JPH06350130A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH06350130A JPH06350130A JP13450693A JP13450693A JPH06350130A JP H06350130 A JPH06350130 A JP H06350130A JP 13450693 A JP13450693 A JP 13450693A JP 13450693 A JP13450693 A JP 13450693A JP H06350130 A JPH06350130 A JP H06350130A
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- laser device
- printed circuit
- circuit board
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
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- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザチップを直接に、または半導体
基板を介してコムフレーム上に実装し、このコムフレー
ムには半導体レーザチップを配置する領域の周囲に絶縁
材料からなる外枠が形成されている構成の光学ユニット
中の半導体レーザチップに、外部に漏洩することなく高
周波を重畳することができる半導体レーザ装置を実現す
る。 【構成】 光学ユニット１５を、少なくとも高周波回路
を含むプリント基板１６に固定し、このプリント基板１
６には貫通孔２０が形成されており、半導体レーザ素子
からの出射光がプリント基板１６の貫通孔２０を通過す
るように配置されており、しかもプリント基板１６はそ
の裏面もしくは基板内部に金属面１９を有する構成とし
た。
基板を介してコムフレーム上に実装し、このコムフレー
ムには半導体レーザチップを配置する領域の周囲に絶縁
材料からなる外枠が形成されている構成の光学ユニット
中の半導体レーザチップに、外部に漏洩することなく高
周波を重畳することができる半導体レーザ装置を実現す
る。 【構成】 光学ユニット１５を、少なくとも高周波回路
を含むプリント基板１６に固定し、このプリント基板１
６には貫通孔２０が形成されており、半導体レーザ素子
からの出射光がプリント基板１６の貫通孔２０を通過す
るように配置されており、しかもプリント基板１６はそ
の裏面もしくは基板内部に金属面１９を有する構成とし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報処理・光計測・
光通信用半導体レーザに関するものである。
光通信用半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクや相変化型光ディスクの
読出し・書込みに用いられる光ピックアップには、光デ
ィスクからの反射光が半導体レーザに戻ってきたときに
も出力光を安定に保つことができる高出力半導体レーザ
が要望されている。しかし、単一モード状態で発振して
いる高出力半導体レーザは、特に読出し時における低パ
ワー出力状態で戻り光が入力したときに、出力パワーが
不安定になることが避けられないため、通常数百ＭＨｚ
程度の高周波を重畳した電流を半導体レーザに注入する
ことにより、半導体レーザの発振光スペクトルを多モー
ド化して、戻り光に対する安定性を向上させている。
読出し・書込みに用いられる光ピックアップには、光デ
ィスクからの反射光が半導体レーザに戻ってきたときに
も出力光を安定に保つことができる高出力半導体レーザ
が要望されている。しかし、単一モード状態で発振して
いる高出力半導体レーザは、特に読出し時における低パ
ワー出力状態で戻り光が入力したときに、出力パワーが
不安定になることが避けられないため、通常数百ＭＨｚ
程度の高周波を重畳した電流を半導体レーザに注入する
ことにより、半導体レーザの発振光スペクトルを多モー
ド化して、戻り光に対する安定性を向上させている。
【０００３】図２にその概略の構成を示す。図２におい
て、１は半導体レーザチップ、２は半導体レーザパッケ
ージステム、３は出力光取り出し用窓ガラス、４は高周
波回路を含むプリント基板、５は高周波回路を構成する
電気素子、６は高周波回路のパッケージである。
て、１は半導体レーザチップ、２は半導体レーザパッケ
ージステム、３は出力光取り出し用窓ガラス、４は高周
波回路を含むプリント基板、５は高周波回路を構成する
電気素子、６は高周波回路のパッケージである。
【０００４】近年、光ディスク装置の小型化に伴い、光
