・リファレ
ンス回路に接続された温度特性設定回路の出力側と電圧
フォロワ回路の出力側を制御抵抗に接続したことを特徴
とする温度補償型の定電流回路。 - 【請求項２】 バンドギャップ・リファレンス回路の持
つ正の温度係数を受けて正の温度特性を示す電流を発生
するトランジスタ素子と負の抵抗温度特性を示す素子
を、単数あるいは直列に接続された複数の抵抗を介して
接続し、該抵抗から引き出される端子に現れる電圧によ
って出力電流の温度特性が決定される温度特性設定回路
を具備する請求項１の定電流回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4213354A JPH0635559A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 定電流回路 |
| US08/305,739 US5455504A (en) | 1992-07-17 | 1994-09-14 | Constant-current circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4213354A JPH0635559A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 定電流回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0635559A true JPH0635559A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16637783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4213354A Pending JPH0635559A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 定電流回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5455504A (ja) |
| JP (1) | JPH0635559A (ja) |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007049678A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 温度補償バイアスソース回路 |
| US7335698B2 (en) | 2001-12-21 | 2008-02-26 | Jsr Corporation | Fluoropolymer containing ethylenically unsaturated groups, and curable resin compositions and antireflection coatings, made by using the same |
| JP2012123485A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 基準電流出力装置及び基準電流出力方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5760639A (en) * | 1996-03-04 | 1998-06-02 | Motorola, Inc. | Voltage and current reference circuit with a low temperature coefficient |
| FR2809833B1 (fr) | 2000-05-30 | 2002-11-29 | St Microelectronics Sa | Source de courant a faible dependance en temperature |
| JP3696145B2 (ja) * | 2001-10-25 | 2005-09-14 | 株式会社東芝 | 温度依存型定電流発生回路 |
| KR100888483B1 (ko) * | 2007-05-16 | 2009-03-12 | 삼성전자주식회사 | 공정 변동을 보상하는 기준 바이어스 회로 |
| CN102147632B (zh) * | 2011-05-11 | 2012-09-12 | 电子科技大学 | 一种无电阻的带隙基准电压源 |
| US10795395B2 (en) * | 2018-11-16 | 2020-10-06 | Ememory Technology Inc. | Bandgap voltage reference circuit capable of correcting voltage distortion |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567118A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-24 | Hitachi Ltd | Stabilizing electric power circuit |
| US4477737A (en) * | 1982-07-14 | 1984-10-16 | Motorola, Inc. | Voltage generator circuit having compensation for process and temperature variation |
| DE3565328D1 (en) * | 1984-07-16 | 1988-11-03 | Siemens Ag | Integrated constant-current source |
| JPS6149616A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-11 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 温度保護用回路装置 |
| US4665356A (en) * | 1986-01-27 | 1987-05-12 | National Semiconductor Corporation | Integrated circuit trimming |
| DE3815604A1 (de) * | 1988-05-06 | 1989-11-23 | Texas Instruments Deutschland | Treiberschaltung |
| US4853610A (en) * | 1988-12-05 | 1989-08-01 | Harris Semiconductor Patents, Inc. | Precision temperature-stable current sources/sinks |
| JP3058935B2 (ja) * | 1991-04-26 | 2000-07-04 | 株式会社東芝 | 基準電流発生回路 |
| US5241261A (en) * | 1992-02-26 | 1993-08-31 | Motorola, Inc. | Thermally dependent self-modifying voltage source |
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1992
- 1992-07-17 JP JP4213354A patent/JPH0635559A/ja active Pending
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1994
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