ピックアップも小型化が強く望まれており、その対策と
して光ピックアップの光学部品を集積化したユニットが
提案されている。
ピックアップも小型化が強く望まれており、その対策と
して光ピックアップの光学部品を集積化したユニットが
提案されている。
【０００５】図３にその一例を示す。図３において、７
はシリコン基板、８は４５゜ミラー、９は信号検出用フ
ォトディテクタ、１０は樹脂、１１はコムフレーム、１
２はホログラム光学素子、１３は出射光、１４は光ディ
スクにより変調・反射されて戻ってきた信号光である。
はシリコン基板、８は４５゜ミラー、９は信号検出用フ
ォトディテクタ、１０は樹脂、１１はコムフレーム、１
２はホログラム光学素子、１３は出射光、１４は光ディ
スクにより変調・反射されて戻ってきた信号光である。
【０００６】次に、この光学ユニットの構成について説
明する。半導体レーザチップ１はシリコン基板７上に配
置され、出射した光１３はシリコン基板７に集積された
４５゜ミラー８により反射されて基板垂直方向へ出射す
る。この出射光１３はピックアップ側に構成されるコリ
メートレンズを経て対物レンズに入射し、対物レンズに
より光ディスク上に集光して変調・反射し、ユニットへ
再び入射する。このとき、ホログラム光学素子１２によ
り、光パワーの一部が回折されてシリコン基板７に集積
されたフォトディテクタに入射し、検出される。
明する。半導体レーザチップ１はシリコン基板７上に配
置され、出射した光１３はシリコン基板７に集積された
４５゜ミラー８により反射されて基板垂直方向へ出射す
る。この出射光１３はピックアップ側に構成されるコリ
メートレンズを経て対物レンズに入射し、対物レンズに
より光ディスク上に集光して変調・反射し、ユニットへ
再び入射する。このとき、ホログラム光学素子１２によ
り、光パワーの一部が回折されてシリコン基板７に集積
されたフォトディテクタに入射し、検出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図３はさまざまな機能
を一体化した構成を示しているが、半導体レーザ素子に
注入する電流に高周波を重畳する技術についてはこれま
で十分な検討がなされていず、このままで読出し・書込
み可能な光ディスク用のピックアップに利用した場合、
読出し時の低パワー状態で光ディスクからの戻り光が発
生したときに出力光が安定せず、読出し信号に大きなノ
イズが発生するという問題がある。
を一体化した構成を示しているが、半導体レーザ素子に
注入する電流に高周波を重畳する技術についてはこれま
で十分な検討がなされていず、このままで読出し・書込
み可能な光ディスク用のピックアップに利用した場合、
読出し時の低パワー状態で光ディスクからの戻り光が発
生したときに出力光が安定せず、読出し信号に大きなノ
イズが発生するという問題がある。
【０００８】そこで図２に示した従来の半導体レーザの
ように、高周波素子を半導体レーザ素子端子に直接固定
する構成が考えられる。その構成の代表例を図４
（ａ）、（ｂ）に示す。このように光学ユニットの半導
体レーザ端子を高周波回路に挿入した構造では、高周波
がコムフレームの端子１１を介して半導体レーザに印加
される。このような実装において、図２に示す従来の半
導体レーザではその端子が露出しないように金属からな
るレーザパッケージと金属からなる高周波素子パッケー
ジ６をほぼ密着して配置してパッケージを接地すること
により、電極端子から外部への高周波の輻射を防ぐこと
ができる。しかし図４に示す構造では、レーザ素子側の
パッケージがシールドされていないため、電極端子から
の高周波の放射が避けられず、周辺の他の回路に悪影響
を及ぼすという問題点がある。また、全体のサイズ、特
に光軸方向の厚みが大きくなるため、光学素子を集積化
したメリットがなくなってしまうという問題点もある。
ように、高周波素子を半導体レーザ素子端子に直接固定
する構成が考えられる。その構成の代表例を図４
（ａ）、（ｂ）に示す。このように光学ユニットの半導
体レーザ端子を高周波回路に挿入した構造では、高周波
がコムフレームの端子１１を介して半導体レーザに印加
される。このような実装において、図２に示す従来の半
導体レーザではその端子が露出しないように金属からな
るレーザパッケージと金属からなる高周波素子パッケー
ジ６をほぼ密着して配置してパッケージを接地すること
により、電極端子から外部への高周波の輻射を防ぐこと
ができる。しかし図４に示す構造では、レーザ素子側の
パッケージがシールドされていないため、電極端子から
の高周波の放射が避けられず、周辺の他の回路に悪影響
を及ぼすという問題点がある。また、全体のサイズ、特
に光軸方向の厚みが大きくなるため、光学素子を集積化
したメリットがなくなってしまうという問題点もある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、半導体
レーザチップを直接に、または半導体基板を介してコム
フレーム上に実装し、このコムフレームには半導体レー
ザチップを配置する領域の周囲に絶縁材料からなる外枠
が形成されている構成の半導体レーザ素子を、少なくと
も高周波回路を含むプリント基板に固定し、プリント基
板には貫通孔が形成されており、半導体レーザ素子から
の出射光がプリント基板貫通孔を通過するように配置さ
れており、しかもプリント基板はその裏面もしくは基板
内部に金属面を有する。
レーザチップを直接に、または半導体基板を介してコム
フレーム上に実装し、このコムフレームには半導体レー
ザチップを配置する領域の周囲に絶縁材料からなる外枠
が形成されている構成の半導体レーザ素子を、少なくと
も高周波回路を含むプリント基板に固定し、プリント基
板には貫通孔が形成されており、半導体レーザ素子から
の出射光がプリント基板貫通孔を通過するように配置さ
れており、しかもプリント基板はその裏面もしくは基板
内部に金属面を有する。
【００１０】
【作用】本発明による構成を採用することにより、半導
体レーザチップを直接に、または半導体基板を介してコ
ムフレーム上に実装し、このコムフレームには半導体レ
ーザチップを配置する領域の周囲に絶縁材料からなる外
枠が形成されている構成の半導体レーザ素子において
も、高周波を外部に輻射することなく半導体レーザに高
周波重畳をすることができるようになる。また、この構
成の場合、全体のサイズ、特に光軸方向の厚みもほぼ光
学ユニットの厚み程度に設計できるため、光学素子を集
積化した効果を活かしながら、半導体レーザに高周波を
重畳することができるようになる。
体レーザチップを直接に、または半導体基板を介してコ
ムフレーム上に実装し、このコムフレームには半導体レ
ーザチップを配置する領域の周囲に絶縁材料からなる外
枠が形成されている構成の半導体レーザ素子において
も、高周波を外部に輻射することなく半導体レーザに高
周波重畳をすることができるようになる。また、この構
成の場合、全体のサイズ、特に光軸方向の厚みもほぼ光
学ユニットの厚み程度に設計できるため、光学素子を集
積化した効果を活かしながら、半導体レーザに高周波を
重畳することができるようになる。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例の半導体レーザ装置につい
て、図１を参照して説明する。図１はこの実施例の分解
斜視図である。図１において、１５は図３に示した構造
の光学ユニット、１６はプリント基板、１７は電極パッ
ド、１８は回路構成部分、１９は金属被膜、２０は貫通
孔である。
て、図１を参照して説明する。図１はこの実施例の分解
斜視図である。図１において、１５は図３に示した構造
の光学ユニット、１６はプリント基板、１７は電極パッ
ド、１８は回路構成部分、１９は金属被膜、２０は貫通
孔である。
【００１２】プリント基板１６上面の回路構成部分１８
の領域には、光学ユニット１５内の半導体レーザに高周
波を重畳するための回路が構成されている。この高周波
を光学ユニット１５に伝達するため、光学ユニット１５
の電極端子１１は、プリント基板１６上の電極パッド１
７に対応させて配置されている。そして、対応する電極
−パッド間を半田付けして固定する。その際、光学ユニ
ット１５のホログラム光学素子１２の部分は、プリント
基板１６に開けられた貫通孔２０に挿入できるよう構成
されている。また、プリント基板１６の下面には金属被
膜１９が形成されている。
の領域には、光学ユニット１５内の半導体レーザに高周
波を重畳するための回路が構成されている。この高周波
を光学ユニット１５に伝達するため、光学ユニット１５
の電極端子１１は、プリント基板１６上の電極パッド１
７に対応させて配置されている。そして、対応する電極
−パッド間を半田付けして固定する。その際、光学ユニ
ット１５のホログラム光学素子１２の部分は、プリント
基板１６に開けられた貫通孔２０に挿入できるよう構成
されている。また、プリント基板１６の下面には金属被
膜１９が形成されている。
【００１３】このような構成にすることにより、図１に
おけるプリント基板１６の上面方向へは光学ユニット１
５からの出射光も発生しないことから、図５に示すよう
に金属カバー２１を上方からかぶせるように配置して金
属カバーとプリント基板下面の金属被膜１９を接地する
ことにより、プリント基板１６から放射される高周波を
カバー外部へ漏洩しないようにすることができる。
おけるプリント基板１６の上面方向へは光学ユニット１
５からの出射光も発生しないことから、図５に示すよう
に金属カバー２１を上方からかぶせるように配置して金
属カバーとプリント基板下面の金属被膜１９を接地する
ことにより、プリント基板１６から放射される高周波を
カバー外部へ漏洩しないようにすることができる。
【００１４】また、このような構成にすることにより、
光学ユニット１５の厚みがプリント基板１６に吸収され
るため、金属カバー２１を薄くすることにより、出射光
方向の厚みも光学ユニットとほぼ変わらない構成にする
ことができる。
光学ユニット１５の厚みがプリント基板１６に吸収され
るため、金属カバー２１を薄くすることにより、出射光
方向の厚みも光学ユニットとほぼ変わらない構成にする
ことができる。
【００１５】また、このような半導体レーザ素子を光ピ
ックアップに組み込む場合の概略図を図６に示す。図６
において、２８は本発明による実施例に示す素子、２９
は光ピックアップのフレーム、である。通常この図に示
すように、本発明の素子が出射側の面で光ピックアップ
のフレームに密着するように配置される。
ックアップに組み込む場合の概略図を図６に示す。図６
において、２８は本発明による実施例に示す素子、２９
は光ピックアップのフレーム、である。通常この図に示
すように、本発明の素子が出射側の面で光ピックアップ
のフレームに密着するように配置される。
【００１６】本発明は半導体レーザ、フォトディテクタ
を含んでおり、光ピックアップ内部の光学素子に合わせ
るために光ピックアップへの実装は非常に高精度が要求
される。特に出射光１３の方向については、基準面から
発光点まで±３０μｍの精度が要求される。
を含んでおり、光ピックアップ内部の光学素子に合わせ
るために光ピックアップへの実装は非常に高精度が要求
される。特に出射光１３の方向については、基準面から
発光点まで±３０μｍの精度が要求される。
【００１７】図４（ｂ）に示す従来の技術の延長で発想
される技術として、光学ユニット１５を包含するよう
な、しかも出射光１３を取り出すことができる穴の開い
たパッケージを配置したとすると、光学ユニット１５か
らパッケージまでの距離は、パッケージ作製精度±５０
μｍ、パッケージ実装精度±３０μｍ、および光学ユニ
ット実装精度±１０μｍをあわせて、±９０μｍの誤差
が発生することになり、要求される精度を実現すること
ができない。
される技術として、光学ユニット１５を包含するよう
な、しかも出射光１３を取り出すことができる穴の開い
たパッケージを配置したとすると、光学ユニット１５か
らパッケージまでの距離は、パッケージ作製精度±５０
μｍ、パッケージ実装精度±３０μｍ、および光学ユニ
ット実装精度±１０μｍをあわせて、±９０μｍの誤差
が発生することになり、要求される精度を実現すること
ができない。
【００１８】ここで本発明によれば、プリント基板厚±
１０μｍ、光学ユニット実装精度±１０μｍ、および光
学ユニット高さ精度±１０μｍをあわせて±３０μｍを
実現することができる。したがって、本発明の構成を採
用することにより、光ピックアップからの実装要求精度
を満たす素子を実現することができる。
１０μｍ、光学ユニット実装精度±１０μｍ、および光
学ユニット高さ精度±１０μｍをあわせて±３０μｍを
実現することができる。したがって、本発明の構成を採
用することにより、光ピックアップからの実装要求精度
を満たす素子を実現することができる。
【００１９】なお、プリント基板として本実施例では裏
面に金属被膜を設けた構成を採用しているが、多層プリ
ント基板を用いて、プリント基板内部に金属被膜を配置
した構造でも同じ効果が得られる。
面に金属被膜を設けた構成を採用しているが、多層プリ
ント基板を用いて、プリント基板内部に金属被膜を配置
した構造でも同じ効果が得られる。
【００２０】また図７に示すように、金属ベースの基板
に絶縁膜を介して配線パタンが配置される金属ベースプ
リント基板でも同様の効果が得られる。図７において、
２２は金属ベース、２３は絶縁膜、２４は配線パタンで
ある。
に絶縁膜を介して配線パタンが配置される金属ベースプ
リント基板でも同様の効果が得られる。図７において、
２２は金属ベース、２３は絶縁膜、２４は配線パタンで
ある。
【００２１】このような構成の場合におけるプリント基
板と外部との電極接続は、高周波がプリント基板内部で
すべて処理されているため、高周波対策は容易になる。
たとえば、図８に示すようにプリント基板１６に接続し
たフレキシブルプリント基板２５を金属カバー２１とプ
リント基板１６との間に設定したギャップ２６から取り
出せばよい。また、フレキシブルプリント基板からの微
弱な高周波の漏洩が問題になる場合は、図９に示すよう
に、金属カバーを貫通するように配置された貫通コンデ
ンサ２７を介して外部へ電極を取り出せばよい。
板と外部との電極接続は、高周波がプリント基板内部で
すべて処理されているため、高周波対策は容易になる。
たとえば、図８に示すようにプリント基板１６に接続し
たフレキシブルプリント基板２５を金属カバー２１とプ
リント基板１６との間に設定したギャップ２６から取り
出せばよい。また、フレキシブルプリント基板からの微
弱な高周波の漏洩が問題になる場合は、図９に示すよう
に、金属カバーを貫通するように配置された貫通コンデ
ンサ２７を介して外部へ電極を取り出せばよい。
【００２２】本実施例においては、プリント基板上に構
成する回路として、高周波発振回路単体を構成している
が、半導体レーザチップに高周波を印加する回路・半導
体レーザ素子の出力光強度をコントロールして駆動する
回路・光学ユニット１５内のフォトディテクタから得ら
れる信号電流を電流電圧変換および／または増幅および
／または演算する回路、半導体レーザチップのサージ保
護回路のうち少なくとも一つ以上の機能を有する回路を
実装することにより、より機能の優れた半導体レーザ装
置を実現することができる。
成する回路として、高周波発振回路単体を構成している
が、半導体レーザチップに高周波を印加する回路・半導
体レーザ素子の出力光強度をコントロールして駆動する
回路・光学ユニット１５内のフォトディテクタから得ら
れる信号電流を電流電圧変換および／または増幅および
／または演算する回路、半導体レーザチップのサージ保
護回路のうち少なくとも一つ以上の機能を有する回路を
実装することにより、より機能の優れた半導体レーザ装
置を実現することができる。
【００２３】また、本実施例では、光学ユニット１５内
の構成はシリコン基板に４５゜ミラーを形成して半導体
レーザ出射光を垂直に立ち上げる構成を採用している
が、直接垂直方向に出射する面発光タイプのレーザで
も、コムフレームに実装している半導体レーザであれば
同様の効果が得られる。また、端面出射型半導体レーザ
でも図１０に示すように半導体レーザチップを金属ブロ
ック２８に固定し、出射光を垂直に立ち上げる構造にし
たものをコムフレームに実装する構造にすることによ
り、同様の効果が得られる。
の構成はシリコン基板に４５゜ミラーを形成して半導体
レーザ出射光を垂直に立ち上げる構成を採用している
が、直接垂直方向に出射する面発光タイプのレーザで
も、コムフレームに実装している半導体レーザであれば
同様の効果が得られる。また、端面出射型半導体レーザ
でも図１０に示すように半導体レーザチップを金属ブロ
ック２８に固定し、出射光を垂直に立ち上げる構造にし
たものをコムフレームに実装する構造にすることによ
り、同様の効果が得られる。
【００２４】
【発明の効果】本発明による構成を採用することによ
り、半導体レーザチップを直接あるいは半導体基板を介
してコムフレーム上に実装し、このコムフレームには半
導体レーザチップを配置する領域の周囲に絶縁材料から
なる外枠が形成されている構成の半導体レーザ素子にお
いても、高周波を外部に輻射することなく半導体レーザ
に高周波重畳を行うことができるようになる。また、こ
の構成の場合、全体のサイズ、特に光軸方向の厚みもほ
ぼ光学ユニットの厚み程度に設計できるため、光学素子
を集積化した効果を活かしながら、半導体レーザに高周
波を重畳することができるようになる。しかも、上記効
果を有し、しかも光ピックアップから要求される組立位
置精度を実現する半導体レーザ装置を作製することがで
きる。
り、半導体レーザチップを直接あるいは半導体基板を介
してコムフレーム上に実装し、このコムフレームには半
導体レーザチップを配置する領域の周囲に絶縁材料から
なる外枠が形成されている構成の半導体レーザ素子にお
いても、高周波を外部に輻射することなく半導体レーザ
に高周波重畳を行うことができるようになる。また、こ
の構成の場合、全体のサイズ、特に光軸方向の厚みもほ
ぼ光学ユニットの厚み程度に設計できるため、光学素子
を集積化した効果を活かしながら、半導体レーザに高周
波を重畳することができるようになる。しかも、上記効
果を有し、しかも光ピックアップから要求される組立位
置精度を実現する半導体レーザ装置を作製することがで
きる。
【図１】本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
分解斜視図
分解斜視図
【図２】従来の半導体レーザ装置の一例の断面図
【図３】従来の光学ユニットの一例の断面図
【図４】光学ユニットへの高周波回路の組み付け例を示
す断面図
す断面図
【図５】本発明の一実施例の半導体レーザ装置への金属
カバー実装断面図
カバー実装断面図
【図６】本発明の一実施例の半導体レーザ装置の光ピッ
クアップへの組み付け図
クアップへの組み付け図
【図７】本発明の他の実施例における半導体レーザ装置
の断面図
の断面図
【図８】本発明の一実施例の半導体レーザ装置における
電極取り出しの一例を示す断面図
電極取り出しの一例を示す断面図
【図９】本発明の一実施例の半導体レーザ装置における
電極取り出しの他の例を示す断面図
電極取り出しの他の例を示す断面図
１ 半導体レーザチップ ２ 半導体レーザパッケージステム ３ 出力光取り出し用窓ガラス ４ 高周波回路を含むプリント基板 ５ 高周波回路を構成する電気素子 ６ 高周波回路のパッケージ ７ シリコン基板 ８ ４５゜ミラー ９ 信号検出用フォトディテクタ １０ 樹脂 １１ コムフレーム １２ ホログラム光学素子 １３ 出射光 １４ 光ディスクにより変調・反射されて戻ってきた信
号光 １５ 光学ユニット １６ プリント基板 １７ 電極パッド １８ 回路構成部分 １９ 金属被膜 ２０ 貫通孔 ２１ 金属カバー ２２ 金属ベース ２３ 絶縁膜 ２４ 配線パタン ２５ フレキシブルプリント基板 ２６ ギャップ ２７ 貫通コンデンサ
号光 １５ 光学ユニット １６ プリント基板 １７ 電極パッド １８ 回路構成部分 １９ 金属被膜 ２０ 貫通孔 ２１ 金属カバー ２２ 金属ベース ２３ 絶縁膜 ２４ 配線パタン ２５ フレキシブルプリント基板 ２６ ギャップ ２７ 貫通コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲吉▼川 昭男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電子 工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザチップを直接に、または半
導体基板を介してコムフレーム上に実装し、このコムフ
レームには半導体レーザチップを配置する領域の周囲に
絶縁材料からなる外枠が形成されている構成の半導体レ
ーザ素子を、少なくとも高周波回路を含むプリント基板
に固定し、前記プリント基板には貫通孔が形成されてお
り、前記半導体レーザ素子からの出射光がプリント基板
貫通孔を通過するように配置されており、しかも前記プ
リント基板はその裏面もしくは基板内部に金属面を備え
た半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 半導体レーザチップを直接あるいは半導
体基板を介してコムフレーム上に実装し、前記半導体基
板には半導体レーザチップからの出射光を基板垂直方向
に放射するための４５゜ミラーが集積されており、この
コムフレームには半導体レーザチップを配置する領域の
周囲に絶縁材料からなる外枠が形成されている構成の半
導体レーザ素子を、少なくとも高周波回路を含むプリン
ト基板に固定し、しかも前記プリント基板には貫通孔が
形成されており、前記半導体レーザ素子からの出射光が
プリント基板貫通孔を通過するように配置されており、
しかも前記プリント基板はその裏面もしくは基板内部に
金属面を備えた半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 半導体基板上に、フォトディテクタおよ
び電気回路の少なくともいずれか一方が集積された請求
項１または２記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 プリント基板に、半導体レーザ素子に高
周波を印加する回路、前記半導体レーザ素子を駆動する
回路、前記半導体レーザ素子内のフォトディテクタから
得られる出力信号を処理する回路および前記半導体レー
ザチップのサージ保護回路のうちの少なくとも一つを実
装した請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13450693A JP3110586B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 半導体レーザ装置 |
| US08/253,915 US5539767A (en) | 1993-06-04 | 1994-06-03 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13450693A JP3110586B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 半導体レーザ装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350130A true JPH06350130A (ja) | 1994-12-22 |
| JP3110586B2 JP3110586B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=15129921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13450693A Expired - Fee Related JP3110586B2 (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 半導体レーザ装置 |
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| JP (1) | JP3110586B2 (ja) |
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| US6851831B2 (en) * | 2002-04-16 | 2005-02-08 | Gelcore Llc | Close packing LED assembly with versatile interconnect architecture |
| EP1383175A1 (de) * | 2002-07-16 | 2004-01-21 | Abb Research Ltd. | Optisches chipmodul |
| JP2004354532A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Seiko Epson Corp | 光モジュール及びその製造方法、光通信装置、電子機器 |
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| CN115657416A (zh) * | 2019-02-20 | 2023-01-31 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光光源及激光投影装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH03227585A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-10-08 | Minolta Camera Co Ltd | レ−ザ光源ユニット |
| US5327443A (en) * | 1991-10-30 | 1994-07-05 | Rohm Co., Ltd. | Package-type semiconductor laser device |
| US5294826A (en) * | 1993-04-16 | 1994-03-15 | Northern Telecom Limited | Integrated circuit package and assembly thereof for thermal and EMI management |
| US5367593A (en) * | 1993-09-03 | 1994-11-22 | Motorola, Inc. | Optical/electrical connector and method of fabrication |
| US5406117A (en) * | 1993-12-09 | 1995-04-11 | Dlugokecki; Joseph J. | Radiation shielding for integrated circuit devices using reconstructed plastic packages |
| US5422900A (en) * | 1994-04-28 | 1995-06-06 | Eastman Kodak Company | Integrated laser module |
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1993
- 1993-06-04 JP JP13450693A patent/JP3110586B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-03 US US08/253,915 patent/US5539767A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5539767A (en) | 1996-07-23 |
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